包括电池和具有由电池电荷状态控制的电容的可变电容器的固态结构的制作方法

文档序号:6889734阅读:204来源:国知局
专利名称:包括电池和具有由电池电荷状态控制的电容的可变电容器的固态结构的制作方法
技术领域
目前,可能的集成式电容器的许多变型用于ic设计中。然而,根据
电路,通常希望这些电容器中的至少一些不具有恒定值,而是可变的
或可调节的。当前,存在基于MEMS技术的可控电容器。这些可控电容 器是空气间隔可变电容器的微观等效物,且能够使用常规晶片制造工 艺集成到硅片中。在这些器件中,电容值能够借助于跨越梁/膜结构施 加例如DC电压而以连续方式调节。
背景技术
虽然可控或可调节MEMS电容器被广泛地研究,但是这些器件采用易 于塌陷或卡住为"闭合"状态的独立式梁或膜。这可能源于在梁的钻 蚀期间或跨越梁结构施加过高的DC电压之后的劣质加工,从而导致过 应力和随之发生的卡住。平均而言,MEMS可调节电容器的独立式部分 能够偏斜高达一定阈值,通常高达膜的初始间隙尺寸的约75%。如果 超过该阈值,将发生塌陷或卡住,从而导致所述器件不可用。
电容值的变化取决于MEMS设计的几何形状,但是总是受到这样的事 实限制"低,,和"高"电容状态之间的比率对于具有小的印迹(即, 在基底上使用的表面面积)的器件来说非常小。例如,仅仅对于非常 长的梁并由此对于大的表面面积来说,该比率可以高得多。
此外,为了能够调节/切换前述MEMS器件,需要IO-50V量级的连续 施加的高DC电压。
新颖的构思,如全固态可再充电薄膜锂离子电池的3D集成,先前已 经在文献WO2005/027245A2中描述。通常,这些电源能够用于许多应用, 如可植入物、传感器和自主式器件。然而,发明人已经想到,这些电 池堆叠体也能够有利地用于形成完全可调节的电容器。
本发明基于这样的认识固态电池的厚度随电池中主导的 (prevailing)条件而变化。当这种堆叠的固态电池的一侧固定且电容 器板连接到固态电池的另一侧时,所述电容器板在电池的电荷条件变化时移动,从而导致电容器的电容值变化。第二电容器板可以固定或 可以具有用于改变其位置的类似结构。因而,获得了一种电化学可调 节电容器。
本发明提供了一种固态可变电容器,包括第一电容器板;第二电 容器板,所述第二电容器板基本平行于所述第一电容器板延伸且距所 述第一电容器板一定距离;其中,至少所述第一电容器板在结构上耦 接到第一分层固态电池的一侧,其中,所述第一固态电池的各层基本 平行于所述第一电容器板延伸,且其中,所述第一固态电池对在垂直 于其各层的平面的方向上的尺寸变化是敏感的(susceptible)。
这种新颖的电容器没有现有技术那样的独立式部分,从而通过本发 明避免了这种部分卡住或塌陷的问题。
采用本文献中公开的电化学可调节电容器,可获得宽范围的电容 值。"低"和"高"电容状态之间的最大比率可以非常高。这可以通 过改变电池堆叠体内的化学性质以得到在充电/放电时显著膨胀/收缩 的堆叠体而实现。这将不会导致显著的表面面积增大或印迹,并且因 而与现有技术的采用非常长的独立式梁作为组成部分的可调节MEMS电
容器相比空间消耗小得多。
最终,在本文献中所述的电化学可调节电容器中的切换仅需要1-5V 的低电压和低电流。这比前述现有技术MEMS结构明显更小。

发明内容
优选实施例提供了上述类型的可变电容器,其中,所述固态可变电 容器包括沉积在基底上的电池阴极电极层;沉积在所述电池阴极电 极层上的固体电解质层;沉积在所述固体电解质层上的电池阳极电极 层;沉积在所述电池阳极层上的电介质层;设置在所述电介质层上的 第一电容器板;第二电容器板,其中,所述电极层中的至少一个具有 这样的属性其厚度随至少一个电极中的活性物种的密度而变化。
该实施例利用这样的事实电池堆叠体的厚度的变化基本可归因于 其电极层,尤其是所述电极层中活性物种的浓度,从而通过仔细选择 和设计电极层来允许优化电池堆叠体的设计为需要的电容器属性。在 此应当注意,电极层被理解为包括通常用于这种电池堆叠体中的集电 器层。然而应当清楚,集电器的体积是基本恒定的且电极本身的体积将在主导条件(如活性物种的浓度)的影响下变化。
优选地,这种电容器通过用于制造固态可变电容器的方法获得,所 述固态可变电容器含有第一电容器板和第二电容器板,所述第二电容 器板基本平行于所述第一电容器板延伸且距所述第一电容器板一定距
离;其中,至少所述第一电容器板在结构上耦接到第一分层固态电池 结构的一侧,所述电池结构在垂直于所述板的方向上的尺寸是可变的, 所述方法包括以下步骤提供基底;在基底上沉积电池阴极层;在所 述电池阴极层上沉积固体电解质层;在所述固体电解质层上沉积电池 阳极层;在所述电池阳极层上沉积电介质层;在所述电介质层上沉积 第一电容器板和提供第二电容器板。该方法提供了构造根据本发明的 电容器的结构的简单方法,其中,使用固态电池制造领域中普通的技 术。也应当清楚,在该方法中,电极层的应用被理解为还包括相关的 集电器层。
虽然可以通过不同的层获得电池堆叠体的厚度的需要的变化,但是 清楚的是,优选地用作电池阳极的材料显示了在活性物种浓度影响下 厚度的最大变化。因而,优选实施例提供了这样的特征第一固态电 池具有阳极电极,所述阳极电极包括这样选择的材料即,使得阳极 电极的厚度随在所述阳极中活性物种的浓度而变化。然而,决不排除 电池堆叠体的可变厚度通过使用其它层中的合适材料(单独或与其它 层中的类似特征组合)获得。此外,应当注意,由于活性物种在电极 之间的迁移, 一个电极的膨胀也可能伴随着另一电极的收缩。然而, 当这些效果之一比另一个明显更强时,导致电池堆叠体的整体的收缩 或膨胀。
进一步优选的实施例提供这样的特征固态电池中的活性物种由锂 (Li)形成,且阳极包括阳极材料,所述阳极材料选自硅(Si)、锡 (Sn)、锗(Ge)、锑(Sb)、铋(Bi)、锌(Zn )或这些金属的合
金所构成的组。已经清楚,所得的组合获得了阳极层的厚度的引人注
目的变化。
优选地,根据本发明的能源的至少一个电极适合于存储以下元素中 的至少一种的活性物种氢(H)、铍(Be)、镁(Mg)、铝(Al)、 铜(Cu)、银(Ag)、钠(Na)和钾(K)、或指定为周期表中族l或 族2的任何其它合适元素。因而,根据本发明的电容器可以基于各种插层机制,并且因而适合于包括不同类型的(储备型)电池,例如锂离
子电池单元、NiMH电池单元等。
根据本发明的结构提供两个不同的电路,即电池电路和电容器电 路,其中,所述电池电路用于控制电容器的电容值。有吸引力的是, 使得控制电路独立于电容器电路。为了提供这种独立,又一优选实施 例提供了这样的特征在所述第一电容器板和第一固态电池之间存在 电介质层。该层提供了电容器电极与通常包括连接到其上的集电器层 的电池阳极的适当分隔。
优选地,电介质层由具有低的相对介电常数的材料制成。这提供了 在电池或控制电路与电容器电路之间的更好的分隔。
优选地,电介质材料是掺杂的Si02、多孔Si02、聚合物(PVDF、 PS、 PE)或聚甲基硅倍半氧化物。
根据第一优选结构实施例,上述电容器结构可以加倍,以获得电容 器板的距离的组合变化,并且因此获得电容器的电容量的组合变化。 当所述第二电容器板在结构上耦接到笫二固态分层电池的一侧、所述 第二固态电池的各层基本平行于所述第二电容器板延伸且所述第二固 态电池对在垂直于其各层的平面的方向上的尺寸变化敏感之时,获得 这种加倍结构。这一权利要求所述的结构包括两个电池和单个电容器, 其中,电容器的电容取决于每个电池中的电荷状况。
根据这种结构的实施例的电容器优选通过下述方法获得所述方法 在具有深的沟槽结构的基底中执行,且其中在形成层堆叠体之后,去 除沟槽底部处的层堆叠体。这是在电池领域被证实为有利的技术。
去除沟槽底部处的所述层堆叠体优选地通过化学机械抛光或湿法 化学蚀刻进行,因为这些技术是加工集成电路的熟知技术。
当第一和第二电池具有相对于第一和第二电容器板的中间平面中 心成镜像的结构时,这种结构的制造被简化。该简化通过对称效应获 得。因而优选地,在具有深的沟槽结构的基底中对称地执行所述方法。
优选地,第一和第二电池连接到各自的控制电路,从而提供对电容 器的电容进行双重控制(dual control)的可能性。 一个实例是使用电 池中的一个用于容量的粗控并且使用另 一个电池用于对容量的微调。 如果结构的材料和几何形状相应地选择,那么这是特别有吸引力的。
又一优选实施例提供了一种可变电容器,所述可变电容器包括多个上述类型的可变电容器,其中,所述各电容器的电容器板互相连接。 这些特征允许构造具有更大容量的电容器。此外,其允许使电容器的 结构适合基底上的可用空间,因为其允许将电容器结构分成独立的单
元。该特征能够获得的又一益处在于下述事实电容能够通过两个以 上的电池被独立地控制,从而提供新的控制可能性。
不同电容器板的板之间的相互连接提供将第一电容器板连接到第 二电容器板的可能性,从而提供具有较高电容值的单个电容器。
然而,也可以将各电容器板连接到可切换网络中,从而允许将电容 器以串联连接或以并联连接方式连接。这提供了通过以并联方式充电 电容器且以串联方式放电电容器而产生电压乘法电路的可能性。虽然
该电路本身是已知的,但是本发明允许它整体并入固态电路中。
第二结构实施例提供这样的特征第一和第二电容器板在不同基底
上形成,且在形成笫一和第二电容器板之后所述基底被结合。该实施 例在所述电容器板中的一个被固定且另 一板连接到电池堆叠体的情况 下尤其有效。
独立于所述结构的特定实施例提供这样的特征第一和第二板之间 的空间相对于环境被封闭且密封,所述空间填充有气体、液体或是真 空。这允许设计电容器电容的进一步可能性。如果使用流体,必须进 行设置(例如通过设置柔性膜)来允许由于电容器板的可变位置引起 的腔的体积改变。
通过使根据本发明的电化学能源的一个电极(优选两个电极)形成 图案或结构化,获得了三维表面面积,从而获得(一个或多个)电极 的每印迹的增加的表面面积,并获得至少一个电极和电解质堆叠体之 间每体积的增加的接触表面。接触表面的这种增加导致电容对电荷状 况的依赖性的改进效率。优选的是,至少一个电极的至少一个表面基 本规则地形成图案,且更优选的是,应用的图案设置有一个或多个腔, 尤其是柱、沟槽、狭缝或孔,这些特定的腔能够以相对准确的方式应 用。以此方式,可控电容器增加的性能也可以相对准确的方式预先确 定。在本文中应当注意,其上沉积堆叠体的基底表面可以是基本平坦 的或可以是图案化的(通过弯曲基底和/或为基底设置沟槽、孔和/或 柱),以有利于产生三维定向的电容器。在本文中应当注意,其上沉 积堆叠体的基底表面可以是基本平坦的或可以是图案化的(通过弯曲基底和/或为基底设置沟槽、孔和/或柱),以有利于产生三维定向的 电容器。
优选地,每个电极包括集电器。借助于所述集电器,电池能够容易
地连接到电子装置。优选地,集电器由以下材料中的至少一种制成 Al, Ni, Pt, Au, Ag, Cu, Ta, Ti, TaN和TiN。也可以应用其它类型 的集电器,例如优选掺杂的半导体材料(例如,Si, GaAs, InP),以 用作集电器。
电容器优选地包括沉积在基底和至少一个电极之间的至少一个阻 挡层,所述阻挡层适合于至少基本上排除电池的活性物种扩散到所述 基底中。以此方式,所述基底和电化学电池将被化学隔离,因此电化 学电池的性能可以保持相对持久并且因此电容器的性能能够保持相对 持久。在应用基于锂离子的电池的情况下,所述阻挡层优选由以下材 料中的至少一种制成Ta, TaN, Ti和TiN。应当清楚,也可以使用其 它合适材料来充当阻挡层。
在优选实施例中,优选地应用这样的基底所述基底在理想情况下 适合经受表面处理,以图案化基底,这可能有利于图案化(一个或多 个)电极。基底更优选由以下材料中的至少一种制成C, Si, Sn, Ti, Ge, Al, Cu, Ta和Pb。这些材料的组合也可以用来形成基底。优选地, n型或p型掺杂Si或Ge、或掺杂的Si相关化合物和/或Ge相关化合物(如, SiGe或SiGeC)用作基底。除了相对刚性的材料之外,也可以使用基本 上柔性的材料(例如,箔,诸如Kaptoi^箔)来制造基底。应当清楚, 其它合适的材料也可以用作基底材料。
本发明还提供包括如前述权利要求中任意一项所述的电化学能源 的电气装置。而且,在这种实施例中,本发明的有益效果呈现得非常 好。
又一实施例提供这样的特征第二电容器板通过在组件上倒装具有 固定电容器板的第二基底来提供,从而获得用于制造根据本发明的电 容器的特别有吸引力的方法。


随后,将借助于附图来阐明本发明,在附图中
图l示出了在具有薄膜沟槽结构的硅基底中的锂(Li)电池的示意性透视图2示出了根据本发明的具有电池的电容器的示意性透视图,所述 电池具有单个沟槽的结构,其中完整的堆叠体被沉积;
图3示出了在通过使基底变薄而去除沟槽底部之后沟槽的结构的示 意性透视图4a和4b示出了根据本发明的处于不同情形的电容器的结构连同 电连接的示意性透视图;和
图5a和5b示出了根据第二结构实施例的电容器结构分别在沉积过 程之后和在翻转芯片上半部之后的示意性透视图。
具体实施例方式
图l示出了在文献WO2005/O27245A2中公开的全固态薄膜电池。使用 该现有技术文献中所述的沉积和集成技术,能够制成可用于制造电化 学可调节电容器的堆叠体。该堆叠体在图2中示出。在该图中,示出了 在基底l中的单个沟槽的示意图,沟槽2在基底1中形成,其中,整体由 3表示的电池堆叠体根据上述现有技术方法沉积。
施加到基底1上的该电池堆叠体3包括集电器层4、阴极层5、固态电 解质层6和阳极层7。在阳极层7顶部沉积集电器层8。在如此形成的电 池堆叠体3上沉积电介质层9,导电层10位于其上,导电层10将用作离 开集电器层8的电容器板。电介质层9将导电层10与集电器层8屏蔽并绝 缘。
制造过程中的下一步骤是去除沟槽2底部处的层堆叠体3,以形成彼 此成镜像的两个分开的堆叠体3。这在图3中示出。完成此步骤的最简 单方式是使得基底l变薄,例如,使用化学机械抛光(CMP)技术或湿 法化学蚀刻,直到沟槽2的底部11被去除为止。可以使用带有通沟槽 (via trench)的基底来取代使用带有盲沟槽(blind trench) 2的基底1。 在这两种情况下,均获得图3所示的情形。显然,在去除沟槽2的底部 ll之后,两个单独的堆叠体3保持为每一个包括电池堆叠体3、电容 器板IO、和在所述电容器板10与阳极集电器层8之间的电介质屏障层9。
图4示意性地示出了充电或放电电池堆叠体3如何能够改变电容值。 充电或放电电池堆叠体3能够恒电流地(galvanostatically )或恒电 位地(potentiostatically )完成,通常需要1-5V的低电压,这取决于所使用的电池电极材料。由此可知,整个电池堆叠体在充电和放电 时分别膨胀或收缩。根据在堆叠体中使用的确切电池电极材料,总体 积膨胀可以被减小/最小化。然而,该体积变化也可以用于本发明的目 的。
如果电池电极材料以这样的方式被选择使得电池堆叠体在充电/ 放电时的总单轴膨胀/收缩大,那么所述电池堆叠体可以用作电容器板 的可移动载体。具有非常高的体积膨胀度的合适的电池电极材料主要 是阳极材料,如Si, Sn, Ge, Pb, Sb或Bi。
在图4a和4b所示的示例中,电池堆叠体3在充电时膨胀,而在放电 时收缩。该效果由所述阳极内活性物种的变化的浓度造成的阳极7的体 积膨胀引起。在本发明结构中使用的薄膜技术中,该体积膨胀或缩减 导致电极的厚度变化,从而导致电容器板的移动。在电池处于其放电 状态的情况下,各电容器板将在它们之间具有大的间隙,如图4a所示。 使电池充电将导致在沟槽2两侧上的电池堆叠体3的单轴膨胀,从而使 得各电容器板10彼此更接近,如图4b所示。可以在连接点1和2处测量 和使用电容值。应当注意,可以选择产生相反结果的电池电极材料的 不同组合。
应当注意,在该设计中,在电容器板10和阳极集电器8之间存在电 容耦合。因而,这些部分之间的电介质层9是必不可少的。为了使得该 电容耦合最小化,与两个电容器板10之间的间隙相比,该层9应该非常 厚并且由低k电介质材料制成,即,具有低相对介电常数的材料,如掺 杂的Si02、多孔SiO"聚合物(PVDF、 PS、 PE)或聚甲基硅倍半氧化物。
在图2-4中,示出了电化学可调节电容器的两侧趋近。在该器件中, 两个电容器板10都是可移动的。可替代地,如果制造和/或集成更容易, 那么可以选择单侧趋近。这种选择在图5a和5b中示出。这两个图示出 了这样的配置其中下部电容器板10是可移动的,而上侧的电容器板 13是固定的。在图5a中,示出了可以在类似于图2-4的工艺中制造的配 置,但是其也可以由平面工艺制造。然而,图5b所示的设计可以通过 首先在晶片1上以平面方式加工全部堆叠体3且随后在该组件顶部倒装 具有固定电容器板13的基底12来制成。
此外,MEMS技术可以有效地用于制造所公开的可调节电容器的腔。 应当注意,如果可调节电容器在封闭和密封的腔内制成,那么腔本身可以填充有气体(如,02, N2, Ar)或是真空。该特征提供了更宽的电 容变化的可能性,因为两个电容器板之间的介质也决定可以获得的电 容值。应当注意,该最后特征可应用于具有如图2-4所公开的结构的电 容器和具有图5的结构的电容器、或任何其它合适的配置。
此外,应当注意,除了本文中所示的实施例,本发明也可适用于其 它配置。
权利要求
1. 固态可变电容器,包括第一电容器板;第二电容器板,所述第二电容器板基本平行于所述第一电容器板延伸且距所述第一电容器板一定距离;其中,至少所述第一电容器板在结构上耦接到第一分层固态电池的一侧,其中,所述第一固态电池的各层基本平行于所述第一电容器板延伸;且其中,所述第一固态电池对在垂直于其各层的平面的方向上的尺寸变化是敏感的。
2. 根据权利要求l所述的可变电容器,其特征在于,所述固态可变 电容器包括沉积在基底上的电池阴极电极层; 沉积在所述电池阴极电极层上的固体电解质层; 沉积在所述固体电解质层上的电池阳极电极层; 沉积在所述电池阳极电极层上的电介质层; 设置在所述电介质层上的第一电容器板; 第二电容器板,并且所述电极层中的至少一个具有这样的属性其厚度随至少一个电极 中的活性物种的浓度而变化。
3. 根据权利要求1或2所述的可变电容器,其特征在于,第一固态 电池具有由这样选择的材料制成的阳极电极即,使得阳极电极的厚 度随所述电极中活性物种的浓度而变化。
4. 根据权利要求3所述的可变电容器,其特征在于,所述活性物种 是锂(Li),且阳极电极层包括阳极材料,所述阳极材料选自硅(Si )、 锡(Sn )、锗(Ge )、锑(Sb )、铋(Bi )、锌(Zn )或这些材料的 合金构成的组。
5. 根据权利要求l-4之一所述的可变电容器,其特征在于,根据本发明的能源的至少一个电极适合于存储以下元素中的至少一种的活性 物种氢(H )、铍(Be )、镁(Mg )、铝(Al )、铜(Cu )、银(Ag )、 钠(Na)和钾(K)、或指定为周期表的族1或族2的任何其它合适元素。
6. 根据权利要求l-5之一所述的可变电容器,其特征在于,在所述 第一电容器板和第一固态电池之间存在电介质层。
7. 根据权利要求6所述的可变电容器,其特征在于,所述电介质层具有低的相对介电系数。
8. 根据权利要求7所述的可变电容器,其特征在于,电介质材料是 掺杂的Si02、多孔Si02、聚合物(PVDF、 PS、 PE)或聚甲基硅倍半氧化 物。
9. 根据前述权利要求之一所述的可变电容器,其特征在于,所述 第二电容器板在结构上耦接到笫二固态分层电池的一侧,其中所述第 二固态电池的各层基本平行于所述第二电容器板延伸,且所述第二固 态电池对在垂直于其各层的平面的方向上的尺寸变化是敏感的。
10. 根据权利要求9所述的可变电容器,其特征在于,第一和第二 电池具有相对于第一和第二电容器板的中间平面中心成镜像的结构。
11. 根据权利要求9或10所述的可变电容器,其特征在于,所述第 一和第二电池连接到各自的控制电路。
12. —种可变电容器,其特征在于多个根据前述权利要求中任一项 所述的可变电容器,每个所述电容器的电容器板中的至少一些互相连 接。
13. 根据权利要求12所述的可变电容器,其特征在于,所述各电容 器的第一电容器板互相连接,且所述各电容器的第二电容器板互相连 接。
14. 根据权利要求12所述的可变电容器,其特征在于,各电容器板 连接到可切换网络中,从而允许将电容器以串联连接或并联连接来连 接。
15. 根据权利要求l-8之一所述的可变电容器,其特征在于,第一 电容器板在第一基底上形成且第二电容器板在第二基底上形成,且在 形成第一和第二电容器板之后,所述第一和第二基底被结合。
16. 根据前述权利要求中任一项所述的可变电容器,其特征在于, 第 一和第二板之间的空间相对于环境被封闭且被密封,且所述空间填 充有气体、液体或是真空。
17. 根据前述权利要求之一所述的可变电容器,其特征在于,至少 一个电极设置有至少一个图案化的表面。
18. 根据前述权利要求之一所述的可变电容器,其特征在于,所述 至少一个电极的所述至少一个图案化的表面设置有多个腔。
19. 根据权利要求18所述的可变电容器,其特征在于,所述腔的至 少一部分形成柱、沟槽、狭缝或孔。
20. 根据前述权利要求之一所述的可变电容器,其特征在于,阳极 电极和阴极电极每一个都包括集电器。
21. 根据权利要求20所述的可变电容器,其特征在于,至少一个集 电器由以下材料中的至少一种制成Al, Ni, Pt, Au, Ag, Cu, Ta, Ti, TaN和TiN'
22. 根据前述权利要求中任一项所述的可变电容器,其特征在于, 所迷能源还包括沉积在基底和至少一个电极之间的至少一个电子传导 阻挡层,所述阻挡层适合于至少基本排除单元的活性物种扩散到所述 基底中。
23. 根据权利要求22所述的可变电容器,其特征在于,所述至少一 个阻挡层由以下材料中的至少一种制成Ta,TaN,Ti和TiN。
24. 根据前述权利要求之一所述的可变电容器,其特征在于,所述 基底包括Si和/或Ge。
25. 根据前述权利要求之一所述的可变电容器,其特征在于,所述 基底由柔性材料制成,如Kaptoi^或金属箔。
26. 电气装置,包括至少一个根据权利要求l-24之一所述的电容器。
27. 用于制造固态可变电容器的方法,所述固态可变电容器含有第 一电容器板和第二电容器板,所述第二电容器板基本平行于所述第一 电容器板延伸且距所述第一电容器板一定距离;其中,至少所述第一 电容器板在结构上耦接到第一分层固态电池结构的一侧,所述第一分 层固态电池结构在垂直于所述板的方向上的尺寸是随着电池的电荷状 态可变的,所述方法包括以下步骤在基底上沉积电池阴极电极层;在所述电池阴极电极层上沉积固体电解质层;在所述固体电解质层上沉积电池阳极电极层;在所述电池阳极电极层上沉积电介质层;在所述电介质层上沉积第一电容器板;和设置第二电容器板。
28. 根据权利要求27所述的方法,其特征在于,所述方法在带有深 沟槽结构的基底中执行,且在形成层堆叠体之后去除沟槽底部的层堆 叠体。
29. 根据权利要求28所述的方法,其特征在于,在沟槽底部的层堆 叠体通过化学机械抛光或湿法化学蚀刻去除。
30. 根据权利要求27所述的方法,其特征在于,第二电容器板通过将具有固定电容器板的第二基底倒装在组件上来提供。
全文摘要
本发明涉及固态可变电容器,包括第一电容器板(10);第二电容器板(12),所述第二电容器板基本平行于所述第一电容器板(10)延伸且距所述第一电容器板一定距离;其中,至少所述第一电容器板(10)在结构上耦接到第一分层固态电池的一侧,其中,所述第一固态电池(3)的各层(4-8)基本平行于所述第一电容器板(10)延伸,且其中,所述第一固态电池对在垂直于其各层(4-8)的平面的方向上的尺寸变化是敏感的。本发明基于这样的认识固态电池(3)的厚度随电池中主导的条件而变化。可移动电容器板(10)使得电容器的电容值变化。
文档编号H01G5/00GK101548349SQ200780044791
公开日2009年9月30日 申请日期2007年11月29日 优先权日2006年12月4日
发明者J·H·G·奥普赫特维尔德, P·H·L·诺滕, R·A·H·尼森, R·H·W·皮南伯格 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司
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