专利名称：用于清洗喷涂含硅的底部抗反射涂层的管路的方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造工艺，特别涉及用于清洗喷涂含硅的底部抗反射涂层的管 路的方法。随着集成电路的不断发展，晶体管的最小线宽不断缩小，首先要求光刻工艺定义 的线条越来越窄，当然对刻蚀工艺的要求也越来越高。为了满足光刻的要求，除了在光刻机 设备方面的不断升级换代以外，人们还使用了其它的技术来提高光刻的质量和精度，使用 抗反射涂层(ARC)就是其中之一。ARC的作用是防止光线通过光刻胶后在衬底界面发生 反射，这是因为返回光刻胶的反射光线会与入射光线发生干涉，导致光刻胶不能均勻曝光。 ARC的发展经过了顶部抗反射层(TARC)和底部抗反射层(BARC)两个阶段。目前主要使用 的是BARC，而BARC又分为有机BARC和无机BARC两种。其中有机BARC具有以下优点成 本低、折射率重复性好、平面性好。而且对于有机BARC层，易于实现工艺的返工。传统的单层有机BARC可能无法在所有的角度下使反射率保持在1 %以下，因此提 出双BARC层工艺，使用该工艺能够使反射率得到控制。如图IA所示，在需要进行光刻的 器件层101上旋涂第一有机BARC层102，在第一有机BARC层102上旋涂第二有机BARC层 103，在第二有机BARC层103上涂敷一层光刻胶层104。之后进行相应的光刻工艺。但是， 这种结构的缺点在于，由于BARC与光刻胶同为有机物质，因此在刻蚀时存在蚀刻选择比较 低的问题，会造成“吃胶”现象。此外，还会造成一定的关键尺寸(CD)损失。为了克服上述 问题，提出了一种通过向普通的BARC中掺杂硅以提高BARC层蚀刻选择比的新材料，即含硅 的底部抗反射涂层(Si-BARC)。这种Si-BARC材料的分子通式例如
权利要求
1.一种用于清洗喷涂含硅的底部抗反射涂层的管路的方法，所述方法包括用含有氢氟 酸和氟化铵的溶液对所述管路进行清洗。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶液中氟化铵的浓度为35%-38%。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶液中氢氟酸的浓度为0.3% -5%。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶液中氢氟酸与氟化铵的质量比为 1:6-1: 120。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶液中含有35.2%的氟化铵和4. 9%的氢氟酸。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶液中含有37.7%的氟化铵和0. 35%的氢氟酸。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶液在20°C_25°C的温度下配制。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述溶液在23°C下配制。
全文摘要
本发明公开了一种用于清洗喷涂含硅的底部抗反射涂层的管路的方法，所述方法包括用包含氢氟酸与氟化铵的溶液对所述管路进行清洗。所述溶液中氟化铵的浓度为35％-38％，氢氟酸的浓度为0.3％-5％。所述溶液中氢氟酸与氟化铵的质量比为1∶6-1∶120。根据本发明的清洗方法，既能够彻底去除Si-BARC形成的絮状结晶物，消除Si-BARC缺陷，提高器件的良品率，又能够不破坏生产管路，避免形成Si-BARC絮状结晶物后需重新形成Si-BARC层，从而造成的生产成本提高。
文档编号H01L21/00GK102085522SQ20091020001
公开日2011年6月8日 申请日期2009年12月4日 优先权日2009年12月4日
发明者任亚然, 刘思南, 安辉, 黄宜斌 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司