一种输出波长锁定的半导体泵浦的微片式激光器的制作方法

文档序号:7239567阅读:323来源:国知局
专利名称:一种输出波长锁定的半导体泵浦的微片式激光器的制作方法
技术领域
一种输出波长锁定的半导体泵浦的微片式激光器技术领域 本实用新型涉及激光器领域,尤其涉及采用半导体泵浦的输出波长锁定的微片 式激光器。
背景技术
目前在通讯领域,广泛采用标准具作为波长漂移的传感器对半导体激光器输出 进行锁定,从而获得输出波长稳定性高的激光。微片式单纵模激光器有基模单纵模激光器、倍频光单纵模激光器和多次倍频光单纵模激 光器,其单纵模获得方式有几种如基模单纵模激光器一般采用超薄微片使腔纵模间隔大于 激光增益带宽或者接近激光增益带宽,这样可通过改变微片温度改变激光输出波长;单纵模 激光器也可以采用腔内标准具和双折射滤波选模实现单纵模输出,或其他结构。由于微片激 光器整体化要求其微片的腔长总体很短,因此可选择采用改变温度来改变激光输出波长。另 一方面光学标准具有随不同波长透射光强输出不同的特性,如此可以通过光强的透过率来判断透射光的波长值,当激光输出波长较大时透射光强较强,当激光输出波长较小时透射光强 较弱,因此若光强增强时可知被测激光波长增长,可调整被控微片激光器,使其波长减少, 若光强减弱,可知被测激光波长减小,则可调整被控微片激光器,使其波长增加,从而使标 准具成为激光波长漂移传感器,这样被控微片激光器的波长可以锁定在一定变化范围。
发明内容本实用新型目的是提供一种将标准具作为传感器技术应用到半导体泵浦的微片 式固体激光器中,从而获得输出波长锁定的半导体泵浦的微片激光器。本实用新型的目的可通过下述的结构来达到半导体泵浦的微片激光器包括半导体泵浦 源、光学耦合系统和微光片激光器,微片激光器设置在热沉上,其中在微片激光器的输出光 路上设有分光器,分光器的反射光路上设有标准具和光电探测器(PD1)。还可以在微片激光器的输出光路和分光器之间设置另一分光器和光电探测器(PD2)。 采用以上结构,半导体泵浦源、光学耦合系统和微光片激光器构成半导体泵浦的薄片式 固体单纵模输出的激光器,热沉的温度可以控制微片激光器改变激光输出波长, 一分光器的 反射部分光被光电探测器(PD2浪受,另一分光器反射部分光通过标准具被光电探测器(PD1) 接受,这样光电探测器(PD1)的信号与波长,温度,光强相关,记为PD1 (入,P, T),光 电探测器(PD2)的信号仅与光强相关,记为PD2 (P),根据波长相关光学元件特点,从而 给出只与波长相关信号S (入)<formula>formula see original document page 4</formula>式中A、 B、 C为系数,可根据实际调整,这样得到的S (A)值可以用来通过热沉进行 控温,从而实现对所需波长锁定。由于微片式激光器可以通过多种不同增益介质获得较大范围激光器输出波长,还可通过 非线性晶体增加输出波长数量,若用上标准具波长锁定技术,从而可获得不同波长高相干性 激光光源,可广泛应用于测量领域,同时制造多个标准波长光源应用光谱仪等测量系统波长 标定校准。

现结合附图对本实用新型做进一步阐述图1是本实用新型微片激光器之一的结构示意图; 图2是本实用新型微片激光器之二的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,半导体泵浦的微片激光器包括半导体泵浦源101、光学耦合系统102和微 光片激光器103,微片激光器103设置在热沉104上,热沉104可调节控制微片激光器103 的温度,改变其输出波长,其中在微片激光器103的输出光路上设有分光器107,分光器107 的反射光路上设有标准具108和光电探测器(PD1) 109,标准具8可以F-P腔标准具。如图2所示,还可以在微片激光器103的输出光路和分光器107之间设置另一分光器105 和光电探测器(PD2) 106,提高输出波长相关信号S (X)的准确率。
权利要求1、一种输出波长锁定的半导体泵浦的微片式激光器,包括半导体泵浦源、光学耦合系统和微光片激光器,微片激光器设置在热沉上,其特征在于在微片激光器的输出光路上设有分光器,分光器的反射光路上设有标准具和光电探测器(PD1)。
2、 根据权利1所述的一种输出波长锁定的半导体泵浦的微片式激光器,其特征在于在 微片激光器的输出光路和分光器之间设置另一分光器和光电探测器(PD2)。
专利摘要本实用新型涉及一种输出波长锁定的半导体泵浦的微片式激光器,包括半导体泵浦源、光学耦合系统和微片激光器,微片激光器设置在热枕上,其中在微片激光器的输出光路上设有分光器,分光器的反射光路上设有标准具和光电探测器PD1,还可以在微片激光器的输出光路和分光器之间设置另一分光器和光电探测器PD2,采用以上结构,利用标准具波长锁定技术,可获得不同波长高相干性激光光源,广泛应用于测量领域,同时制造多个标准波长光源应用光谱仪等测量系统波长标定校准。
文档编号H01F3/00GK201048067SQ200720007388
公开日2008年4月16日 申请日期2007年6月18日 优先权日2007年6月18日
发明者丁广雷, 凌吉武, 砺 吴, 锦 陈, 陈卫民, 黄友义 申请人:福州高意通讯有限公司
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