专利名称：监控存储阵列的单元间距的结构以及方法
技术领域：
本发明涉及监控存储阵列质量的方法，具体的说，涉及一种监控存储阵 列的单元间距的结构以及方法。
背景技术：
静态随才;Wl"储器(Static Random Access Memory, SRAM)存储阵列在现 代超大M^莫集成电路芯片中应用非常广泛，存储阵列质量的好差对集成电路 芯片具有决定性的影响，因此必须设计很多测试结构来监控存储阵列是否存 在问题。在SRAM存储阵列的各项参数中存储阵列间距是一个非常重要的参数 指标，存储阵列间距越小意味着在相同面积下存储容量可以越大，所以确定 一个合理的间距值是相当重要的，设计一种监控SRAM存储阵列的单元间距 的方法以及结构也成为业界的一个研究热点。发明内容本发明的主要目的是提供一种监控存储阵列的单元间距的结构以及方 法，其可以有效地监控SRAM存储阵列的单元监控是否符合要求。为达到上述目的，本发明提供一种监控存储阵列的单元间距的结构，用 于监控静态随机存储器存储阵列中任意两个相邻静态随机存储器之间的间距 值是否符合要求,所述相邻静态随机存储器分别连出构成第 一以及第二端子， 横跨过所述相邻静态随机存储器的多晶硅连出构成第三端子，P型阱区连出 构成第四端子，由所述第一至第四端子形成一寄生的场氧晶体管，其中，所 述寄生的场氧晶体管的沟道长度为待监控的间距值，所述相邻静态随机存储 器、横跨过所述相邻静态随机存储器的多晶硅、以及P型阱区均通过接触孔 由金属线连出。 本发明还提供一种监控存储阵列的单元间距的方法，用于监控静态随机 存储器存储阵列中任意两个相邻静态随机存储器之间的间距值是否符合要 求，其中，所述相邻静态随机存储器分别连出构成第一以及第二端子，横跨 过所述相邻静态随机存储器的多晶硅连出构成第三端子，P型阱区连出构成 第四端子，由所述第一至第四端子形成一寄生的场氧晶体管，所述方法首先 提供所述静态随机存储器常态工作条件，接着测量所述寄生的场氧晶体管的 参数，最后根据所述寄生的场氧晶体管的参数判断待监控的间距值是否符合 要求，其中，所测量的所述寄生场氧晶体管的参数至少包括漏电流、阈值电 压以及穿通电流。本发明所述的监控存储阵列的单元间距的结构通过引出端子形成寄生的 场氧晶体管，通过测量寄生的场氧晶体管的参数，从而判断待测间距值是否 符合要求，是一种简单而有效的设计方案。
通过以下对本发明的一个较佳实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为图1为本发明的监控存储阵列的单元间距的结构的一个较佳实施例的示 意图。
具体实施方式
以下根据结合附图，具体说明本发明的一个较佳实施方式。 图1为本发明的监控存储阵列的单元间距的结构的一个较佳实施例的示 意图。如图所示，本发明的监控存储阵列的单元间距的结构l用于监控静态 随机存储器(SRAM)存储阵列中任意两个SRAM单元10之间的间距值d 是否符合要求。需要说明的是，为了清楚地显示本发明的监控存储阵列的单 元间距的结构，在图1中仅画出两个相邻的SRAM单元10，但本领域的技 术人员应当知晓将本发明监控结构可以用于多于两个SRAM单元组成的存 储阵列，仅需在任意相邻的SRAM单元之间建立本发明所述的监控结构或者 应用本发明所述的监控方法即可。
所述相邻SRAM单元10分别通过接触孔20由金属线30连出构成第一 以及第二端子，横跨过所述相邻SRAM单元10的多晶硅40通过接触孔20 由金属线30连出构成第三端子，P型阱区连出构成第四端子，由所述第一至 第四端子形成一寄生的场氧晶体管，其中，所述寄生的场氧晶体管T的沟道 长度d即为待监控的间距值。在实际.设计测试时，首先，提供SRAM常态工作条件。更详细地说，相 邻SRAM单元在正常工作时必定是一边处于高电位， 一边处于低电位，因此 在监控SRAM存储阵列中的单元间距值时应当提供相应的条件，以保证监控 的准确。接着，测量所述寄生的场氧晶体管的参数。更详细地说，这些参数至少 包括漏电流、阈值电压以及穿通电流等。最后，根据所述寄生的场氧晶体管的参数判断待监控的间距值是否符合 要求。更详细地说，可以通过诸如漏电流、阔值电压以及穿通电流等参数计 算出寄生的场氧晶体管的沟道长度d，即待监控的间距值，进而判断该间距 值d是否符合要求。综上所述，本发明提供了一种监控存储阵列的单元间距的结构以及方法， 其通过测量寄生的场氧晶体管的参数，从而判断待测间距值是否符合要求， 是一种简单而有效的设计方案。需要特别说明的是，本发明的监控存储阵列的单元间距的结构以及方法 不局限于上述实施例中所限定步骤执行顺序，尽管参照较佳实施例对本发 明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明进行 修改或者等同替换，而不脱离本发明的精神和范围，其均应涵盖在本发明 的权利要求范围当中。
权利要求
1、一种监控存储阵列的单元间距的结构，用于监控静态随机存储器存储阵列中任意两个相邻静态随机存储器之间的间距值是否符合要求，其特征在于，所述相邻静态随机存储器分别连出构成第一以及第二端子，横跨过所述相邻静态随机存储器的多晶硅连出构成第三端子，P型阱区连出构成第四端子，由所述第一至第四端子形成一寄生的场氧晶体管，其中，所述寄生的场氧晶体管的沟道长度为待监控的间距值。
2、 根据权利要求1所述的监控存储阵列的单元间距的结构，其特征在于， 所述相邻静态P遺机存储器、横跨过所述相邻静态随机存储器的多晶硅、以及 P型阱区均通过接触孔由金属线连出。
3、 根据权利要求1所述的监控存储阵列的单元间距的结构，其特征在于， 通过测量所述寄生的场氧晶体管的参数,判断待监控的间距值是否符合要求。
4、 根据权利要求3所述的监控存储阵列的单元间距的结构，其特征在于， 所测量的所述寄生的场氧晶体管的参数至少包括漏电流、阈值电压以及穿通 电流。
5、 一种监控存储阵列的单元间距的方法，用于监控静态随机存储器存储 阵列中任意两个相邻静态随机存储器之间的间距值是否符合要求，其中，所 述相邻静态随机存储器分别连出构成第一以及第二端子，横跨过所述相邻静 态随机存储器的多晶硅连出构成第三端子，P型阱区连出构成第四端子，由 所述第一至第四端子形成一寄生的场氧晶体管，所述方法首先提供所述静态 随机存储器常态工作条件，接着测量所述寄生的场氧晶体管的参数，最后根 据所述寄生的场氧晶体管的参数判断待监控的间距值是否符合要求。
6、 根据权利要求5所述的监控存储阵列的单元间距的方法，其特征在于， 所述相邻静态随机存储器、横跨过所述相邻静态随机存储器的多晶硅、以及 P型阱区均通过接触孔由金属线连出。
7、 根据权利要求5所述的监控存储阵列的单元间距的方法，其特征在于， 所测量的所述寄生的场氧晶体管的参数至少包括漏电流、阈值电压以及穿通 电流。
全文摘要
本发明提供一种监控存储阵列的单元间距的结构以及方法，用于监控静态随机存储器存储阵列中任意两个相邻静态随机存储器之间的间距值是否符合要求，其中，所述相邻静态随机存储器分别连出构成第一以及第二端子，横跨过所述相邻静态随机存储器的多晶硅连出构成第三端子，P型阱区连出构成第四端子，由所述第一至第四端子形成一寄生的场氧晶体管，首先，提供所述静态随机存储器常态工作条件，接着，测量所述寄生的场氧晶体管的参数，最后，根据所述寄生的场氧晶体管的参数判断待监控的间距值是否符合要求。通过本发明的监控存储阵列的单元间距的结构以及方法，可以有效地监控SRAM存储阵列的单元监控是否符合要求，且具有简单易实现的优点。
文档编号H01L23/544GK101211895SQ20071017280
公开日2008年7月2日 申请日期2007年12月21日 优先权日2007年12月21日
发明者剑 胡, 坡 黎 申请人:上海宏力半导体制造有限公司