ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件的制作方法

文档序号:6905738阅读:288来源:国知局
专利名称:ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件的制作方法
技术领域
本发明涉及一种发光器件,特别适用于获得真空紫外发光二极管和激光器, 属于光源领域。
背景技术
ZnO是一种新型环保的直接宽带隙半导体材料,室温下带隙为3.37eV,激 子结合能高达60meV,是一种非常优良的真空紫外发射材料。与其他材料宽带 隙材料相比,化学和热稳定性好,且原料易得,电子诱生缺陷较低,成膜性强 和薄膜的外延生长温度较低,这些都有利于制作高性能的紫外发射器和探测器。 虽然ZnO在光泵浦的情况下,已经观察和探测到它的真空紫外发射,但在电驱 动下,ZnO的发光还是一个挑战,尤其是真空紫外发射,其发光亮度还很弱。 低维的ZnO具有很好的载流子迁移特性和很好的物理化学特性,经常被用于照 明、显示、激光等领域用于提高性能。很多科学工作者利用ZnO纳米线、纳米 棒和有机发光材料的复合,在电驱动下,也观察到了ZnO在350-850nm之间的 发射,但是在这些研究当中,都是先在ZnO纳米棒或者纳米线上首先旋涂一层 有机绝缘层材料,而后才旋涂P型有机发光材料,并且ZnO在380nm附近的发 射同ZnO的缺陷发射相比,都很弱。

发明内容
本发明的目的是提出一种在ZnO纳米棒上直接旋涂有机发光材料而制备的 发光器件,在电驱动下,实现强于其他发射的ZnO的真空紫外发射。 本发明的技术方案一种ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件,其结构是:
在阳极氧化铟锡导龟层覆盖的玻璃上,制备垂直其表面的ZnO纳米棒,使 ZnO纳米棒的长度保持在100 150nm;
在ZnO纳米棒上,制备有机发光层,使之覆盖ZnO纳米棒,有机发光层的 材料为聚苯撑乙炔(PPV)或其衍生物聚(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)〕对苯乙 炔(MEH-PPV);
在有机发光层上,制备阴极铝(Al);
用直流驱动,ZnO纳米棒作为空穴注入层和传输层,而有机发光材料作为 电子注入层和传输层。
有机发光层或为小分子有机发光材料8-羟基喹啉铝(Alq3)、 8-羟基喹啉 铝锌(Znq2)。
本发明的有益效果是
本发明是在一层ZnO纳米棒上直接制备有机发光层而制备的发光器件,工 艺简单,无需在ZnO纳米棒和有机发光层之间制备绝缘层材料;器件在直流电 驱动下,实现很强的ZnO的真空紫外发射。


图1为本发明的器件示意图。
具体实施方案
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步描述。 一种ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件,该器件的 结构,如图1所示。 实施例一在阳极氧化铟锡导电层覆盖的玻璃1上,用溶胶凝胶方法制备ZnO纳米薄 膜,作为种子,然后用水热法在ZnO纳米薄膜上垂直生长ZnO纳米棒2,通过 控制反应温度和时间,控制ZnO纳米棒的长度,使ZnO纳米棒的长度控制在 謂nm。
在ZnO纳米棒2上,旋涂MEH-PPV,使MEH-PPV能填满ZnO纳米棒之 间缝隙,并覆盖住ZnO纳米棒,形成有机发光层3。
然后,在有机发光层3上,蒸镀A1阴极4;
用直流驱动,ZnO纳米棒作为空穴注入层和传输层,而有机聚合物 MEH-PPV作为电子注入层和传输层。 实施例二
在阳极氧化铟锡导电层覆盖的玻璃1上,用磁控溅射的方法制备ZnO纳米 薄膜,作为种子,然后用水热法在ZnO纳米薄膜上垂直生长ZnO纳米棒2,通 过控制反应温度和时间,控制ZnO纳米棒的长度,使ZnO纳米棒的长度控制在 120nm。
在ZnO纳米棒2上,旋涂PPV,使PPV能填满ZnO纳米棒之间缝隙,并 覆盖住ZnO纳米棒,形成有机发光层3。
然后,在有机发光层3上,蒸镀A1阴极4;
用直流驱动,ZnO纳米棒作为空穴注入层和传输层,而有机聚合物PPV作 为电子注入层和传输层。
实施例三
在阳极氧化铟锡导电层覆盖的玻璃1上,用磁控溅射的方法制备ZnO纳米薄膜,作为种子,然后用水热法在ZnO纳米薄膜上垂直生长ZnO纳米棒2,通 过控制反应温度和时间,控制ZnO纳米棒的长度,使ZnO纳米棒的长度控制在 150nm。
在ZnO纳米棒2上,用热蒸发的方法制备Alq3,使Alq3能填满ZnO纳米 棒之间缝隙,并覆盖住ZnO纳米棒,形成有机发光层3。
然后,在有机发光层3上,蒸镀A1阴极4;
用直流驱动,ZnO纳米棒作为空穴注入层和传输层,而有机发光层Alq3作 为电子注入层和传输层。
权利要求
1. 一种ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件,其特征是在阳极氧化铟锡导电玻璃(1)上,制备垂直其表面的ZnO纳米棒(2),使ZnO纳米棒的长度保持在100~150nm;在ZnO纳米棒(2)上,制备有机发光层(3),使之覆盖ZnO纳米棒,有机发光层(3)的材料为聚苯撑乙炔或其衍生物聚〔2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)〕对苯乙炔;在有机发光层(3)上,制备阴极铝(4);用直流驱动,ZnO纳米棒(2)作为空穴注入层和传输层,而有机发光材料作为电子注入层和传输层。
2. 根据权利要求1所述的一种ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外 电致发光器件,其特征是有机发光层或为小分子有机发光材料8-羟基喹啉
全文摘要
本发明公开了一种ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件,它是在阳极氧化铟锡导电玻璃(1)上,制备垂直其表面的ZnO纳米棒(2),使ZnO纳米棒的长度保持在100~150nm;在ZnO纳米棒(2)上,制备有机发光层(3),而后制备阴极铝(4);用直流驱动,ZnO纳米棒作为空穴注入层和传输层,而有机发光材料作为电子注入层和传输层。有机发光材料为有机聚合物或小分子材料。利用ZnO纳米棒和有机发光层直接复合、而不需要中间绝缘层,这样可以减少器件制备的成本,并且提高ZnO纳米棒在真空紫外的发射。
文档编号H01L51/54GK101436647SQ20081024050
公开日2009年5月20日 申请日期2008年12月23日 优先权日2008年12月23日
发明者张福俊, 征 徐, 赵谡玲, 阚鹏志 申请人:北京交通大学
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