专利名称：一种晶体管及包括其的显示面板的制作方法
一种晶体管及包括其的显示面板方法
技术领域：
本发明涉及一种晶体管及包含其的显示面板，特别是涉及一种应用于液晶显示装 置的晶体管。
背景技术：
近年来，包括液晶显示技术在内的平板显示技术得到了长足的发展。图1绘示一 个液晶显示面板的一个基板的俯视示意图，其包括基板121和设置在基板121上的多条数 据线121和多条扫描线131。数据线121和扫描线131互相垂直，两条相邻的数据线121 和相邻的扫描线131区隔出一个显示像素。图2是图1中显示面板的一个显示像素的原理 图。如图2所示，显示像素包括晶体管160和像素电极151。晶体管160包括栅极122、源 极132和漏极133。栅极122连接至一条扫描线121，源极132连接至一条数据线131，漏极 133连接至像素电极151。液晶显示面板的基板一般采用玻璃材料。在某些种类的玻璃中包含相对较多的碱 金属离子，例如钠离子等。就现有技术的晶体管结构来说，这些碱金属离子容易扩散至晶体 管的半导体层中，从而会导致晶体管的特性曲线出现飘移，使显示效果受到影响。因此亟需 开发出一种能够不容易被外部离子扩散进半导体层的晶体管，以改善显示面板的品质。
发明内容本发明的一个目的是提供一种晶体管，其包括基板；设置在所述基板上的第一 金属电极；覆盖所述第一金属电极的第一阻抗层；对应所述第一金属电极设置在所述阻抗 层上的半导体区块；设置在所述半导体区块上的第二金属电极和第三金属电极；围绕所述 半导体区块边缘设置的第一金属挡墙，所述第一金属挡墙穿过所述第一阻抗层连接所述第 一金属电极；所述第一金属挡墙具有缺口，所述第二金属电极和所述第三金属电极自所述 缺口位置延伸出所述半导体区块。作为可选的技术方案，上述的晶体管包括覆盖所述半导体区块的第二阻抗层； 对应所述半导体区块设置在所述第二阻抗层上的金属区块；围绕所述半导体区块边缘设置 的第二金属挡墙，所述第二金属挡墙穿过所述第二阻抗层连接所述金属区块。作为可选的技术方案，上述第一金属挡墙与所述第二金属挡墙相互衔接。作为可选的技术方案，上述基板为玻璃基板。作为可选的技术方案，上述半导体区块为参杂非晶硅区块。本发明的另一个目的是提供一种显示面板，其包括基板；至少一条数据线；至少 一条扫描线；至少一个像素电极；至少一个晶体管。所述晶体管包括设置在所述基板上的 第一金属电极；覆盖所述第一金属电极的第一阻抗层；对应所述第一金属电极设置在所述 阻抗层上的半导体区块；设置在所述半导体区块上的第二金属电极和第三金属电极；围绕 所述半导体区块边缘设置的第一金属挡墙，所述第一金属挡墙穿过所述第一阻抗层连接所 述第一金属电极；所述第一金属挡墙具有缺口，所述第二金属电极和所述第三金属电极自所述缺口位置延伸出所述半导体区块；所述第一金属电极连接所述扫描线；所述第二金属 电极连接所述数据线；所述第三金属电极连接所述像素电极。作为可选的技术方案，上述的显示面板包括
覆盖所述半导体区块的第二阻抗层；对应所述半导体区块设置在所述第二阻抗层上的金属区块；围绕所述半导体区块边缘设置的第二金属挡墙，所述第二金属挡墙穿过所述第二 阻抗层连接所述金属区块。作为可选的技术方案，上述第一金属挡墙与所述第二金属挡墙相互衔接。作为可选的技术方案，上述基板为玻璃基板。作为可选的技术方案，上述半导体区块为参杂非晶硅区块。与现有技术相比，本发明的好处在于晶体管结构中的第一金属电极及第一金属挡 墙对半导体区块形成了一个屏蔽壳，大大降低了碱金属离子扩散进半导体区块的机会。
图1绘示一个液晶显示面板的一个基板的俯视示意图；图2是图1中显示面板的一个显示像素的原理图；图3、图5、图8及图12绘示本发明第一种实施方式的显示面板的像素在制造过程 中的不同阶段的俯视示意图；图4绘示图3中像素沿AA线的正视剖面图；图6绘示图5中像素沿BB线的正视剖面图；图7绘示图5中像素沿CC线的正视剖面图；图9绘示图8中像素沿DD线的正视剖面图；图10绘示图8中像素沿EE线的正视剖面图；图11绘示本发明另一种实施方式的像素的正视剖面图；图13绘示图12中像素沿FF线的正视剖面图。
具体实施方式下面结合显示面板的制造过程对本发明的晶体管及包含其的显示面板结构进行 说明。图3绘示本发明第一种实施方式的显示面板的像素在制造过程中的一个阶段的俯视 示意图，图4绘示图3中像素沿AA线的正视剖面图。如图3和图4所示，首先在基板20 (例 如玻璃基板)上生成扫描线21及晶体管的第一金属电极(栅极)22，扫描线21与第一金 属电极22连接，它们可以是使用相同材料在一次溅镀及蚀刻工序中同时形成的；然后形成 覆盖所述第一金属电极22的第一阻抗层23，在阻抗层23上要形成凹槽26，一般第一阻抗 层23为透明材料制成；然后形成对应所述第一金属电极设置在所述阻抗层上的半导体区 块25 (例如为参杂非晶硅区块)；凹槽26围绕半导体区块25的边缘。图5绘示本发明一种 实施方式的显示面板的像素在制造过程中的再一个阶段的俯视示意图，图6绘示图5中像 素沿BB线的正视剖面图，图7绘示图5中像素沿CC线的正视剖面图。如图5至图7所示， 在阻抗层23上形成数据线31，所述半导体区块上设置晶体管的第二金属电极32 (源极)和 第三金属电极33 (漏极)，数据线31与第二金属电极32连接。在凹槽26内注入金属，形成围绕所述半导体区块25边缘设置的第一金属挡墙28，第一金属挡墙28穿过第一阻抗层23 连接第一金属电极22。如图所示，第一金属挡墙28具有缺口，第二金属电极32和第三金 属电极33自缺口位置延伸出所述半导体区块25 ；数据线31、第二金属电极32、第三金属电 极33和第一金属挡墙28可以是使用相同材料在一次溅镀及蚀刻工序中同时形成的。图8 绘示本发明第一种实施方式的显示面板的像素在制造过程中的再一个阶段的俯视示意图， 图9绘示图8中像素沿DD线的正视剖面图，图10绘示图8中像素沿EE线的正视剖面图； 如图8至10所示，进一步在图5的基础上形成覆盖半导体区块25的第二阻抗层41，第二 阻抗层上也形成围绕半导体区块25边缘的凹槽并注入金属，形成第二金属挡墙42 ；同时对 应所述半导体区块25位置在所述第二阻抗层41上设置金属区块45，第二金属挡墙42穿 过第二阻抗层41连接金属区块45。在本实施方式中，第一金属挡墙28与第二金属挡墙42 相互衔接。这样，第一金属电极22、第一金属挡墙28、第二金属挡墙42及金属区块45形成 了一个围绕半导体区块25的屏蔽壳，可以达到阻挡碱金属离子进入的效果。需要说明的是 在其它实施方式中，第二阻抗层41、第二金属挡墙42及金属区块45不是必须的，因为第一 金属挡墙28、第二金属挡墙42已经可以起到一定的隔离来自基板20的离子的作用。
图11绘示本发明另一种实施方式的像素的正视剖面图，其与图9所示实施方式的 差异仅在于第二金属挡墙的位置，因此其余元件沿用图9中的标号。本实施方式中的第二 金属挡墙42’位于第一金属挡墙28外侧而不衔接，并有部分长度与第一金属挡墙28重叠， 同样可以起到阻止离子进入的作用。本实施方式的好处在于对第二金属挡墙42’与第一金 属挡墙28的对位准确度要求不像图9中实施方式那么高。图12绘示本发明第一种实施方式的显示面板的像素在制造过程中的又一个阶段 的俯视示意图，图13绘示图12中像素沿FF线的正视剖面图。如图12和13所示，在金属 区块45及第二阻抗层41上生成第三阻抗层58 ；在第三阻抗层58上生成像素电极51，像素 电极51通过通孔55连接第三电极33。
权利要求
一种晶体管，其特征在于包括基板；设置在所述基板上的第一金属电极；覆盖所述第一金属电极的第一阻抗层；对应所述第一金属电极设置在所述阻抗层上的半导体区块；设置在所述半导体区块上的第二金属电极和第三金属电极；围绕所述半导体区块边缘设置的第一金属挡墙，所述第一金属挡墙穿过所述第一阻抗层连接所述第一金属电极；所述第一金属挡墙具有缺口，所述第二金属电极和所述第三金属电极自所述缺口位置延伸出所述半导体区块。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于包括 覆盖所述半导体区块的第二阻抗层；对应所述半导体区块设置在所述第二阻抗层上的金属区块；围绕所述半导体区块边缘设置的第二金属挡墙，所述第二金属挡墙穿过所述第二阻抗 层连接所述金属区块。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于所述第一金属挡墙与所述第二金属挡墙 相互衔接。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于所述基板为玻璃基板。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于所述半导体区块为参杂非晶硅区块。
6.一种显示面板，其特征在于包括 基板；至少一条数据线；至少一条扫描线；至少一个像素电极；至少一个晶体管，所述晶体管包括设置在所述基板上的第一金属电极；覆盖所述第一金属电极的第一阻抗层；对应所述第一金属电极设置在所述阻抗层上的半导体区块；设置在所述半导体区块上的第二金属电极和第三金属电极；围绕所述半导体区块边缘设置的第一金属挡墙，所述第一金属挡墙穿过所述第一阻抗 层连接所述第一金属电极；所述第一金属挡墙具有缺口，所述第二金属电极和所述第三金属电极自所述缺口位置 延伸出所述半导体区块；所述第一金属电极连接所述扫描线； 所述第二金属电极连接所述数据线； 所述第三金属电极连接所述像素电极。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于包括 覆盖所述半导体区块的第二阻抗层；对应所述半导体区块设置在所述第二阻抗层上的金属区块；围绕所述半导体区块边缘设置的第二金属挡墙，所述第二金属挡墙穿过所述第二阻抗 层连接所述金属区块。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于所述第一金属挡墙与所述第二金属挡 墙相互衔接。
9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于所述基板为玻璃基板。
10.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于所述半导体区块为参杂非晶硅区块。
全文摘要
一种晶体管及包含其的显示面板，涉及半导体器件领域。本发明的晶体管可以降低碱金属离子扩散进半导体区块的机会，其包括基板；设置在所述基板上的第一金属电极；覆盖所述第一金属电极的第一阻抗层；对应所述第一金属电极设置在所述阻抗层上的半导体区块；设置在所述半导体区块上的第二金属电极和第三金属电极；围绕所述半导体区块边缘设置的第一金属挡墙，所述第一金属挡墙穿过所述第一阻抗层连接所述第一金属电极；所述第一金属挡墙具有缺口，所述第二金属电极和所述第三金属电极自所述缺口位置延伸出所述半导体区块。
文档编号H01L27/12GK101847660SQ200910127789
公开日2010年9月29日 申请日期2009年3月23日 优先权日2009年3月23日
发明者曹俊杰, 游秉丰 申请人:友达光电股份有限公司