专利名称：发光板和发光显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示器件。更具体地，本发明涉及使用有机电致发光 (electroluminescence)(此后称为"EL")物质的有^l电致发光显示器。
背景技术：
通常，有机电致发光(EL)显示器电激发有机荧光化合物，从而发光。有 机发射元件(或者有机发射单元)以n x m的矩阵形式排布构成有机EL显示板， 该EL显示板通过电压或者电流驱动显示图像数据。有机发射元件具有二极管的特性，因此还称为有机发光二极管(OLED )。 有机发射元件包括阳极(ITO)、有机薄膜和阴极层(金属)。有机薄膜具有多层 结构，该多层结构包括发射层(EML)、电子传输层(ETL)以及用于保持电子 和空穴之间平衡并且提高发射效率的空穴传输层(HTL)。此外，有机发射元件 包括电子注入层(EIL)和空穴注入层(HIL)。有机发射元件以nxm矩阵的形 式排布构成有一几EL显示板。驱动有机EL显示板的方法包括无源矩阵法和有源矩阵法，有源矩阵法使用 薄膜晶体管(TFT)。无源矩阵法包括形成彼此交叉(或者横跨)或者基本上垂 直的阳极和阴极、选择线，和驱动有机EL显示板。有源矩阵法包括依次导通多 个TFT并驱动有机EL显示板，该多个TFT根据用于选择扫描线的信号分别连 接到数据线和扫描线。此后，说明通常有源矩阵有机EL显示器的像素电路。 图l示出像素电路，nxm像素之一，其位于第一行第一列。 如图1所示， 一个像素10包括三个子像素10r、 10g和10b,该三个子像素 10r、 10g和10b分别包括分别用于发射红光(R)、绿光(G)和蓝光(B)的有 机EL元件OLEDr、 OLEDg和OLEDb。此外，在该结构中，子像素排布成条紋形式，而且子像素1 Or、 10g和10b连接到各个数据线D1 r、 D1 g和D1 b以及公 共扫描线Sl。红色子像素10r包括两个晶体管Mllr和M12r以及用于驱动有机EL元件 OLEDr的电容器Clr。同样，绿色子像素10g包括两个晶体管Mllg和M12g以 及用于驱动有机EL元件OLEDg的电容器Clg,蓝色子像素10b包括两个晶体 管Mllb和M12b以及用于驱动有机EL元件OLEDb的电容器Clb。由于子像 素10r、 10g和10b的连接和运行基本相同，所以现在将仅仅以子像素10r的连 4妻和运行为例进4亍i兌明。驱动晶体管Ml lr连接在电源电压VDD和有机EL元件OLEDr的阳极之间， 而且给有机EL元件OLEDr传送用于发光的电流。有机EL元件OLEDr的阴极 连接到电压VSS,电压VSS比电源电压VDD更低。驱动晶体管Ml lr中流动的 电流量由通过开关晶体管M12r施加的数据电压来控制。电容器Clr连接在晶体 管Mllr的源极和栅极之间，而且在预定的期间内控制施加的电压。用于传输导 通/切断选择信号的扫描线SI连接到晶体管M12r的栅极，用于传输与红色子像 素1 Or相应的数据电压的数据线D1 r连接到晶体管M12r的源极。这里，开关晶体管M12r响应施加给栅极的选择信号导通。然后，数据电压 VDATA通过晶体管M12r从数据线Dlr施加给晶体管Mllr的栅极。然后，对应 于由电容器Clr在晶体管Mllr的栅极和源极之间所充的电压VGS，电流I0LED 流到(和/或通过)晶体管Mllr。有机EL元件OLEDr发射对应于电流I0LED的 红光。流到有机EL元件OLEDr的电流按照以下等式1进行计算。等式l这里，VTH是晶体管Mllr的阈值电压，P是常数。如等式1所示，相应于数据电压的电流提供给图1所示像素电路中的有机 EL元件OLEDr,而且有机EL元件OLEDr发射对应于提供的电流的亮度的红 光。这里，所提供的数据电压具有预定范围内的多级电压值，从而显示特定灰 度级。这样，在有机EL显示器中， 一个像素10包括三个子像素10r、 10g和10b， 而且每个子像素包括驱动晶体管Mllr、 Mllg或者Mllb,开关晶体管M12r、 M12g或者M12b,以及电容器Clr、Clg或者Clb，用于驱动有机EL元件OLEDr、OLEDg或者OLEDb。而且，每个子像素连接到用于传输数据信号的数据线和用 于传输电源电压VDD的电源线。因此，需要在每个像素中设置很多用于给晶体管和电容器传输电压和信号 的线，在一个像素中布置所有的线存在困难。发明内容在本发明的示例实施例中，提供一种其元件有效地设置在像素中的发光显示哭*J、 6口 o根据本发明另一个方面，提供一种显示装置，包括用于传输选择信号的多 根扫描线、用于传输数据信号的多根数据线和与该扫描线和数据线连接的多个 像素电路。这里，至少一个像素电路包括第一电容器、第一晶体管、第一、第 二和第三发射元件以及第一、第二和第三发射控制晶体管。第一电容器充电与 从对应的一根数据线传输来的一个数据信号对应的电压。第一晶体管输出对应 于第一电容器中所充电压的电流。对应于从第一晶体管输出的电流第一、第二 和第三发射元件发光，并且第一、第二和第三发射控制晶体管分别连接在第一晶体管与第一、第二和第三发射元件之间。这里，形成第一发射控制晶体管的 第一半导体层通常与形成第二发射控制晶体管的第二半导体层关于形成第三发射控制晶体管的第三半导体层对称地设置。而且形成第一、第二和第三发射元件的第一、第二和第三半导体层可以掺杂相 同类型的杂质。这里，至少一个像素电路可以进一步包括第二晶体管、第三晶体管和第二 电容器。第二晶体管可以连接在第一晶体管的控制电极和第一晶体管与第一、 第二和第三发射控制晶体管之间的节点之间。第三晶体管可以具有连接到第一 电容器的第一电极的第一电极和连接到第一电容器的第二电极的第二电极。第 二电容器可以具有连接到第三晶体管的第二电极的第一电极和连接到第一晶体 管的控制电极的第二电极。根据本发明的另一个方面，提供一种显示装置，包括用于传输选择信号的 多根扫描线、用于传输数据信号的多根数据线和与该扫描线和数据线连接并设 置成矩阵形式的多个像素电路。这里，设置在像素区内的至少一个像素电路包 括第一、第二和第三发射元件、半导体层以及第一、第二和第三控制电极线。第一、第二和第三发射元件包括被施加电流的像素电极，用于对应于所施加的 电流发光。半导体层包括通过第 一接触孔连接到第 一发射元件的像素电极的第 一半导体层区、通过第二接触孔连接到第二发射元件的像素电极的第二半导体 层区、以及通过第三接触孔连接到第三发射元件的像素电极的第三半导体层区。 第一、第二和第三控制电极线绝缘，与半导体层交叉而且基本上彼此平行。这 里，第一半导体层通常与第三半导体层关于第二半导体层对称地设置。这里，第一、第二和第三半导体层区中的至少一个半导体层区可以基本上 平行于至少一根数据线。第一、第二和第三半导体层区中的至少一个半导体层区可以.基本上平行于 至少一根扫描线。
附图以及说明书说明本发明的示例实施例，而且和该说明一起用于解释本 发明的原理。图1示出传统发光显示板的像素电路；图2是#4居本发明示例实施例的有机EL显示器的示意图；图3示出根据本发明示例实施例的像素电路的等效电路；图4是根据本发明第一示例实施例的像素电路的布置图；图5是沿着图4中沿I-I '的横截面图；图6是沿着图4中沿n-ir的横截面图；图7是才艮据本发明第二示例实施例的像素电路的布置图。
具体实施方式
在随后的详细说明中，简单通过示意图示出和说明了本发明的特定典型实 施例。正如本领域技术人员应该认识到的，所述示例实施例可以以不同的形式 进行调整，而不脱离本发明的要旨或者范围。因此，附图和说明应该看作解释 本身，而不是限制性的。在说明书中可能没有讨论附图中示出的部分或者附图中没有示出的部分， 因为它们对于完全理解本发明不是必要的。相同的附图标记表示相同元件。厚 度被放大以更加清楚地示出附图中的几层和几个区。当将层、膜、板等说成是 位于另一个部分"上"时，可以认为有其它的部分位于其间。此外，定义扫描线的几个术语。"当前扫描线"是指传输当前选择信号的扫 描线，"之前扫描线"是指传输当前选择信号之前的选择信号的扫描线。此外，"当前像素，，是指根据当前扫描线的选择信号发光的像素，"之前像 素"是指根据之前扫描线的选择信号发光的像素，"下一个像素"是指根据下一 根扫描线的选择信号发光的像素。如图2所示，根据本发明示例实施例的有机EL显示器包括显示板100、扫 描驱动器200、发射控制器300和数据驱动器400。显示板100包括在行方向上 设置的多根扫描线SO、 Sl...Sk...Sn和多根发射控制线El...Ek...En，在列方向 上设置的多根数据线Dl...Dk...Dm和用于施加电源电压VDD的多根电源线， 以及多个像素110。每个像素110形成在由任何两根扫描线Sk-l和Sk与任何两 根相邻的数据线Dk-l和Dk限定或者围绕的像素区处，而且根据从当前扫描线 Sk、之前扫描线Sk-l、发射控制线Ek和数据线Dk传输来的信号驱动像素110。 而且，每根发射扫描线El到En由三根发射控制线组成(例如El包括Elr、 Elg 和Elb, En包括Enr、 Eng和Enb，以及Ek包括Ekr、 Ekg和Ekb，如图3所示)。扫描驱动器200依次施加用于选择对应线的选择信号给扫描线S0到Sn，从 而数据信号可以施加给对应线的像素。发射控制器300依次施加用于控制图3 所示有机EL元件OLEDr、 OLEDg和OLEDb的发射的发射控制信号给发射控 制线El到En。只要依次施加选择信号，数据驱动器400施加与施加了选择信 号的线的像素对应的数据信号给数据线D1到Dm。扫描驱动器200、发射控制器300和数据驱动器400可以连接到其上形成显 示板100的基板。或者，扫描驱动器200、发射控制器300和/或数据驱动器400 可以直接形成在显示板100的玻璃基板上。而且，由扫描线、数据线和晶体管 组成的驱动电路可以形成在显示板100的基板上。而且，扫描驱动器200、发射 控制器300和/或数据驱动器400可以粘附而且连接到显示板100的基板，如载TAB)等。在本发明的典型实施例中， 一个场可以分成将被驱动的三个子场。施加红、 绿和蓝色数据，而且在三个子场发射红、绿和蓝光。这里，扫描驱动器200依 次施加选择信号给处于每个子场的扫描线SO到Sn。发射控制器300依次施加发 射控制信号给发射控制线E1到En，从而每个彩色有机EL元件在每一个子场发 射。数据驱动器400施加对应于红、绿和蓝有机EL元件的^:据信号给处于三个子场的数据线Dl到Dm。此后，将参考图3详细说明根据本发明示例实施例的有机EL显示器的具体 运行。图3示出图2的有机EL显示器中一个像素110的等效电路。在图3中，例 如，描述了连接到任何扫描线Sk的第kth行和数据线Dk的第kth列的像素Pk， 所有晶体管都是p沟道型晶体管。如图3所示，根据本发明示例实施例的像素电路包括驱动晶体管M1、 二极 管晶体管M3、电容器晶体管M4、开关晶体管M5、三个有机EL元件OLEDr、 OLEDg和OLEDb和用于控制三个有机EL元件OLEDr、 OLEDg和OLEDb的 发射的三个发射控制晶体管M2r、 M2g和M2b以及两个电容器(^st和Cvth。发 射控制线Ek由三根发射控制线Ekr、 Ekg和Ekb组成。发射控制晶体管M2r、 M2g和M2b分别响应通过发射控制线Ekr、 Ekg和Ekb传输的发射控制信号， 并且选择性地传输从驱动晶体管Ml传输来的电流给有机EL元件OLEDr、 OLEDg和OLEDb 。具体而言，其栅极连接到当前扫描线Sk而源极连接到数据线Dk的晶体管 M5，响应从扫描线Sk传输来的选择信号，并且传输从数据线Dk施加的数据电 压给电容器Cvth的第一电极或者节点B。晶体管M4响应从之前扫描线Sk-1传 输来的选择信号，并且将电容器Cvth的节点B连接到电源VDD。晶体管M3 连接在电容器Cvth的第二电极或者节点A与晶体管Ml的漏极之间。晶体管 M3响应于之前扫描线Sk-1传输的选择信号而导通，使得晶体管Ml 二极管连接。 用于驱动有机EL元件OLED (例如OLEDr、 OLEDg'和/或OLEDb )的驱动晶 体管Ml的栅极连接到电容器Cvth的节点A，其源极连接到电源VDD。驱动晶 体管Ml根据施加给栅极的电压控制施加给有才几EL元件的OLED的电流。而且，电容器Cst的第一电极连接到电源VDD,电容器Cst的第二电极在 节点B或者节点B附近连接到晶体管M4的漏极，并且电容器Cvth的第一电极 连接到电容器Cst的第二电极，使得两个电容器串联，而且电容器Cvth的第二 电极在节点A或者节点A附近连接到驱动晶体管Ml的栅极。驱动晶体管Ml的漏极连接到发射控制晶体管M2r、 M2g和M2b的源极， 晶体管M2r、 M2g和M2b的栅极分别连接到发射控制线Ekr、 Ekg和Ekb。发射 控制晶体管M2r、 M2g和M2b的漏极分别连接到有机EL元件OLEDr、 OLEDg 和OLEDb的阳极。将具有低于电源VoD的电压电平的电源Vss施加给有机EL元件OLEDr、OLEDg和OLEDb的阴极。负电压或者接地电压可以用于电源Vss。 当低电平扫描电压施加给之前扫描线Sk-l时，晶体管M3和M4导通。当 晶体管M3导通时，晶体管Ml变为二极管连接状态。因此，晶体管M1的槺极 和源极之间的电压差改变，直到该电压差变为晶体管Ml的阈值电压Vth。这时， 由于晶体管Ml的源极连接到电源VDD，电源电压VoD和阈值电压Vth的总和施 加给晶体管M1的栅极，即，在电容器Cvth的节点A处或者其附近。而且，当 晶体管M4导通而且电源电压VDD施加给节点B时，电容器Cvth所充的电压 Vcvth可以按照以下等式2进行计算。等式2U = L - Kc福=(,+附)-,=附这里，Vcvth是指电容器Cvth所充的电压，VcMhA是指施加给电容器Cvth的节点A的电压，VcvthB是指施加给电容器Cvth的节点B的电压。当低电平扫描电压施加给当前扫描线Sk时，晶体管M5导通，数据电压 Vdata施加给节点B。而且，由于充电对应于晶体管Ml的阈值电压Vth的电压 给电容器Cvth,所以给晶体管Ml的栅极施加与数据电压Vdata和阈值电压Vth 的总和对应的电压。也就是说，晶体管Ml的栅极和源极之间的电压Vgs可以 按照以下等式3进行计算。这里，高电平信号施加给发射控制线Ek (例如Ekr、 Ekg和/或Ekb ),而且将晶体管M2 (例如M2r、 M2g和/或M2b )切断以阻断电流。等式3%y =+糊)-mD然后，响应来自发射控制线Ek的低电平信号将晶体管M2导通。因此，对 应于晶体管Ml的栅源极电压Vgs的电流IoLED通过晶体管M2施加给有机EL 元件，而且发射有机EL元件OLED (例如OLEDr、 OLEDg和/或OLEDb )。该电流Ioled可以按照以下等式4进行计算。等式4/函=鲁C—糊)2 =+糊-—糊)2 =鲁(7"z)—ra。to)2这里，Ioled表示流进有机EL元件OLED的电流，VGS表示晶体管Ml的源 极和栅极之间的电压，Vth表示晶体管Ml的阈值电压，Vdata表示数据电压， P表示常数。当数据电压Vdata是红数据信号而且发射控制晶体管M2r响应从发射控制 线Ekr传输来的低电平发射控制信号而导通时，电 传输给红有机EL元件OLEDr而且发射红光发生。同样，当数据电压Vdata是绿数据信号而且发射控制晶体管M2g响应从发 射控制线Ekg传输的低电平发射控制信号而导通时，电流I饥ED传输给绿有机 EL元件OLEDg而且发射绿光发生。此外，当数据电压Vdata是蓝数据信号而 且发射控制晶体管M2b响应从发射控制线Ekb传输的低电平发射控制信号而导 通时，电流IoLED传输给蓝有机EL元件OLEDb而且发射蓝光发生。分别施加给 三种发射控制线的三种发射控制信号具有在一个场内彼此不重叠低电平周期， 其，因此一个像素可以显示红、绿和蓝色。然后，在根据本发明第一示例实施例的有机EL显示器中，参考图4、图5 和图6详细说明了在设置有像素电路的像素区内的排布结构。这里，给当前像 素Pk的元件分配附图标记，而且给之前^象素Pk-1的元件分配相同的附图标记， 除了在附图标记上添加撇号("'，，)。撇号("'")用于将当前像素的元件与之前 像素的元件进行区分。图4是根据本发明第一示例实施例，其中设置了图3所示的像素电路的像 素区的布置图。图5是图4中沿着I-I'的横截面图。图6是图4中沿着11-II'的横截面图。首先，如图4、图5和图6所示，在绝缘基板l上形成切断(cutoff)层3。 切断层3由例如氧化硅或类似的材料组成。多晶硅层21、 22、 23、 24、 25、 26、 27、 28和29，是在切断层3上形成的半导体层。多晶硅层21形成包括在当前像素Pk中晶体管M5的源区、漏区和沟道区 的半导体层，该多晶硅层21的形状类似于字母"U"。多晶硅层22形成包括在 当前像素Pk中晶体管M2r的源区、漏区和沟道区的半导体层，该多晶硅层22 的形状类似于形状'_T，。多晶硅层23形成包括在当前像素Pk中晶体管M2g 的源区、漏区和沟道区的半导体层，在列方向上设置该多晶硅层23。多晶硅层 24形成包括在当前像素Pk中晶体管—M2b的源区、漏区和沟道区的半导体层， 该多晶硅层24的形状类似于形状'L，。连接多晶硅层22、 23和24以形成字 母'm，的形状。多晶硅层22位于多晶硅层23的左侧，多晶硅层24位于多晶 硅层23的右侧。多晶硅层22通常与多晶硅层24关于多晶硅层23对称。多晶硅层25位于像素区中间或者中间附近，而且在列的方向上设置，而且多晶硅层25的底端连接到多晶硅层22、 23和24。多晶硅层26位于多晶硅层 25的左侧，多晶硅层27位于多晶硅层25的右侧。多晶硅层26通常与多晶硅层 27关于多晶硅层25对称。多晶硅层26通常为正方形，而且形成电容器Cvth的 第二电极(节点A),通常为矩形的多晶硅层27形成电容器Cst的第一电极。多 晶硅层28为字母'n，形，而且多晶硅层28的一端连接到多晶硅层26,多晶硅 层28的另一端连接到多晶硅层25，而且形成晶体管M3的源、漏和沟道区。多 晶硅层29为字母'n，形，而且多晶硅层29的一端连接到多晶硅层28,而且形 成晶体管Ml的沟道区和漏区以及晶体管M4的源区、沟道区和漏区。 栅绝缘膜30形成在多晶硅层21到19上。栅极41、 42、 43、 44、 45、 46和47形成在栅绝缘膜30上。具体而言，栅 才及线41设置在行方向上，而且对应于当前像素Pk的当前扫描线Sk,而且栅极 线41绝缘并且与多晶硅层21交叉，以形成当前像素Pk中的晶体管M5的栅极。 栅极线42设置在行方向上，而且对应于当前像素Pk中的发射控制线Ekb,以形 成晶体管M2b的栅极。栅极线43设置在行方向上，而且对应于当前像素Pk的 发射控制线Ekg,以形成晶体管M2g的栅极。栅极线44设置在行方向上，而且 对应于当前像素Pk的发射控制线Ekr,以形成晶体管M2r的栅极。栅极线45 绝缘并且与多晶硅层26交叉，以形成晶体管M1的栅极。通常为正方形的栅极 46设置在多晶硅层26上以形成电容器Cvth的第一电极(节点B )。通常为矩形 的栅极47设置在多晶硅层27上以形成电容器Cst的第二电极(节点B )。栅极线41'设置在行方向上，其对应之前像素Pk-l的之前扫描线Sk-l,而 且绝缘并与多晶硅层21'交叉，以形成之前像素Pk-l的晶体管M5的栅极。此 外，栅极线41'绝缘并与多晶硅层28和29交叉，以形成当前像素Pk的晶体管 M3和M4的4册极。层绝缘膜50形成在栅极41、 42、 43、 44、 45、 46和47上。数据线61、电 源线62和电极63、 64、 65、 66r、 66g和66b形成在层绝缘膜50上，使得数据 线61、电源线62和电4及63、 64、 65、 66r、 66g和66b通过4妄触孔51a、 51b、 53、 54a、 54b、 55、 56a、 56b、 57r、 57g和57b与对应的电极接触。数据线61在列方向上设置在两个像素区之间，而且通过接触孔51 a连接到 多晶硅层21，使得数据线61连接到晶体管M5的源极。接触孔51a穿过层绝缘 膜50和栅绝缘膜30。电源线62设置在列方向上，而且通过接触孔55连接到多晶硅层27和29,使得电源线62给电容器Cst的第一电极和晶体管Ml的源极供电。接触孔55穿 过层绝缘膜50和栅绝缘膜30。电极63靠近数据线61，与数据线61基本上平行，而且将多晶硅层21的漏 区通过贯穿层绝缘膜50和栅绝缘膜30的接触孔51b、以及穿过层绝缘膜50的 接触孔53,连接到栅极46。电极63变为节点B。电极64靠近栅极41'，与栅极41'基本上平行，而且将漏区通过贯穿层绝 缘膜50和栅绝缘膜30的接触孔54a和贯穿层绝缘膜50的接触孔54b连接到在 多晶硅层28中的晶体管M3的栅极45。电极64变为节点A。基本上为矩形的电极65靠近栅极41'，而且将漏区通过贯穿层绝缘膜50和 栅绝缘膜30的接触孔56a和贯穿层绝缘膜50的接触孔56b连接到在多晶硅层 29中晶体管M4的栅极47。电极65变为节点B。电极66r、 66g和66b分别将每个发射元件的像素电极81r、 81g和81b连接 到晶体管M2r、 M2g和M2b的漏极。在电极66r、 66g和66b中，每个都基本上 为矩形，它们的行方向比它们的列方向更长。这里，数据线62设置在列方向上， 而且栅极42到44设置在行方向上。电极66r、 66g和66b通过贯穿栅绝缘膜30 和层绝缘膜50的接触孔57r、 57g和57b分别连接到多晶硅层22、 23和24,而 且连接到晶体管M2r、 M2g和M2b的漏极。平整(flatting)膜70形成在电极63、 64、 65、 66r、 66g和66b上。像素电 极81r、 81g和81b分别通过接触孔71r、 71g和71b连接到电极66r、 66g和66b。 在图5和图6中，在像素电极81r、 81g和81b上形成包括发射层(EML)、电 子传输层(ETL)和空穴传输层(HTL)的红、绿和蓝有机膜85r、 85g和85b 的多层。这样，形成发射控制晶体管的多晶硅层22、 23和24彼此连接。多晶硅层 23形成位于三个有机EL元件中间的有机EL元件的发射控制晶体管M2g。多晶 硅层22形成位于三个有机EL元件左侧的有机EL元件的发射控制晶体管M2r。 多晶硅层24形成位于三个有机EL元件右侧的有机EL元件的发射控制晶体管 M2b。多晶硅层22通常设置成与多晶硅层24关于多晶硅层23对称。因此，包 括驱动晶体管Ml和n沟道发射控制晶体管M2r、 M2g和M2b的元件可以高效 地设置在像素区，同时多晶硅层的内阻基本上保持不变。下面，将参考图7详细说明根据本发明第二示例实施例像素区的排布结构。 本发明的第二示例实施例与第 一示例实施例的不同之处在于分别用于形成发射控制晶体管M2r、 M2g和M2b的每个多晶硅层122、 123和124具有基本 上恒定的长宽比，因此发射控制晶体管M2r、 M2g和M2b具有类似或者基本上 相同的内阻。此后，将说明图7的第二示例实施例与图4的第一示例实施例的 相应元件不同的元件。如图7所示，多晶硅层122的长度是Lr，宽度是Wr，多晶硅层123的长度 是Lg，宽度是Wg,多晶硅层124的长度是Lb,宽度是Wb。通常，可以按照下面的等式5计算多晶硅层的内阻。等式5<formula>formula see original document page 14</formula>这里，R是多晶硅层的内阻，L是多晶硅层的长度，也就是说源区、沟道区 和漏区的总长度，W是多晶硅在与测量长度的方向基本上垂直的方向上的宽度。 此外，Rs是平面电阻，其是具有单位宽度W和单位长度L的多晶硅层的电阻。 作为例子，平面电阻可以具有5Q/平面的值。在这种情况下，每个多晶硅层122、 123和124的各个内阻决定于各个Lr/Wr、 Lg/Wg和Lb/Wb。因此，多晶硅层122、 123和124具有如下面的等式6给出的 关系，因此每个多晶硅层122、 123和124的内阻R具有相似或者基本上相同的 值。等式6<formula>formula see original document page 14</formula>这样，通过使用具有长宽比基本上相同的多晶硅层122、 123和124使得发 射控制晶体管M2r、 M2g和M2b的特性可以基本上保持恒定。这样，通过使用具有长宽比基本上相同的多晶硅层122、 123和124使得发 射控制晶体管M2r、 M2g和M2b的特性可以设置成基本上相同，因此通过发射 控制晶体管M2r、 M2g和M2b传输的电流IoLED可以基本上保持恒定。根据本发明的示例实施例，当一个像素区包括三个有机EL元件，而且每个 发射控制晶体管连接在驱动晶体管的源极和对应的有机EL元件之间时，形成发 射控制晶体管的多晶硅层可以连接为一体。而且，当形成位于三个有才几EL元件 中间的有机EL元件的发射控制晶体管的多晶硅层位于中间时，位于三个有机 EL元件左侧的多晶硅层通常与位于三个有机EL元件右侧的多晶硅层关于位于 中间的多晶硅层对称。此外，通过使用具有长宽比基本上相同的多晶硅层使得发射控制晶体管可以具有基本上相同的特性。这样，更加有效地在小像素区上设置每个元件，而形成发射控制晶体管的 多晶硅层的内阻基本上保持不变。此外，发射控制晶体管具有基本上相同的电 流传输特性，因此从驱动晶体管输出的电流可以基本上稳定地传输到对应的发 射元件。尽管结合特定的示例实施例说明了本发明，但是本领域技术人员应当理解 本发明不局限于公开的实施例，相反，本发明将覆盖包含在附加的权利要求要 旨和范围内的各种修改和等效设置。
权利要求
1、一种显示装置，包括用于传输选择信号的多根扫描线、用于传输数据信号的多根数据线和连接到该扫描线和数据线的多个像素电路，其中至少一个像素电路包括第一电容器，用于充电与从对应的一根数据线传输来的一个数据信号相对应的电压；第一晶体管，用于输出与第一电容器中所充的电压相对应的电流；第一、第二和第三发射元件，用于对应于第一晶体管输出的电流发光；以及第一、第二和第三发射控制晶体管，它们分别连接在第一晶体管与第一、第二和第三发射元件之间，其中形成第一发射控制晶体管的第一半导体层通常与形成第二发射控制晶体管的第二半导体层关于形成第三发射控制晶体管的第三半导体层对称地设置。
2、 权利要求l的显示装置，其中第一、第二和第三半导体层中的至少两层 半导体层彼此基本上平行。
3、 权利要求2的显示装置，其中形成第一、第二和第三发射元件的第一、 第二和第三半导体层掺杂相同类型的杂质。
4、 权利要求l的显示装置，其中至少一个像素电路还包括 第二晶体管，其连接在第一晶体管的控制电极和第一晶体管与第一、第二及第三发射控制晶体管之间的节点之间；第三晶体管，其具有连接到第 一 电容器第 一电极的第 一 电极和连接到第一 电容器第二电极的第二电极；和第二电容器，其具有连接到第三晶体管第二电极的第一电极和连接到第一晶体管控制电极的第二电极。
5、 一种显示装置，包括用于传输选4奪信号的多根扫描线、用于传输数据信 号的多根数据线和连接到该扫描线和数据线并设置成矩阵形式的多个像素电 路，其中设置在像素区内的至少一个像素电路包括第一、第二和第三发射元件，它们包括被施加电流的像素电极，用于对应于所施加的电流发光；半导体层，其包括通过第一接触孔连接到第一发射元件的像素电极的第一 半导体层区、通过第二接触孔连接到第二发射元件的像素电极的第二半导体层 区、以及通过第三接触孔连接到第三发射元件的像素电极的第三半导体层区； 以及第一、第二和第三控制电极线，它们被绝缘，并与半导体层交叉而且彼此 基本上平行，其中该第一半导体层区通常与第三半导体层区关于第二半导体层区对称地设置。
6、 权利要求5的显示装置，其中第一、第二和第三半导体层区中的至少一 个半导体层区基本上平行于至少一根数据线。
7、 权利要求6的显示装置，其中第一、第二和第三半导体层区中的至少一 个半导体层区基本上平行于至少一根扫描线。
全文摘要
一种显示装置，包括用于传输选择信号的多根扫描线、用于传输数据信号的多根数据线和连接到该扫描线和数据线的多个像素电路，其中至少一个像素电路包括第一电容器，用于充电与从对应的一根数据线传输来的一个数据信号相对应的电压；第一晶体管，用于输出与第一电容器中所充的电压相对应的电流；第一、第二和第三发射元件，用于对应于第一晶体管输出的电流发光；以及第一、第二和第三发射控制晶体管，它们分别连接在第一晶体管与第一、第二和第三发射元件之间，其中形成第一发射控制晶体管的第一半导体层通常与形成第二发射控制晶体管的第二半导体层关于形成第三发射控制晶体管的第三半导体层对称地设置。
文档编号H01L27/32GK101221978SQ200810004998
公开日2008年7月16日 申请日期2005年4月29日 优先权日2004年4月29日
发明者郭源奎 申请人:三星Sdi株式会社