加膜硅基太阳能电池及其加膜工艺的制作方法

文档序号:6927935阅读:273来源:国知局
专利名称:加膜硅基太阳能电池及其加膜工艺的制作方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其是一种加膜硅基太阳能电池及其加膜工艺。
背景技术
目前Si太阳能电池产品基本采用Al背场技术。方法为电池片背面印刷上适量的铝浆料,干燥固化之后,通过高温处理及降温过程利用Al-Si合金的固溶比例实现合金背面钝化,在实现合金背面钝化的同时实现对合金层附近的Si的p型重掺杂化并同时达到对Si片的吸杂效果。这项技术对电池的性能提高起到重要的作用。
然而目前由于低厚度Si电池的市场要求,Al背浆料开始做出调整以满足电池片低应力曲度及高附着力的要求。但实际中往往未能很好的照顾好附着力的要求,使得其背面粗糙度提高,虽然Al-Si合金层与硅片良好结合保证了电池性能,但Al背膜外部由于浆料组成及烧制原因,结合度不够,其颗粒易脱落。

发明内容
为了克服上述缺陷,本发明通过铝背面添加膜来解决其颗粒易脱落的技术问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是 一种加膜硅基太阳能电池,具有电池主体,电池主体背场涂覆有一层铝层,铝层背面设置有一层辅助增加膜。可由下述三种方法来实现
a、 电池片制备完成之后,对铝层的电极部分镀前掩盖,然后通过
等离子体化学气相淀积技术沉积一层较厚无机膜;
b、 电池片制备完成之后,对铝层的电极部分镀前掩盖,利用印刷、
旋涂或电纺技术加涂一层有机膜,在IO(TC左右较低温度热处理固化;
c、 电池铝层背面印刷之后,采用相同的印刷模板加印一层无机玻
璃体浆料,避开电极部分,再做正面电极印刷,最后高温烧制。
进一步地所述的无机膜包括Al203膜、MgO膜和Si02膜。
进一步地所述的有机膜为PVA膜。
本发明的有益效果是通过对铝背场硅电池的背面添加背膜,对低
厚度硅晶太阳能电池保证正常性能不受影响的基础上,可在一定程度上加强铝背膜上颗粒的整体性,减弱背膜的颗粒易脱落现象,同时对电池性能及其他结构不产生改变。


下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1是本发明的结构示意图;其中l、电池主体,2、铝层,3、辅助增加膜。
具体实施例方式
如图1所示, 一种加膜硅基太阳能电池,具有电池主体l,电池主体1背场涂覆有一层铝层2,铝层2背面设置有一层辅助增加膜3。
本发明在正常工艺进程实现产品结构的基础上,保证Al背场良好的性能提升作用完成之后,在非高温并非破坏原电池结构性能,及电极的完整基础上在背面添加一层附加膜3,实现背面颗粒的一体化及光洁度提高,可由下述三种方法中任一种方法来实现a、电池片制备完
成之后,对铝层2的电极部分镀前掩盖,通过等离子体化学气相淀积技术沉积一层较厚无机膜,如500nm的Al203膜、MgO膜和Si02膜;b、电池片制备完成之后,对铝层2的电极部分镀前掩盖,利用印刷、旋涂或电纺技术加涂一层有机膜,如1微米厚的PVA膜,在IO(TC左右较低温度热处理固化;c、电池铝层2背面印刷之后,采用相同的印刷模板加印一层无机玻璃体浆料,如Si02为主的玻璃类微纳米颗粒浆料,避开电极部分,再做正面电极印刷及统一的高温烧制等电池步骤。
本发明通过对铝背场硅电池的背面添加背膜,对低厚度硅晶太阳能电池保证正常性能不受影响的基础上,可在一定程度上加强铝背膜上颗粒的整体性,减弱背膜的颗粒易脱落现象,同时对电池性能及其他结构不产生改变。
权利要求
1、一种加膜硅基太阳能电池,具有电池主体(1),所述的电池主体(1)背场涂覆有一层铝层(2),其特征在于所述的铝层(2)背面设置有一层辅助增加膜(3)。
2、 一种权利要求1所述的加膜硅基太阳能电池的加膜工艺,其特征 在于电池片制备完成之后,对铝层(2)的电极部分镀前掩盖,然后通过等离子体化学气相淀积技术沉积一层较厚无机膜。
3、 一种权利要求1所述的加膜硅基太阳能电池的加膜工艺,其特征 在于电池片制备完成之后,对铝层(2)的电极部分镀前掩盖,利用印刷、旋涂或电纺技术加涂一层有机膜,在IO(TC左右较低温度热处理固化。
4、 一种权利要求1所述的加膜硅基太阳能电池的加膜工艺,其特征 在于电池铝层(2)背面印刷之后,采用相同的印刷模板加印一层无机玻璃体浆料,避开电极部分,再做正面电极印刷,最后高温烧制。
5、 根据权利要求2所述的加膜硅基太阳能电池的加膜工艺,其特征 在于所述的无机膜包括Al203膜、MgO膜和Si02膜。
6、 根据权利要求3所述的加膜硅基太阳能电池的加膜工艺,其特征 在于所述的有机膜为PVA膜。
全文摘要
本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其是一种加膜硅基太阳能电池及其加膜工艺,所述的加膜硅基太阳能电池,具有电池主体,电池主体背场涂覆有一层铝层,所述的铝层背面设置有一层辅助增加膜,在正常工艺进程实现产品结构的基础上,保证铝背场良好的性能提升作用完成之后,在非高温并非破坏原电池结构性能,及电极的完整基础上在背面添加一层附加膜,实现背面颗粒的一体化及光洁度提高。本发明通过对铝背场硅电池的背面添加背膜,对低厚度硅晶太阳能电池保证正常性能不受影响的基础上,可在一定程度上加强铝背膜上颗粒的整体性,减弱背膜的颗粒易脱落现象,同时对电池性能及其他结构不产生改变。
文档编号H01L31/042GK101510569SQ20091002614
公开日2009年8月19日 申请日期2009年3月31日 优先权日2009年3月31日
发明者吴国强 申请人:常州天合光能有限公司
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