专利名称：互补式金属耦合线的制作方法
技术领域：
本发明涉及耦合传输线，特别是有关于互补式金属耦合线。
背景技术：
薄膜微带(thin-film microstrip；以下简称TFMS)为目前最广泛被应用于实现单晶微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit；以下简称MMIC)的传输线(transmission line；TL)的技术之一。然而，当TFMS在MMIC内被设计成反向波耦合器(backward-wave coupler)时，由于所耦合的TFMS在偶模与奇模(even-and odd-mode)相位的传输速度并不相同，因此亦将使得所设计的反向波耦合器在其指向性(directivity)的表现上较差。
并且，由于目前互补式金氧半导体(complementary metal oxidesemiconductor；CMOS)的制程技术限制了边缘耦合TFMS(edge-coupledTFMS)间的线距距离(spacing)，因此，亦会使得边缘耦合TFMS的耦合量(tight coupling)在1/4传导波长(λg)时无法达到3.0dB。而另外一种现有的上下耦合(broadside-couple)结构虽然亦经常使用于本技术领域，但此耦合结构在一具有很薄介电层(inter-metal-dielectric；IMD)的硅(Si)或砷化镓(GaAs)基板(substrate)上，却往往会大量增加信号在传输在线的损耗。
发明内容
有鉴于上述的缺点，本发明的目的提供一种互补式金属耦合线(complementary-conducting-strip coupled line)，可改进现有的信号在传输在线大量损耗的缺点、解决现有的电路设计面积过大的问题，并且在1/4传导波长时可达到3dB的耦合量。
本发明的目的之一，是提供可变的网目金属层的层数与网目金属层的网目尺寸(中间篓空区域)的大小，由此调整互补式金属耦合线所合成电路的偶模与奇模特性。
本发明的目的之一，是提供可变的金属线的宽度与线距，由此调整互补式金属耦合线所合成电路的偶模与奇模特性。
本发明公开一种互补式金属耦合线，其包含一基板；m层网目金属层，此m层网目金属层之间分别与m-1层第一介电层交错叠接，由此以形成一堆叠结构于此基板之上，其中此m-1层第一介电层还具有多个金属连接孔以连接交错叠接的此m层网目金属层，其中m≥2并且m为自然数；一第二介电层，位于此堆叠结构之上；及n条金属线，为相互边缘耦合且位于此第二介电层之上，其中n≥2且n为自然数。
本发明还公开一种互补式金属耦合线，其包含一基板；一网目金属层，位于此基板上；一介电层，位于此网目金属层上；以及n条金属线，为相互边缘耦合且位于此介电层上，其中n≥2且n为自然数。
本发明另公开一种互补式金属耦合线，其包含一基板；m层网目金属层，此m层网目金属层之间分别与m-1层第一介电层交错叠接，由此形成一堆叠结构于此基板之上，其中此m-1层第一介电层还具有多个金属连接孔以连接交错叠接的此m层网目金属层，其中m≥2且m为自然数；一第二介电层，位于此堆叠结构之上；以及n条金属线，相互上下耦合且位于此第二介电层之上，其中此n条金属线之间分别与n-1层第三介电层交错叠接，其中n≥2且n为自然数。
本发明又公开一种互补式金属耦合线，其包含一基板；一网目金属层，位于此基板之上；一第一介电层，位于此网目金属层之上；以及n条金属线，为相互上下耦合且位于此第一介电层之上，其中此n条金属线之间分别与n-1层第二介电层交错叠接，其中n≥2且n为自然数。
本发明再公开一种互补式金属耦合线，其包含一基板；m层网目金属层，此m层网目金属层之间分别与m-1层第一介电层交错叠接，由此形成一堆叠结构于此基板之上，其中此m-1层第一介电层还具有多个金属连接孔以连接交错叠接的此m层网目金属层，其中m≥2且m为自然数；一第二介电层，位于此堆叠结构之上；以及y层金属线层，此y层金属线层之间分别与y-1层第三介电层交错叠接且位于此第二介电层之上，此y层金属线层分别至少包含n条金属线相互边缘耦合，其中y≥2，n≥2且y、n为自然数，其中相邻的此y层金属线层的此n条金属线为相互上下耦合。
本发明再公开一种互补式金属耦合线，其包含一基板；一网目金属层，位于此基板之上；一第一介电层，位于此网目金属层之上；以及y层金属线层，此y层金属线层之间分别与y-1层第二介电层交错叠接且位于此第一介电层之上，此y层金属线层分别至少包含n条金属线相互边缘耦合，其中y≥2，n≥2且y、n为自然数，其中相邻的此y层金属线层的此n条金属线为相互上下耦合。
图1为本发明的一较佳实施例的立体结构透视图； 图2为图1所示的实施例的俯视图； 图3A为图2A-A’切线的剖面结构示意图； 图3B为图2B-B’切线的剖面结构示意图； 图4为本发明的另一较佳实施例的立体结构透视图； 图5为本发明的又一较佳实施例的立体结构透视图； 图6A为本发明的一较佳边缘耦合实施例的俯视图； 图6B为本发明的另一较佳边缘耦合实施例的俯视图； 图7A为本发明的再一较佳实施例的立体结构透视图； 图7B为本发明的一较佳金属线实施例的剖面结构示意图； 图8A为本发明的实施例在网目尺寸固定并且仅更改金属线的线宽与线距时，此些实施例的偶模与奇模输入特性变化曲线示意图； 图8B为本发明的实施例在网目尺寸固定并且仅更改网目金属层的层数时，此些实施例的偶模与奇模输入特性的变化曲线示意图； 图9A为本发明的多个较佳实施例所组成的一较佳应用电路布局示意图；以及 图9B为本发明的多个较佳实施例所组成的另一较佳应用电路布局示意图。
主要元件符号说明
100本发明的一较佳实施例 110、410、510、710基板 120堆叠结构 M1、M2、M3、M4、Mm网目金属层 IMD、IMD12、IMD23、IMD(m-1)m、IMDT介电层 L1、L2、Ln金属线 P单元尺寸Wh网目尺寸 S1、S2、S3、S4、Sn金属线的线宽 d12、d34金属线的线距 via、via12金属连接孔 400本发明的另一较佳实施例 500本发明的又一较佳实施例 700本发明的再一较佳实施例 722、724子金属线 A、B、C、D、E、F、G接点
具体实施例方式 本发明将详细描述一些实施例如下。然而，除了所公开的实施例外，本发明亦可以广泛地运用在其它的实施例施行。本发明的范围并不受该些实施例的限定，乃以其后的权利要求为准。而为提供更清楚的描述及使熟悉该项技术者能理解本发明的发明内容，图示内各部分并没有依照其相对的尺寸而绘图，某些尺寸与其它相关尺度的比例会被突显而显得夸张，且不相关的细节部分亦未完全绘出，以求图示的简洁。
请参照图1、图2、图3A及图3B，其分别为本发明的一较佳实施例100的立体结构透视图、俯视图与不同切线(A-A’与B-B’)的剖面结构示意图。请参照图1，一基板110(substrate)，具有一单元尺寸P(或称为周期)的大小。m层网目金属层M1、M2、...、Mm(mesh ground plane)，此m层网目金属层M1、M2、...、Mm之间分别与m-1层第一介电层IMD12、IMD23、...、IMD(m-1)m(inter-media-dielectric；IMD)交错叠接，亦即网目金属层M1与M2之间具有第一介电层IMD12；网目金属层M2与M3(未绘出)之间具有第一介电层IMD23；...；以及网目金属层Mm-1(未绘出)与Mm之间具有第一介电层IMD(m-1)m，由此形成一堆叠结构120于基板110之上，其中m≥2且m为自然数。本实施例中，m层网目金属层M1、M2、...、Mm分别为一金属层具有一中间篓空区域(或称槽孔(slot))，故称这些金属层为网目金属层，且此中间篓空区域的大小由一网目尺寸Wh所决定。一第二介电层IMDT，位于堆叠结构120之上。n条金属线L1、L2、...、Ln，为相互边缘耦合(edge-coupled)且位于第二介电层IMDT之上，其中n≥2且n为自然数，S1、S2、...、Sn分别相对表示n条金属线L1、L2、...、Ln的线宽，而此n条金属线L1、L2、...、Ln的线距(spacing)分别相对以d12、d23(未标出)、...、d(n-1)n(未标出)表示，其中n条金属线L1、L2、...、Ln包含直线形状。
然而，发明人在此必须要强调的是，在本实施例中，基板110、网目金属层M1、M2、...、Mm、第一介电层IMD12、IMD23、...、IMD(m-1)m及第二介电层IMDT等系是以正方形的几何形状呈现，但它们的几何形状变化并不受限于本实施例的限制，他们的几何形状亦可包含其它多边形的几何形状。并且，第二介电层IMDT亦是以一层作为说明，然而在实际应用上，第二介电层IMDT亦可以包含一多层介电层结构，再者，本发明所有实施例中的网目金属层M1、M2、...、Mm的中间篓空区域亦均填有介电质，其后不再赘述。
请参照图2，其为图1所示的实施例100的俯视图。其中，切线A-A’与切线B-B’分别从m层网目金属层M1、M2、...、Mm(请参照图1)的上方与中间篓空区域的上方作一纵向切面，而其它标示的符号与图1相同标示的符号具有相同的对位关系，故在此不再赘述。
请参照图3A与图3B，其分别为图2的切线A-A’与B-B’的剖面结构示意图。m-1层第一介电层IMD12、IMD23、...、IMD(m-1)m具有多个金属连接孔(via)，用以连接交错叠接的m层网目金属层M1、M2、...、Mm，例如第一介电层IMD12具有多个金属连接孔via12连接其交错叠接的网目金属层M1与M2。此外，网目尺寸Wh决定堆叠结构120中间篓空区域的大小，而在图3B中，中间篓空区域后面的堆叠结构120并未绘出，由此强调网目尺寸Wh所决定的中间篓空区域并求图标的清晰简洁。其它标示的符号与图1相同标示的符号具有相同的对位关系，故不再赘述。
请参照图4，其为本发明另一较佳实施例400的立体结构透视图。一基板410，具有一单元尺寸P(或称为周期)的大小。一网目金属层M1，位于基板410之上，其中网目金属层M1为一金属层具有一中间篓空区域，故称其为网目金属层，且此中间篓空区域的大小由一网目尺寸Wh所决定。一介电层IMDT，位于网目金属层M1之上。n条金属线L1、L2、...、Ln，为相互边缘耦合且位于介电层IMDT之上，其中n≥2且n为自然数。S1、S2、...、Sn分别相对表示n条金属线L1、L2、...、Ln的线宽，而此n条金属线L1、L2、...、Ln的线距分别以d12、d23(未标出)、...、d(n-1)n(未标出)表示。其中n条金属线L1、L2、...、Ln包含直线形状。
请参照图5，其为本发明又一较佳实施例500的立体结构透视图，其中所示的实施例500为图1所示的实施例100在m＝4且n＝2时的结构，以下将简单说明。一基板510，具有一单元尺寸P(或称为周期)的大小。4层网目金属层M1、M2、M3及M4之间分别与3层第一介电层IMD12、IMD23及IMD34交错叠接，由此形成一堆叠结构于基板510上，其中网目金属层M1、M2、M3及M4分别为一金属层具有一中间篓空区域，且此中间篓空区域的大小由一网目尺寸Wh所决定。一第二介电层IMDT，位于网目堆叠结构上。2条金属线L1与L2，为相互边缘耦合且位于第二介电层IMDT上，S1与S2分别表示金属线L1与L2的线宽，而线距是以d12表示。同理，第一介电层IMD12、IMD23及IMD34具有多个金属连接孔以连接对应交错叠接的网目金属层M1、M2、M3及M4。
请参照图6A，其为本发明的一较佳边缘耦合实施例的俯视图。2条金属线L1与L2，为相互平行且呈现L型形状，S1与S2分别表示金属线L1与L2的线宽，而此2条金属线L1与L2的线距为d12。请参照图6B，其为本发明的另一较佳边缘耦合实施例的俯视图。2条金属线L1与L2，以非平行的方式相互边缘耦合(金属线L1与L2在第一侧的线距d12≠在第二侧的线距d34)，S1与S2分别表示金属线L1与L2的线宽。在上述两实施例中，以n条金属线在n＝2时的情况作为说明范例，并非用以限定本发明的实施例，因此，当n＞2时，n条金属线亦可以为相互平行的L型形状或以非平行的方式相互边缘耦合，此外，P表单元尺寸、Wh表网目尺寸，皆同于前述的说明，且本两实施例的相互耦合方式可应用于本发明中所有实施例的耦合形式。
请参照图7A，其为本发明的再一较佳实施例700的立体结构透视图。一基板710，具有一单元尺寸P的大小。一网目金属层M1，具有一网目尺寸Wh大小的中间篓空区域且位于基板710之上。一第一介电层IMD1，位于网目金属层M1之上。n条金属线L1、L2、...Ln，为相互上下耦合(broadside-couple)且位于第一介电层IMD1之上，其中n条金属线L1、L2、...Ln之间分别与n-1层第二介电层IMD2交错叠接，其中n≥2且n为自然数，S1、S2、...、Sn分别相对表示n条金属线L1、L2、...、Ln的线宽。同理，本实施例中的网目金属层亦可以是多层结构，如图1、图3A、图3B中所示，而此部分为熟习此项技术者可依本提示而轻易实施，故不再赘述。在此要说明的是，多层网目金属层间的介电层若称为第一介电层，则这些多层网目金属层与第一介电层所形成的结构与金属线间以及金属线彼此间的介电层则分别称第二介电层以及第三介电层以利区别他们彼此间的对位关系。
请参照图7B，其为本发明的一较佳金属线实施例的剖面结构示意图。一金属线包含两子金属线722与724以及多个金属连接孔via，其中两子金属线722与724在互补式金氧半导体(CMOS)结构中表示不同层的金属传输线，两子金属线722与724之间通过多个金属连接孔via相连接以形成金属线，由此可增加互补式金氧半导体结构中金属线的厚度。而标号IMD为表介电层。本实施例可应用于本发明所有实施例中的金属线，由此改变金属线的特性。
综合上述所示的多个较佳实施例，本发明亦可以下列另两较佳实施例加以实现，亦即，金属线为相互边缘耦合与相互上下耦合两者并存，并且搭配单层或多层网目金属层的结构，其说明如下。一较佳互补式金属耦合线包含一基板；m层网目金属层，此m层网目金属层之间分别与m-1层第一介电层交错叠接，由此形成一堆叠结构于此基板之上，其中此m-1层第一介电层还具有多个金属连接孔以连接交错叠接的此m层网目金属层，其中m≥2且m为自然数；一第二介电层，位于此堆叠结构之上；以及y层金属线层，此y层金属线层之间分别与y-1层第三介电层交错叠接且位于此第二介电层之上，此y层金属线层分别至少包含n条金属线相互边缘耦合，其中y≥2，n≥2且y、n为自然数，其中相邻的此y层金属线层的此n条金属线为相互上下耦合。而另一较佳互补式金属耦合线包含一基板；一网目金属层，位于此基板之上；一第一介电层，位于此网目金属层之上；以及y层金属线层，此y层金属线层之间分别与y-1层第二介电层交错叠接且位于此第一介电层之上，此y层金属线层分别至少包含n条金属线相互边缘耦合，其中y≥2，n≥2且y、n为自然数，其中相邻的此y层金属线层的此n条金属线为相互上下耦合。
请参照图8A与图8B，其分别为本发明所述的实施例在网目尺寸(Wh)固定，并仅更改金属线的线宽(S)与线距(d)时，实施例的偶模与奇模特性阻抗(Z0e与Z0o)变化曲线以及在网目尺寸(Wh)固定，并仅更改网目金属层的层数(m)时，实施例的偶模与奇模特性阻抗(Z0e与Z0o)的变化曲线示意图。发明人在此要强调的是，以下仿真所设定的数据以及所得的数据为仅用以说明本发明实施例的模拟过程与结果，并非用以限定本发明实施例的实现。以图4与图5所示的实施例400与500为模拟说明，多个实施例400(在n＝2)与多个实施例500分别结合图6所示的边缘耦合实施例(分别具有1层与4层网目金属层)以分别形成两个边缘耦合金属线蜿蜒(meandered)的二维(two-dimensional)数组结构，由此缩小设计空间的使用。
其它为仿真说明所设定的数据包含将金属线的总长度固定于960.0μm(微米)；金属线的厚度为2.0μm且表面电阻为37mΩ/sq(毫奥姆/每平方厘米)；金属线的宽度(S)分别为2.0μm、4.0μm与8.0μm；金属线的线距(d)分别为1.2μm、2.0μm与4.0μm；网目金属层的厚度为0.55μm且表面电阻为79mΩ/sq；网目尺寸(Wh)分别为29.5μm与0μm；上述的各介电层的介电常数为4.0；基板的介电常数为11.9；以及基板厚度为482.6μm且导电度(conductivity)为11.0S/m(西门斯/米)。并且，上述的模拟说明为辅以商业化三维结构电磁场仿真软件(Ansoft HFSS)加以仿真，而仿真所得的数据分别呈现在图8A、图8B与下列的表一。
在图8A中，实线是表示Wh＝29.5μm时，仿真所得的数据；而虚线是表示Wh＝0μm时，仿真所得的数据。偶模输入阻抗(Z0e)在Wh增加(网目金属层中间篓空区域变大)时，其增加的幅度较奇模输入阻抗(Z0o)增加的幅度大，由此可提高耦合线的耦合系数(coupling coefficient)。在图8B中，实线是表示网目金属层的层数(m)为4时，仿真所得的数据；而虚线表示网目金属层的层数(m)为1时，仿真所得的数据，据此，可通过更改网目金属层的层数(m)，即可调整偶模与奇模输入特性(Z0e与Z0o)。
请参照下列的表一，通过更改金属线的线宽(S)、线距(d)、网目尺寸(Wh)与网目金属层的层数(m)，即可改变偶模与奇模质量系数(Q-factor)，由此，提供更大的设计弹性给设计者合成所希望实现的传导特性。
表一互补式金属耦合线的耦合设计，在具有相同单元尺寸(P)(周期)为30.0μm时，在Ka频(Ka-band)所测得偶模与奇模的品质系数(Q-factor)。
请参照图9A与图9B，其电路遵循1/4传导波长(λg)的设计原则，其分别为由本发明的多个较佳实施例以两边缘耦合金属线蜿蜒(meandered)的二维(two-dimensional)数组结构所形成的3-dB方向耦合器(directional coupler)与平衡不平衡转换器(marchand balun)的电路布局示意图，发明人在此要强调的是，利用耦合金属线所制作的3-dB方向耦合器与平衡不平衡转换器其电路遵循金属耦合线的长度为1/4传导波长(λg)的设计原则，但不限定其金属耦合线蜿蜒的型式。在图9A中，A、B、C、D分别表示3-dB方向耦合器的第一、第二、第三、第四接点，在图9B中，E、F、G为分别表示平衡不平衡转换器的第一、第二、第三接点，这些电路布局的实际面积分别为120.0μm×240.0μm与240.0μm×240.0μm且以0.18μm 1P6M CMOS技术制成，其中3-dB方向耦合器的金属线总长为960.0μm。以下表二、表三分别为3-dB方向耦合器与不同制程技术及耦合方式的3-dB方向耦合器的比较，以及平衡不平衡转换器与不同制程技术及实施方式的平衡不平衡转换器的比较。
表二不同制程技术及耦合方式的3-dB方向耦合器的比较，其中FOM＝fave(GHz)×尺寸(mm2)，fave为(fmin×fmax)的平方根值。
表三不同制程技术及实施方式的平衡不平衡转换器的比较，其中FOM＝fave(GHz)×尺寸(mm2)，fave为(fmin×fmax)的平方根值。
其中，上述的3-dB方向耦合器的工作频宽为14.2～36.9GHz，而平衡不平衡转换器的工作频宽为10.0～40.4GHz，两者均提供较大的工作频宽且两者所需的面积尺寸亦小于现有的相关技术，故本发明所提出的互补式金属耦合线非常适合应用于单晶微波集成电路(MMIC)的设计。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用以限定本发明的申请专利范围权利要求；凡其它为脱离本发明所公开的精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含在所述的权利要求。
权利要求
1.一种互补式金属耦合线，其特征在于，包含
一基板；
m层网目金属层，该m层网目金属层之间分别与m-1层第一介电层交错叠接，由此形成一堆叠结构于该基板之上，其中该m-1层第一介电层还具有多个金属连接孔以连接交错叠接的该m层网目金属层，其中m≥2且m为自然数；
一第二介电层，位于该堆叠结构之上；以及
n条金属线，为相互边缘耦合且位于该第二介电层之上，其中n≥2且n为自然数。
2.如权利要求1所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含直线形状。
3.如权利要求1所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含L型形状。
4.如权利要求1所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含相互平行的耦合方式。
5.如权利要求1所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含非平行的耦合方式。
6.如权利要求1所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含相对应两子金属线与多个金属连接孔，该两子金属线为互补式金氧半导体结构不同层的金属层。
7.一种互补式金属耦合线，其特征在于，包含
一基板；
一网目金属层，位于该基板之上；
一介电层，位于该网目金属层之上；以及
n条金属线，相互边缘耦合且位于该介电层之上，其中n≥2且n为自然数。
8.如权利要求7所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含直线形状。
9.如权利要求7所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含L型形状。
10.如权利要求7所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含相互平行的耦合。
11.如权利要求7所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含非平行的耦合。
12.如权利要求7所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含相对应两子金属线与多个金属连接孔，该两子金属线为互补式金氧半导体结构不同层的金属层。
13.一种互补式金属耦合线，其特征在于，包含
一基板；
m层网目金属层，该m层网目金属层之间分别与m-1层第一介电层交错叠接，由此形成一堆叠结构于该基板之上，其中该m-1层第一介电层还具有多个金属连接孔以连接交错叠接的该m层网目金属层，其中m≥2且m为自然数；
一第二介电层，位于该堆叠结构之上；以及
n条金属线，相互上下耦合且位于该第二介电层之上，其中该n条金属线之间分别与n-1层第三介电层交错叠接，其中n≥2且n为自然数。
14.如权利要求13所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含直线形状。
15.如权利要求13所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含L型形状。
16.如权利要求13所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含相互平行的耦合方式。
17.如权利要求13所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含非平行的耦合方式。
18.如权利要求13所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含相对应两子金属线与多个金属连接孔，该两子金属线为互补式金氧半导体结构不同层的金属层。
19.一种互补式金属耦合线，其特征在于，包含
一基板；
一网目金属层，位于该基板之上；
一第一介电层，位于该网目金属层之上；以及
n条金属线，为相互上下耦合且位于该第一介电层之上，其中该n条金属线之间分别与n-1层第二介电层交错叠接，其中n≥2且n为自然数。
20.如权利要求19所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含直线形状。
21.如权利要求19所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含L型形状。
22.如权利要求19所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含相互平行的耦合。
23.如权利要求19所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含非平行的耦合。
24.如权利要求19所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含相对应两子金属线与多个金属连接孔，该两子金属线为互补式金氧半导体结构不同层的金属层。
25.一种互补式金属耦合线，其特征在于，包含
一基板；
m层网目金属层，该m层网目金属层之间分别与m-1层第一介电层交错叠接，由此形成一堆叠结构于该基板之上，其中该m-1层第一介电层还具有多个金属连接孔以连接交错叠接的该m层网目金属层，其中m≥2且m为自然数；
一第二介电层，位于该堆叠结构之上；以及
y层金属线层，该y层金属线层之间分别与y-1层第三介电层交错叠接且位于该第二介电层之上，该y层金属线层分别至少包含n条金属线相互边缘耦合，其中y≥2，n≥2且y、n为自然数。
26.如权利要求25所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含直线形状。
27.如权利要求25所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含L型形状。
28.如权利要求25所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含相互平行的耦合方式。
29.如权利要求25所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含非平行的耦合方式。
30.如权利要求25所述的互补式金属耦合线，其特征在于，相邻的该y层金属线层的该n条金属线相互上下耦合。
31.如权利要求30所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含相互平行的耦合方式。
32.如权利要求30所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含非平行的耦合方式。
33.如权利要求25所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含相对应两子金属线与多个金属连接孔，该两子金属线为互补式金氧半导体结构不同层的金属层。
34.一种互补式金属耦合线，其特征在于，包含
一基板；
一网目金属层，位于该基板之上；
一第一介电层，位于该网目金属层之上；以及
y层金属线层，该y层金属线层之间分别与y-1层第二介电层交错叠接且位于该第一介电层之上，该y层金属线层分别至少包含n条金属线相互边缘耦合，其中y≥2，n≥2且y、n为自然数。
35.如权利要求34所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含直线形状。
36.如权利要求34所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含L型形状。
37.如权利要求34所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含相互平行的耦合方式。
38.如权利要求34所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含非平行的耦合方式。
39.如权利要求34所述的互补式金属耦合线，其特征在于，相邻的该y层金属线层的该n条金属线为相互上下耦合。
40.如权利要求39所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含相互平行的耦合方式。
41.如权利要求39所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含非平行的耦合方式。
42.如权利要求34所述的互补式金属耦合线，其特征在于，该n条金属线包含相对应两子金属线与多个金属连接孔，该两子金属线为互补式金氧半导体结构不同层的金属层。
全文摘要
本发明涉及一种互补式金属耦合线，包含一基板；m层网目金属层，此m层网目金属层之间分别与m-1层第一介电层交错叠接，由此形成一堆叠结构于此基板之上，其中此m-1层第一介电层还具有多个金属连接孔以连接交错叠接的此m层网目金属层，其中m≥2且m为自然数；一第二介电层，位于此堆叠结构之上；以及n条金属线，为相互边缘耦合且位于此第二介电层之上，其中n≥2且n为自然数。
文档编号H01P5/00GK101783431SQ200910002510
公开日2010年7月21日 申请日期2009年1月16日 优先权日2009年1月16日
发明者庄晴光, 蒋孟儒, 吴宪顺 申请人:庄晴光