第二代高温超导线材的熔融扩散接合方法

文档序号:7205502阅读:356来源:国知局
专利名称:第二代高温超导线材的熔融扩散接合方法
技术领域
本发明涉及一种包括基板部、缓冲层、超导体层及稳定化材料层的第二代高温超 导线材的接合方法,具体涉及一种直接对接接合第二代高温超导线材的超导体层,使其在 氧分压的调节下进行熔融扩散而连接成一条的、第二代高温超导线材的熔融扩散接合方 法。本发明公开的第二代高温超导线材的熔融扩散接合方法将氧分压控制到接近于 真空的状态而降低共熔点(eutectic melting point),调节对接第二代高温超导线材而进 行熔融扩散(melting diffusion)的氧分压。而且,本发明公开的第二代高温超导线材的熔融扩散接合方法对接由于蚀刻超导 线材稳定化材料层而暴露的超导体层且用支架固定之后,熔融扩散被固定的部分,并在有 il^F^T^iliift. (oxygenation EinneEiling)。
背景技术
通常情况下,在以下情况下需要接合超导线材。第一,盘绕线圈时,由于超导线材 长度短而需要接合线材来制作长线材;第二,相互连接盘绕超导线材的线圈时,需要接合超 导磁铁线圈;第三,制作永久电流模式磁铁系统时,制作超导闭合回路(closed loop)需要 连接两个端子末端。特别是,运行永久电流模式时必备的超导应用机械中,为了连接超导线材使用,所 连接的超导线材必须连接成像使用一条线材那样,以此保证连接所有线圈之后能够无损 失地运行。例如,核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance,NMR)、磁共振成像(Magnetic Resonance Imaging, MRI)及超导储能装置(Superconducting Magnet Energy Storage, SMES)系统等超导磁铁及超导应用机械。可是,通常情况下,由于超导线材之间接合部位的性能弱于没有接合的线材,运行 永久电流模式时,临界电流很大程度上依赖于接合部。因此,提高超导线材之间接合部位的 临界电流特性对于永久电流模式型超导应用机械的制造非常重要。可是,高温超导带状线 材与低温超导线材不同,由于其超导体是陶瓷,很难实施维持超导状态的接合。以下参考图1和图2详细说明现有第二代高温超导线材的接合方法。图1为第二代高温超导线材(YBCO-CC)结构图。图2是图示通常第二代高温超导线材(YBCO-CC)常导接合的截面图以及图示电流 流动的图。如图1所示,第二代高温超导线材10呈多层结构,是一种呈带状的线材。超导线 材10的多层结构包括基板部11 (substrate)、缓冲层12 (Buffer Layer)、超导体层13以及 稳定化材料层14。基本部11由Ni或者Ni合金等金属系物质材质组成,且通过轧制及热处理形成立 方织构(Cube texture)而成。缓冲层12采用&02、Ce02、YSZ、Y2O3或者HfO2等材质以单层或者多层方式按照外延法(Epitaxial)层叠在基板11上。超导体层13由代表YBa2Cu3CVx系的氧化物超导物质组成。即,Y Ba Cu的摩 尔比例是1 2 3,对其产生的氧(0)的摩尔比例通常要达到6. 4至7。改变组成超导体 层13的氧化物超导体的氧数量时,超导体层13的特性也会发生很大的变化。因此,要保持 均衡的上述氧的摩尔比例。稳定化材料层14层叠在超导体层13的上面,起到过载电流时保护超导体层13等 稳定超导体层13电气性能的作用。为了过载电流时保护线材,由电阻相对低的金属物质组 成稳定化材料层14。例如,可以采用银或者铜等电阻低的金属物质,也可以采用不锈钢等。图2图示了图1中接合第二代高温超导线材的现有技术。如图2所示,采用蚀刻 法等去除超导体层13中要连接的部位的稳定化材料层14,且以包括焊料(solder) 15,在内 的常导体层物质为介质接合其之间。此时,电流的流动16必然经由常导体层而无法避免地 发生接合阻抗。电流流动时,接合阻抗会产生热,这必然会使接合部位升温。情况最糟糕时,由于 升温,可以使在低温状态下呈现超导特性的超导体转变为常导体。即使不发生如此严重的 后果,也会消耗很多降温所需冷却费用。更重要的是,此时,由于接合采用焊接(Soldering)等阻抗接合,接合部位仍然会 存在阻抗。因此,无法进行严格意义上的永久电流模式运行。如果结晶具有取向地生长,则第二代高温超导线材的材料(Y123等YBCO物质)具 有临界电流相对高的特性。因此,如果想直接接触两条第二代线材而接合,则需要从高温到 熔点实施热处理的工序,以便接合部分中相互不同的两条线材也相互具备结晶取向性。可 是,在高温环境下对于YBCO物质实施到熔点为止的热处理时,由于实施上述热处理的温度 过高,有时包含在第二代高温超导线材YBCO-CC的银(Ag)等首先被熔融。此时,不能在高 温实施热处理。而且,要对两条第二代线材的直接接合部位实施熔融工序处理(melt-textured process),必须在高温环境下实施热处理(Heat Treatment)。可是,由于需要对制造的高温 超导线材的整个接合部位实施热处理,因此层叠在第二代高温超导线材的稳定化材料层14 等因热处理产生的高温而有可能会被污染及变形。

发明内容
为了解决以上问题,本发明提供一种直接对接熔融由基板部、缓冲层、超导体层及 稳定化材料层组成的两条第二代高温超导线材的超导体层使其熔融扩散而连接成一条线 材的第二代高温超导线材的熔融扩散接合方法。为了实现上述目的,本发明提供一种接合包含超导体层和稳定化材料层的第二代 高温超导线材的熔融方法,该第二代高温超导线材的熔融扩散接合方法的特征在于,包括 (a)去除两条所述第二代高温超导线材所包含的稳定化材料层的一部分的步骤、(b)对接 因去除所述稳定化材料层而暴露的两条所述第二代高恩超导线材的超导体层而固定的步 骤;(c)加热到所述超导体层的熔点(melting point)为止,使得熔融所述对接超导体层熔 融扩散而接合两条所述第二代高温超导线材的步骤;以及(d)在有氧环境下氧化所述接合 部分的步骤。
而且,所述接合两条第二代高温超导线材的步骤控制氧分压到所述超导体层的熔 点低于所述稳定化材料层的熔点为止,且在上述已控制氧分压的环境下接合所述两条第二 代高温超导线材。另外,所述去除稳定化材料层的一部分的步骤包括(al)利用抗蚀剂(resist)在 所述稳定化材料层上形成图案而暴露所述稳定化材料层的一部分的步骤;和(a2)采用蚀 刻法去除所述一部分被暴露稳定化材料层的步骤。而且,在所述去除稳定化材料层的一部分的步骤中,去除从所述第二代高温超导 线材的末端到距离所述末端规定间距的部分之间的区域中存在的稳定化材料层;在所述对 接两条第二代高温超导线材的超导体层并固定的步骤中,使一条第二代高温超导线材的末 端接触到另一条第二代高温超导线材的成梯状部分且超导体层相互紧贴而达到固定的目 的。根据本发明一实施例,在对接两条所述第二代高温超导线材的超导体层而固定的 步骤中,使两条所述第二代高温超导线材的超导体层相互接触之后,利用上下两个金属板 和紧固所述两个金属板的紧固工具来紧固所述两个金属板。而且,所述上下两个金属板和所述紧固工具是由在1,000°C以上温度下也具有耐 热性的物质制成。根据本发明另一实施例,所述在有氧环境下实施氧化的步骤在450-650°C温度环 境下向炉(furnace)内部持续循环性地注入氧气。另外,在所述有氧环境下实施氧化的步骤中,以构成所述超导体层的Y(钇)、 Ba(钡)和Cu(铜)分别是1、2、3摩尔时为基准,在有氧环境下实施氧化到0(氧气原子) 成为6. 4 7摩尔时为止。本发明无需中间介质直接对接超导体层而实施熔融扩散,这与常导接合相比,几 乎不发生接合阻抗也可以制作出长度足够的线材。而且,本发明在高温环境下实施熔融扩 散之后在有氧环境下实施氧化并补充在高温环境下实施熔融扩散的过程中损耗的氧气来 维持超导体的特性。另外,本发明将氧分压控制到接近于真空的状态而降低共熔点,从而熔 融使得含有银(Ag)等的稳定化材料层等即使不被熔融也能够接合。


图1为第二代高温超导线材(YBCO-CC)结构图。图2是图示通常第二代高温超导线材(YBCO-CC)常导接合的截面图以及图示电流 流动的图。图3是图示本发明一实施例中通过调节氧分压来实施第二代高温超导线材的熔 融扩散接合方法的流程图。图4是图示本发明一实施例中超导线材一端去除稳定化材料层之后的第二代高 温超导线材(YBCO-CC)的图。图5是图示本发明一实施例中对接两条超导线材时的图。图6是本发明一实施例中对接两条超导线材而固定的支架的结构图。图7至图10是图示随着氧分压的变化而变化的Y123_Ag及Ag熔点的图表。图11是图示根据氧气含量的、超导线材(YBCO-CC)晶格常数(LatticeParameter)变化的图表。
<附图主要部分的符号说明>
lo120超导线材;1112l基板部;
12122缓沖层;13123超导体层;
14124稳定化材料层;15焊料(S。lder);
25成梯状部分;
30支架;3l金属板;
32紧固孔;33螺栓;
34螺母。
具体实施方式
以下通过优选实施例进一步详细说明本发明。本领域的技术人员应当理解以下实施例仅用以具体说明本发明而非限制本发明。具体说明本发明时,相同部分采用了相同的符号且省略了对其反复说明。
图3是图示本发明一实施例中通过调节氧分压来实施第二代高温超导线材的熔融扩散接合方法的流程图。
图4是图示本发明一实施例中超导线材一端去除稳定化材料层之后的第二代高温超导线材(YBC。一CC)的图。本发明一实施例中第二代高温超导线材20包括基板部2l1缓沖层221超导体层23以及稳定化材料层24。
如图3所示,本发明一实施例第二代高温超导线材的接合方法中,在步骤lo中蚀刻两条超导线材20的一端而去除稳定化材料层(Slo),在步骤20中对接因去除稳定化材料层24而暴露的超导体层23之后用支架加以固定(S20),在步骤30中将上述已固定部分投放到炉里且在调节氧分压的状态下加热到超导体层熔点而实施熔融扩散来进行接合(S30),在步骤40中在有氧环境下氧化所述接合部分(S40)。以下参考图4至图6详细说明以上各个步骤。[ooso] 步骤lo是蚀刻两条线材20的各条一端的给定长度部分而去除稳定化材料层24的工序(Slo)。优选地,步骤lo包括(a1)将抗蚀剂(reSiSt)涂布到自超导线材条20一端相隔给定长度的成梯状部分25的内侧部分的步骤和(a2)采用蚀刻法去除从超导线材条一端20的末端到与其相隔个定长度的成梯状部分25的稳定化材料层的步骤。第二代高温超导线材(YBC。一CC,20)中,形成可以流动永久电流的超导体的超导体层23层叠在缓沖层22和稳定化材料层24等常导体层之间。因此,现有技术不能实现超导体之间的接合。
为了实现超导体之间的接合,首先要实施去除覆盖超导体层23的常导体层而暴露超导体层23的工序。优选地,采用光学方法或者化学方法去除覆盖超导体层23的稳定化材料层24而暴露超导体层23。图4图示了去除要接合的部分的稳定化材料层24而暴露超导体层23时的状态。
采用化学方法去除稳定化材料层24时,可以利用蚀刻法。首先,将抗蚀剂(reSiSt)涂布到除了要去除的稳定化材料层24之外的部分。要接合的部分是从超导线材20的末端到与超导线材20的末端相隔给定长度的成梯状部分25,因此,将抗蚀剂涂布到除了要接合的部分之外的稳定化材料层24上。如图4所示,附图符号25所指出的位置就是自超导线材20的末端相隔给定长度的部分。所以,从附图符号25开始向超导线材20末端 的反方向涂布抗蚀剂。涂布抗蚀剂之后,采用蚀刻药剂和蚀刻法蚀刻稳定化材料层24。蚀刻药剂是可以 蚀刻组成稳定化材料层24的物质的化学物质。对于该蚀刻药剂,根据组成稳定化材料层24 的物质选择可以蚀刻上述物质的药剂。所述蚀刻法是本领域公开技术,在此不再做出具体 的说明。另外,本发明将去除超导线材稳定化材料层24的工序并不限定于蚀刻工序。艮口, 只要是可以去除稳定化材料层24的一部分的技术,均可采用。图5是图示本发明一实施例中对接两条超导线材时的图,图6是本发明一实施例 中对接两条超导线材而固定的支架的结构图。以下参考图3和图4乃至图6进一步详细说 明步骤20。步骤20是相互层叠两条超导线材20的一端且用支架30加以固定,并对接因去除 稳定化材料层24而暴露的超导体层23而固定的工序(S20)。优选地,步骤20中,用支架 30加以固定,以使一条超导线材20的末端接触到另一条超导线材的成梯状部分25且超导 体层23相互紧贴。优选地,支架30包括上下两个金属板31以及紧固上述两个金属板31的紧固工 具。步骤20中,将接触的两条超导线材20介于上下两个金属板31之间,采用紧固工具紧 固两个金属板31。特别是,优选地,支架30由至少在1,000°C温度环境下具有耐热性的物 质制造而成。即,如图5所示,将上述去除稳定化材料层24后的两条超导线材20进行对接 而使其层叠。此时,一条超导线材20的末端接触到另一条的成梯状部分25。两条超导线材 20均以相同的给定长度去除稳定化材料层24时,两条被暴露超导层23可以紧密接触。其次,如图6所示,将稳定化材料层24被蚀刻的超导线材20的超导体层23面对 面地摆放在一起之后,用支架30进行固定。S卩,支架30包括面对面的两个金属板31、将紧 固工具连接到金属板31的紧固孔32以及作为紧固工具的螺栓33和螺母34。S卩,穿过紧固 孔32锁紧螺栓33和螺母34,使超导线材相互接触而加以固定。所有的支架30都要承受高温环境下的热处理,因此,需要采用耐热性强的物质来 制作。特别是,由于在800°C以上的高温环境下实施熔融扩散,优选地,具备可以承受至少 1,000°C以上温度的耐热性。由于上述接合在超导体层23之间不存在常导层,可以防止由接合阻抗引起的焦 耳热(Joule' s heat)和硬化(Quench)现象。步骤30是将步骤20固定的部分投放到炉里且在氧分压为真空的状态下加热到超 导体层23的超导体熔点,从而使熔融对接超导体层进行熔融扩散的工序(S30)。此时的真 空状态包括接近于真空的状态。优选地,将上述接近于真空的状态设置成IOPa左右以下的 分压状态。即,在上述步骤20用支架30固定的两条超导线材20投放到炉里,诱导超导体 层23之间通过熔融扩散的接合。此时,利用因氧分压而发生的物质熔点变化来调节用于诱导通过熔融扩散接合时 所需的温度。即,调节融化扩散所需加热温度的原因在于,在加热温度可能会发生除了超导 体层23之外的其它部分(或者层)因高温被变形或者污染的情况。例如,在大气压状态(Po2 of 21. 3kPa)下,第二代高温超导线材的超导体物质 YBCO在980°C附近开始熔融。即,YBCO的熔点是大约980°C。因此,为了使熔融在步骤20固定的超导线材的部分26熔融扩散,需要加热到980°C左右。可是,经常使用于稳定化材料层24物质的银(Ag)在大气压状态(Po2 of21. 3kPa) 中的共熔点是935°C至940°C。因此,为了使熔融超导体线材的部分26熔融扩散而加热到 980°C左右时,银(Ag)首先被熔融。即,热处理超导线材的过程中,超导体层23还没有接合 时,银(Ag)已经被熔融,从而发生种种弊端。因此,稳定化材料层24内含有银(Ag)时,应该熔融银(Ag)不被熔融的基础上使 熔融超导体层23熔融扩散。为此,处于氧分压接近于真空的状态时,利用Y123_Ag的熔点出现在低于Ag的 共熔点的温度的特性。即,可以在真空状态下Y123-Ag处于熔点时实施热处理,从而通过 Y123-Ag的扩散或者熔融进行接合。此时,由于实施热处理的温度(或者Y123-Ag的熔点) 低于Ag的共熔点,Ag不会发生熔融。以下参考图7至图10详细说明根据氧分压Y123_Ag和Ag的熔点相互交叉。图7 和图8是图示大气压中熔点变化的图表,图9和图10是图示氧分压低时熔点变化的图表, 图8和图10是扩大图7和图9的特定温度区间(900 1000°C )的图表。如图7和图8所示,大气压中,银(Ag)的共熔点在峰值位置(图8中b位置)上 为935 940°C,Y123-Ag的共熔点在峰值位置(图7b中c位置)上为990°C。S卩,Y123_Ag 的熔点高于银的熔点。与此相反,如图9和图10所示,氧分压处于0. 55kPa时,银(Ag)的共熔点即在第 三个峰值位置(图10中b位置)上为960°C,Y123-Ag熔点的第二峰值(图10中c位置) 上为950 9550C ο即,Y123-Ag的熔点低于银的熔点。其详细对比结果请参考表1。表1
大气压真空状态Y123-Ag980950 955Ag935 940960以上表1的结果是经过实验得出的数据,根据Y123_Ag的状态,S卩,Ag的含量等, 检测的温度也有所不同。另外,根据Ag的状态或者实验条件,实验结果也会有所不同。因此,即使由于超导体的形态(例如,堆积型(bulk type)或者薄膜型等)或者 Ag的状态在温度上存在差异,仍然可以适用本发明,而且,本发明还将其温度范围也包括在 内。本发明一实施例利用Y123_Ag和Ag的熔点(或者共熔点)随着氧分压相互反转的现 象。简言之,通过降低氧分压实施热处理,从而在不受到Ag熔点影响下能够接合超导体层。步骤40在450 650°C有氧环境下,氧化步骤30的接合部分(S40)。优选地,步骤 40将氧气持续循环性地注入到炉内部。特别是,步骤40以组成超导体层的Y(钇)、Ba(钡) 和Cu(铜)分别是1、2、3摩尔时为基准,引导周边氧气原子扩散(in-diffusion)到超导体 内部而实施氧化到0(氧气原子)成为6. 4 7摩尔时为止。超导体层13由代表YBa2Cu3CVx的氧化物超导物质组成。即,Y Ba Cu的摩尔
8比例是1 2 3,对其产生的氧气(0)的摩尔比例通常要达到6. 4至7。可是,在步骤30中,为了实施热处理而维持900°C以上高温时,在如此高的温度环 境下氧气(0)从组成超导体层23的YBa2Cu3CVxW结构中脱离。氧气一脱离,对于摩尔比例 为1 2 3的Y Ba Cu产生的氧气(0)的摩尔比例通常要降低到6. 4以下。此时,超导体层23的相由超导状态正交晶(orthorhombic phase)结构转移到常 导状态正方晶格(tetragonal)结构。即,超导体层23会失去超导性。以下参考图11详细说明上述超导体层23的结构变化。如图11所示,根据氧气 的含量,YBa2Cu307_x系超导物质的晶格常数(Lattice Parameter)也会发生变化。图11 图表中,χ轴表示氧气含量,y轴表示各个晶格常数的数据。特别是,χ轴的氧气含量是在 YBa2Cu307_x中显示7-X的数值。图11中,氧气含量少于6.4时,晶格常数a和b相同。即,晶格常数a和b相同是 指构成正方晶格结构,表示会失去超导性。简言之,为了改变Y123和Ag的熔点,在真空状 态的高温环境下实施热处理时,超导体层23由于氧气的损耗引起相的改变而失去超导性。 即,步骤40是为了解决上述问题,在450 650°C左右温度和有氧环境下实施氧化来补充损 耗的氧气而使得恢复超导性的第二道热处理工序。有氧环境是通过将氧气持续循环性地注入到氧化炉内部来做成的。特别是,在 450-650°C左右温度环境下进行热处理而实施氧化的原因在于,在此温度环境下,正交晶最稳定。步骤40需要调节氧化时间,其原因在于超过一定时间而长时间在有氧环境下实 施氧化时反而会提高氧气含量,如果氧化时间不充分,则氧化含量不达标而导致失去超导 性。另外,上述内容说明了由YBa2Cu3CVx系氧化物超导物质组成的超导体层23的上部 设置稳定化材料层24时的实施例,但本发明并不局限在上述实施例。即,与超导线材的基 材或者稳定化材料层的种类无关,只要是可以去除常导层,就可以根据本发明通过热处理 轻而易举地实施超导接合。而且,本发明可以在去除常导层之后通过热处理轻而易举地实 施超导接合,便于制作实际的超导系统。综上所述,以本发明优选实施例为核心详细说明了优选实施例。本发明所属领域 技术人员可以理解,在不脱离本发明实质的范围内可以对本发明进行变形。而且,公开的实 施例仅用以说明本发明而非限制本发明。另外,并非根据上述内容确定本发明的权利要求 范围,而是根据权利要求书确定本发明的权利要求范围,且与其同属于相同范围的所有差 异均应涵盖在本发明当中。产业上的可利用性本发明可以应用于超导线材的接合,尤其应用于接合两条第二 代高温超导线材而连接成一条线材的情况。本发明可以应用于制作所有的开发超导磁铁系 统所需足够长的超导线材。特别是,可以应用于运行MRI、NMR、SMES磁铁系统等永久电流模 式时所需应用机械之中。
权利要求
一种第二代高温超导线材的熔融扩散接合方法,用于接合包含超导体层和稳定化材料层的第二代高温超导线材的,其特征在于,该方法包括(a)去除两条所述第二代高温超导线材所包含的稳定化材料层的一部分的步骤;(b)对接因去除所述稳定化材料层而暴露的两条所述第二代高温超导线材的超导体层并固定的步骤;(c)加热到所述超导体层的熔点,使所述对接的超导体层熔融扩散而接合两条所述第二代高温超导线材的步骤;以及(d)在有氧环境下氧化所述接合部分的步骤。
2.根据权利要求1所述的第二代高温超导线材的熔融扩散接合方法,其特征在于在接合两条所述第二代高温超导线材的步骤中,控制氧分压直到所述超导体层的熔点 低于所述稳定化材料层的熔点为止,且在所述已控制氧分压环境下接合两条所述第二代高 温超导线材。
3.根据权利要求1所述的第二代高温超导线材的熔融扩散接合方法,其特征在于 去除所述稳定化材料层的一部分的步骤包括(al)利用抗蚀剂在所述稳定化材料层上形成图案而暴露所述稳定化材料层的一部分 的步骤;以及(a2)采用蚀刻法去除暴露的所述稳定化材料层的一部分的步骤。
4.根据权利要求1所述的第二代高温超导线材的熔融扩散接合方法,其特征在于在去除所述稳定化材料层的一部分的步骤中,去除从所述第二代高温超导线材的末端 到距离所述末端规定间距的部分之间的区域存在的稳定化材料层;在对接两条所述第二代高温超导线材的超导体层并固定的步骤中,使一条第二代高温 超导线材的末端接触到另一条第二代高温超导线材的台阶状部分,并且使超导体层相互紧 贴并固定。
5.根据权利要求4所述的第二代超导线材的熔融扩散接合方法,其特征在于在对接两条所述第二代高温超导线材的超导体层并固定的步骤中,使所述两条第二代 高温超导线材的超导体层接触之后,利用上下两个金属板和紧固所述两个金属板的紧固工 具来紧固所述两个金属板。
6.根据权利要求5所述的第二代高温超导线材的熔融扩散接合方法,其特征在于所述上下两个金属板和所述紧固工具是由在1,OOO0C以上温度下具有耐热性的物质制成。
7.根据权利要求1所述的第二代高温超导线材的熔融扩散接合方法,其特征在于 在有氧环境下氧化所述接合部分的步骤中,在450-650°C温度下向炉内部持续循环性地注入氧气。
8.根据权利要求1所述的第二代高温超导线材的熔融扩散接合方法,其特征在于 在利用氧化环境来氧化所述接合部分的步骤中,以构成所述超导体层的钇、钡和铜分别是1、2、3摩尔时为基准,在有氧环境下实施氧化直到氧原子成为6. 4 7摩尔为止。
全文摘要
本发明涉及一种包括基板部、缓冲层、超导体层及稳定化材料层的第二代高温超导线材的接合方法。该方法中,去除两条第二代高温超导线材所包含的稳定化材料层的一部分且对接去除稳定化材料层而暴露的两条第二代高温超导线材的超导体层并固定之后,加热到超导体层的熔点使对接的超导体层熔融扩散,从而接合两条第二代高温超导线材。然后,在有氧环境下氧化接合部分而恢复第二代高温超导线材的超导特性。本发明通过上述过程无需中间介质也可以直接对接超导体层来使其进行熔融扩散,这与常导接合相比,可以几乎不存在接合阻抗而制作出长度足够的线材,尤其是,通过使氧分压达到接近真空的状态来降低共熔点,从而使得含有银(Ag)的稳定化材料层即使不被熔融也能够接合。
文档编号H01B12/00GK101971273SQ200980106223
公开日2011年2月9日 申请日期2009年8月4日 优先权日2008年8月4日
发明者吴荣根, 李海根 申请人:K·约恩
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