具有实时在线iv测量的卷对卷连续式薄膜pv制造工艺及设备的制作方法

专利名称：具有实时在线iv测量的卷对卷连续式薄膜pv制造工艺及设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于制造薄膜太阳能电池的设备的制造及设计。更具体来说，本发明 涉及结合卷对卷传送、等离子体增强化学气相沉积工艺、溅射沉积工艺来连续制造太阳能 电池的装置，及在真空卷对卷制造工艺期间获得实时性能或质量监测数据的一装置，其中 包括电流-电压(IV)数据、良率数据及均勻性数据。
背景技术：
在现有技术的基板式薄膜太阳能电池材料的制造工艺中，先沉积一背接触或背反 射体层，接着沉积半导体层，然后沉积顶部接触层以完成基本的太阳能电池或光伏(PV)电 池结构。然后，离线测试该电池以获得质量控制toe)测试数据。在现有技术的可用方法中， 都是在分立的系统中执行这些工艺。由于装载/卸载时间较长，其增加了资金成本且降低 了产量。对于大机器而言，这些时间可达数小时。另外，当使用分立的机器时，在半导体材 料卷被转送到顶部接触层的沉积机器之前，在半导体材料被卷绕时，一中间插页层材料必 须插入在涂覆有半导体材料的卷匝层之间。由于清洁度、真空度兼容性和耐热性的要求，这 些中间插页层材料可能很昂贵。在更充分地了解氢化非晶硅(a-Si:H)材料和设备方面的进展已将a_Si:H基太 阳能电池R&D结果引入到大面积a-Si:H基PV组件的批量生产中，包括基板式和顶衬式工 艺。现有关于不锈钢(SQ薄片基板的薄膜硅(tf-Si)基光伏(PV)制造工艺可能包括用于 薄膜太阳能电池材料沉积的一前端卷对卷生产线和用于PV组件总成的一后端生产线。在 以下文件中已描述了该种卷对卷方法M. Izu和S. R. Ovshinsky的“在连续卷对卷式工艺中 生产串接式非晶硅合金电池”，SPIE Proc. 407 (1983) 42，和在光伏能量转换的IEEE第一次 世界会议，(1994)p820,中 M. Izu, H. C. Ovshinsky, X. Deng, A. J. Krisko, K. L. Narasimhan, R. Crucet,T. Laarman,A. Myatt 和 S. R. Ovshinsky 的“用于制造高产量 a_Si PV 的连续卷对 卷式蛇形沉积”，它们均以引用方式全部并入本文。现有技术的卷对卷方法通常需要使用数个分立机器，由于装载/卸载时间，其增 加了资金成本且降低了生产产率、工艺重复性、成品率、机器可靠性、机器可维护性。在使用 各分立卷对卷机器的系统中，交叉污染的问题(即，气体从一个腔室进入并污染一相邻腔 室)导致较差的膜质量，导致制造成本的增加和效率的降低。因此，在现有技术中，存在着 对在最小化生产成本和高质量薄膜的沉积工艺的需求。

发明内容
根据本发明的一方面，一真空沉积装置包括一基板载入腔室和一基板复卷腔室。 一基板支撑系统从该基板载入腔室延伸至该基板复卷腔室。在一实施例中，该真空沉积装 置进一步包括一高气压真空沉积腔室和一低气压真空沉积腔室。该真空沉积装置进一步包 括一气压差分工艺隔离单元(DPIU)，其安置在该高气压真空沉积腔室与该低气压真空沉积 腔室之间。在一实施例中，该高气压沉积腔室经配置用于形成一半导体(或含半导体)薄 膜。在一实施例中，该低气压沉积腔室经配置用于形成一透明导电薄膜，诸如铟锡氧化物 (ITO)薄膜。
本发明的一方面提供了 一真空沉积装置，其包括一基板载入腔室和一基板复卷 腔室。该装置进一步包括从该基板载入腔室延伸至该基板复卷腔室的一基板支撑系统。 在实施例中，该装置包括一半导体真空沉积腔室、一透明导电薄膜真空沉积腔室及安置在 该半导体真空沉积腔室与该透明导电薄膜真空沉积腔室之间的一气压差分工艺隔离单元 (DPIU)。在实施例中，该DPIU经配置提供并维持该半导体真空沉积腔室与该透明导电薄膜 真空沉积腔室之间的气压差。该DPIU防止来自该真空沉积腔室的气体进入透明导电薄膜 真空沉积腔室，反之亦然。在优选实施例中，该半导体真空沉积腔室与透明导电薄膜真空沉 积腔室之间的气压差大于或等于1 1，大于或等于10 1，或大于或等于100 1，或大于 或等于1,000 1，或大于或等于10,000 1。根据本发明的另一方面，一用于在基板之上形成薄膜的装置，包括经配置提供该 基板的一基板载入腔室。该装置进一步包括一第一反应区间，其经配置在该基板之上形成 一半导体薄膜；及一第二反应区间，其经配置在该基板之上形成一透明导电薄膜。该系统包 括安置在该第一反应区间与该第二反应区间之间的一 DPIU，该DPIU经配置防止来自该第 一反应区间的一或多种气体进入该第二反应区间。该系统进一步包括用于收集该基板的一 基板复卷腔室，及一基板支撑系统，其经配置将该基板从该基板载入腔室移至该第一反应 区间，从该第一反应区间移至该第二反应区间及从该第二反应区间移至该基板复卷腔室。 在实施例中，该DPIU经配置提供并维持该第一反应区间与该第二反应区间之间的气压差。 该DPIU防止来自该第一反应区间的气体进入该第二反应区间，反之亦然。在优选实施例 中，第一反应区间与第二反应区间之间的该气压差大于或等于1 1，大于或等于10 1， 或大于或等于100 1，或大于或等于1,000 1，或大于或等于10,000 1。本发明的又一方面提供了一工艺隔离单元(PIU)，该PIU包括一基板支撑件；一 第一端口，其经配置允许该基板支撑件移入该PIU ；及一第二端口，其经配置允许该基板支 撑件移出该PIU。该PIU进一步包括介于该第一端口与第二端口之间的一第一传导空间，该 第一传导空间安置于一基板支撑件之下。该Piu进一步包括介于该第一端口与第二端口之 间的一第二传导空间，该第二传导空间在该基板支撑件之上。在实施例中，该Piu包括一第 一限流器，其安置在该第一传导空间与第一端口之间，及一第二限流器，其安置在该第一传 导空间与第二端口之间。本发明的又一方面提供了一种用于形成半导体薄膜的方法，该方法包括将基板从 一基板载入腔室移至一第一腔室的步骤。接着，将该基板从该第一腔室移至一 DPIU。然后， 将该基板从该DPIU移至一第二腔室。随后，将该基板移至一基板复卷腔室。在一实施例中， 该DPIU经配置防止来自该第一腔室的气体进入该第二腔室，该第二腔室安置在该DPIU与 基板复卷腔室之间。在一实施例中，该DPIU维持该第一腔室与第二腔室之间的气压差。在 一实施例中，在将该基板移至该基板复卷腔室之前，将该基板移至一在线测量腔室。根据本发明的又一方面，一用于在基板之上形成多重薄膜层的装置包括经配置以 提供该基板的一基板载入腔室。该装置进一步包括一第一反应区间，其经配置使用等离子 体清洗工艺清洗该基板；一第二反应区间，其经配置在该已清洗基板之上形成一或多层非 半导体背反射体(BR)层；一第三反应区间，其经配置在该已涂覆BR的基板之上形成半导体 薄膜硅层；及一第四反应区间，其经配置在该已涂覆BR层/硅层的基板之上形成一非半导 体透明导电层。该系统进一步包括两个气压差分工艺隔离单元。第一气压差分工艺隔离单元(DPIU)安置在用于形成非半导体的第二反应区间与用于形成半导体的第三反应区间之 间。在实施例中，该第一 DPIU经配置提供并维持该第二反应区间与第三反应区间之间的气 压差，且经配置防止来自第二反应区间的一或多种气体进入第三反应区间，反之亦然。在优 选实施例中，第二反应区间与第三反应区间之间的该气压差小于或等于1 10，或小于或 等于1 100，或小于或等于1 1000，或小于或等于1 10，000。一第二 DPIU安置在用 于形成半导体的第三反应区间与用于形成非半导体的第四反应区间之间。在实施例中，该 第二 DPIU经配置提供并维持第三反应区间与第四反应区间之间的气压差，且经配置防止 来自第三反应区间的一或多种气体进入第四反应区间，反之亦然。在优选实施例中，第三反 应区间与第四反应区间之间的该气压差大于或等于10 1，或大于或等于100 1，或大于 或等于1000 1，或大于或等于10，000 1。该系统进一步包括一基板复卷腔室，其用于 收集该已涂覆了多层的基板，及一基板支撑系统，其经配置将该基板从基板载入腔室移至 第一反应区间，从该第一反应区间移至第二反应区间，然后穿过第一 DPIU进入第三反应区 间，并从该第三反应区间穿过第二 DPIU进入第四反应区间，再从该第四反应区间移至基板 复卷腔室。以引用方式并入本说明书所提及的所有公开案、专利和专利申请案都是以引用方式并入本文，其 引用程度就如同将每一个别公开案、专利或专利申请案特定且个别地以引用方式并入。附 图简要说明可参阅以下阐述本发明说明性实施例的实施方式及附图进一步解释本发明的 特征结构和优点。

图1为根据本发明一实施例的具有在线QC测量的一综合卷对卷制造系统的横截 面侧视图；图2为根据本发明一实施例的一在线测量腔室的横截面侧视图；图3为根据本发明一实施例的一工艺隔离单元(PIU)的横截面侧视图；图4为根据本发明一实施例的一气压差分工艺隔离单元(DPIU)系统的横截面侧 视图；图5为根据本发明一实施例的一气压差分工艺隔离单元(DPIU)的横截面侧视 图；图6为根据本发明一实施例的一气压差分工艺隔离单元(DPIU)的横截面侧视 图；图7图示根据本发明一实施例使用多个卷对卷生产系统形成的一光伏(或太阳能 电池)器件；图8为根据本发明一实施例的一背反射体卷对卷生产机器的横截面侧视图；图9为根据本发明一实施例的硅-PECVD/IT0-溅射的卷对卷生产机器的横截面侧 视图(用通过连接线连接的顶部和底部两个部分来图示以适合页面)；图10为根据本发明一实施例的一等离子体-清洗/BR-溅射/硅-PECVD/IT0-溅 射的卷对卷生产机器的横截面侧视图(用通过连接线连接的顶部和底部两个部分来图示 以适合页面)；及图11为根据本发明一实施例的残余气体分析仪(RGA)的出图。
具体实施例方式本发明的实施例提供用于生产大面积半导体和非半导体薄膜的新的卷对卷薄膜沉积方法和装置。各个实施例提供使用以下组件的系统及方法一气压差分抽气组件；用 于薄膜硅基半导体层的一等离子体增强化学气相沉积(PECVD)组件，诸如a-Si、a-SiGe、 nc-Si、μ c-Si及多硅层；及用于在一基板之上沉积一透明导电氧化物(TCO)非半导体层的 一溅射组件，诸如铟锡氧化物(ITO)层。在实施例中，借助于一卷对卷机器提供该基板。在 一实施例中，在与形成薄膜硅基层相同的机器中沉积ITO层也允许在生产时直接在线测量 该光伏(PV)材料。在一些实施例中，也可以结合等离子体清洗腔室和/或背-反射体溅射 腔室。在现有技术中，当相邻腔室处于相似压力下且使用大体上相同的气体时，存在有 用于防止交叉污染(真空腔室之间)的系统。然而，当相邻腔室处于不同的压力时(例如， 第一腔室处于比第二腔室更高的压力下)，此类的系统并不能防止交叉污染。在本发明的各 种实施例中，提供了在有利地避免交叉污染的同时，具有在不同压力下操作工艺的系统及 方法。在一些实施例中，即使当各个腔室中使用不同的气体(气体组分低至0%共性)时， 仍可以避免交叉污染。对于tf-Si PECVD工艺和ITO溅射沉积，常规工艺需要单独的工艺设备，其需要昂 贵的真空泵、再多一对驱动系统、以及归因于单独PECVD工艺和溅射工艺的更多的设备空 间与时间消耗。tf-si PECVD工艺和TCO溅射工艺与各个实施例中提供的一个卷对卷机器 的新的结合可允许去除该PECVD工艺之后的中间插页层，从而导致生产成本降低。材料成 本的降低和产量的提高可显著地降低制造本身的总成本。由于不需要中间卷绕(卷绕可能 会因微划痕而引起产率问题)，一个复卷和载入系统被排除，因此预期良率将更高。因为需 要一个机器操作员而不是两个，且除去了转移工艺，所以人工成本下降。另外，工艺中库存 量将降低。在本发明的实施例中，可通过直接实时在线(本文中也称为“在线”)测量已完成 的电池结构来进行快速质量保证(QA)或质量控制(QC)，该结构可包括一 ITO顶部-接触 (或顶部-接触器)层。在本发明的一实施例中，可通过在相同的机器或装置中形成a-Si 和ITO来进行快速QA/QC，其中该装置包括一 DPIU。本发明实施例的卷对卷制造装置、系统和工艺包括一系列真空沉积工艺和一在 线QC工艺。本发明一实施例的一装置包括结合六个主要部件的卷对卷制造设备包括载 入、复卷和引导元件的一运输系统；一真空容器或容器；用于半导体制备的一等离子体增 强化学气相沉积(PECVD)沉积区或反应区间；一气压差分工艺隔离系统；用于该顶部-接 触层的一溅射沉积区；及一综合测量系统，其可位于顶部-接触层的溅射沉积区与该复卷 轮之间的一点处。该装置也可包括经配置用于物理气相沉积、原子层沉积和热丝化学气相 沉积的一或多个区(或腔室)。在本发明的一些实施例中，该装置可包括经配置用于结合 PECVD和热丝CVD的一混合CVD工艺的一或多个区，如2008年7月7日申请的申请号为 12/168,833的美国专利申请案中所描述的，其以引用方式全部并入本文。该系统允许单程 制作半导体和顶部接触层，并提供在线质量控制数据。在本发明的实施例中，卷对卷真空沉积装置或系统包括一载入腔室；一复卷腔室； 一基板支撑系统；至少一个半导体真空沉积腔室；至少一个透明导电薄膜真空沉积腔室； 位于沉积腔室之间的至少一个DPIU ；及至少一个实时在线性能测量腔室。在本发明的一实 施例中，该至少一个半导体真空沉积腔室经配置沉积薄膜硅或薄膜硅合金。在本发明的另一实施例中，该至少一个透明导电薄膜真空沉积腔室经配置沉积铟锡氧化物(ITO)。在本发 明的又一实施例中，该至少一个透明导电薄膜真空沉积腔室经配置沉积任一透明导电氧化 物(TCO)。在本发明又一实施例中，该实时在线测量系统可位于该透明导电沉积腔室与复卷 腔室之间。在本发明另一实施例中，该实时在线测量系统可包括一电流-电压(IV)测量系 统。在本发明又一实施例中，该实时在线测量系统可包括一电池隔离系统。该电池隔离系 统可包括一激光划片器。在本发明的其他实施例中，卷对卷真空沉积装置或系统包括一载入腔室；一复卷 腔室；一基板支撑系统；至少一个半导体真空沉积腔室；至少一个透明导电薄膜真空沉积 腔室；及位于沉积腔室之间的至少一个DPIU。除铟锡氧化物之外，本发明实施例的卷对卷 真空沉积装置还可经配置沉积薄膜硅或薄膜硅合金。在本发明一实施例中，该至少一个半 导体真空沉积腔室经配置沉积薄膜硅或薄膜硅合金。在本发明另一实施例中，该至少一个 透明导电薄膜真空沉积腔室经配置沉积铟锡氧化物(ITO)。在本发明又一实施例中，该至少 一个透明导电薄膜真空沉积腔室经配置沉积任一透明导电氧化物(TCO)。在本发明的实施例中，该卷对卷真空沉积装置包括一计算机系统，其经配置控制 太阳能电池的形成。在在线QA/QC测量期间，该计算机系统可收集QA/QC数据。该计算机 系统还可以控制太阳能电池形成期间在一基板之上所沉积薄膜的速率。因此，该计算机系 统可控制腔室压力、在沉积期间进入真空腔室的一或多种反应物的流速及在薄膜沉积期间 一基板移动穿过一真空腔室的速率。在本发明的实施例中，可以在大于约0. 05托，或大于约0. 1托，或大于约0. 5托的 压力下形成一 a-Si层，且可以在低于约0. 1托，或低于约0. 05托，或低于约0. 005托的压 力下形成一 ITO层。在一实施例中，可在小于或等于约0. 001托的压力下形成该ITO层。在本发明的一方面，一真空淀积装置包括一基板载入腔室和一基板复卷腔室。该 真空沉积装置进一步包括从该基板载入腔室延伸至该基板复卷腔室的一基板支撑系统。例 如，该基板支撑系统可并入磁辊，即，2009年6月3日提交的序号为61/212，614的美国临时 专利申请案的主题，该申请案在此以引用方式全部并入。该真空沉积装置还包括一第一真 空沉积腔室和一第二真空沉积腔室。在一实施例中，该第一真空沉积腔室(本文中也称为“反应腔室”)为一高气压 真空沉积腔室，且该第二真空沉积腔室为一低气压真空沉积腔室。在一实施例中，该高气 压真空沉积腔室中的压力大于该低气压真空沉积腔室中的压力。在一实例中，高气压真 空沉积腔室可以具有在0. 1托至20托范围内的压力，且低气压真空沉积腔室可以具有在 0. 0001托至2托范围内的压力。该真空沉积装置进一步包括一气压差分工艺隔离单元 (“DPIU”)。在一实施例中，该DPIU安置在该高气压真空沉积腔室与低气压真空沉积腔室 之间。在一实施例中，该DPIU经配置维持该高气压真空沉积腔室与该低气压真空沉积腔室 之间的气压差。在实施例中，用Pl表示高气压真空沉积腔室中的压力，且用P2表示低气压 真空沉积腔室中的压力，该DPIU经配置维持一气压差P1/P2，其大于或等于约1 1，大于 或等于约10 1，或大于或等于约100 1，或大于或等于约1，000 1，或大于或等于约 10 000 1。在一实施例中，该第一真空沉积腔室经配置在该基板之上形成ρ-掺杂或η-掺杂 半导体薄膜之一。在一实施例中，该真空沉积装置包括介于该第一气相沉积腔室与DPIU之间的一第三气相沉积腔室。该第三气相沉积腔室经配置在该基板之上形成一本征半导体薄 膜。在一实施例中，该真空沉积装置进一步包括介于该第三气相沉积腔室与DPIU之间的一 第四气相沉积腔室，该第四气相沉积腔室经配置在该基板之上形成该P-掺杂或η-掺杂半 导体薄膜中的另一种。在一实施例中，该第一气相沉积腔室经配置形成一 η-掺杂(N型半 导体)半导体薄膜，该第三气相沉积腔室经配置形成一本征半导体薄膜，而该第四气相沉 积腔室经配置形成一 P-掺杂半导体薄膜。在另一实施例中，该第一气相沉积腔室经配置形 成一 P-掺杂(P-型半导体)半导体薄膜，该第三气相沉积腔室经配置形成一本征半导体薄 膜，而该第四气相沉积腔室经配置形成一 η-掺杂半导体薄膜。“反应区间”用以表示一反应器、反应腔室、真空沉积腔室、真空沉积反应器，或一 任意定义的体积，其中可通过各种真空沉积方法来调节条件以影响一基板之上的薄膜生 长，诸如，化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、物理气相沉积(PVD)、溅射与蒸发，包括 上述方法的等离子体增强变化。该反应区间可包括易受所有反应气体脉冲影响的表面， 在正常操作期间，通过夹带的流体或扩散，气相化学物(或气体)或粒子可从该等表面流 向基板。该反应区间可以为(例如)本发明实施例的卷对卷系统中的一等离子体增强 CVD(PECVD)反应腔室。作为另一实例，该反应区间可为经配置用于在一基板之上形成一透 明导电薄膜薄膜的一真空沉积腔室，诸如一 ITO薄膜(或层)。现将参阅诸图，其中相同元件符号始终代表相同部件。应了解，诸图并不一定按比 例绘制。参阅图1，展示了根据本发明一实施例的具有在线QC测量的一综合卷对卷制造系 统或装置。一卷基板材料装入载入腔室1，并经引导穿过一预处理腔室2、一 η-掺杂沉积腔 室3、一本征沉积腔室4、一 ρ-掺杂沉积腔室5。每个沉积腔室可通过桥接腔室6连接至相 邻腔室，该桥接腔室6经构造在大体上阻碍掺杂物材料从一个沉积腔室(或反应区间)流 动到相邻沉积腔室的同时，允许一基板薄片7(本文中也称为“薄片”)自由通行。另外，该 基板薄片经引导穿过一 DPIU 8，DPIU 8经构造在阻碍气体流穿过它到产生并维持一气压 差12的程度并防止从一端口到另一个端口的任何交叉污染的同时，允许该薄片自由移动。 该薄片7进一步经引导穿过一顶部接触沉积腔室9和一桥接腔室6，进入一在线测量腔室 10，并且最后进入复卷腔室11，在此被卷绕。在本发明实施例中，气压差12满足Pl大于Ρ2 的条件，且比率Ρ1/Ρ2大于或等于约10，或大于或等于约100，或大于或等于约1，000，或大 于或等于约10，000。在其他实施例中，气压差12满足Pl小于Ρ2的条件，且比率Ρ2/Ρ1大 于或等于约10，或大于或等于约100，或大于或等于约1，000,或大于或等于约10，OOO0在 一实施例中，当一基板正被运输或移动穿过沉积腔室和在线测量腔室时，该气压差被保持。可对图1的装置进行多种变化。例如，可增加或减少沉积腔室的数目(例如，图1 的系统可具有1、2或3个腔室或反应区间)。作为另一实例，可在该半导体沉积区之前结合 一第二溅射区和相应的DPIU以允许制作背反射体。作为另一实例，可在该半导体沉积区之 前或该背反射体溅射区之前结合一等离子体清洗腔室，根据需要连同相应的DPIU—起。作 为又一实例，该DPIU(本文中也称为“工艺DPIU” )可经设计具有零度或90度或180度的 包角，或实际上实用于该机器布局的任一值。作为另一实例，在线测量腔室10和复卷腔室 11可合并为单一腔室。继续参阅图1，在一实施例中，该装置可进一步包括用于形成一背反射体的一背反射体沉积腔室(未图示)。可将该背反射体沉积腔室安置在任一真空沉积腔室之前(例如， 在该基板载入腔室与预处理腔室2之间)。在一实施例中，预处理腔室2可经配置用于在薄 膜沉积之前等离子体清洗一基板。在这种情况下，该预处理腔室2可称为等离子体清洗腔 室。可经由离子溅射(例如，Ar离子溅射)执行等离子体清洗。图2展示根据本发明一实施例的一在线性能测量腔室100。参阅图2，包括源106和光学器件105的一激光划片系统安装在第一窗口 103附 近，以使得在已涂覆的基板薄片101以速度v(li:3)移动经过该窗口时，该等光学器件具有 其一自由视野。在一实施例中，该激光划片系统能够划开TCO层102，从而隔离该电池-薄 片的一部分107。在一实施例中，该划片系统(或光学器件)可经构造以允许在横跨该薄片 宽度的任一位置隔离一小部分，例如，通过将其安装在平行于该第一窗口的一线性平移台 上。在一实施例中，该划片系统可用以在其移动经过该第一窗口时横跨该薄片宽度创建多 个小电池。继续参阅图2，可在该腔室外部提供一光源110，光源110经定位以使得在该等已 被隔离的小电池移动经过第二窗口 104时对其进行照明。当一小电池被照亮时，在该真空 容器内的一可移动(或可伸缩)电探针109可接触该电池，且可进行IV( S卩，电流-电压) 测量。在一实施例中，该测量探针的位置*(114)和该薄片的速度v(li:3)可用于测定测量 时间。或者，可通过一光学检验系统来测定待测量的该电池的位置。在一实施例中，可用一 电或静电探针与该等被隔离电池接触(或充分接近)来进行测量。在一实施例中，选择该 探针的构造以便在测量期间大体上不毁坏该小电池。在一实施例中，该探针组件可横跨该 薄片移动以测量随该薄片移动而位于横跨该薄片宽度的不同位置处的已隔离小电池。该探 针组件可收容于该腔室内，或可经由引线112来操纵。图2的装置的多种变化是可能的。例如，可将该可移动探针组件替换为多个探针。 作为另一实例，可将该可移动激光划片器替换为多个划片器。作为又一实例，可将该第一和 第二窗口替换为足够大的单个窗口以容纳激光划片束和测量照明束两者。作为另一实例， 光源可定位于该真空容器内，这可以消除对窗口的需要。作为另一实例，该激光划片系统， 或其一部分，可定位于该真空容器内，这可以消除对窗口的需要或允许使用一较小窗口。图3展示一工艺隔离单元(PIU) 200，其在大体上不允许气体从第一端口流至第二 端口的同时，却能够维持横跨其两个端口的气压差，反之亦然。在一实施例中，图3的PIU 可安置在位于第一反应区间(或腔室)与第二反应区间之间的一 PIU内，该PIU经配置在 允许一基板从第一反应腔室移至第二反应腔室的同时，防止气体从该第一反应腔室流至该 第二反应腔室。参阅图3该工艺隔离单元包括一第一端口(或入口)201和一第二端口 202，各自 分别经构造以允许气体和具有一基板的一基板支撑件211的自由移动。在一实施例中，该 基板支撑件211为一基板薄片。该第一端口 201和第二端口 202经配置以允许基板支撑件 211移入和移出PIU200。在一实施例中，第一端口 201经配置以允许基板支撑件211移入 隔离单元200，且第二端口 202经配置以允许基板支撑件211移出PIU200。在替代实施例 中，第一端口 201经配置允许基板支撑件211移出PIU200，且第二端口 202经配置允许基板 支撑件211移入PIU200。继续参阅图3，PIU200进一步包括介于第一端口 201与第二端口 202之间的一传导空间207和一第二传导空间208。在已图示的实施例中，该第一传导空间207安置在基板 支撑件211之下，且该第二传导空间208安置在基板支撑件211之上。一或多种气体(本 文中也称为“气相化学物”)可经由一第一吹扫气入口(或进气口)205进入第一传导空间 207。气体可经由一第二吹扫气入口 206进入第二传导空间208。该第一和第二吹扫气入口 205,206可经配置允许任何吹扫气进入，诸如，H2, N2, He, Ne和Ar中的一或多种。根据本发明的一些实施例，吹扫气入口(例如，205、206)可具有一想要的横截面 面积或形状。在一些实施例中，可以提供多个吹扫气入口。该等吹扫气入口可具有相同的 横截面面积和/或形状，或者该等吹扫气入口的横截面面积和/或形状可以变化。在一些 示例中，一或多个吹扫气入口 205、206的横截面面积可小于第一传导空间207、第二传导空 间208、第三传导空间210、第四传导空间209、第一传导203和/或第二传导204的横截面 面积。或者，一或多个吹扫气入口 205、206的横截面面积可大于第三传导空间210、第四传 导空间209、第一传导203和/或第二传导204的横截面面积。继续参阅图3，在特定实施例中，该等传导空间彼此成流体连通。在一些实施例中， 传导空间207和208合并为单个空间，该单个空间与一单个吹扫气进气口成流体连通。一第 一限流器(或者气体限流器)212安置在第一传导空间207与第一端口 201之间，其经定位 提供一第一传导203。位于第一传导空间207与第二端口 202之间的为一第二限流器213， 其经定位提供第二传导204。在一实施例中，在该基板远离限流器的一侧为将第一端口 201 连接至第二传导空间208的一第三传导空间210。在该基板远离限流器的一侧，存在将第 二端口 202连接至第二传导空间208的一第四传导空间209。在一优选实施例中，空间209 和210可具有大体上比传导203和204中的任一个更小的传导。在一些实施例中，第一传导203大体上可与第二传导204大小不同。在一实施例 中，第一传导203大于第二传导204。在另一实施例中，第一传导203小于第二传导204。在 特定实施例中，可改变限流器212和213的几何形状以使传导203和204产生变化。在一实 施例中，选择限流器212和213的几何形状，以便根据需要提供影响横跨限流器212和213 的压降的传导203和204。在一实施例中，第一和第二限流器212、213可为安置在PIU200 内的墙壁。换句话说，可以选择第一和第二限流器以使得第一传导203和第二传导204可具 有想要的横截面面积。例如，第一传导可以具有比第二传导更大的横截面面积，或反之亦 然。例如，第一传导和第二传导的横截面面积可以变化，以使得他们的面积比率可大约为 100 1,50 1,20 UlO 1、5 1、3 1、2 1、1 1，或者相反。也可选择第一和 第二限流器以便第一传导和第二传导可以具有想要的横截面形状。例如，第一和第二传导 可以形成一圆形、正方形、矩形、梯形、三角形六边形、八边形或任何其他几何形状。参阅图4，展示了能够维持两个沉积空间(或反应区间)之间的气压差的一 DPIU(本文中也称为“隔离系统”)300，其在允许基板基板(或基板支撑件)自由移动的同 时，使得两个沉积空间(或腔室)之间的气体大体上无交叉污染。在实施例中，DPIU 300 经配置维持大于或等于约10 1的一气压差，或大于或等于约100 1，或大于或等于 约1000 1，或大于或等于约10，000 1。在一实施例中，图4的气压差分工艺隔离单元 (DPIU) 300可以包括图3的PIU 200。在某些情况下，该DPIU可以包括多个PIU。继续参阅图4DPIU300包括与一第一 PIU 301和一第二 PIU 302成流体连通的一抽气区间303。该第一 PIU 301的一个端口连接至第一沉积空间307，而第一 PIU 301的一 第二端口连接至抽气区间303。该第二 PIU 302的一个端口连接至第二沉积空间308，而第 二PIU 302的一第二端口连接至抽气区间303。在一实施例中，第一沉积空间307中的压力 大于第二沉积空间308中的压力。继续参阅图4，第一沉积空间307中最接近第一 PIU 301处的压力为‘P1，。第二沉 积空间308中最接近第二 PIU 302处的压力为‘P4，。抽气区间303中最接近第一 PIU301 处的压力为‘P2’。抽气区间303中最接近第二 PIU 302处的压力为‘P3’。吹扫气经由第 一吹扫气进气口 305进入第一 PIU 301。吹扫气经由第二吹扫气进气口 306进入第二 PIU 302。基板309可以自由地从第一沉积空间307移动至第二沉积空间308，反之亦然。在实施例中，DPIU经配置维持第一与第二沉积空间之间超过约1 10的一气压 差，或超过约1 100，或超过约1 1000，或超过约1 10,000。在一实施例中，Pl与P4 间的比率(即，P1/P4)大于等于约10(即，10 1)，或大于等于约100(即，100 1)，或大 于等于约1，000(即，1，000 1)，或大于等于约10，000(即，10，000 1)。在另一实施例 中，P4与Pl间的比率(即，P4/P1)大于或等于约10，或大于或等于约100，或大于或等于约 1，000，或大于或等于约10，000。在一优选实施例中，当基板309移动(或经引导)穿过第 一沉积空间307和第二沉积空间308时，该气压差被维持。可以借助于一基板支撑件使基 板309移动穿过该等沉积空间，例如一基板支撑轮。图5图示经配置维持多个沉积空间之间气压差的一 DPIU 400，在允许一基板支撑 件(例如，基板基板)自由移动的同时，使得多个沉积空间之间的气体大体上无交叉污染。 在一实施例中，DPIU 400为与一真空系统成流体连通的一气压差分抽气腔室。在这种情况 下，DPIU 400可以被描述为一 DPIU(或气压差分工艺隔离单元)。在一实施例中，DPIU 400 经配置维持两个沉积空间之间的气压差。在实施例中，DPIU 400经配置维持大于或等于 约10 1的一气压差，或大于或等于约100 1，大于或等于约1000 1，或大于或等于约 10,000 1。在实施例中，DPIU 400经配置维持该DPIU 400 —侧的一第一压力，和该DPIU 400另一侧的一第二压力，其中该第一压力介于约0. 1托与20托之间，且其中该第二压力小 于或等于约0. 01托，或小于或等于约0. 001托。继续参阅图5，该DPIU 400包括与一第一 PIU 401和一第二 PIU 402成流体连通 的一抽气区间403。该第一 PIU 401的一个端口连接至(或邻接)一第一沉积空间407，而 PIU 401的一第二端口连接至该抽气区间403。该第二 PIU 402的一个端口连接至一第二 沉积空间408，而PIU 402的一第二端口连接至该抽气区间403。第一沉积空间407中最接 近第一 PIU 401处的压力为‘P1，。第二沉积空间408中最接近第二 PIU 402处的压力为 ‘P4，。抽气区间403中最接近第一 PIU 401处的压力为‘P2，。抽气区间403中最接近第二 PIU 402处的压力为‘P3，。可以经由进气口 405将一第一吹扫气提供至第一 PIU401。一 第二吹扫气可以经由进气口 406进入第二 PIU402。经由排气口(或出口)404将该第一和 第二吹扫气从该抽气区间移除。在一实施例中，借助于具有(例如)一机械泵或一涡轮分 子(“涡轮”)泵的一抽真空系统将气体从抽气区间403中排出。在一实施例中，该第一吹 扫气为氢气(H2)或氦气(He)，或具有H2或He的混合物，且该第二吹扫气为氩气(Ar)、氖气 (Ne)或He，或含有Ar、Ne或He的混合物。在优选实施例中，选择该第一吹扫气以使其对第 一沉积空间407中的工艺无危险(即，该第一吹扫气大体上不与第一沉积空间407中的一或多种蒸气或气体起反应)。并选择该第二吹扫气以使其对第二沉积空间408中的工艺无 危险(即，该第二吹扫气大体上不与第二沉积空间408中的一或多种气体起反应)。在一实 施例中，第一吹扫气和第二吹扫气为相同气体。虽然DPIU 400包括两个进气口 405和两个进气口 406，应了解，系统400可以包括 任何数目的进气口。例如，该系统可以包括一个进气口 405和两个进气口 406。作为另一实 例，该系统可以包括2个进气口 405和三个进气口 406。可以根据需要分布和按大小排列该 等进气口以提供本发明实施例的气压差。在一实施例中，DPIU 400经配置维持介于约0. 1托与约20托之间的P1，且P4小 于或等于约0. 1托，或小于或等于约0. 01托。在另一实施例中，DPIU 400经配置维持介于 约0. 1托与约20托之间的P4，且Pl小于或等于约0. 01托，或小于或等于约0. 001托。在 实施例中，当一基板经引导穿过第一沉积空间407和第二沉积空间408时，DPIU 400将Pl 和P4维持在特定水平。在实施例中，第一沉积腔室407经配置在一基板之上沉积一含半导体材料，且第 二沉积腔室408经配置在该基板之上形成一透明导电薄膜层(即，第二沉积腔室408为一 透明导电薄膜沉积腔室)。在一实施例中，Pl大于P4，或大体上大于P4。在实施例中，第一沉积空间407经配置用于气相沉积。在一实施例中，第一沉积空 间407经配置用于化学气相沉积(CVD)。在另一实施例中，第一沉积空间407经配置用于原 子层沉积(ALD)。在一实施例中，第一沉积空间407可以经配置用于等离子体增强CVD或 ALD。在实施例中，第二沉积空间408经配置用于在一基板之上形成一透明导电薄膜。在一 实施例中，第二沉积空间408经配置用于离子溅射。在另一实施例中，第二沉积空间408经 配置用于物理气相沉积。在一实施例中，第二沉积空间408经配置用于在一基板之上沉积 一铟锡氧化物薄膜。在实施例中，一基板可自由地从第一沉积空间407移动至第二沉积空间408，反之 亦然。可以借助于基板支撑件409来提供该基板。基板支撑件409可为卷对卷沉积系统 (参见图1)的一部分。在一实施例中，基板支撑件409可为一基板基板。实例1图6图示一 DPIU 500，其包括与一第一 PIU 501和一第二 PIU 502成流体连通的 一抽气区间503。该第一 PIU 501的一个端口连接至一第一沉积空间507，而PIU 501的一 第二端口连接至该抽气区间503。该第二 PIU 502的一个端口连接至一第二沉积空间508， 而PIU 502的一第二端口连接至抽气区间503。第一沉积空间507中最接近第一 PIU 501 处的压力为‘P1，。第二沉积空间508中最接近第二 PIU 502处的压力为‘P4，。抽气区间 503中最接近第一 PIU 501处的压力为‘P2，。抽气区间403中最接近第二 PIU 502处的压 力为‘P3’。经由进气口 505将一第一吹扫气(例如，H2)提供至第一 PIU 501。一第二吹扫 气(例如，Ar)经由进气口 506进入第二 PIU 502。经由排气口(或出口)504将该第一和第 二吹扫气从该抽气区间503移除。可以借助于具有(例如)一机械泵或一涡轮分子(“涡 轮”)泵的一抽真空系统将气体从抽气区间503排出。实例2多个卷对卷沉积系统可用以形成图7的光伏电池。前端设施中的大规模薄膜硅太 阳能电池生产线包括一个卷对卷冲洗机器(未图示)、一个背反射体卷对卷生产机器(图 8)及一个PECVD/IT0卷对卷生产机器(图9)。不锈钢(SS)卷用作基板，在一些实施例中， 其可以具有0. 005” (0. 127mm)的厚度，10”的最小宽度，36”的优选宽度，及5000ft的最小长度。在该卷对卷冲洗机器中，在载入(卷开)腔室处装载的一卷未清洗SS薄片基板在 卷对卷湿法化学清洗工艺中经引导穿过一清洁剂槽、一 DI水漂洗槽、一鼓风机和干燥站。 然后，一无油、无粒子的清洁SS基板薄片与保护性中间插页层一起在该冲洗机器的复卷 (卷绕)腔室处卷绕于一卷轴芯上接着，一背反射体沉积于该等基板上。对于背反射体沉积，可以将一不锈钢卷的已 清洗3ft宽SS基板薄片装入一大规模背反射体卷对卷生产机器(参见图8)，并经受以下 工艺该已清洗SS基板薄片将移入金属(Al或Ag)溅射腔室和SiO溅射腔室以分别沉积一 金属反射层(具有IOOnm的最小厚度)和一 ZnO阻挡层(具有300nm的最小厚度)。在BR 机器处涂有Al (或Ag) /ZnO背反射体的柔性SS基板薄片卷将被转入PECVD/IT0机器以充 当用于薄膜硅和ITO材料沉积的基板。接着，沉积光伏器件结构。在薄膜硅和ITO沉积期间，将涂覆有BR的SS卷装入 一大规模PECVD/IT0卷对卷生产机器中，如图9所示。图示为两部分以适应页面的图9的 卷对卷生产机器可以为单一、连续式卷对卷系统。一基板薄片将以4英尺(ft)/分的速度 移动穿过所有薄膜硅PECVD腔室以被沉积600纳米(nm)的9-层膜(nl/il/pl/n2/i2/p2/ n3/i3/p3，其中'η'、‘ ρ'和'i'分别表示N型、ρ型和本征膜或薄膜)先进的a_Si/ a-SiGe/a-SiGe结构。然后，已涂覆薄膜硅的材料薄片将移动穿过一气压差分腔室和一 ITO 溅射腔室以在顶部完成70nm的透明导电ITO沉积。这样，可以在大规模薄膜硅太阳能电池 生产线处使用上述工艺在一轮中生产大面积(最小3英尺X5000英尺)柔性薄膜硅光伏 (或太阳能电池)材料，具有约10%的最小初始点-电池效率(约2. 15V的V。。，约7. 5mA/ cm2的Js。，及约62%的FF)，和约90%的最低产率。该气压差分抽气腔室可以为图6的DPIU 500。实例3参阅图10，一真空卷对卷薄膜生产机器可用以形成图7的光伏电池。图示为两部 分以适应页面的该卷对卷生产机器可以为单一、连续式卷对卷系统。前端设施中的一大规 模薄膜硅太阳能电池卷对卷生产机器包括一基板载入腔室、一等离子体清洗腔室、一背反 射体溅射沉积腔室、一薄膜硅PECVD沉积腔室、一透明导电薄膜真空沉积腔室及一基板复 卷腔室。一气压差分工艺隔离单元(DPIU)安置在该背反射体沉积腔室与该PECVD腔室之 间。一第二 DPIU安置在该PECVD腔室与该透明导电薄膜沉积腔室之间。不锈钢(SS)卷用 作基板，其具有约0.005” (0. 127mm)的厚度，约10”的最小宽度，约36”的优选宽度，及约 5000ft的最小长度。在该等离子体清洗腔室中，压力约0. 01托的含Ar或Ar/仏等离子体用以清洗该 SS基板。接着，在约5毫托下通过氩溅射于该基板上沉积一金属层/ZnO层背反射体(BR)。 金属(Al或Ag)和ZnO分别沉积约IOOnm和约300nm的最小厚度。涂有铝(或Ag) /ZnO背 反射体的柔性SS基板卷移动穿过一气压差分工艺隔离单元(DPIU)，进入在约0. 5托与5 托之间的压力下操作的薄膜硅PECVD沉积腔室。向该DPIU的BR侧面供给Ar吹扫气，向 PECVD侧面供给H2吹扫气。然后，具有SS/BR/a-SiGe/a-SiGe/a-Si多层结构的已涂覆薄膜 硅的该材料基板，移动穿过一第二DPIU，进入一 ITO溅射腔室以完成在顶部沉积一 ITO透明 导电层，该ITO透明导电层具有约70nm的厚度。向该第二 DPIU的PECVD侧面供给H2吹扫气，向ITO侧面供给Ar吹扫气。这样，可以在大规模薄膜硅太阳能电池生产线处使用上述 工艺在单个机器中生产大面积(最小约3英尺X5000英尺)的柔性薄膜硅光伏(或太阳 能电池)材料，具有约10%的最小初始点-电池效率(约2. 15V的Voc,约7. 5mA/cm2的Jsc， 及约62%的一填充因子(FF)，和约90%的最低产率。该DPIU可以为图6的系统500。实 例4一薄膜硅PECVD腔室充满流速为约12000SCCm，压力约1. 0托的H2气体。一 ITO 溅射腔室充满流速为约lOOOsccm的Ar气体和流速为约kccm的仏气体。该PECVD腔室 和ITO溅射腔室邻接于一 DPIU，诸如图6的DPIU 500。包含H2气体的一吹扫气流505以约 4000sccm的流速进入PIU 501。包含Ar气体的一吹扫气流506以约5000sccm的流速进入 PIU 502。抽气区间503具有约60毫托的压力。ITO溅射腔室(例如，图6的腔室508)具 有约4毫托的压力。参阅图11，在ITO溅射时用残余气体分析仪(RGA)检测的H2、02、Ar气 体峰得出约0. 42%的H2/Ar比率和约0. 55%的02/Ar比率。基于以上工艺参数，以卷对卷 方式于薄膜硅上生产了高质量ITO膜。从上文应了解，虽然已经图示并描述了特定实施方式，但是可对此处进行各种修 改且本文已考虑到了这些修改。本发明也并非意欲限定于本说明书内所提供的具体实施 例。虽然已经参阅上述说明书描述了本发明，但是，本文并非意味以限定意义解释本发明实 施例的描述和图示。此外，应了解，本发明的所有方面并不限定于本文所阐述的具体叙述、 配置或相对比例，其取决于各种条件和变量。本发明实施例的形式和细节方面的各种修改 对于本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，应考虑到本发明也应涵盖任何此类的修 改，变化和同等物。
权利要求
1.一种真空沉积装置，包括 一基板载入腔室和一基板复卷腔室；一基板支撑系统，从基板载入腔室延伸至基板复卷腔室； 一高气压真空沉积腔室； 一低气压真空沉积腔室；及一气压差分工艺隔离单元(DPIU)，其安置在该高气压真空沉积腔室与该低气压真空沉 积腔室之间。
2.如权利要求1所述的真空沉积装置，其中该高气压真空沉积腔室为一半导体沉积腔室。
3.如权利要求1所述的真空沉积装置，其中该低气压真空沉积腔室为一透明导电薄膜 薄膜沉积腔室。
4.如权利要求1所述的真空沉积装置，其中该高气压真空沉积腔室经相应配置沉积薄 膜硅或薄膜硅合金。
5.如权利要求1所述的真空沉积装置，其中该低气压真空沉积腔室经相应配置沉积铟 锡氧化物薄膜。
6.如权利要求1所述的真空沉积装置还包括一实时在线测量腔室。
7.如权利要求6所述的真空沉积装置，其中该实时在线测量系统位于该低气压真空沉 积腔室与该基板复卷腔室之间。
8.如权利要求6所述的真空沉积装置，其中该实时在线测量系统包括一电流-电压测 量系统。
9.如权利要求6所述的真空沉积装置，其中该实时在线测量系统包括一电池刻蚀隔离 系统。
10.如权利要求9所述的真空沉积装置，其中该电池刻蚀隔离系统包括一激光刻蚀机。
11.如权利要求6所述的真空沉积装置，其中该高气压真空沉积腔室、该低气压真空沉 积腔室、该DPIU及该实时在线测量腔室安置在该基板载入腔室与该基板复卷腔室之间。
12.如权利要求1所述的真空沉积装置，其中该DPIU经配置维持该高气压真空沉积腔 室与该低气压真空沉积腔室之间的一气压差。
13.如权利要求1所述的真空沉积装置，进一步还包括一背反射体沉积腔室。
14.如权利要求1所述的真空沉积装置，进一步还包括一等离子体清洗腔室。
15.一种在一基板之上形成一薄膜的装置，包括 一基板载入腔室，其经配置展开载入该基板；一第一反应区间，其经配置在该基板之上形成一半导体薄膜； 一第二反应区间，其经配置在该半导体膜上形成一透明导导电膜； 一气压差分工艺隔离单元(DPIU)，其安置在该第一反应区间与该第二反应区间之间， 该DPIU经配置维持该第一反应区间与该第二反应区间之间的气压差； 一基板复卷腔室，其用于复卷收集该基板；及一基板支撑系统，其经配置支撑该基板从该基板载入腔室移至该第一反应区间，从该 第一反应区间移至该第二反应区间，并从该第二反应区间移至该基板复卷腔室。
16.如权利要求15所述的装置，其中该第一反应区间经配置经由等离子体增强化学气相沉积在该基板之上形成该半导体薄膜。
17.如权利要求15所述的装置，进一步还包括一实时在线测量腔室。
18.如权利要求17所述的装置，其中该实时在线测量腔室安置在该第二反应区间与该 基板复卷腔室之间。
19.如权利要求15所述的装置，其中该第一反应区间经配置在该基板之上沉积一薄膜 硅或薄膜硅合金。
20.如权利要求15所述的装置，其中该第二反应区间经配置在该基板之上沉积铟锡氧 化物。
21.如权利要求15所述的装置，该第一反应区间经配置在该基板之上形成一ρ-掺杂或 η-掺杂半导体薄膜之一。
22.如权利要求21所述的装置，进一步还包括介于该第一反应区间与该DPIU之间的一 第三反应区间，该第三反应区间经配置在该基板之上形成一本征半导体薄膜。
23.如权利要求22所述的装置，进一步包括介于该第三反应区间与该DPIU之间的一第 四反应区间，该第四反应区间经配置在该基板之上形成该P-掺杂或η-掺杂半导体薄膜中 的另一种。
24.如权利要求15所述的装置，其中该第一反应区间具有一第一压力(Ρ1)，且该第二 反应区间具有一第二压力(Ρ2)，且该DPIU经配置维持大于或等于约10 1的一气压差 (Ρ1/Ρ2)。
25.如权利要求M所述的装置，其中该DPIU经配置维持大于或等于约100 1的一气 压差(Ρ1/Ρ2)。
26.一种气压差分工艺隔离单元，包括 一抽气区间；及与该抽气区间连通的至少两个工艺隔离单元，每个工艺隔离单元包括 一第一端口，其经配置允许一基板移入该工艺隔离单元； 一第二端口，其经配置允许一基板移出该工艺隔离单元；介于该第一端口与该第二端口之间的一第一传导空间，该第一传导空间安置在一基板 之下；介于该第一端口与第二端口之间的一第二传导空间，该第二传导空间在该基板之上； 一第一限流器，其安置在该第一传导空间与该第一端口之间；及 一第二限流器，其安置在该第一传导空间与第二端口之间。
27.一种用于形成一半导体薄膜的方法，包括以下步骤 将一基板从一基板载入腔室移至一第一腔室；将该基板从该第一腔室移至一气压差分工艺隔离单元，将该基板从该气压差分工艺隔 离单元移至一第二腔室；及将该基板移至一基板复卷腔室，其中该气压差分工艺隔离单元经配置防止来自该第一腔室的气体进入该第二腔室，该 第二腔室安置在该气压差分工艺隔离单元与一基板复卷腔室之间。
28.如权利要求27所述的方法，其中该第一腔室经配置沉积薄膜硅或一薄膜硅合金。
29.如权利要求27所述的方法，其中该第二腔室经配置在该基板之上沉积一透明导电薄膜。
30.如权利要求四所述的方法，其中该透明导电薄膜为铟锡氧化物。
31.如权利要求27所述的方法，其中借助于一基板支撑系统来移动该基板。
全文摘要
本发明提供了用于卷对卷连续式制备光伏(PV)电池的装置及方法。装置包括卷对卷的复卷传送腔室，一个或多个沉积腔室，一个气压差分工艺隔离单元，以及用于获得实时质量监测数据的腔室，这些监测数据包括IV数据、良率数据和均匀性数据。
文档编号H01L21/205GK102113092SQ200980131115
公开日2011年6月29日 申请日期2009年8月4日 优先权日2008年8月4日
发明者布拉德利·S·莫林, 曹新民, 阿罗西·威吉 申请人:美国迅力光能公司