用于在集成电路制造中指示方向性的方法和装置的制作方法

专利名称：用于在集成电路制造中指示方向性的方法和装置的制作方法
技术领域：
本发明总体上涉及制造集成电路，并且更具体地涉及相对于集成 电路制造中的过程来指示集成电路布局的方向性的方法和装置。
背景技术：
希望执行不对称的晕环注入(halo implant)来增加设备的性能。 当存在各种知识产权(IP)模块时，例如SRAM组件或微处理器核心， 可能需要验证IP模块的正确取向，使得如果存在的话将在每个IP模块 中的正确位置上沿正确的方向或取向执行不对称的晕环注入。典型地， 通过检查在数据设计和掩模设计之间的设计数据流程的每个步骤来进 行此验证。这是一个缓慢而困难的过程，这增加了周期时间。另外， 目前没有能力在制造过程中验证取向。
现有结构已出现在掩模和集成电路上，例如对准键(其可以是圣 诞树或仙人掌形状)和临界尺寸(CD)条。但是这些现有结构用于尺 寸和覆盖控制。
因此，存在着在制造过程中验证取向的需求。另外，当验证IP模 块的正确取向时，希望能改进周期时间。


本发明通过实例的方式示出并且不受附图的限制，其中相同的附 图标记指示相同的元件。
图1示出了集成电路的一部分的剖视图，示出了不对称的晕环注 入和根据本发明实施例的指示器；图2示出了没有指示器的设计布局的一部分；
图3示出了没有指示器的掩模布局，该掩模布局可以用来在半导 体上形成图2的掩模数据的一部分；
图4示出了具有根据本发明的实施例的指示器的图3的掩模布局， 示出了不希望的布局；
图5示出了具有根据本发明的实施例的指示器的图3的改良掩模 设计，示出了所希望的布局；
图6-8示出了可以在本发明的不同实施例中使用的指示器；以及
图9示出了根据本发明的实施例的在集成制造中使用指示器的流 程图。
技术人员应当理解图中的元件是为了简单和清楚而示出的且不 必按比例绘制。例如，图中某些元件的尺寸可相对于其它元件放大， 以帮助改善对本发明的实施例的理解。
具体实施例方式
图1示出了集成电路10的剖视图，该集成电路IO包括根据本发 明的一个实施例的指示器190。集成电路IO包括具有注入方向A的器 件14和具有注入方向B的器件16以及指示器190，它们都形成在半导 体衬底12上。在一个实施例中，注入方向A可以具有第一注入方向并 且注入方向B可以具有第二注入方向。半导体衬底12可以是任何半导 体材料或材料的组合，例如砷化镓、锗硅、绝缘体上硅(SOI)(例如， 全耗尽SOI (FDSOI))、硅、单晶硅等以及上述的组合。
在一个实施例中，器件14是NM0S器件并且器件16是PMOS器 件，或者相反。在另一实施例中，器件14和16可以都是NMOS或都 是PMOS，其具有不同的不对称注入方向。器件14包括栅极绝缘体22、 栅电极24、隔片26、源极区18和漏极区20，其可以使用常规的处理 和材料形成。在优选实施例中，栅极绝缘体22包括二氧化硅、高介电 常数(hi-k)电介质、任何绝缘层或上述的组合。栅电极可以是任何适
6当的材料，例如多晶硅、金属或上述的组合。隔片26可以是任何绝缘 材料，例如氮化硅。
在一个实施例中，源极区18和漏极区20均包括延伸区域。第一 晕环注入区30或空腔(pocket)注入区30形成在源极区18附近而不 是在漏极区20附近。虽然希望使晕环注入区30在源极区附近以限制 该源极区，但还是不希望使晕环注入区形成在漏极区附近，以防止当 电子从源极迁移到漏极区时减速，并因此避免了降低的器件速度。第 一晕环注入区30在掺杂类型方面与源极区18相反，并且与在栅极绝 缘体22下面的半导体衬底12的区域具有相同的传导性。在一个实施 例中，器件14、器件16或二者都是不对称掺杂的器件。在不对称掺杂 的器件中，区域31是与漏极区20邻近的区域，其具有与晕环注入区 30相同的传导性类型，但是晕环注入区30比区域31具有更高的掺杂 浓度。
为形成第一晕环注入区30，执行了不对称的注入，如箭头28所示。 在形成源极区18和漏极区20之前执行不对称的注入。不对称的注入 以相对于垂直于晶片的轴成一定角度而发生。在一个实施例中，该角 度在大约20-50度之间。
具有注入方向B的器件16包括栅极绝缘体36、栅电极38、隔片 40、源极区34和漏极区32，其可以像器件14中的类似区域那样使用 常规的处理和材料形成。在一个实施例中，源极区34和漏极区32均 包括延伸区域。像器件14那样，第二晕环注入区44或空腔注入区44 形成在源极区34附近而不是漏极区32附近。在器件14和器件16之 间的差异在于执行了那两种不同的不对称晕环注入以形成第一晕环 注入区30和第二晕环注入区44。不同的不对称晕环注入区具有注入方 向。由箭头28示出的第一晕环注入在方向A (第一方向)上，并且由 箭头42示出的第二晕环注入在方向B (第二方向)上。第二晕环注入 也以相对于垂直于晶片的轴成一定的角度发生。在一个实施例中，该角度相对于垂直于晶片的垂线在大约20-50度之间。在一个实施例中， 方向A和B在它们之间具有90度的角。在一个实施例中，方向A和B 彼此不同，这是由于它们处于晶体管的不同侧上(即，右或左)，如 在讨论图2之后可以更好地理解的。
从而，在一个实施例中，集成电路IO包括第一器件，该第一器件 包括源极区18、漏极区20和第一注入例如源极晕环注入区30。另外， 集成电路IO包括第二器件，包括源极区34、漏极区32和第二注入， 例如源极晕环注入区44。第一注入方向可以用来形成第一源极晕环注 入，并且与该第一注入方向不同的第二注入方向可以用来形成第二源 极晕环注入。
在一个实施例中，使用一个或多个掩模形成了指示器190，该一个 或多个掩模包括第一方向指示器、功能指示器和第二方向指示器，如 在进一步讨论之后可以更好地理解的。在一个实施例中，第一方向指 示器和功能指示器处于注入掩模上，并因此在倾斜的晕环注入42期间 形成注入区200和202，如将要论述的那样，并且第二方向指示器形成 在栅电极掩模上，并且在一个实施例中在栅电极过程期间形成为元件 204和206。因此，在此实施例中，注入区200和202具有与元件204 和206大致相同的厚度。当形成栅极绝缘体22和36时，可以形成电 介质层191。在随后的处理期间，当在栅电极(例如，栅电极24和38) 周围形成隔片时，在元件204和206周围形成隔片208。
图2示出了具有IP模块52、 90、 100和IIO的设计布局。每个IP 模块包括具有不同方向的四个器件。在一个实施例中，IP模块只示出
了NMOS器件，这是因为它们都在一个层中被示出。在另一实施例中， IP模块只示出了 PMOS器件。IP模块52包括具有注入方向A的器件 54、具有注入方向B的器件56、具有注入方向C的器件58和具有方 向D的器件60。方向A-D都是不同的。具有注入方向A的器件54包括源极区62、漏极区61和栅电极64。 虚线66是源极标记。源极标记66的两个长边缘中的一个长边缘与栅 电极64的边缘一部分重合，并且另一个长边缘延伸到源极区62中。 源极标记66使理解并可以接近掩模设计的人能够知道栅电极64的哪 一侧是源极区。类似地，具有注入方向A的器件92、 102和112包括 与具有注入方向A的器件54相同的特征。然而，在示出的实施例中， 相对于彼此地旋转器件54、 92、 102和112。当这些器件模块置于布局 的不同区域中时，可能发生相对于彼此的旋转。在另一实施例中，器 件54、 92、 102和112并不都是相对于彼此地旋转。在此实施例中， 对于所有的IP模块52、 90、 100和110来说，N型器件可能需要四个 掩模，并且所有P型器件需要四个掩模。在又一实施例中，器件54、 92、 102和112中的一些相对于彼此地旋转，而其它器件则不是。
具有注入方向B的器件56包括源极区68、漏极区70、栅电极72 和源极标记74，其均与器件54的相同特征类似。类似地，具有注入方 向B的器件94、 104和114包括与具有注入方向B的器件56相同的特 征。然而，如图所示，相对于彼此地旋转器件56、 94、 104和114。
具有注入方向C (第三方向)的器件58包括源极区76、漏极区 78、栅电极80和源极标记，其均与器件54和56的相同特征类似。类 似地，具有注入方向C的器件96、 106和116包括与具有注入方向C 的器件58相同的特征。然而，如图所示，相对于彼此地旋转器件58、 96、 106和116。
具有注入方向D (第四方向)的器件60包括源极区86、漏极区 84、栅电极80和源极标记88，其均与器件54、 56和58的相同特征类 似。类似地，具有注入方向D的器件98、 108和118包括与具有注入 方向D的器件60相同的特征。然而，如图所示，相对于彼此地旋转器 件60、 98、 108和118。器件54和56具有不同的注入方向，因为由注入方向所形成的不
对称晕环注入将形成在源极区中，如上面参考图1所讨论的，并且虽
然栅电极64和72在相同的方向上延伸，器件54和56的源极区分别 处于栅电极64和72的相对侧。换句话说，为了形成用于器件54和56 的晕环区域，角度注入将处于两个不同的方向上。
器件58具有与器件54、 56和60不同的注入方向，因为由注入方 向所形成的晕环注入形成在源极区中，如上面参考图1所讨论的，并 且虽然栅电极64和72在相同的方向上延伸，器件54和56的源极区 分别处于栅电极64和72的相对侧。换句话说，为了形成用于器件54 的晕环区域，用于器件54的角度注入将处于与用于器件56的角度注 入不同的方向。因此，将使用两个不同的掩模来使用两个不同的角度 注入过程。为了形成具有方向A-D的所有器件，可以使用四个掩模。
具有不同注入方向(即注入方向A-D)的器件具有不同的注入方 向，因为如图1所讨论的、在其下面将形成晕环区的源极区彼此都不 平行并且不处于栅电极的彼此相同的一侧。例如，虽然因为栅电极64 和72彼此平行，对于具有注入方向A的器件(例如，器件54)和具 有注入方向B的器件(例如，器件56)来说源极区彼此平行，但是该 源极区并不处于栅电极64和72的相同一侧上。因此，将使用两个不 同的掩模来使用用于形成器件54和56的晕环注入区的两个不同的角 度注入过程。
类似地，因为在两个器件中使用相同的栅电极80，所以具有注入 方向C的器件(例如，器件58)具有与具有注入方向D的器件(例如， 器件60)平行的源极区，该源极区并不处于与栅电极80的相同一侧上。 因此，将使用两个不同的掩模来使用用于形成器件58和60的晕环注 入区的两个不同的角度注入过程。
另外，对于每个IP模块52中的所有四个器件，必须使用不同的注入掩模。相同的掩模不能用来形成用于器件54或56以及器件58或 60的晕环注入，这是因为用于器件54或56的栅电极并不与用于器件 58或60的栅电极平行。因此，必须使用总共四个不同的掩模和注入过 程来形成用于器件54、 56、 58和60的晕环注入区。类似地，对于每 个IP模块来说，必须使用不同的掩模。
因为在图2所示出的实施例中，把IP模块52向右旋转90度以形 成IP模块90，然后把IP模块90向右旋转90度以形成IP模块100， 继而把IP模块100向右旋转90度以形成IP模块110。在一个实施例 中，可以这样做以尝试节省半导体晶片上的有效面积(real estate)或 空间。由于IP模块52包括相同的器件，所以利用相同的注入方向来标 记每个相同的器件。从而，例如，器件54、 92、 102和112都是具有 植入方向A的器件，即使相对于彼此地旋转了器件54、 92、 102和112。
如图2中的实施例所示，相对于彼此地旋转了 IP模块52、 90、 100 和IIO。在其它实施例(未示出)中，可以相对于彼此地翻转IP模块。 例如，如果翻转IP模块52,那么在一个IP模块中器件54可以在器件 56的左边，并且在所翻转的IP模块中器件54可以在器件56的右边等 等。在其中相对于彼此地翻转了 IP模块的实施例中，所使用的指示器 应当检测翻转，但是当相对于彼此地旋转IP模块时，指示器应当检测 旋转。因此，如果IP模块既被翻转又被旋转，那么能够检测到旋转和 翻转的指示器可能是所想要的。
根据图2的布局数据，创建掩模。用于每种注入的掩模是所创建 的一些掩模。由于对于这些NMOS器件来说存在四种不同的注入过程， 所以需要四个掩模。(如果PMOS器件也具有四个不同的注入方向， 那么可能也需要四个附加的注入过程，使得总共有八个注入过程和掩 模。在一个实施例中，可以创建设计规则来限制栅电极的方向，使得 它必须垂直或水平延伸，但不是既不垂直又不水平。在此实施例中， 注入过程和掩模的数目被减半，使得对于NMOS和PMOS器件来说，只需要四个注入过程和掩模)。在图3中示出了一种掩模布局。
在图3中示出的掩模布局是用于具有方向A的器件的掩模布局。
该掩模具有分别用于器件54、 92、 102和112的开口 120、 122、 124 和126。当査看在图3中示出的掩模布局时，不存在用于确定将在哪个 方向上执行注入的信息。在图2所示出的布局数据中，可以使用源极 标记来确定注入方向在哪。因此，存在用某种方式来检查并监视对于 图3中的掩模来说哪个方向是注入方向的需求。
可以把指示器添加到图3的掩模上，使得当通过检查或査看所述 掩模时可以确定注入方向的角度。在一个实施例中，利用人眼在视觉 上进行检査或查看。在另一实施例中，经由基于显微镜学(光学或电 子)的计量工具或计算机来进行检査或查看。指示器并非用来对准两 个或多个层，这由现有技术的光刻对准符号来进行。而是，指示器确 定在相同层内的取向或对准。在一个实施例中，指示器对取向或方向 进行编码。如果它是以不管指示器被如何旋转或翻转都允许检测取向 的方式是不对称的，那么可以使用任何形状或符号。从而，指示器不 是在所有方向上都是对称的，但是可以在至少一个方向上是对称的， 或者在所有方向上都是不对称的。在一个实施例中，指示器相对于方 向A、 B、 C或D具有不对称性。
如图4所示，添加了指示器。在一个实施例中，指示器128包括 第一方向指示器136、功能指示器138和第二方向指示器140。在图4 所示的实施例中，第一方向指示器136是帽型，功能指示器138包括 字母，例如用于源极的"SR"，并且第二方向指示器140包括下述线， 所述线可以用来在使用设计规则检査板面来检查布局以确定指示器的 方向时扩大规模(upsizing)。
虽然示出为帽子，第一方向指示器136可以是任何适当的形状。 第一方向指示器136使诸如制造过程中的操作者的人能够确定不对称的注入将发生在哪个方向。在图4示出的实施例中，帽子的顶部(即， 与相对部分相比更窄的帽子的部分)指向注入的方向。因此，在图4
中，指示器136指向上，指示器130指向右，指示器132指向下，并 且指示器134指向左。对于相同的不对称的注入过程来说，因为每个 指示器136、 130、 132和134均指向不同的方向，所以易于确定模块 52、 90、 IOO和IIO没有正确地对准。如果它们正确地对准了，那么指 示器136、 130、 132和134将都指向相同的方向。从而，必须旋转四 个模块52、 90、 100和110中的三个，使得所有的第一方向指示器136 均指向相同的方向。在一个实施例中，第一方向指示器136位于设计 布局、注入掩模中，并且在注入过程期间被注入到晶片上。在一个实 施例中，第一方向指示器136只是在掩模(例如，注入掩模)上。
在一个实施例中(未示出)，如果帽子用于第一方向指示器136， 那么该帽子可以如图4所示地绘制为用于方向A，并且除了帽子可以 相对于在图4中示出的帽子颠倒之外，用于方向B的指示器可以相同。 换句话说，帽子的顶部可以最远离用于方向A的功能指示器138，并 且帽子的顶部可以最接近用于方向B的功能指示器138，或者相反。
功能指示器138是关于正在指示的事物的指示器。在图4所示的 实施例中，使用"SR"来标示"源极"。在另一实施例中，可以使用 "SRC"来标示源极。然而，与"SRC"相比可能更想要"SR"，这 是因为"SR"允许指示器136为正方形并且在衬底上占据更少的空间。 另外，任何其它适当的字母、字母组合、符号等或上述的组合可以用 作功能指示器138。在一个实施例中，功能指示器在设计布局中形成在 注入掩模和栅电极的掩模上，并且在栅电极形成期间在晶片上作为注 入而形成。从而，功能指示器138可以是与栅电极相同的材料，其可 以是多晶硅、金属等或上述的组合。尽管第一方向指示器136和功能 指示器138的注入区可能不易通过人类的肉眼在视觉上检测，但是可 以通过其它手段来检测它们，例如使用显微镜(例如SEM (扫描电子 显微镜))。如先前所讨论的，第二方向指示器140可以用来检査对设计规则 的违背；可以使用任何适当的方法来这样做。在一个实施例中，第二
方向指示器140的一个侧边缘被展开第一预定距离，在一个实施例中 其等于从第二方向指示器140的所展开的边缘和第一方向指示器136 的最远边缘之间的距离。在展开之后，测量由第一方向指示器136、功 能指示器138和展开的第二方向指示器140所覆盖的区域。只有当所 述区域满足预定值时才没有违背设计规则，这在当展开第二方向指示 器140使得它覆盖第一方向指示器136和功能指示器138时出现。为 了使用此方法，形状功能指示器138和第二方向指示器140应当处于 相同的掩模层中，使得当第二方向指示器140的正确边缘展开所需的 距离时，它覆盖所有的功能指示器138并且然后由所展开的形状来确 定总区域。此方法使得在检査设计规则时能够确定指示器的方向。可 以使用用于设计规则检査的任何常规或适当的软件。例如，可以使用 以下设计规则检查软件由总部在加利福尼亚的San Jose的Cadence Systems发售的Assura ;由总部在俄勒冈州的Wilsonville的Mentor Graphics⑧发售的Calibre ;或由总部在加利福尼亚的Mountainview的 Synopsys⑧发售的HerculesTM。
在一个实施例中，第二方向指示器140在设计布局中形成在栅极 电极掩模上，并且在栅电极形成期间形成在晶片上。从而，第二方向 指示器140可以是与栅电极相同的材料。如果功能指示器138和第二 方向指示器140由与栅电极相同的材料形成，那么可以容易地检测这 些指示器，例如由制造车间的操作者在视觉上检测。在一个实施例中， 第二方向指示器140只形成在掩模上。
图4中的指示器没有适当地对准，因为对于每个IP模块52、 90、 110和100来说，功能指示器138或第一方向指示器140没有面向相同 的方向。从而，需要旋转至少一个IP模块52、 90、 110和100，直到 所有的功能指示器138面向相同的方向或者所有的第一方向指示器140面向相同的方向。
在图5中，适当地对准指示器，使得对于具有相同方向的每个器 件(例如，具有方向A的所有器件等)来说注入将发生在正确的方向
上。因为适当地对准指示器，所以IP模块52、 90、 100和110以及开 口 120、 122、 124和136也适当地对准了。指示器适当地对准了，因 为对于每个IP模块52、 90、 110和100来说，所有功能指示器138和 第一方向指示器140均取向在相同的方向上。当适当地对准指示器时， 具有不同方向(例如，方向A、 B、 C和D)的器件可以或可以不相对 于彼此地旋转，但是具有相同方向的每个器件(例如，具有方向A的 所有器件或具有方向B的所有器件等)并不相对于具有相同方向的其 它器件旋转(例如，器件53、 92、 102和112彼此不相互旋转)。
图6-8示出了可以使用的其它指示器的一些实例。然而，可以使 用任何适当的指示器，包括功能指示器138和第一方向指示器136或 第二方向指示器140，或二者。在一些实施例中，不同类型的指示器(例 如，第一方向指示器136和第二方向指示器140)可以与另一类型的指 示器相同，或者总体指示器或一个指示器可以是另一类型的指示器或 总体指示器的一部分。另外，可能存在指示器的一个以上的可能特征， 该指示器可以充当一个不同类型的指示器(例如，第二方向指示器)。 例如，在图5中示出的指示器包括两个可能的第二方向指示器，并且 第一方向指示器136与功能指示器138相同。在图6中示出的指示器 就像在图4中示出的第一指示器136的帽子。从而，在图6中示出的 指示器可以是独立的指示器或与其它指示器相组合。类似地，帽子的 底部(例如，帽子的最长直线边缘)可以是第二功能指示器138，这是 因为它不必是整个形状并且例如可以是形状的边缘。诸如在图6和8 中示出的那些在一个方向上对称的指示器对于检测旋转很有用指示 器。诸如在图7中示出的指示器的指示器在各个方向上是不对称的， 并且对指示器件布局的旋转和翻转很有用。
15图7示出了可能的指示器的另一实例，其是具有指向一个方向的 手指和指向另一方向的拇指150的手。整个指示器可以是功能指示器
138。从而，整个手(具有所示出的姿势或另一姿势)可以用来标示不 对称注入的方向。如果手具有在图6中示出的姿势，那么指向的手指 可以是第一指示器136。可能希望省略拇指，因为该拇指包括大约45 度的角，其很难在晶片上精确地形成。如果存在的话，袖口 (或其一 部分(例如边缘))可以用作第二方向指示器140，或者袖口上的正方 形(或其一部分)也可以用作第二方向指示器，该袖口上的正方形可 以标示袖口的链扣或纽扣。
图8示出了可能的指示器的又一实例，该指示器是箭头。所示出 的箭头具有大约45度的角，并因此可能是不想要的。如果想要的话， 可以使用没有45度角的箭头作为替代。在图8中示出的整个指示器可 以是功能指示器138,并且顶部三角形部分可以是第一指示器136。底 部矩形部分(或其一部分)可以用作第二方向指示器140。
尽管在图中示出的指示器垂直于纸张的底部(或至少相对于页面 处于90或0度的倍数)，但是指示器可以倾斜。例如，图8中的箭头 可以倾斜任意角度，例如17度。然而，由于当它形成时会在晶片上占 据额外的空间并且因为指示器的边缘可能处于一定角度上可能更难于 形成，这种情况是不想要的。
图9示出了用于在集成电路制造过程中实施诸如在附图中示出的 那些指示器的流程图。流程起始于300，并且在步骤302中选择布局方 向并且放置一个或多个方向指示器。接下来，在步骤304，在设计布局 中组合诸如在图2-4中示出的那些IP模块(例如，IP模块52、 90、 100 和110)。在组合IP模块之后，在步骤306开始对设计布局进行设计 规则检查。在设计规则检查期间，其可以利用如先前所讨论的任何适 当的软件来执行，在判定菱形块308中检查取向指示器以观察是否它 们都指示相同的方向。在一个实施例中，检查指示器的取向以观察它们是否指向正确的方向。如先前所讨论的，这可以使用诸如展开第二 方向指示器140的任何适当的方法来确定，并且确定所展开的第二方 向指示器140和整个指示器本身的区域。如果所述区域等于预定区域， 那么指示器指向正确的方向。如果对于每个指示器来说，所有区域均
相等，那么指示器都指示相同的方向。如果判定菱形块308的回答为 否，那么在步骤310旋转至少一个IP模块并且重复判定菱形块308以 査看取向指示器是否都指示相同的方向。 一旦取向指示器都指示相同 的方向，那么在步骤312完成对设计布局的设计规则检査。虽然没有 讨论，不过在设计规则检查期间可以执行其它的判定和步骤。
在完成设计规则检査之后，在步骤314开始掩模平面规划。在掩 模平面规划期间，在步骤316使用多个设计布局和划线栅格来形成标 线字段(reticle field)。划线栅格放置在多个设计布局之间，这是因为 每个设计布局会是一小片。在形成标线字段之后，如在判定菱形块318 中所描述的，确定用于多个设计布局和划线栅格的取向指示器是否指 示相同的方向。在一个实施例中，通过使用任何适当的方法检査第二 方向指示器140来确定取向，例如关于设计规则检查所描述的方法。
如果取向指示器并不指示相同的取向，那么在步骤320旋转多个 设计规则布局或划线栅格中的至少一个。接下来，重复判定菱形块318 以确定用于多个设计布局和划线栅格的取向指示器是否指示相同的方 向。
一旦取向指示器指示相同的取向，那么在步骤322完成掩模平面 规划。本领域技术人员认识到，虽然并未描述，但在掩模平面规划期 间可以执行附加的步骤。
在完成掩模平面规划之后，在324步骤中使用常规的处理来使用 的掩模平面规划，以制作掩模。 一旦制作了掩模，在步骤326就开始 IC(集成电路)的制造以形成IC。在IC的制造期间，在步骤328中确定基于取向指示器的方向性的注入方向。在一个实施例中，使用第一
方向指示器136。接下来，在步骤330，使用由取向指示器所确定的注 入方向来执行注入。此后，在步骤332完成IC的制造以形成IC。技术 人员认识到可以在执行步骤328和330以形成IC之后和之前执行为技 术人员所知的附加步骤。在形成IC之后，在步骤334中把它们分离继 而且然后该过程在步骤336结束。
在优选实施例中，指示器用来来标示不对称的注入。然而，如果 想要的话，指示器可以用于其它功能，例如标示衬底的晶格取向。有 时使用双取向衬底。例如，衬底可以具有在对P沟道器件有用的一个 区域内带有<110>晶格的半导体材料和在对N沟道器件有用的另一区 域内带有<100>晶格的半导体材料。在此实施例中，可以在用来形成有 源层图案的掩模上形成指示器。此外，可以使用上面讨论的任何指示 器。然而，可能希望对图4中示出的指示器进行修改，例如利用"DS"、 "SO" 、 "SB"或任何其它的字母或符号来替换"SR"，该字母或符 号可能希望用来指示双衬底取向(DSO)。
至此应当理解，已经提供了一种用于在集成电路的制造过程中使 用指示器的方法。描述了一种可在视觉上辨别的指示器，其可以形成 为集成电路的一部分。可在视觉上辨别的指示器指示集成电路的无法 在视觉上辨别的特性的方向性，例如根据目测检査来指示注入的方向、 晶格取向等以及上述的组合。从而在一个实施例中，使用第一指示器 来执行与方向相关的过程，例如倾斜角注入，以确定无法在视觉上辨 别的特性的方向性。在一个实施例中，指示器用来在集成电路的制造 期间辨别无法在视觉上辨别的特性。在一个实施例中，可在视觉上辨 别的指示器包括在集成电路的设计期间使用的第一部分和在集成电路 的制造期间使用的第二部分。可以在设计规则验证期间使用第一部分。 第二部分可以包括功能指示器和方向指示器。
指示器可以存在于如图4所示的IP模块中或者还可以被放在设计布局、掩模中的其它任何地方，或者放在晶片上，例如放在划线中。 指示器可以在视觉上被识别并且借助操作者用肉眼来进行物理验证。 指示器包括取向信息并且出现在晶片和掩模上。另外，指示器可以在 单层中可视。可以在设计规则检查中使用指示器。此外，指示器可以 被制造环境中的工作人员容易地理解，例如操作者或技术人员。另外， 指示器通过避免在设计布局和掩模之间检查设计日期流程中的每个步 骤的需要来改进周期时间并且降低复杂度。
因为用于实施本发明的装置在很大程度上由本领域技术人员所知 的电子部件和电路组成，为了理解并懂得本发明的基础原理并且为了 不被本发明的教导所困惑或分散注意力，将不以比上面所示的必要考 虑更大的程度来说明电路细节。
在前述的说明中，已经参考具体实施例描述了本发明。然而，一 个本领域普通技术人员应当理解在不偏离如以下权利要求所阐明的本 发明范围的情况下，可以进行各种修改和变化。例如，可以使用任何 适当的指示器；指示器不限于在附图中示出的实施例。
因此，说明书和附图应当被认为是说明性的而非是限制性的意义， 并且所有的这种修改旨在包括在本发明的范围内。
虽然已经针对具体的传导性类型或电势极性来描述本发明，技术 人员应当理解可以使传导性类型和电势极性反向。
此外，如果存在的话，说明书和权利要求中的术语"正面"、"背 面"、"顶部"、"底部"、"在上"、"在下"等，用于描述性目 的而不必用于描述永久性的相对位置。应当理解，在适当的环境下如 此使用的术语是可互换的，例如使得在此描述的本发明的实施例能够 以不同于那些在此所示或描述的其它取向来操作。针对具体实施例上面已经描述了益处、其它优点和问题的解决办 法。然而，可能导致任何益处、优点或解决办法出现或使其更加显著 的益处、优点、问题的解决办法和任何元件(一个或多个)不应当被 解释为任何或所有权利要求的关键性、所要求的或必需的特征或元件。 如在此所用的，术语"包括"、"包括着"或其任何其它的变化旨在 覆盖非排他性的包括，使得包括元素列表的过程、方法、物品或装置 不仅包括那些元素，而且还可以包括没有明确列出或为这种过程、方 法、物品或装置所固有的其它元素。如在此所用的，术语"一"或"一 种"被限定为一个或一个以上。
如在此所用的，术语"多个"被限定为两个或两个以上。如在此 所用的，术语"另一个"被限定为至少是第二个或更多。
如在此所用的，术语"耦合"被限定为连接，不过不必是直接连 接，也不必是机械连接。
权利要求
1. 一种集成电路，包括可在视觉上辨别的指示器，该指示器被形成为所述集成电路的一部分，以指示所述集成电路的无法在视觉上辨别的特性的方向性。
2. 如权利要求1所述的集成电路，进一步包括包括源极和漏极的第一器件，其中所述第一器件的所述源极包括 第一注入；以及包括源极和漏极的第二器件，其中所述第二器件的所述源极包括 第二注入，其中用来形成所述第一注入的第一注入方向不同于用来形成所述 第二注入的第二注入方向。
3. 如权利要求l所述的集成电路，其中所述无法在视觉上辨别的 特性包括注入的注入方向。
4. 如权利要求3所述的集成电路，其中所述注入包括晕环注入。
5. 如权利要求l所述的集成电路，其中所述无法在视觉上辨别的 特性包括晶格取向。
6. 如权利要求l所述的集成电路，其中在所述集成电路的制造期 间辨别所述无法在视觉上辨别的特性。
7. 如权利要求1所述的集成电路，其中所述可在视觉上辨别的指 示器包括在所述集成电路的设计期间使用的第一部分；以及 在所述集成电路的制造期间使用的第二部分。
8. 如权利要求7所述的集成电路，其中在设计规则验证过程期间 使用了所述可在视觉上辨别的指示器的所述第一部分。
9. 如权利要求7所述的集成电路，其中所述可在视觉上辨别的指示器的所述第二部分包括功能指示器和方向指示器。
10. —种使用至少一个注入所形成的集成电路，所述集成电路包括可在视觉上辨别的指示器，该指示器根据目测检查来指示所述至 少一个注入的方向。
11. 如权利要求io所述的集成电路，其中所述至少一个注入包括用于源极区的晕环注入。
12. 如权利要求IO所述的集成电路，其中所述可在视觉上辨别的指示器包括在所述集成电路的设计期间使用的第一部分；以及 在所述集成电路的制造期间使用的第二部分。
13. 如权利要求12所述的集成电路，其中所述可在视觉上辨别的 指示器的所述第二部分包括功能指示器和方向指示器。
14. 一种集成电路，包括至少一个指示器，用于指示源极晕环注入的注入方向；以及 不对称掺杂的器件，包括源极区和漏极区，其中所述源极区包括源极晕环注入区，并且其中所述不对称掺杂的器件的所述源极晕环注入区具有比邻近所述漏极区的区域高的掺杂浓度，其中邻近所述漏极区的区域具有与所述源极晕环注入区相同的传导性类型。
15. —种用于在集成电路的制造中指示方向性的方法，所述方法包括在所述集成电路的第一模块内形成第一指示器，以指示所述第一 模块的无法在视觉上辨别的特性的方向性；并且使用所述第一指示器执行与方向相关的过程，以确定所述第一模 块的所述无法在视觉上辨别的特性的所述方向性。
16. 如权利要求15所述的方法，其中所述与方向相关的过程包括 注入。
17. 如权利要求15所述的方法，其中所述第一指示器指示晶格取向。
18. 如权利要求15所述的方法，进一步包括在所述集成电路的第二模块内形成第二指示器，以指示所述第二模块的所述无法在视觉上辨别的特性的方向性；确定所述第一指示器和所述第二指示器是否指示相同的方向性；以及如果所述第一指示器和所述第二指示器没有指示所述相同的方向 性，那么旋转所述集成电路的所述第二个至少一个模块。
19. 如权利要求18所述的方法，其中所述旋转所述集成电路的所 述第二模块是在对所述集成电路进行设计规则检査期间执行的。
20. 如权利要求18所述的方法，其中所述旋转所述集成电路的所 述第二模块是在对所述集成电路进行掩模平面规划期间执行的。
全文摘要
一种集成电路(10)，包括可在视觉上辨别的指示器(128，130，132或134)，该指示器(128，130，132或134)形成为集成电路的一部分，以指示集成电路的无法在视觉上辨别的特性的方向性。
文档编号H01L23/544GK101438405SQ200780006671
公开日2009年5月20日 申请日期2007年1月9日 优先权日2006年2月23日
发明者唐纳德·E·斯梅尔策, 梅于尔·D·施罗夫, 爱德华·O·特拉维斯, 特拉西·L·史密斯 申请人:飞思卡尔半导体公司