专利名称：微波芯片支撑结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及包括带有第 一侧和第二侧的笫 一微波层压层的微波 芯片支撑结构，第一微波层压层具有外部界限，并且其中至少一个导 体在第一层压层的第一侧上形成，所述导体向第一层压层的外部界限 延伸。
背景技术：
在微波技术中，将电路集成在商业封装中以用于量产和销售已在 技术上变得可行。以前必须设计电路板并在该电路板上安装分立組
件，其中为了调试电路然后通常必需比对工序(matching procedure )。 因此这些封装的集成微波电路使得微波设计比以前更容易和更经济。
近年已开发出大量此类封装。封装通常包括在硅村底上带有蚀刻 组件从而构成微波芯片的电路。封装通常还包括例如微波层压的形式 的载体，芯片固定至载体。芯片包括连接点，使用非常细的金线通过 接合的方法将其连接到层压上的连接点。层压通过对于用户可接触的 多个连接器连通其连接点。层压和其芯片通常提供有保护性覆盖物， 例如环氧树脂、塑料护罩壳或两者。
一种此类封装是所谓的BGA (球栅阵列)封装，它是封装电路， 在其较低侧上带有或多或少完全的M x N的连接器的阵列，构成所谓 的管脚。连接器以球的形式伸出封装一定距离。封装将安装于其上的 .电路板具有对应的焊接图案(solderingpattern),焊接图案包括对应的
焊盘以匹配管脚---个焊盘对应封装上的每个球形连接器。粘性焊
膏在每个焊盘上施加。封装以如下方式置于电路板上，即球形连接器 接触期望的对应的盘。然后电路板以如下方式逐渐加热，即^求和焊膏熔化，接着冷却，此时盘和连接器就焊接到一起了。
焊接结合处(solder joint)或多或少保持其球形，造成封装和电 路板之间的间隙。然而，这在较高频时是缺点，因为该间隙构成难以 用足够精确性预测的电感。
另一种类型的封装称为QFN (方形扁平无引线)，它是矩形的， 连接器设置在四条边处。连接器不从封装的轮廓向外延伸，但至少沿 着封装的较低侧部分延伸。芯片胶粘到层压，而其连接点使用非常细 的金线通过接合连接到层压上的连接点。层压上的连接点又通过导通 孔(viahole)的方法连接到封装的连接器，导通孔从放置其接合连接 的连接点的层压顶部延伸至放置连接器的层压的较低侧。
然而，这种配置是有缺点的，因为对每个连接呈现两个电感接 合线的和导孔(via)的。频率越高，这些电感对于设计精确的、可重 复的构造就会造成越多问题。
一种其它的封装类型称为倒装芯片(flip-chip),而且包括BGA 类型的芯片，但是更加显著的小型化。这种芯片作为常规BGA封装 焊接到层压以便构造BGA封装或QFN封装。
如果它是BGA封装，对于芯片处的球连接器和在层压的较低侧 的球连接器都存在间隙距离的问题。也有在层压的较高侧上的连接点 和层压的较低侧上的球连接器之间连接的导孔。
如果它是QFN封装，对于芯片处的球连接器以及在层压的较高 侧上的连接点和层压的较低侧上的连接器之间连接的那些导孔存在 间隙距离的问题。
正如专利号为6011692的美国专利(它^皮认为是最新的现有技术) 中描述的，芯片接合到支撑元件处的连接器，芯片固定在支撑元件中。 芯片的底部搁在(rest on)传导性的金属薄片上。将支撑元件放下到 带接地平面的电路寿反中的凹槽中。在该凹槽中，电路板的电介质^皮完 全去除，从而允许所放下的支撑元件搁在构成电路板的接地平面的传 导性的金属薄片上。由此，芯片的地很方便地连接到电路板的地。支撑元件的连接器通过在适当位置焊接或胶粘的导体连接到电路板处 的导体。
尽管该已知设备以令人满意的方式运转，但还有某些方面能够改
善，例如
-胶粘剂或焊料必须应用于支撑结构上的导体，而且可能干扰芯 片和/或接合线。
-由接合线后的两个地方的焊接或胶粘结合处中断传输线路。 -当安装带其芯片的支撑结构时，必须将电路板在自动拾放 (pick-n-place )机器和焊料施力口器(solder dispenser)中经历两个才喿 作(run)。
-如果没有护盖(lid)放置在支撑结构上，接合线是不受保护的。 -如果护盖放置在支撑结构上，护盖会和导体接触。
发明内容
本发明的目标是4是出一种适于微波频率的微波芯片支撑结构，该 微波封装克服了上述的缺点。
该目标通过如在介绍中提到的微波芯片支撑结构的方法获得，其 中微波芯片支撑结构还包括带有第一侧和第二侧的第二微波层压层， 笫二层压层以如下方式固定至第一层压层，即第二层压层的第二侧面 向笫一层压层的第一侧的至少一部分。第一层压层和/或第二层压层包 括至少一个凹槽，设置该凹槽以用于接纳要连接到所述导体的微波芯 片。第二层压层还延伸出第一层压层的外部界限，所述导体在笫二层 压层的第二侧上延续，而不接触第一层压层。
优选的实施例在所附权利要求中公开。
几个优点通过本发明的方法获得，例如
-不必将胶粘剂或焊料应用于支撑结构上的导体，
-传输线路不中断，以及
-在自动拾放机器和焊料施加器中仅必需一个操作。
现在本发明将参考附图进行更详细的描述，其中
图1示出本发明的第一实施例的顶部视图2示出本发明的第一实施例的截面；
图3示出本发明的第一实施例的截面；
图4示出本发明的第一实施例的变型的截面；
图5示出本发明的第二实施例的截面；
图6示出本发明的笫三实施例的顶部视图7示出本发明的第三实施例的截面；以及
图8示出本发明的笫四实施例的截面。
具体实施例方式
在图1和图2中，示出第一实施例，展示微波芯片支撑结构1。 所述支撑结构1包括第一微波层压层2，例如基于PTFE的层压，带 有第一侧3和第二侧4，其中铜接地平面5固定至第二侧4。第一层 压层2由第一边缘6、第二边缘7、笫三边缘8和第四边缘9限定， 第一层压层2基本上是矩形的。笫一凹槽10在第一层压层2中形成， 其中第一凹槽10以如下方式形成，即铜^t妄地平面5的一部分形成可 接触的表面，微波芯片11通过例如焊接或胶粘的方法固定紧靠着铜接 地平面5的该部分。该芯片11通常由在硅村底上带经蚀刻的组件的电 路构成。芯片11具有顶侧12和底侧13,底侧13面向(face)接地平 面。由此，芯片的地可直接连接到接地平面5,因为芯片的底侧13具 有至少一个接地连接14。芯片11和微波芯片支撑结构1 一起形成微 波封装。
芯片11在其顶侧12具有连接15、 16、 17、 18、 19、 20,将这些 连接15、 16、 17、 18、 19、 20通过对应的接合线27、 28、 29、 30、 31、 32与在笫一层压层2的第一侧3上形成的导体21、 22、 23、 24、25、 26接触。导体21、 22、 23、 24、 25、 26向第一层压层2的四条 边缘6、 7、 8、 9延伸。
根据本发明，支撑结构1还包括第二微波层压层33，例如基于 PTFE的层压，带有第一侧34和第二侧35。第二层压层33以如下方 式固定至笫一层压层2,即第二层压层33的第二侧35面向第一层压 层2的第一侧3。导体21、 22、 23、 24、 25、 26因此置于第一层压层 2和第二层压层33之间。第二凹槽36在笫二层压层33中形成，基本 上具有和第一凹槽IO相同的位置，但是更大，以便允许将接合线27、 28、 29、 30、 31、 32连接到导体21、 22、 23、 24、 25、 26。
第二层压层33还延伸出第一层压2的四条边缘6、 7、 8、 9,导 体21、 22、 23、 24、 25、 26从第一层压层2向外延续并且在第二层 压层33的第二侧35上延续。第二层压层33因此携载(carry)从第 一层压层2出去的导体21、 22、 23、 24、 25、 26。
如图3中所示，示出第一PCB (印刷电路板)37和第二PCB38。 第一 PCB 37具有笫一侧39和第二侧40，而第二 PCB 38具有第一侧 41和第二侧42。第一PCB 37和笫二PCB 38以如下方式相互附4妄， 即笫一PCB 37的第二侧40和第二PCB41的第一侧41面对面(face each other )， PCB接地平面43置于它们之间。在第一 PCB 37中，第 三凹槽44以如下方式形成，即PCB 4妻地平面43的一部分形成可4妄触 的表面，支撑结构1通过例如焊接或胶粘固定靠着接地平面43的该 部分。
第一PCB 37具有基本上与笫一层压层2的厚度相同的厚度，使 得导体21、 22、 23、 24、 25、 26的^f叉由笫二层压33携载的部分，将 搁在对应的PCB导体45、 46上。在第二层压33上的导体21、 22、 23、 24、 25、 26和PCB导体45、 46之间的连接通过例如焊接或胶粘 获得。
由此，每个传导路径仅由在各自的接合线27、 28、 29、 30、 31、 32之后的一个焊接或胶粘结合处中断。芯片11现在被第二层压层33包围，这样提供了对芯片ll的保护。 为了获得芯片的更牢固的保护，在第二层压层33中形成的第二凹槽 36，可填充保护性的填料物质47,例如环氧树脂。保护性的填料物质 47的其它例子是凝胶或硅化合物。
冲艮据笫一实施例的变型，如图4中所示，护罩48置于第二层压 层33的第一侧34上，罩住芯片11而不千扰任何导体23、 26。护罩 48可以用例如塑料、金属或两者的组合制造。护罩48当然可与参考 图3所公开的保护性的填料物质组合。护罩48的形状可变动，它可 以是例如弓形的或由直接安放在第二微波层压层33的笫一侧34上的 平的护盖。
根据本发明的第二实施例，参考图5，示出微波芯片支撑结构r， 笫二层压层33'未设有凹槽，但罩住芯片11。在该第二实施例中，没 有接合线，但笫二层压层33'携载部分进入第一凹槽10的导体23、 26， 使它们能获得与芯片连接17、 20的直接接触，因此省却对接合线的 需要。由此，第二层压层功能如下
-在芯片连接和第 一层压的第 一侧上的导体之间的第 一连接部
件，
-在第一层压的第一侧上的导体和PCB连接之间的第二连接部 件，以及
-芯片的护罩。
第二实施例的所有其它特;f正对应第一实施例，而且当然可以用对 第一实施例所描述的相同的方式附接到PCB。
'在图6和图7中，描述第三实施例，示出微波芯片支撑结构r。
所述支撑结构l"包括笫一微波层压层49，例如基于PTFE的层压，带 有第一侧50和第二侧51，其中铜接地平面52固定至第二侧51。第 ，层压层49由第一边缘53、第二边缘54、笫三边缘55和第四边缘 56限定，第一层压层49基本上是矩形的。
支撑结构l"还包括笫二微波层压层57，例如基于PTFE的层压，带有第一侧58和第二侧59。第二层压层57以如下方式固定至第一层 压层49，即第二层压层57的第二侧59面向第一层压层49的第一侧 50。导体60、 61、 62、 63、 64、 65在第一层压层49和笫二层压层57 之间以对前述实施例所描述的相似的方式形成。导体60、 61、 62、 63、 64、 65具有CPW (共面波导)类型，即导体以本领域技术人员熟知 的方式^1其对应的接地平面G包围，由小缝隙与接地平面分开。
在第二层压层57形成的凹槽66,具有如下形式，即微波芯片67 装配在凹槽66中，芯片67具有顶侧68和底侧69。 i:殳置芯片67以如 下方式搁在第一层压层49的第一侧50上，即将芯片67的底侧69上 的连接70、 71、 72、 73、 74、 75与在第一层压层49的第一侧50上 形成的导体60、 61、 62、 63、 64、 65相4妄触。
在导体60、 61、 62、 63、 64、 65和芯片连接70、 71、 72、 73、 74、 75之间的连接是球连接器B的形式，球连接器B从封装伸出一 定距离。在芯片67装配在合适位置之前，在每个导体60、 61、 62、
63、 64、 65处的合适的点上施加粘性焊膏。然后电路板以如下方式逐 渐加热，即5求B和焊膏熔化，4妻着冷却，此时导体60、 61、 62、 63、
64、 65和芯片连接70、 71、 72、 73、 74、 75就焊接在一起了 。 第二层压层57还延伸出笫一层压49的四条边缘53、 54、 55、 56，
导体60、 61、 62、 63、 64、 65从第一层压层49向外延续并且在第二 层压层57的第二侧59上延续。第二层压层57因此以对前迷实施例 所描述的相同的方式携载从第一层压层49出去的导体60、 61、 62、 63、 64、 65。
根据第三实施例的支撑结构r因此可以对前述实施例描述的相
同的方式附接到PCB。铜接地平面52可用于将支撑结构r焊接到合 适的PCB，但它对于一些电气功能并不是必需的。相反，如果支撑结 构1"^J交粘到合适的PCB，铜^妄地平面52可以省略。
笫三实施例的球连接器B可与任何类型的方便的连接方式互换，
例如用导电胶粘剂胶粘，笫三实施例的主要思想是提出支撑结构r，在芯片67的同一面上同时具有信号和地连接的芯片67可能连接到该 支撑结构r,在这种情况下，底侧69允许其连接到CPW导体。
凹槽66可填充保护性的填料物质和/或用保护性的护罩罩住，如 对第一实施例所描述的。
图8中，示出微波芯片支撑结构的第四实施例r"。该实施例类似
图5的实施例，其中没有接合线，但此处第一层压层8携载部分进入 笫一凹槽10的导体23、 26,使得它们能够获得与芯片连接17、 20的 直接接触，因此省却对接合线的需要，因为第二层压层33在第一凹 槽10前终止，从而以对第一实施例相同的方式形成第二凹槽36。这 意味着导体23、 26在第一凹槽IO上部分伸出，而不具有第一层压层 8的任何支撑。
铜接地平面52在第一凹槽10处^皮去除，从而使第一凹槽从第一 层压层8的第二侧51可接触。芯片11优选地从该侧插入。这意味着 当没有安装时，芯片的接地连接14与微波芯片支撑结构l'"的铜接地 平面52是电分离的。当微波芯片支撑结构l'"安装在PCB结构上时(未 在图8中示出)，芯片的接地连接14和铜接地平面52电连接，如对 笫一实施例所述的。芯片的接地连接14和铜接地平面52然后通过例 如焊接直接连接到PCB接地平面43。
对于第四实施例，在第二层压层33中形成的第二凹槽36,可填 充保护性填料物质，如前面参考图3所述(未在图8中示出)。
本发明不限于所描述的实施例，但只在所附权利要求的范围内可 自由变动。例如，在第一层压2/49上的导体21、 22、 23、 24、 25、 26/60、 61、 62、 63、 64、 65向第一层压层2/49的边缘6、 7、 8、 9/53、 54、 55、 56中的至少一条边缘延伸。第二层压层33、 33V57延伸出第 :一层压层2/49的边缘6、 7、 8、 9/53、 54、 55、 56中的至少一条边缘 一定距离，导体21、 22、 23、 24、 25、 26/60、 61、 62、 63、 64、 65 从第一层压层2/49向外延续并且在笫二层压层3、 "757的第二侧 35/59上延续。第二层压层33、 33'/57优选地仅延伸出笫一层压层2^9的边缘6、 7、 8、 9/53、 54、 55、 56中的第一层压层2/49的导体21、 22、 23、 24、 25、 26/60、 61、 62、 63、 64、 65延伸向的那些边缘。 在第一层压层2/49上的导体的数量至少是一个。 第二层压层33、 33V57因此延伸出第一层压层2/49的边缘6、 7、 8、 9/53、 54、 55、 56的至少一条边缘。这个或这些延伸的长度应该 适于实现其连接功能。
导体的宽度应该适于获得最佳性能，通常通过使它们匹配系统的 特性阻抗。该匹配必须考虑导体是否作为微带线使用，即基本在另一 面上不带任何电介质的支撑电介质结构上；或者作为带状线使用，即 压在两个支撑结构之间。这些导体在CPW配置中使用的情况下同样 有效。
材料也可根据性能和费用需求方便的选择，本文提到的材料仅作 为示例提出。例如层压层可使用陶瓷而不是PTFE形成。此外，例如 铜接地平面可用任何合适的导电材料形成，例如金。
此外，接地平面可在合适时省略，例如如果有其它接地连接可使用。
材料和凹槽的形状也可以任何方式变动，凹槽可为椭圆的或圆形 的，如果因为生产或芯片结构的缘故使那样更方便的话。边缘6、 7、 8、 9/53、 54、 55、 56可以任何方式设置，边缘的功能是限定第一层 压层2/49的外部界限。
PCB上的导体对于所有实施例可以是CPW的形式。
权利要求
1. 一种微波芯片支撑结构(1、1′、1＂、1′′′)，其包括带有第一侧(3、50)和第二侧(4、51)的第一微波层压层(2、49)，所述第一微波层压层(2、49)具有外部界限(6、7、8、9；53、54、55、56)，并且其中至少一个导体(21、22、23、24、25、26；60、61、62、63、64、65)在所述第一层压层(2、49)的所述第一侧(3、50)上形成，所述导体(21、22、23、24、25、26；60、61、62、63、64、65)向所述第一层压层(2、49)的所述外部界限(6、7、8、9；53、54、55、56)延伸，其特征在于，所述微波芯片支撑结构(1、1′、1＂、1′′′)还包括带有第一侧(34、58)和第二侧(35、59)的第二微波层压层(33、33′；57)，所述第二层压层(33、33′；57)以如下方式固定至所述第一层压层(2、49)，即所述第二层压层(33、33′，57)的所述第二侧(35、59)面向所述第一层压层(2、49)的所述第一侧(3、50)的至少一部分，所述第一层压层(2、49)和/或所述第二层压层(33、33′；57)包括至少一个凹槽(10、36、66)，所述凹槽(10、36、66)设置为用于接纳要连接到所述导体(21、22、23、24、25、26；60、61、62、63、64、65)的微波芯片(11、67)，其中所述第二层压层(33、33′；57)还延伸出所述第一层压层(2、49)的所述外部界限(6、7、8、9；53、54、55、56)，所述导体(21、22、23、24、25、26；60、61、62、63、64、65)在所述第二层压层(33、57)的所述第二侧(35、59)上延续而不接触所述第一层压层(2、49)。
2. 如权利要求1所述的微波芯片支撑结构(1、 r),其特征在于， 所述第一层压层(2)具有笫一凹槽(10),所述微波芯片(11、 67) 插入到所述第一凹槽(10)中，所述微波芯片(11、 67)具有顶侧(12) 和底侧(13)，所述底侧(13)面向导电接地平面(5)，所述导电接 地平面(5)固定至所述笫一层压层(2)的所述笫二侧(4)，而且所 述顶侧(12)设有芯片连接(15、 16、 17、 18、 19、 20),将所述芯片连接(15、 16、 17、 18、 19、 20)与所述导体(21、 22、 23、 24、 25、 26)进行接触。
3. 如权利要求2所述的微波芯片支撑结构U、 r)，其特征在于， 所述底侧(13)具有电连接到所述接地平面(5)的至少一个接地连 接(14 )。
4. 如权利要求2或3中任一项所述的微波芯片支撑结构(1 )， 其特征在于，所述第二层压层(33)具有第二凹槽(36)，所述第二 凹槽(36)基本上具有与所述第一凹槽(IO)相同的位置，但是更大， 从而允许通过接合线(27、 28、 29、 30、 31、 32 )将所述芯片连接(15、16、 17、 18、 19、 20)与所述导体(21、 22、 23、 24、 25、 26)进行 接触。
5. 如权利要求4所述的微波芯片支撑结构(1)，其特征在于， 所述第二凹槽(36)填充有保护性填料物质(47)。
6. 如权利要求4或5中任一项所述的微波芯片支撑结构(1 )， 其特征在于，护罩(48)置于所述第二层压层(33)的第一侧(34) 上，罩住所述芯片(11)。
7. 如权利要求2或3中的任一项所述的微波芯片支撑结构(1')， 其特征在于，所述第二层压层(33，)罩住所述微波芯片(11)，所述 第二层压层(33，)携载部分进入所述第一凹槽(10)的所迷导体(21、 22、 23、 24、 25、 26)，使它们能够获得与所述芯片连接(15、 16、17、 18、 19、 20)的直4妄4妄触。
8. 如权利要求2或3中任一项所述的微波芯片支撑结构(l'"), 其特征在于，所述第一层压层(8)将所述导体(21、 22、 23、 24、 25、 26)部分传导进入所述第一凹槽(10)，使它们能够获得与所述 芯片连接(15、 16、 17、 18、 19、 20)的直接接触。
9. 如权利要求i所述的微波芯片支撑结构(r)，其特征在于，所述第二层压层(57)具有凹槽(66)，所述凹槽(66)设置为接纳 所述微波芯片(67 ),所述微波芯片(67 )具有顶侧(68 )和底侧(69 ),其中所述芯片(67)以如下方式设置为搁在所述第一层压层(49)的 所述第一侧(50)上，即将所述芯片(67)的所述底侧(69)上的连 接(70、 71、 72、 73、 74、 75)与所迷第一层压层(49)的所述第一 侧(50)上形成的所述导体(60、 61、 62、 63、 64、 65)进行接触。
10. 如权利要求9所述的微波芯片支撑结构(r),其特征在于， 在导体(60、 61、 62、 63、 64、 65)和所述芯片连接(70、 71、 72、 73、 74、 75)之间的连接是球连接器(B)的形式。
11. 如权利要求9或10中任一项所述的微波芯片支撑结构(1")， 其特征在于，所述凹槽(66)填充有保护性填料物质。
12. 如权利要求9到11的任一项所述的微波芯片支撑结构(r)， 其特征在于，护罩放置在所述第二层压层(59)的所述第一侧(58) 上，罩住所述微波芯片(67)。
13. 如以上任一项权利要求所述的微波芯片支撑结构(1、 l'、 1"、 r')，其特征在于，其设置为放置在第一PCB (印刷电路板)37中形 成的凹槽(44)中，所述笫一PCB (37)以如下方式附接到第二PCB(38)，即所述第一PCB (37)的第二侧(40)和所述第二PCB (41 ) 的第一侧(41)面对面，而PCB接地平面(43)置于它们中间。
14. 如权利要求13的所述的微波芯片支撑结构(1、 l'、 1"、 l"')， 其特征在于，部分所述PCB接地平面(43)通过所述凹槽(44)形成 可接触的表面，靠着所述部分所述PCB接地平面(43)可固定所述支 撑结构(1、 l'、 1"、 l"')。
15. 如权利要求13或14中的任一项的所述的微波芯片支撑结构(i、 i'、 r、 r)，其特征在于，所述第一 pcb (37)具有基本上和所述第一层压层(2、 49)的厚度相同的厚度，使得所述导体(21、 22、 23、 24、 25、 26; 60、 61、 62、 63、 64、 65)在仅由所述笫二层 压层(33、 33'; 57)携载时，将搁在对应的PCB导体(45、 46)上， 从而使所述笫二层压层33上的所述导体(21、 22、 23、 24、 25、 26; 60、 61、 62、 63、 64、 65)和所述PCB导体(45、 46)之间能够电连接。
16.如权利要求13到15中的任一项的所述的微波芯片支撑结构(i、 r、 r、 r"),其特征在于，所述pcb导体U5、 46)是cpw(共 面波导)的形式。
全文摘要
本发明涉及微波芯片支撑结构(1、1′、1″、1′″)，包括带有第一侧(3、50)和第二侧(4、51)以及外部界限(6、7、8、9；53、54、55、56)的第一微波层压层(2、49)。至少一个导体(21、22、23、24、25、26；60、61、62、63、64、65)在所述第一侧(3、50)上形成，向所述外部界限(6、7、8、9；53、54、55、56)延伸。微波芯片支撑结构(1、1′、1″、1′″)还包括带有第一侧(34、58)和第二侧(35、59)的第二微波层压层(33、33″；57)，第二微波层压层(33、33″，57)的第二侧(35、59)固定到第一层压层(2、49)的第一侧(3、50)的至少一部分。第一层压层(2、49)和/或第二层压层(33、33″；57)包括至少一个凹槽(10、36、66)，设置所述凹槽(10、36、66)以用于接纳要连接到所述导体(21、22、23、24、25、26；60、61、62、63、64、65)的微波芯片(11、67)。第二层压层(33、57)延伸出第一层压层(2、49)的外部界限(6、7、8、9；53、54、55、56)，所述导体(21、22、23、24、25、26；60、61、62、63、64、65)在第二层压层(33、57)的第二侧(35、59)上延续而不接触第一层压层(2、49)。
文档编号H01L23/31GK101432871SQ200780015280
公开日2009年5月13日 申请日期2007年4月27日 优先权日2006年4月28日
发明者P·利冈德 申请人:艾利森电话股份有限公司