专利名称：用于高温应用的平面电功率电子模块以及相应的制造方法
用于高温应用的平面电功率电子模块以及相应的制造方法本发明涉及一种根据主权利要求前序部分所述的方法和一种根据并列权利要求 的前序部分所述的电子器件。根据平面连接技术、尤其是针对西门子内部术语SiPLIT下的技术，接触印制导线 的绝缘通过在直接铜键合衬底(Direct Copper Bond-Substraten) (DCB衬底)上的电器件 上施加绝缘膜来实现，其中所述绝缘膜尤其是具有聚合物。这种传统的构造技术和连接技 术，如这例如是SiPLIT、然而同样是键合，能够实现针对热学上要求直到150°C的功率电子 应用的多种变形方案。特别是传统的键合技术是关于功率器件和模块的制造成本方面的标准。此外，存 在多种与键合关联的实施形式，如例如小带键合等等。在制造功率模块时，直接铜键合衬底 基本上通过焊接上电子器件或者芯片和/或表面安装器件(SMD)来装备。对于平面连接技 术，尤其是针对西门子内部术语SiPLIT下的技术，接触印制导线的绝缘和结构化通过施加 激光结构化的绝缘膜来提供。接着，通过结构化过程和电解金属沉积产生电连接，其中所述 电解金属沉积对应于SiPLIT工艺技术。根据现有技术，持续温度可耐受性通过使用聚合物绝缘膜而限制在小于175°C。除了实现技术上的要求和特性之外，存在对于针对大于200°C的应用的功率模块 的要求，这些模块是新的、创新的并且尤其是廉价的。对于大于200°C的温度应用的模块的 要求越来越多。本发明的任务是提供一种针对尤其是大于175°C的温度范围的电子器件、尤其是 功率模块。在此，尤其是电绝缘应当是有效电绝缘的、有效附着的并且热机械稳定的。尤其 是针对功率电子设备应当实现尤其是高温封装，这些高温封装在整个寿命上都是热机械稳 定的。该任务通过一种根据主权利要求的方法和一种根据并列权利要求的装置来解决。对于解决方案，尤其是建议一种仅仅使用无机材料(例如为玻璃或者陶瓷)的模块 构造。通过这种方式，尤其是用于功率电子设备的高温封装通过使用无机绝缘材料或者多 重结合(multigebimdene)的无机绝缘材料来提供，使得实现大的电绝缘、有效的附着和稳 定的热机械特性，其中该功率电子设备在整个寿命上经受高温。在承载膜中进行开口的切除、电子器件的定位和固定，以及例如在承载膜上的引 线框架的定位和固定。此外，在电子器件和例如引线框架以及其他不见之间建立接触。根 据本发明的构造可以优选用于优选针对传统的功率模块以大件数来生产性地批量制造器 件或者模块。通过使用耐受高温的(即具有大于175°C的温度的温度耐受性)、导热的、高度 电绝缘的、结构化的无机材料，可以实现多个优点由于良好的形状配合能力导致的从侧面 也同样的良好的热连接、良好的热管理以及对于高压应用的高的抗电击穿强度。其他优点 是改进的可靠性、降低的损耗功率、高的电流密度、集成能力、紧凑的结构、灵活的布局以及 电磁屏蔽。改进的可靠性实现充分的长时间稳定性。在承载膜中的开口尤其是可以通过激光切割来产生。其他的有利的扩展方案结合从属权利要求来要求保护。
根据一个有利的扩展方案，借助具有至少一种第二无机材料的填充层来填充间隙 以电绝缘。间隙的绝缘通过无机材料进行。填充层具有100微米至400微米的层厚度。尤 其是填充电子器件、承载膜和引线框架之间的间隙。三维成型的引线框架是导电的、尤其 是金属的、三维成型的结构，例如具有格栅的形式，其例如通过成本低廉的冲压、刻蚀和/ 或弯曲例如在卷筒上或者以条的形式来制造。三维成型意味着尤其是从一个平面弯出来。 作为材料合适的优选是Cu合金，例如锡青铜CuSn6或者SB02，即Cu98i^e2。典型的厚度在 0. 2mm至0. 5mm的范围中。不同于这里限定的三维成型的引线框架，同样使用平面的引线框 架。针对三维成型的引线框架和平面的引线框架的总术语是引线框架。在实施例中，三维 成型的引线框架用作冲压弯件或者冲压格栅。根据另一有利的扩展方案，第一和/或第二无机材料是陶瓷高温材料，其尤 其是通过喷射、浸渍或者烧结来提供，更确切地说，尤其是在无机或者有机复合基体 (Verbundmatrix)中来提供。根据另一有利的扩展方案，第一和/或第二无机材料是玻璃(其例如通过在 400°C的温度情况下玻璃焊剂重熔来产生)、亚硝酸硼(Bornitrit)、碳化硼、高温水泥、亚 硝酸硅、混合陶瓷、氧化铝、多重结合的碳化硅和/或陶瓷粘合剂(例如Kager公司的产品 “Ceramacoat”)。可以提供SiC模块。碳化硅相比于Si电子设备、尤其是在开关频率、工作 温度和功率密度方面是有利的。该材料可以借助溅射工艺、化学气相淀积(CVD)或者等离 子体方法来施加。根据另一有利的扩展方案，填充层具有多层结构，其中各层与不同的要求匹配，并 且借助喷射或者层压来施加。尤其是陶瓷层可以满足不同的要求，即例如纵向膨胀、电绝缘 或者通过多层结构的附着。例如，第一覆层与底板的纵向膨胀系数匹配，底板例如是直接铜 键合衬底，或者铜键合板。施加例如可以借助喷射(更确切地说为等离子体喷射、火焰喷射、 真空喷射和低压喷射)或者同样借助单个层的层压来产生。根据另一有利的扩展方案，在各层之间施加增附剂例如硅烷，用于提供各层的有 效附着。通过这种增附剂，附加地实现至各层的良好附着。根据另一有利的扩展方案，在填充层上尤其是借助丝网印刷喷射、浸渍、层压、涂 抹来施加例如Al (OH3)的层，用于闭合和修复(Ausheilen)最后层的孔和裂缝。此外，密封 性是有重要意义的。在此，在环氧树脂和硅树脂的基础上产生典型的密封物，例如所谓的溶 胶凝胶。通过这种方式，实现了改进的可靠性、降低的损耗功率、高的电流密度、集成能力、 紧凑的构造、灵活的布局、通过堆叠可能性(即三明治结构)得到的电磁屏蔽。根据另一有利的扩展方案，在开口中和/或在电绝缘承载膜的至少一侧上借助施 加至少一个结构化的、平坦的、电的、尤其是由Cu-Ni/Au、Ag、Sn-Ag构成的导体层来实现产 生电接触。提供了一种由无机材料构成的合适的、薄的绝缘承载膜，如例如是玻璃膜，例如 带有两侧结构化的Cu金属化物并且尤其是分配给接触面例如源极、栅极和漏极接触部的 开口。器件接触面根据连接方法例如在前面的晶片级工艺中设置有对于连接方法合适的功 能层例如Cu、Ni/Au, Ag、SnAg金属化物。根据另一有利的扩展方案，借助电镀或者印刷来实现产生导体层。在通过电镀技 术的接触中，临时的固定装置面例如粘合面或者粘合台同样用作密封装置，也即防止液体 到达承载膜和电子器件或者可能的Cu引线框架之间。印制导线结构或者接触部同样可以通过印刷工艺在电子器件的所产生的预备之后根据数据来产生。根据另一有利的扩展方案，借助将导体层电接触、例如借助将导体层钎焊或者熔 焊到至少一个引线框架上来产生电接触部，该引线框架尤其是由铜构成。作为接触部，可以 通过在例如玻璃开口中的金属化例如电镀穿通接触、钎焊连接、熔焊连接来提供与布局匹 配的、尤其是在两侧被施加的Cu引线框架。在两侧可能的、在Cu引线框架上大面积的器件 接触例如可以通过按标准的钎焊方法或者同样借助没有焊剂的连接方法来进行，如这例如 是纳米Ag、激光/超声焊接等等。外部端子同样可以借助引线框架、尤其是Cu引线框架的 构型和改型来成本低廉地一同产生。通过使用引线框架连接技术和使用自动化的过程，可 以成本低廉地提供电子器件或者功率模块。根据另一有利的扩展方案，借助自动光学检测(AOI)进行器件在临时的固定装置 面上的定位。根据AOI进行的电子器件例如在临时的固定装置面上的定位能够实现至接触 面、例如引线框架的准确的分配。在通过电镀的接触中，该固定装置面同样用作密封装置， 即防止了液体到达承载膜和芯片或者Cu引线框架之间。可替选地，在关键位置上也可以施 加薄的疏水层。根据另一有利的扩展方案，进行填充层的向后磨削直到器件的或者另一部件的背 离承载膜的侧。根据另一有利的扩展方案，将冷却体和/或另外的接触部施加在电接触部和/或 在器件的背离承载膜的侧上了。由此，得到双侧的冷却，其实现了改进的可靠性、降低的损 耗功率、高的电流密度、集成能力、紧凑的结构以及灵活的布局。进行冷却体和/或背侧接 触部的施加。同样可以提供类似的附加物。在需要时，预备器件上侧和/或下侧可以为了 改进热学管理附加地例如实施以厚的、结构化的Cu块用于在短路情况下短时散热。根据另一有利的扩展方案，可以借助组成部分的集成和多层结构来提供嵌入式系 统、所谓的 embedded system。借助实施例结合附图来进一步描述本发明。其中
图1示出了根据本发明的方法的一个实施例；
图2示出了根据本发明的电子器件或者电子功率模块的一个实施例。图1示出了根据本发明的方法的一个实施例，在此，该方法具有以下步骤。借助步 骤Sl进行在承载膜中的开口的切除。借助步骤S2进行电子器件、引线框架等等在承载膜 上的定位和固定。借助步骤S3进行间隙的填充。借助步骤S4进行间隙材料的向后磨削直 到电子器件或者其他部件的后侧。借助步骤S5进行在电子器件和引线框架以及其他部件 之间的接触的建立。借助步骤S6进行冷却体和/或其他后侧接触部的施加。根据另一图2示出了根据本发明的电子器件或者电子功率模块的一个实施例。参 考标记1表示电子器件，其例如是场效应晶体管。其他电子器件同样是可能的。参考标记3 表示具有至少一种第一无机材料的、电绝缘的承载膜。器件1固定在具有至少一种第一无 机材料的、电绝缘的承载膜上。承载膜3具有至少一个开口 5，在该开口中设置有朝向器件 1的外部的、器件1的至少一个电接触部7。在外部同样意味着从功率模块出来。参考标记 9表示用于电绝缘的、具有至少一种第二无机材料的填充层，用于填充间隙。在此，间隙例如 是在电子器件1、承载膜3和引线框架11之间的空间。在此，填充层9可以具有多层结构， 其中各层与不同的要求匹配。在各层之间可以构建增附剂用于提供各层的有效附着。在填充层9上可以施加用于闭合和修复最后的层的孔和缝隙的覆层。在图2中，最后的层是填 充层9的最上层。图2示出了借助将导体层7电接触到至少一个引线框架11上来产生电 接触部7，该引线框架尤其是由铜构成。外部端子通过引线框架11的构型和改型来成本低 廉地产生。参考标记13表示在电接触部7上和/或在器件1的背离承载膜3的侧上的至 少一个冷却体和/或其他的接触部。图2示出了用于高于175°C、尤其是高于200°C的高温 应用的、基于无机的功率模块。
权利要求
1.一种用于产生模块的至少一个电子器件(1)的方法，包括以下步骤在具有至少一种第一无机材料的电绝缘的承载膜(3)中切除为该器件(1)的至少一个 电接触部(7)而设计的至少一个开口(5)；将该电子器件(1)定位和固定在所述承载膜(3)上；产生向该电子器件(1)的外部的电接触部(7)；其特征在于，为了构建该模块仅仅使用无机的或者多重结合的无机绝缘材料(3 ;9)。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用具有至少一种第二无机材料的填充层 (9 )填充在电子器件(1)、承载膜(3 )和引线框架(11)之间的间隙，用于借助高温封装对电 子器件(1)进行电绝缘。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一和/或第二无机材料是陶 瓷高温材料、尤其是无机复合基体中的陶瓷高温材料。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，第一和/或第二无机材料是玻璃、 亚硝酸硼、碳化硼、高温水泥、亚硝酸硅、混合陶瓷、氧化铝、碳化硅和/或陶瓷粘合剂。
5.根据权利要求2、3或4所述的方法，其特征在于，该填充层(9)具有多层结构，其中 各层与不同的要求匹配，并且尤其是借助喷射或者层压来施加。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在各层之间施加增附剂例如硅烷，用于 提供各层的有效附着。
7.根据权利要求2至6之一所述的方法，其特征在于，在所述填充层(9)上尤其是借 助丝网印刷、喷射、浸渍、层压、涂抹来施加例如Al (OH3)的覆层，用于闭合和修复最后层的 孔和裂缝。
8.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在所述开口(5)中和/或在电绝 缘的承载膜(3)的至少一侧上借助施加至少一个结构化的、平坦的、电的、尤其是由Cu、Ni/ Au、Ag、Sn-Ag构成的导体层来产生电接触部(7)。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，借助电镀或者印刷来产生导体层。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，借助将该导体层电接触、例如借助 将该导体层钎焊或者熔焊到至少一个引线框架(11)上来产生电接触部(7)，其中该引线框 架尤其是由铜构成。
11.根据权利要求1至10之一所述的方法，其特征在于，借助自动光学检测进行器件 (1)在临时的固定装置面上的定位。
12.根据权利要求2至8之一所述的方法，其特征在于，进行所述填充层(9)的向后磨 削直到该器件(1)的或者另一部件的背离承载膜(3)的侧。
13.根据权利要求1至12之一所述的方法，其特征在于，将至少一个冷却体(13)和/ 另外的接触部施加在该电接触部上和/或在该器件(1)的背离承载膜(3)的侧上。
14.一种模块的电子器件(1)，其中该器件(1)固定在具有至少一种第一无机材料的 电绝缘的承载膜(3)上，该承载膜具有至少一个开口(5)，在该开口中设置有器件(1)的至 少一个向外的电接触部(7)，其特征在于，为了构建该模块仅仅使用无机的或者多重结合的 无机绝缘材料(3 ；9)。
15.根据权利要求14所述的电子器件，其特征在于，具有至少一种第二无机材料的填 充层(9 )用于借助高温封装来电绝缘该电子器件(1)，其中所述填充层(9 )填充在电子器件(1)、承载膜(3)和引线框架(11)之间的间隙。
16.根据权利要求14或15所述的电子器件，其特征在于，第一和/或第二无机材料是 陶瓷高温材料、尤其是无机复合基体中的陶瓷高温材料。
17.根据权利要求14、15或16所述的电子器件，其特征在于，第一和/或第二无机材 料是玻璃、亚硝酸硼、碳化硼、高温水泥、亚硝酸硅、混合陶瓷、氧化铝、多重结合的碳化硅和 /或陶瓷粘合剂。
18.根据权利要求15至17之一所述的方法，其特征在于，所述填充层(9)具有多层结 构，其中各层与不同的要求匹配。
19.根据权利要求18所述的电子器件，其特征在于，在各层之间构造增附剂例如硅 烷，用于提供各层的有效附着。
20.根据权利要求15至19之一所述的电子器件，其特征在于，在所述填充层(9)上施 加例如由Al (0H3)构成的覆层，用于闭合和修复最后层的孔和裂缝。
21.根据前述权利要求14至20之一所述的电子器件，其特征在于，在开口中和/或 在电绝缘的承载膜(3)的至少一侧上借助施加至少一个结构化的、平坦的、电的、尤其是由 Cu、Ni/Au、Ag、Sn-iVg构成的导体层来产生电接触部(7)。
22.根据权利要求21所述的电子器件，其特征在于，借助电镀或者印刷来产生导体层。
23.根据权利要求21或22所述的电子器件，其特征在于，借助将导体层电接触到至少 一个引线框架(11)上来产生电接触部(7)，其中该引线框架尤其是由铜构成。
24.根据权利要求14至23之一所述的电子器件，其特征在于，所述器件借助自动光学 检测在临时的固定装置面上被定位。
25.根据权利要求15至M之一所述的电子器件，其特征在于，所述填充层(9)被向后 磨削直到器件(1)的或者另一部件的背离承载膜(3)的侧。
26.根据权利要求14至25之一所述的电子器件，其特征在于，至少一个冷却体(13)和 /或其他接触部被施加在电接触部(7)上和/或在器件(1)的背离承载膜(3)的侧上。
全文摘要
本发明涉及一种电子器件，尤其是一种功率模块和一种用于该电子器件的制造或者接触的相应方法。本发明的特征在于，将器件(1)固定在具有至少一种第一无机材料的电绝缘的承载膜(3)上，该承载膜具有至少一个开口(5)，在该开口中设置有向器件(1)外的、该器件(1)的至少一个电接触部(7)。通过这种方式，可以提供针对大于175℃的温度范围的电子器件(1)，尤其是功率模块。
文档编号H01L23/15GK102084481SQ200980125511
公开日2011年6月1日 申请日期2009年6月16日 优先权日2008年7月2日
发明者卢普 F., 韦德纳 K. 申请人:西门子公司