专利名称：宽视角液晶显示器阵列基板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器及其制造方法，特别是一种宽视角液晶显示器阵列基
板及其制造方法。
背景技术：
液晶显示器的市场迅速成长，应用领域不断扩展，特别是大尺寸液晶电视的应用， 要求液晶显示器具有宽阔的视角范围。液晶显示器包括对盒的阵列基板和彩膜基板，其间 设置液晶。在电压作用下液晶偏转，通过控制电压大小可以控制液晶的偏转程度，从而实现 调制透过率(显示灰度)的目的。 由于液晶的光学各向异性，液晶显示器存在屏幕视角过窄的缺陷，为此现有技术 提出了多种显示模式以克服视角过窄缺陷，多种显示模式包括90。扭曲向列型液晶加补偿 膜(Twisted Nematic+f ilm，简称TN+f ilm)模式、多畴垂直排列(Multi-domain Vertical Alignment,简称MVA)模式、像素电极图形化垂直排列(Patterned Vertical Alignment，简 称PVA)模式、平面驱动模式(In-Plane Switching,简称IPS)模式以及利用边缘场的平面 驱动(Fringe Field Switching,简称FFS)模式等。 虽然上述显示模式先后被提出并逐渐实现产业化，但实际使用表明，上述显示模 式仍存在相应缺陷。TN+film模式对视角的改善十分有限，视角改善限制在水平140。、垂 直100°的范围内，一般只应用于笔记本电脑和台式机监视器，不适于大尺寸液晶电视的应 用；MVA模式需要在彩膜基板(彩色滤光片) 一侧制造复杂的凸起结构，增加了制造成本； PVA模式需要将像素电极制作成复杂的狭缝结构，影响了光利用效率；而IPS模式和FFS模 式要求工艺控制精度高，制造工艺难度大，且影响对比度。
发明内容
本发明的目的是提供一种宽视角液晶显示器阵列基板及其制造方法，具有宽视角 特性和视角均一特性，同时简化阵列基板结构和制造方法。 为了实现上述目的，本发明提供了一种宽视角液晶显示器阵列基板，包括形成在 基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管和像素电 极，所述像素区域内还形成有至少一个延伸电极，使所述至少一个延伸电极与像素电极之 间形成用于产生横向电场的狭缝。 所述像素电极的一侧形成有凹槽，所述延伸电极设置在所述凹槽内，所述延伸电 极与相邻像素区域内的像素电极连接。 所述相邻像素区域内的像素电极为相同像素行内相邻像素区域内的像素电极或 相同像素列内相邻像素区域内的像素电极。 进一步地，所述延伸电极的形状为矩形、多边形、椭圆形或长条形，所述凹槽的形 状与所述延伸电极的形状相对应。所述延伸电极的长度为像素区域宽度的1/10 2/3。所 述狭缝的宽度为1 y m 6 ii m。
在上述技术方案基础上，所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储 电容的公共电极线，所述延伸电极位于所述公共电极线的上方。 为了实现上述目的，本发明还提供了一种宽视角液晶显示器阵列基板制造方法， 包括 步骤1、在基板上形成包括栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和 钝化层的图形； 步骤2、在完成步骤1的基板上沉积一层透明导电薄膜，通过构图工艺在像素区域 内形成包括像素电极和至少一个延伸电极的图形，使所述至少一个延伸电极与像素电极之 间形成用于产生横向电场的狭缝。 所述步骤2具体包括在完成步骤l的基板上沉积一层透明导电薄膜，采用普通掩 模板通过构图工艺在像素区域内形成包括像素电极和至少一个延伸电极的图形，所述像素 电极的一侧形成有凹槽，所述至少一个延伸电极设置在所述凹槽内，使所述至少一个延伸 电极与像素电极之间形成用于产生横向电场的狭缝，所述延伸电极与相邻像素区域内的像 素电极连接。 在上述技术方案基础上，所述延伸电极的形状为矩形、多边形、椭圆形或长条形， 所述凹槽的形状与所述延伸电极的形状相对应。所述延伸电极的长度为像素区域宽度的 1/10 2/3。所述狭缝的宽度为lym 6ym。所述步骤1中还形成有公共电极线，所述延 伸电极位于所述公共电极线的上方。 本发明提供了一种宽视角液晶显示器阵列基板及其制造方法，通过在像素区域内 设置像素电极和延伸电极，且像素电极和延伸电极之间形成用于产生横向电场的狭缝，实 现了一种新型的多畴垂直排列的显示模式。该显示模式采用负性液晶，在不工作时，液晶 在电极表面取向材料的作用下均匀地垂直于上下基板排列，而工作时，像素电极与延伸电 极之间狭缝附近区域的液晶将受该横向电场的诱导倒向多个方向，使液晶形成多畴结构， 一方面扩展了周围多个方向上的视角，另一方面实现了各个角度上的视角均一。进一步 地，在保证宽视角和视角均一特性的前提下，由于本发明技术方案既不需要凸起结构，也不 需要摩擦工艺，因此本发明简化了阵列基板的结构和制造工艺，且其制造工艺与传统TN型 TFT-LCD兼容。实际使用中，如果在偏振片的内侧增加负性双折射补偿膜，还可以进一步扩 展视角。本发明宽视角液晶显示器阵列基板适用于帧反转、行反转、列反转、点反转等各种 驱动模式的液晶显示器，具有广泛的应用前景。
图1为本发明宽视角液晶显示器阵列基板的结构示意图； 图2为图1中A1-A1向的剖视图； 图3为图1中B1-B1向的剖视图； 图4为本发明宽视角液晶显示器阵列基板第一次构图工艺后的平面图； 图5为图4中A2-A2向的剖面图； 图6为图4中B2-B2向的剖面图； 图7为本发明宽视角液晶显示器阵列基板第二次构图工艺后的平面图； 图8为图7中A3-A3向的剖面 图9为图7中B3-B3向的剖面图； 图10为本发明宽视角液晶显示器阵列基板第三次构图工艺后的平面图； 图11为图10中A4-A4向的剖面图； 图12为图10中B4-B4向的剖面图； 图13为本发明宽视角液晶显示器阵列基板第四次构图工艺后的平面图； 图14为图13中A5-A5向的剖面图； 图15为图13中B5-B5向的剖面图； 图16为本发明宽视角液晶显示器阵列基板采用半色调或灰色调掩模板构图工艺 后的结构示意图； 图17为本发明宽视角液晶显示器阵列基板的工作示意图； 图18为本发明宽视角液晶显示器阵列基板制造方法的流程图； 图19为本发明宽视角液晶显示器阵列基板制造方法第一实施例的流程图； 图20为本发明宽视角液晶显示器阵列基板制造方法第二实施例的流程图。 附图标记说明 1-基板； 2_栅线； 3_栅电极； 4-公共电极线；5-栅绝缘层；6-半导体层； 7_掺杂半导体层；8_源电极；9-漏电极； 10-数据线； ll-钝化层；12-钝化层过孔； 13-第二过孔；14-像素电极；15-延伸电极； 20-阵列基板；30-彩膜基板；31-彩膜层； 32-公共电极；40-液晶。
具体实施例方式
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
图1为本发明宽视角液晶显示器阵列基板的结构示意图，图2为图1中A1-A1向 的剖视图，图3为图1中B1-B1向的剖视图。如图1 图3所示，本发明宽视角液晶显示 器阵列基板的主体结构包括形成在基板上的栅线2、数据线IO和薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT);数个栅线2和数个数据线10限定了数个像素区域，薄膜晶体管形 成在每个像素区域内，并位于栅线2与数据线10的交叉处；每个像素区域内还形成有一个 像素电极14和至少一个延伸电极15，至少一个延伸电极15与相邻像素区域内的像素电极 连接，且在延伸电极15与像素电极14之间形成用于产生横向电场的狭缝。具体地，对于一 个像素区域来说，像素电极14形成在该像素区域内，像素电极14中部的一侧(如左侧)形 成有向像素电极14的中心延伸的条形状的凹槽，条形状的延伸电极15设置在该条形状的 凹槽内，在延伸电极15与像素电极14之间形成产生横向电场狭缝，而延伸电极15与相邻 (如左侧)的像素电极连接成一体结构。对于一个像素电极14和延伸电极15来说，像素 电极14形成在一个像素区域内，与像素电极14 一体结构的延伸电极15形成在相邻(如右 侧)的像素区域内，像素电极14中部的一侧(如左侧)形成有向像素电极14的中心延伸 的条形状的凹槽，像素电极14中部的另一侧(如右侧)设置延伸电极15，形成在相邻(如 右侧)像素区域内的延伸电极15同时设置在相邻(如右侧)像素电极形成的条形状的凹槽内，并与该相邻像素电极之间形成用于产生横向电场的狭缝。工作时，由于像素电极14 与延伸电极15之间存在电压差，因此像素电极14和延伸电极15之间的狭缝处将产生横向 电场，狭缝附近区域的液晶受该横向电场的诱导倒向多个方向，使液晶形成多畴结构。
本发明上述技术方案中，像素区域内还可以形成有公共电极线(也称存储电容 线)4，公共电极线4位于二条栅线2之间，用于与像素电极14 一起构成存储电容。当公共 电极线4位于像素区域的中部时，本发明像素电极14上形成的凹槽和延伸电极15可以设 置在公共电极线4的上方，一方面充分利用现有阵列基板的结构形式，另一方面不会影响 开口率。在实际使用中，一个像素区域内的延伸电极15可以是一个，也可以是多个；延伸电 极15的形状可以根据形成多畴结构的需要设置成矩形、多边形或椭圆形等长条形形状，像 素电极14上凹槽的形状与延伸电极15的形状相对应；延伸电极的宽度可以根据像素区域 的实际尺寸进行调整，优选地小于或等于公共电极线4的宽度；延伸电极15的长度可以根 据形成多畴结构的要求进行调整，可以设置为像素区域宽度的1/10 2/3，优选地，延伸电 极15的长度为像素区域宽度的1/2左右；像素电极14与延伸电极15之间狭缝的宽度为 1 ii m 6 ii m，优选地，狭缝的宽度为2 ii m。 本发明上述技术方案中，薄膜晶体管的结构与TN型TFT-LCD基本相同，包括栅电 极3、栅绝缘层5、有源层(包括半导体层6和掺杂半导体层7)、源电极8、漏电极9、 TFT沟 道区域和钝化层11。其中，栅电极3形成在基板1上并与栅线2连接；栅绝缘层5形成在栅 线2和栅电极3上并覆盖整个基板1 ;有源层形成在栅绝缘层5上并位于栅电极3的上方； 源电极8的一端位于有源层上，另一端与数据线10连接，漏电极9的一端位于有源层上，另 一端通过钝化层过孔12与像素电极14连接，源电极8与漏电极9之间形成TFT沟道区域； 钝化层11形成在TFT沟道区域上并覆盖整个基板l，其上开设有使像素电极14与漏电极9 连接的钝化层过孔12。 图4 图15为本发明宽视角液晶显示器阵列基板制备过程的示意图，下面以五次 构图工艺为例通过宽视角液晶显示器阵列基板的制备过程进一步说明本发明的技术方案， 在以下说明中，本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀、剥离等工艺，其 中光刻胶以正性光刻胶为例。 图4为本发明宽视角液晶显示器阵列基板第一次构图工艺后的平面图，图5为图 4中A2-A2向的剖面图，图6为图4中B2-B2向的剖面图。采用磁控溅射或热蒸发的方法， 在基板1 (如玻璃基板或石英基板)上沉积一层栅金属薄膜。采用普通掩模板通过第一次 构图工艺对栅金属薄膜进行构图，在基板1上形成包括栅线2的图形，并在每个像素区域内 形成与栅线2连接的栅电极3，如图4 图6所示。本实施例中，第一次构图工艺中还可以 同时形成公共电极线4，公共电极线4位于相邻的二条栅线2中部且与栅线2平行。
图7为本发明宽视角液晶显示器阵列基板第二次构图工艺后的平面图，图8为图 7中A 3-A 3向的剖面图，图9为图7中B3-B3向的剖面图。在完成上述结构图形的基板 上，采用等离子体增强化学气相沉积(简称PECVD)方法，依次沉积栅绝缘层5、半导体层6 和掺杂半导体层(欧姆接触层)7。采用普通掩模板通过第二次构图工艺对半导体层6和掺 杂半导体层7进行构图，在每个像素区域的栅电极3上方形成包括有源层的图形，如图7 图9所示。 图10为本发明宽视角液晶显示器阵列基板第三次构图工艺后的平面图，图11为图10中A4-A4向的剖面图，图12为图10中B4-B4向的剖面图。在完成上述结构图形的基 板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积一层源漏金属薄膜。采用普通掩模板通过第三次 构图工艺对源漏金属薄膜进行构图，形成包括数据线10的图形，并在每个像素区域内形成 源电极8、漏电极9、和TFT沟道区域的图形，其中源电极8的一端位于有源层上，另一端与 数据线10连接，漏电极9的一端位于有源层上，源电极8和漏电极9之间的掺杂半导体层7 被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分半导体层6，暴露出半导体层6，形成TFT沟道区域图形，如图 10 图12所示。 图13为本发明宽视角液晶显示器阵列基板第四次构图工艺后的平面图，图14为 图13中A5-A5向的剖面图，图15为图13中B5-B5向的剖面图。在完成上述结构图形的基 板上，采用PECVD方法沉积一层钝化层11。采用普通掩模板通过第四次构图工艺对钝化层 进行构图，在钝化层覆盖TFT沟道区域的基础上，形成包括钝化层过孔12的图形，其中每个 像素区域内形成的钝化层过孔12位于漏电极9位置，钝化层过孔12内的钝化层11被完全 刻蚀掉，暴露出漏电极9的上表面，如图13 图15所示。 最后，在完成上述结构图形的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积一层透 明导电薄膜。采用普通掩模板通过第五次构图工艺对透明导电薄膜进行构图，在每个像素 区域内形成包括像素电极14和延伸电极15的图形，延伸电极15与相邻像素区域内的像素 电极连接，且延伸电极15与像素电极14之间形成用于产生横向电场的狭缝。具体地说，对 于一个像素区域来说，像素电极14形成在该像素区域内，并通过该像素区域内的钝化层过 孔12与漏电极9连接，像素电极14中部的一侧(如左侧)形成有向像素电极14的中心延 伸的条形状的凹槽，条形状的延伸电极15设置在该条形状的凹槽内，在延伸电极15与像素 电极14之间形成狭缝，而该延伸电极15与相邻(如左侧)的像素电极连接成一体结构，如 图1 图3所示。对于一个像素电极14和延伸电极15来说，像素电极14形成在一个像素 区域内，与像素电极14一体结构的延伸电极15则形成在相邻(如右侧)的像素区域内，像 素电极14通过钝化层过孔12与漏电极9连接，像素电极14中部的一侧(如左侧)形成有 向像素电极14的中心延伸的条形状的凹槽，像素电极14中部的另一侧(如右侧)设置延伸 电极15，形成在相邻(如右侧)像素区域内的延伸电极15同时设置在相邻(如右侧)像素 电极形成的条形状的凹槽内，并与该相邻像素电极之间形成用于产生横向电场的狭缝。在 实际使用中，延伸电极15可以是一个，也可以是多个，延伸电极15的形状可以设置成矩形、 多边形或椭圆形等长条形形状。 以上所说明的五次构图工艺仅仅是制备本发明宽视角液晶显示器阵列基板的一 种实现方法，实际使用中还可以通过增加或减少构图工艺次数、选择不同的材料或材料组 合来实现本发明。例如，本发明还可以通过多步刻蚀的四次构图工艺制备完成，将前述第二 次构图工艺和第三次构图工艺合并成一个采用半色调或灰色调掩模板的构图工艺，下面予 以简单说明。 图16为本发明宽视角液晶显示器阵列基板采用半色调或灰色调掩模板构图工艺 后的结构示意图，为图10中A4-A4向的剖面图。其具体工艺过程为在完成前述结构图形 的基板上，采用PECVD方法依次沉积栅绝缘层5、半导体层6和掺杂半导体层7，然后采用磁 控溅射或热蒸发的方法沉积源漏金属薄膜。之后涂覆一层光刻胶，采用半色调或灰色调掩 模板曝光，使光刻胶形成完全曝光区域(光刻胶完全去除区域)、部分曝光区域(光刻胶部分去除区域)和未曝光区域(光刻胶完全保留区域)，其中未曝光区域对应于数据线、源电 极和漏电极图形所在区域，部分曝光区域对应于TFT沟道区域图形所在区域，完全曝光区 域对应于上述图形以外的区域。显影处理后，未曝光区域光刻胶的厚度没有变化，部分曝光 区域光刻胶的厚度变薄，完全曝光区域的光刻胶被完全去除。首先对完全曝光区域进行第 一次刻蚀，分别刻蚀掉完全曝光区域的源漏金属薄膜、搀杂半导体层和半导体层，形成数据 线、有源层、漏电极和源电极图形。进行灰化处理，完全去除部分曝光区域的光刻胶，对部分 曝光区域进行第二次刻蚀，分别刻蚀掉部分曝光区域的源漏金属薄膜和搀杂半导体层，部 分刻蚀掉半导体层，使该区域露出半导体层，形成TFT沟道区域图形。本构图工艺后，栅绝 缘层覆盖整个基板，有源层图形以外区域的半导体层和掺杂半导体层被完全刻蚀掉，但数 据线、源电极和漏电极图形下保留有半导体层和掺杂半导体层，如图16所示。该过程已经 广泛应用于液晶显示器制造领域，这里不再赘述。 图17为本发明宽视角液晶显示器阵列基板的工作示意图。如图17所示，阵列基 板20与彩膜基板30对盒形成垂直排列的宽视角液晶显示器，液晶40则设置在阵列基板20 与彩膜基板30之间。阵列基板20采用前述本发明宽视角液晶显示器阵列基板的结构，至 少包括形成在基板上的像素电极14和延伸电极15，像素电极14和延伸电极15之间形成狭 缝。彩膜基板30可以采用传统的结构形式，至少包括形成在基板上的彩膜层31和公共电 极32。液晶40采用介电常数为负的材料。当不加电压时，液晶在电极表面取向材料的作用 下，其长轴方向按照垂直方式排列，当加电压时，由于像素电极14和延伸电极15之间存在 电压差，因此在像素电极14和延伸电极15之间的狭缝处产生横向电场，狭缝附近区域的液 晶受该横向电场的诱导倒向多个方向，使液晶形成多畴结构，而其它区域的电场仍然是阵 列基板20的像素电极14与彩膜基板30的公共电极32之间的电场。由于像素电极14与 延伸电极15之间的狭缝贯穿在像素区域的中部，具有水平或接近水平段、垂直或接近垂直 段，因此所形成的横向电场具有放射状的特点，即横向电场具有多个方向，因此在狭缝附近 区域的液晶将受该横向电场的诱导倒向多个方向，形成多畴结构，这样就可以在周围多个 方向上看到显示图像，一方面扩展了周围多个方向上的视角，另一方面实现了各个角度上 的视角均一。 图1 图3所示的本发明宽视角液晶显示器阵列基板只是一种实现结构，像素电 极和延伸电极均形成在一像素行内，实际使用中还可以具有多种结构变形，例如，像素电极 和延伸电极可以形成在一像素列内，这里不再赘述。实际使用中，当像素电极和延伸电极均 形成在一像素行内时，复数个像素区域的第一列或最后一列为虚拟(dummy)像素区域，不 显示实际内容，只配合相邻列产生横向电场。 图18为本发明宽视角液晶显示器阵列基板制造方法的流程图，具体包括
步骤1、在基板上形成包括栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和 钝化层的图形； 步骤2、在完成步骤1的基板上沉积一层透明导电薄膜，通过构图工艺在像素区域 内形成包括像素电极和至少一个延伸电极的图形，使所述至少一个延伸电极与像素电极之 间形成产生横向电场的狭缝。 下面通过具体实施例进一步说明本发明宽视角液晶显示器阵列基板制造方法的 技术方案。
图19为本发明宽视角液晶显示器阵列基板制造方法第一实施例的流程图，具体 包括 步骤11、在基板上沉积一层栅金属薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括 栅线、栅电极和公共电极线的图形； 步骤12、在完成步骤11的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层， 采用普通掩模板通过构图工艺形成包括有源层的图形； 步骤13、在完成步骤12的基板上沉积源漏金属薄膜，采用普通掩模板通过构图工 艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形； 步骤14、在完成步骤13的基板上沉积一层钝化层，采用普通掩模板通过构图工艺 形成钝化层过孔，所述钝化层过孔位于漏电极位置； 步骤15、在完成步骤14的基板上沉积一层透明导电薄膜，采用普通掩模板通过构 图工艺在像素区域内形成包括像素电极和至少一个延伸电极的图形，所述像素电极通过钝 化层过孔与漏电极连接，所述像素电极的一侧形成有凹槽，所述至少一个延伸电极设置在 所述凹槽内，使所述至少一个延伸电极与像素电极之间形成用于产生横向电场的狭缝，所 述至少一个延伸电极与相邻像素区域内的像素电极连接。 本发明上述技术方案中，步骤11 步骤15的具体工艺过程已在图4 图15所示 的制备过程中详细说明，这里不再赘述。 图20为本发明宽视角液晶显示器阵列基板制造方法第二实施例的流程图，具体 包括 步骤21、在基板上沉积一层栅金属薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括 栅线、栅电极和公共电极线的图形； 步骤22、在完成步骤21的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和 源漏金属薄膜，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺形成包括有源层、数据线、源电 极、漏电极和TFT沟道区域的图形； 步骤23、在完成步骤22的基板上沉积一层钝化层，采用普通掩模板通过构图工艺 形成钝化层过孔，所述钝化层过孔位于漏电极位置； 步骤24、在完成步骤23的基板上沉积一层透明导电薄膜，采用普通掩模板通过构 图工艺在像素区域内形成包括像素电极和至少一个延伸电极的图形，所述像素电极通过钝 化层过孔与漏电极连接，所述像素电极的一侧形成有凹槽，所述至少一个延伸电极设置在 所述凹槽内，使所述至少一个延伸电极与像素电极之间形成用于产生横向电场的狭缝，所 述延伸电极与相邻像素区域内的像素电极连接。 本实施例与第一实施例的主要流程基本相同，区别在于将第一实施例中的步骤12 和步骤13并成一个采用半色调或灰色调掩模板的构图工艺，其它过程与前述第一实施例 相同。采用半色调或灰色调掩模板的工艺过程已在图16所示的制备过程中详细说明，这里 不再赘述。 本发明提供了一种宽视角液晶显示器阵列基板及其制造方法，通过在像素区域内 设置像素电极和延伸电极，且像素电极和延伸电极之间形成用于产生横向电场的狭缝，实 现了一种新型的多畴垂直排列的显示模式。该显示模式采用负性液晶，在不工作时，液晶 在电极表面取向材料的作用下均匀地垂直于上下基板排列，而工作时，像素电极与延伸电极之间狭缝附近区域的液晶将受该横向电场的诱导倒向多个方向，使液晶形成多畴结构， 一方面扩展了周围多个方向上的视角，另一方面实现了各个角度上的视角均一。进一步 地，在保证宽视角和视角均一特性的前提下，由于本发明技术方案既不需要凸起结构，也不 需要摩擦工艺，因此本发明简化了阵列基板的结构和制造工艺，且其制造工艺与传统TN型 TFT-LCD兼容。实际使用中，如果在偏振片的内侧增加负性双折射补偿膜，还可以进一步扩 展视角。本发明宽视角液晶显示器阵列基板适用于帧反转、行反转、列反转、点反转等各种 驱动模式的液晶显示器，具有广泛的应用前景。 最后应说明的是以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照 较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的 技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
权利要求
一种宽视角液晶显示器阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，所述像素区域内还形成有至少一个延伸电极，使所述至少一个延伸电极与像素电极之间形成用于产生横向电场的狭缝。
2. 根据权利要求1所述的宽视角液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述像素电极的 一侧形成有凹槽，所述延伸电极设置在所述凹槽内，所述延伸电极与相邻像素区域内的像 素电极连接。
3. 根据权利要求2所述的宽视角液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述相邻像素区 域内的像素电极为相同像素行内相邻像素区域内的像素电极或相同像素列内相邻像素区 域内的像素电极。
4. 根据权利要求2所述的宽视角液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述延伸电极的 形状为矩形、多边形、椭圆形或长条形，所述凹槽的形状与所述延伸电极的形状相对应。
5. 根据权利要求2所述的宽视角液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述延伸电极的 长度为像素区域宽度的1/10 2/3。
6. 根据权利要求2所述的宽视角液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述狭缝的宽度 为lum 6um。
7. 根据权利要求1 6中任一权利要求所述的宽视角液晶显示器阵列基板，其特征在 于，所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的公共电极线，所述延伸 电极位于所述公共电极线的上方。
8. —种宽视角液晶显示器阵列基板制造方法，其特征在于，包括步骤1、在基板上形成包括栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和钝化 层的图形；步骤2、在完成步骤1的基板上沉积一层透明导电薄膜，通过构图工艺在像素区域内形 成包括像素电极和至少一个延伸电极的图形，使所述至少一个延伸电极与像素电极之间形 成用于产生横向电场的狭缝。
9. 根据权利要求8所述的宽视角液晶显示器阵列基板制造方法，其特征在于，所述步 骤2具体包括在完成步骤l的基板上沉积一层透明导电薄膜，采用普通掩模板通过构图工 艺在像素区域内形成包括像素电极和至少一个延伸电极的图形，所述像素电极的一侧形成 有凹槽，所述至少一个延伸电极设置在所述凹槽内，使所述至少一个延伸电极与像素电极 之间形成用于产生横向电场的狭缝，所述延伸电极与相邻像素区域内的像素电极连接。
10. 根据权利要求8或9所述的宽视角液晶显示器阵列基板制造方法，其特征在于，所 述延伸电极的形状为矩形、多边形、椭圆形或长条形，所述凹槽的形状与所述延伸电极的形 状相对应。
11. 根据权利要求8或9所述的宽视角液晶显示器阵列基板制造方法，其特征在于，所 述延伸电极的长度为像素区域宽度的1/10 2/3。
12. 根据权利要求8或9所述的宽视角液晶显示器阵列基板制造方法，其特征在于，所 述狭缝的宽度为1 y m 6 ii m。
13. 根据权利要求8或9所述的宽视角液晶显示器阵列基板制造方法，其特征在于，所 述步骤1中还形成有公共电极线，所述延伸电极位于所述公共电极线的上方。
全文摘要
本发明涉及一种宽视角液晶显示器阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管和像素电极，像素区域内还形成有至少一个延伸电极，使至少一个延伸电极与像素电极之间形成用于产生横向电场的狭缝。制造方法包括在基板上形成包括栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和钝化层的图形；沉积一层透明导电薄膜，通过构图工艺在像素区域内形成包括像素电极和至少一个延伸电极的图形，使所述至少一个延伸电极与像素电极之间形成用于产生横向电场的狭缝。本发明扩展了周围多个方向上的视角，实现了各个角度上的视角均一，同时简化了阵列基板的结构和制造工艺。
文档编号H01L27/12GK101726945SQ200810225339
公开日2010年6月9日 申请日期2008年10月30日 优先权日2008年10月30日
发明者尹海军, 张俊瑞, 邵喜斌 申请人:京东方科技集团股份有限公司