专利名称:一种制备多晶硅薄膜的装置的制作方法
技术领域:
本实用新型涉及一种制备多晶硅薄膜的装置,尤其涉及一种制备低温多晶硅的多
晶硅薄膜的组合型装置。
背景技术:
—般的液晶显示器由于基本材质的限制,例如玻璃基板等,其中的薄膜晶体管的 制作过程需要在较低的温度下进行,因此在液晶显示器中的薄膜晶体管又称为低温多晶硅 晶体管。现有低温多晶硅晶体管的制作过程中,多晶硅的形成方法包括利用电浆化学气相 沉积法和物理气相沉积法,它们各有优缺点。 电浆化学气相沉积法是先在基板上形成一层缓冲层,再于缓冲层上形成一层非晶
硅薄膜,然后利用加热烘烤降低非晶硅薄膜中的氢含量,以避免后续的激光制程期间发生
剥离现象。最后,由准分子激光照射去氢后的非晶硅薄膜,以形成多晶硅薄膜。 物理气相沉积法中的溅镀法虽然可以大幅度降低非晶硅薄膜中的氢含量,,而提
升准分子回火制程限度,但若同样以溅镀法形成缓冲层,则无法形成膜质良好的缓冲层,故
元件特性也会受到不良的影响。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种既能形成无氢的非晶硅薄膜,又能形成
膜质良好的缓冲层的一种制备低温多晶硅的多晶硅薄膜的装置。 为了解决上述技术问题,本实用新型通过以下的技术方案予以实现 —种制备多晶硅薄膜的装置,包括一个中转工作室,所述中转工作室分别连接有
一个化学气相沉积工作室、一个物理气相沉积工作室和第一加载互锁真空腔体。 中转工作室还连接有第二加载互锁真空腔体。 所述中转工作室内部为真空状态。 本实用新型的有益效果是 本实用新型是结合了化学气相沉积和物理气相沉积两种不同制作过程的装置。因 为由化学气相沉积工作室制作的非晶硅薄膜的缓冲层具有良好膜质,而用物理气相沉积制 作的非晶硅薄膜的含氢量非常低,因此本实用新型可以在形成无氢的非晶硅薄膜的情况 下,同时形成膜质良好的缓冲层。另外,由于本实用新型在缓冲层沉积与非晶硅薄膜沉积之 间使用保持真空状态的中转工作室,所以又确保了缓冲层与非晶硅薄膜之间的界面特性。
图1是本实用新型一种实施例的结构示意图。 图中中转工作室——l,化学气相沉积工作室——2,一个物理气相沉积工作 室——3,第一加载互锁真空腔体——4,第二加载互锁真空腔体——5。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步的详细描述 如图1所示,本实用新型是结合化学气相沉积工作室2和物理气相沉积工作室3
于同一装置中的制备低温多晶硅的多晶硅薄膜的组合型装置。 本装置将一个中转工作室1设置于中间,所述中转工作室1分别连接有一个化学 气相沉积工作室2、一个物理气相沉积工作室3和第一加载互锁真空腔体4。其中,中转工作 室1用于在各工作室之间转移基板。化学气相沉积工作室2用于执行电浆化学气相沉积。 物理气相沉积工作室3用于执行物理气相沉积,例如溅镀法。 所述中转工作室1可以连接有一个或者两个加载互锁真空腔体4,即可以在连接 有第一加载互锁真空腔体4的基础上再连接第二加载互锁真空腔体5。所述第一加载互锁 真空腔体4自身可以通过传输工具的配合实现输入、输出基板的功能,也可以第一加载互 锁真空腔体4和第二加载互锁真空腔体5配合实现输入、输出基板的功能。 下面简述本实用新型的工作过程当基板进入第一加载互锁真空腔体4中后,会 经由中转工作室1进入化学气相沉积工作室2,以进行低温多晶硅晶体管的缓冲层沉积过 程,待缓冲层沉积完毕之后,基板会由中转工作室1从化学气相沉积工作室2传送出来,再 进入物理气相沉积工作室3进行另一制备过程,在缓冲层上形成一层非晶硅薄膜,之后再 经由中转工作室l输送至第二加载互锁真空腔体5中,待移出整个装置。最后,可以对形 成有非晶硅薄膜的基板进行准分子激光回火,以便使其中的非晶硅薄膜转变成为多晶硅薄 膜。 尽管上面结合附图对本实用新型的优选实施例进行了描述,但是本实用新型并不 局限于上述的具体实施方式
,上述的具体实施方式
仅仅是示意性的,并不是限制性的,本领 域的普通技术人员在本实用新型的启示下,在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的 范围情况下,还可以作出很多形式的变换,这些均在本实用新型的保护范围之内。
权利要求一种制备多晶硅薄膜的装置,其特征在于,包括一个中转工作室,所述中转工作室分别连接有一个化学气相沉积工作室、一个物理气相沉积工作室和第一加载互锁真空腔体。
2. 根据权利要求1所述的一种制备多晶硅薄膜的装置,其特征在于,中转工作室还连 接有第二加载互锁真空腔体。
3. 根据权利要求1或2所述的一种制备多晶硅薄膜的装置,其特征在于,所述中转工作室内部为真空状态。
专利摘要本实用新型公开了一种制备多晶硅薄膜的装置,包括一个中转工作室,所述中转工作室分别连接有一个化学气相沉积工作室、一个物理气相沉积工作室和第一加载互锁真空腔体,中转工作室还可以连接有第二加载互锁真空腔体,所述中转工作室内部为真空状态。本实用新型既能形成无氢的非晶硅薄膜,又能形成膜质良好的缓冲层。
文档编号H01L21/203GK201444476SQ200920028480
公开日2010年4月28日 申请日期2009年7月2日 优先权日2009年7月2日
发明者刘丰 申请人:济宁凯伦光伏材料有限公