专利名称：衬底的表面粗化方法以及光伏装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及衬底的表面粗化方法以及光伏装置的制造方法。
背景技术：
为了提高太阳能电池等的光电转换装置的性能，将阳光高效率地取入到构成太阳能电池的衬底内部很重要。因此，通过在光入射一侧的衬底表面上实施纹理加工，让在表面上一次反射的光再次入射到表面上，以使得将更多的阳光取入到衬底内部，实现提高光电转换效率。在此所谓纹理加工是指在衬底表面有意地形成数十纳米(nm) 数十微米(ym) 尺寸的微细凹凸的加工。作为纹理形状的代表例子，已知有锥形状或者反锥形状。所谓锥形状是指在平面上放置四棱锤而成的形状，所谓反锥形状是指相对于平面挖成将四棱锤倒放的形状的凹陷形状。如果将反锥纹理无间隙地排列在衬底上，则衬底面全部由反锥的斜面构成，在斜面上的反射光几乎全部再次入射到相邻的斜面，光的利用效率得到最大化。在这种反锥形状的形成时，利用相对于碱性水溶液的硅的蚀刻速度的面取向依赖性。即，在将晶体硅用碱性水溶液蚀刻的情况下，蚀刻速度相对于晶面取向<100>快，另一方面相对于晶面取向<111>慢。因而，如果用碱性水溶液蚀刻在表面上具有晶面取向<100> 的晶体硅衬底，则蚀刻进行到一定程度，在<111>面露出的地方蚀刻速度显著降低，结果是形成由<111>面组成的锥形状，或者形成反锥形状。然而，在该方法中锥形状或者反锥形状的微细凹凸的尺寸和配置是随机的，不一定能够将反射率抑制到最小。为了解决此问题，通过预先在衬底上形成经过图案化的蚀刻掩模并进行蚀刻，能够在所希望的位置和以所希望的尺寸形成微细凹凸。在这种方法中作为蚀刻掩模可以使用抗蚀剂，作为图案化方法可以使用光刻技术。另外，作为其他的方法提出了例如使用氮化硅膜作为蚀刻掩模，使用激光加工作为图案化方法的方法(例如，参照专利文献1)。以下，对于该方法进行说明。首先，用酸性或者碱性的溶液蚀刻硅衬底，除去切片时的损伤层。其后，用PECVD(等离子化学气相生长法)形成31队膜(氮化硅膜)作为蚀刻掩模。接下来，对该蚀刻掩模用激光形成图案开口部。而后，在硅衬底上使用酸性或者碱性溶液进行蚀刻，在硅衬底上形成凹部。然而，在该方法中激光加工时间成为问题。因为进行相应于凹部的面积大小的激光加工，所以为了对硅衬底的表面全面地形成微细凹凸需要增大相对于表面积的激光加工面积，需要远远大于实用的太阳能电池制造工艺的很长的加工时间，整体加工时间变长。因而，采用激光的加工考虑以下方法，例如进行点状的小面积的加工，接下来实施采用氢氟酸和硝酸的混合液的蚀刻，使掩模下发生底切(undercut)，最后通过使用碱性水溶液进行蚀刻而整形为反锥形状。因为凹形的尺寸可能比通过底切的激光加工尺寸更大， 所以即使激光加工直径小，也可以最终在整个面上铺满凹凸形状。作为这种方法，提出了例如在氢氟酸和硝酸的蚀刻后接下来实施碱性水溶液蚀刻的方法(例如，参照专利文献2)。
现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2007-103572号公报专利文献2 日本特开平10-303443号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题然而，发明人通过实验确认了用上述方法是否能够形成反锥形状的微细凹凸，虽然能够确认在氢氟酸硝酸水溶液的蚀刻下在掩模下产生底切这一点，但在下一步骤的在碱性水溶液的蚀刻中产生了问题。即，即使在碱性水溶液中浸泡硅衬底也不会在整个面上均勻地形成反锥形状，存在发生部分地形成反锥形状的地方、和根本未进行蚀刻的地方这样的问题。这是因为除了被氢氟酸硝酸水溶液蚀刻的硅表面呈现亲水性外，还有通过元素分析在表面附近检测出大量的氧，所以被认为是表面形成的氧化膜阻碍了由碱性水溶液进行的蚀刻。本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于得到可以以短时间的处理在跨越衬底的较宽区域均勻地形成反锥形状的凹凸构造的衬底的表面粗化方法以及光伏装置的制造方法。解决课题的技术方案为了解决上述问题而实现目的，本发明所涉及的衬底的表面粗化方法，其特征在于包含第1步骤，在半导体衬底的表面形成保护膜；第2步骤，在所述保护膜形成开口部； 第3步骤，将形成有所述开口部的所述保护膜作为掩模，对所述半导体衬底的形成有所述保护膜的面实施各向同性蚀刻，在所述开口部的下部及其附近区域形成第1凹部；第4步骤，将形成有所述开口部的所述保护膜作为掩模，对所述半导体衬底的形成有所述保护膜的面实施蚀刻，除去在所述第1凹部的表面形成的氧化膜；第5步骤，将形成有所述开口部的所述保护膜作为掩模，对在所述半导体衬底的形成有所述保护膜的面实施各向异性蚀刻，在所述开口部的下部及其附近区域形成第2凹部；以及第6步骤，除去所述保护膜。发明效果根据本发明可以达到如下效果不需要光刻法中那样高价的装置以及冗长的制造步骤，就能够以短时间的处理在跨越衬底的较宽区域均勻地形成反锥形状的凹凸构造，简便地均勻实施微细的表面粗化，可以实现发挥优异的反射抑制效果的衬底的表面粗化。
图1是示出利用本发明的实施方式1所涉及的衬底表面粗化方法对表面实施了表面粗化的P型单晶硅衬底的图。图2是用于说明本发明的实施方式1所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。图3是用于说明本发明的实施方式1所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。图4是用于说明本发明的实施方式1所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。图5是用于说明本发明的实施方式1所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。图6是用于说明本发明的实施方式1所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。
图7是用于说明本发明的实施方式1所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。图8是用于说明本发明的实施方式1所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。图9是示出使用本发明的实施方式1所涉及的衬底而制造的光伏装置的图。图10是示出利用本发明的实施方式2所涉及的衬底的表面粗化方法对表面实施了表面粗化的P型单晶硅衬底的图。图11是用于说明本发明的实施方式2所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。图12是用于说明本发明的实施方式2所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。图13是用于说明本发明的实施方式2所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。图14是用于说明本发明的实施方式2所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。图15是用于说明本发明的实施方式2所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。图16是用于说明本发明的实施方式2所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。图17是用于说明本发明的实施方式2所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。图18是用于说明本发明的实施方式2所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。图19是用于说明本发明的实施方式2所涉及的光伏装置的制造步骤的图。图20是用于说明本发明的实施方式2所涉及的光伏装置的制造步骤的图。符号说明101 对表面实施了表面粗化的ρ型单晶硅衬底IOla :p型单晶硅衬底102 掩膜103:微细开口部104 第 1 凹部104a 氧化膜105 第1凹部的表面106 第2凹部(反锥形状的微细凹部)107 平台部109 :n+ 层110 受光面侧电极的形成区域111 对表面实施了表面粗化的ρ型单晶硅衬底Illa :p型单晶硅衬底112:浅的 n+层121 半导体衬底121a :N 层122 反射防止膜123:受光面侧电极123a:栅极电极12 :总线电极124:背面电极
具体实施方式
以下，根据附图详细说明本发明所涉及的衬底的表面粗化方法以及光伏装置的制造方法的实施方式。本发明并不限于以下的说明，在不脱离本发明的主旨的范围内可以适宜地改变。另外，在以下所示的附图中，为了便于理解，会有各部件的比例和实际不同的情况。在各附图间也一样。实施方式1图1示出作为光伏装置的太阳能电池用的第1导电型的衬底，是利用本实施方式所涉及的衬底的表面粗化方法对表面实施了表面粗化的P型单晶硅衬底101 (以下，称为衬底101)的图。图1的(a)是剖面图，图1的(b)是俯视图。以下，在衬底101的两个主面中，将对表面实施了表面粗化的一个主面称为受光面侧主面，将另一面称为背面侧主面。另外，在剖面图中将上部表示为受光面侧，在俯视图中表示从受光面侧看到的图。该衬底101 具有将孔间平均间隔为大致10 μ m左右的反锥形状的微细凹部106大致均勻地形成在受光面侧的衬底表面上的纹理构造。接下来，对用于形成这种衬底101的实施方式1所涉及的衬底的表面粗化方法进行说明。图2 图8是用于说明实施方式1所涉及的衬底的表面粗化方法的步骤的图。在图2 图8中(a)是剖面图，与图1的(a)对应。另外在图2 图8中，(b)是俯视图，与图1的(b)对应。以下，参照这些附图对实施方式1所涉及的衬底的表面粗化方法进行说明。首先，在步骤1中，在作为进行衬底表面的表面粗化的对象的ρ型单晶硅衬底 IOla(以下，称为衬底101a)的一面侧的表面形成对后述的蚀刻具有耐蚀刻性的掩膜102作为保护膜。首先，准备图2所示的衬底101a。衬底IOla在用多线切割机(multi-wire saw) 对用铸造法或拉晶法等制作的硅锭进行切片后，用有机溶剂实施洗净，用酸或者碱性溶液实施损伤层除去而成。在本实施方式中，使用了边长为156mm的正方形、板厚度为180 μ m的 ρ型单晶硅衬底。衬底IOla的尺寸并不限于此，而是可以适宜地改变。作为除去损伤层，将衬底IOla浸泡在例如加热到80°C的重量占10%氢氧化钠水溶液中，浸泡处理2分钟左右。 而且，损伤层除去的条件并不限于此，只要能够除去损伤层，也可以是上述以外的条件。另外，在此作为衬底IOla使用了单晶硅衬底，但也可以使用多晶硅衬底，这种情况下具有能够低价获得衬底的优点。另外，在此使用了 P型硅衬底作为衬底101a，但也可以使用η型的硅衬底。而后，如图3所示，在衬底IOla的一面侧的表面上形成掩膜102。在本实施方式中，利用PECVD法(等离子化学气相生长法)形成膜厚IOnm的氮化硅膜(SiNx膜)作为掩膜102。在此，虽然使用了硅氮化膜作为掩膜102，但只要在以后的步骤中可以开口并且具有对于衬底IOla的蚀刻选择性，则也可以选择其他的材料作为掩膜102，能够使用氧化硅膜(SiO2膜)、金属膜、有机膜等。掩膜102的膜厚度只要考虑到成膜速度和蚀刻选择性、除去性等进行选择即可，并不限于lOnm。在接下来的步骤2中，如图4所示对掩膜102实施微细孔加工。即，利用激光加工处理在掩膜102上形成多个微细开口部103。在本实施方式中，作为激光使用Nd-YAG激光器的3倍高次谐波的355nm的激光，如图4所示在间隔10 μ m的正方晶格点状上实施直径 2μπι的微细孔加工。
在激光加工时，采用让具有高斯分布的强度分布的激光向作为干涉光学元件的一种的HOE (全息光学元件)入射，分支为多个光束的方法。让经过分支的光束通过光学系统以便在衬底IOla上成像。在本实施方式中，所使用的HOE的分支数是100，这种情况下的光利用效率是91 %。使用HOE进行分支的方法与通过孔径的遮光进行多点照射的方法相比， 可以列举如下优点在经过分支的各光束内具有按照高斯分布的光强度分布，在经过分支的各光束之间光强度差小、光的利用效率高。为了对衬底IOla的整个面实施微细孔加工， 一边让衬底IOla在精密载物台上水平移动，一边实施激光加工。连续加工所需的载物台速度能够根据激光的振荡频率和单次激光加工区域宽度来计算。在本实施方式中，使用HOE作为多点照射的方法，但只要能够实施所希望的微细孔加工，也可以通过使用基于孔径的遮光的多点照射，或者将单点照射和载物台移动进行并用而加工衬底IOla的整个面，这对于实现本发明没有任何问题。另外，在本实施方式中，为了进行衬底IOla的整个面的加工使用采用精密载物台的水平移动，但对于经过多点分支的激光，也可以通过使用电流计反射镜和f θ透镜的组合进行光学扫描来实施整个面的加工。进而，在本实施方式中，使用355nm波长的激光作为激光，但只要能够实施所希望的微细孔加工，也可以使用其他种类的激光或其他波长的激光，对于实施本发明没有任何问题。在接下来的步骤3中，进行各向同性蚀刻作为第1蚀刻步骤。即，将掩膜102作为蚀刻掩模使用，通过将衬底IOla浸泡在酸性溶液中进行蚀刻，对在掩膜102的微细开口部 103的底部露出的衬底IOla的表面进行各向同性蚀刻，如图5所示形成第1凹部104。此时，在第1凹部104的表面形成氧化膜10如。在本实施方式中，使用以体积比1 7混合50%的氢氟酸和69%的硝酸而成的氢氟酸硝酸水溶液作为蚀刻液的酸性溶液。另外，药水温度为10°c。当用该蚀刻液对硅进行蚀刻的情况下，不论晶面取向如何，蚀刻都大致各向同性地进行，形成如图5所示的大致半球形的第1凹部104。该蚀刻特性对于在掩膜102的下部形成底切上是重要的特性，是使采用激光加工的掩膜102的开口面积缩小，换句话说是可以使激光加工时间缩短的重要的特性。在本实施方式中，在第1凹部104的直径变成8μπι的时刻使第1时刻步骤结束。另外，作为蚀刻液也可以在上述的氢氟酸硝酸水溶液中加入醋酸、磷酸等添加剂， 另外也可以用纯水稀释。进而，还能够自由地改变氢氟酸和硝酸的混合比例。另外，为了提高在本实施方式中使用的掩膜(氮化硅膜)和硅的蚀刻选择比，在本实施方式中作为药水温度设定为比室温低的10°c，但只要能够形成所希望的第1凹部104也可以使用其他的温度，对于实现本发明没有任何问题。在接下来的步骤4中，作为成为本发明的特征的第2蚀刻步骤，进行氧化膜除去蚀刻。即，将掩膜102作为蚀刻掩模使用，将经过了第1蚀刻步骤的衬底IOla浸泡在氢氟酸水溶液中进行蚀刻，由此除去氧化膜104a，如图6所示使第1凹部的表面105露出。在本实施方式中，使用了用水将50%的氢氟酸稀释为体积占20%的氢氟酸水溶液作为蚀刻液。药水温度为室温，处理时间为30秒钟。在作为上述的第1蚀刻步骤的步骤3中，同时进行采用硝酸进行硅表面的氧化硅膜的形成、和采用氢氟酸进行氧化硅膜的除去。因而，在步骤3的结束时刻在硅表面形成硅氧化膜(化学氧化膜)。众所周知的是，当在硅表面形成了氧化硅膜的情况下，碱性蚀刻不会进行。实际上发明人实验的结果是，在步骤3的结束时刻第1凹部104的表面呈现亲水性，继续实施碱性蚀刻，结果进行蚀刻的部位和不进行蚀刻的部位混合存在，发生了蚀刻的面内不均勻。另外，采用二次离子质量分析(SIMS =Secondary Ion Mass Spectrometry 次级离子质谱分析法)实施了深度方向元素分析，结果却在表面附近检测出高浓度的氧，确认了氧化硅膜的存在。另一方面，在作为第2蚀刻步骤的步骤4的实施后，第1凹部的表面105呈现疏水性，通过SIMS分析，表面附近的氧的浓度显著减少，能够确认除去了氧化硅膜。在本步骤中的蚀刻液的比例、药水温度、处理时间只要注意氧化硅膜的除去和掩膜的残留这两方面的兼容性，就可以自由选择。在接下来的步骤5中，作为第3蚀刻步骤进行各向异性蚀刻。即，将掩膜102作为蚀刻掩模使用，通过将经过第2蚀刻步骤的衬底IOla浸泡在碱性溶液中进行蚀刻，从而对在掩膜102的微细开口部103的下部露出的衬底IOla的表面(第1凹部的表面105的表面)进行各向异性蚀刻，如图7所示形成第2凹部(反锥形状的微细凹部)106。在本实施方式中，作为碱性水溶液使用在重量占10%的氢氧化钠水溶液中添加了重量占的IPA(异丙醇)的溶液。在本实施方式中因为使用表面具有<100>晶面取向的单晶硅衬底，所以当采用碱性水溶液实施蚀刻时，则如图7所示形成将四棱锤倒放的形状的所谓的反锥形状的微细凹部106。这是由于采用碱性水溶液的蚀刻速度因面取向而不同的缘故。蚀刻速度在<100>面最快，接下来是<110>面，<111>面最慢。当是如第1凹部 104那样的半球形状的情况下，面取向随着位置而连续性变化，而由于采用碱性水溶液实施蚀刻，所以蚀刻以与面取向相应的速度进行，在<111>面露出的地方，蚀刻实质性上自动停止。<111>面露出的时刻以后虽慢但也进行蚀刻。因而，当蚀刻时间过长的情况下作为平坦部的平台部107消失，而掩膜102和衬底IOla的粘接部消失，所以发生掩膜102的脱落。另一方面，当蚀刻时间过短的情况下，平坦的平台部107大量残留，阻碍在衬底IOla的表面上的光反射率降低。在本实施方式中将平台部107的宽度设定为0. 5μπι。当使用面取向<100>的单晶硅衬底作为衬底IOla的情况下，因为反锥形状的微细凹部106成为底面为正方形的四棱锤形状，所以通过将微细开口部103排列在正方晶格上， 能够将在各个位置的平台部107的宽度设定为固定，能够在衬底IOla的表面上均勻地形成反锥形状的凹凸构造。因此，可以使衬底IOla的表面的光反射率抑制最大化和防止掩膜 102脱落并存。另外，在本实施方式中在蚀刻液中添加1ΡΑ，从而使<100>面和<111>面的蚀刻速度比增大，但只要能够对在掩膜102的微细开口部103的下部露出的衬底IOla的表面(第 1凹部的表面105的表面)进行各向异性的蚀刻，也可以添加其他的添加剂，或者可以不使用添加剂，对于本发明的实现没有任何障碍。另外，在本实施方式中使用了氢氧化钠水溶液作为蚀刻液，但使用氢氧化钾水溶液等其他的碱性溶液也可以。在步骤6中，作为第4蚀刻步骤用湿法蚀刻进行掩膜102的除去。在本实施方式中，使用了用纯水将50 %的氢氟酸稀释为体积占20 %的溶液作为用于除去掩膜102的蚀刻液。药水温度为室温，处理时间为6分钟。通过这样除去掩膜102，能够得到如图8所示地在衬底IOla的表面上均勻铺满反锥形状的微细凹部106的构造。此外，可以与所使用的掩膜102的材料等条件相配合地改变蚀刻液。通过经过以上那样的步骤，能够得到如图1所示那样地具有在衬底表面上大致均勻地形成反锥形状的微细凹部106的微细凹凸构造(纹理构造)的衬底101。图9是表示使用上述衬底101来制造的光伏装置的图，图9(a)是剖面图，图9 (b) 是俯视图。图9所示的光伏装置具备第1导电型半导体衬底121，具有在衬底表层扩散了第2导电性的杂质的作为杂质扩散层的N层121a ；反射防止膜122，形成在半导体衬底121 的受光面侧的面(表面)上；受光面侧电极123，形成在半导体衬底121的受光面侧的面 (表面)上；背面电极124，形成在和半导体衬底121的受光面相反一侧的面(背面)上。另外，作为受光面侧电极123包含光伏装置的栅极电极123a以及总线电极123b， 在图9(a)中示出与栅极电极123a的长度方向垂直的剖面的剖面图。而后，在半导体衬底 121上使用用上述衬底的表面粗化方法在衬底表面上形成了反锥形状的微细凹凸构造的衬底101，构成156mm □的光伏装置。接下来，说明使用上述的衬底101制造图9所示的光伏装置的步骤。另外，由于在此说明的步骤和通常的使用硅衬底的光伏装置的制造步骤一样，所以未特别图示。将上述步骤6的处理完成的衬底101投入到热氧化炉中，通过在存在氯氧化磷 (POCl3)蒸汽下加热，在衬底101的表面形成磷玻璃，从而使得磷扩散到衬底101，在衬底 101的表层形成第2导电型的N层121a。扩散温度例如设置为840°C。由此，得到在衬底表层具有N层121a的半导体衬底121。在此因为使用ρ型硅衬底，所以为了形成pn节而扩散不同导电型的磷，而在使用η型硅衬底的情况下只要扩散ρ型杂质即可。接下来，在氢氟酸溶液中除去衬底121的磷玻璃层后，利用等离子CVD法在N层 121a之上形成SiN膜作为反射防止膜122。反射防止膜122的膜厚度以及折射率设定为最能抑制光反射的值。此外，也可以层叠折射率不同的两层以上的膜。另外，反射防止膜122 也可以用溅射法等不同的成膜方法形成。接下来，用丝网印刷在衬底121的受光面上以梳状印刷混入了银的浆料，用丝网印刷在衬底121的整个背面上印刷混入了铝的浆料后，实施烧制处理形成受光面侧电极 123和背面电极124。烧制在大气环境中例如在760°C下实施。通过以上步骤制作图9所示的光伏装置。对经过上述步骤制作的光伏装置的性能评价的结果进行说明。在光伏装置的制作中，在实施了衬底101的表面粗化的时刻用分光光度计评价衬底101的光反射特性。表1 表示其中在波长900nm的反射率。[表 1]
权利要求
1.一种衬底的表面粗化方法，其特征在于，包含 第1步骤，在半导体衬底的表面形成保护膜；第2步骤，在所述保护膜形成开口部；第3步骤，将形成有所述开口部的所述保护膜作为掩模，对所述半导体衬底的形成有所述保护膜的面实施各向同性蚀刻，在所述开口部的下部及其附近区域形成第1凹部；第4步骤，将形成有所述开口部的所述保护膜作为掩模，对所述半导体衬底的形成有所述保护膜的面实施蚀刻，除去在所述第1凹部的表面形成的氧化膜；第5步骤，将形成有所述开口部的所述保护膜作为掩模，对在所述半导体衬底的形成有所述保护膜的面实施各向异性蚀刻，在所述开口部的下部及其附近区域形成第2凹部； 以及第6步骤，除去所述保护膜。
2.根据权利要求1所述的衬底的表面粗化方法，其特征在于 所述半导体衬底由晶体硅组成，所述第2步骤是实施激光加工而在所述保护膜形成开口的步骤， 所述第3步骤的各向同性蚀刻是使用了酸性溶液的蚀刻， 所述第4步骤的蚀刻处理是使用了氢氟酸水溶液的蚀刻， 所述第5步骤的各向异性蚀刻是使用了碱性溶液的蚀刻。
3.根据权利要求2所述的衬底的表面粗化方法，其特征在于 所述半导体衬底由晶面取向是<100>的单晶硅组成。
4.根据权利要求2所述的衬底的表面粗化方法，其特征在于 在所述激光加工的处理中将微细孔排列在正方晶格点上。
5.一种光伏装置的制造方法，其特征在于，包含表面粗化步骤，利用权利要求1 4中的任意一项所述的衬底的表面粗化方法对第1 导电型的所述半导体衬底的一面侧进行表面粗化；杂质扩散层形成步骤，在所述半导体衬底的一面侧扩散第2导电型的杂质元素而形成杂质扩散层；以及电极形成步骤，在所述半导体衬底的一面侧的电极形成区域以及所述半导体衬底的另一面侧形成电极。
6.根据权利要求5所述的光伏装置的制造方法，其特征在于具有第1杂质扩散层形成步骤，在所述表面粗化步骤之前，在所述半导体衬底的一面侧以第1浓度扩散所述第2导电型的杂质元素而形成第1杂质扩散层， 在所述第1步骤中，在所述第1杂质扩散层之上形成所述保护膜， 在所述第2步骤中，在所述保护膜形成达到所述第1杂质扩散层的开口部， 在所述第3步骤中，蚀刻所述第1杂质扩散层以及所述半导体衬底，在所述开口部的下部及其附近区域形成所述第1凹部，所述杂质扩散层形成步骤是以比所述第1浓度更低的第2浓度在所述第2凹部的表面扩散所述第2导电型的杂质元素，形成第2杂质扩散层的第2杂质扩散层形成步骤。
7.根据权利要求5所述的光伏装置衬底的制造方法，其特征在于在所述第2步骤中， 不在所述半导体衬底的一面侧的电极形成区域形成所述开口部。
全文摘要
包含对形成在半导体衬底101a的表面的保护膜102形成开口部103的步骤；将保护膜102作为掩模实施使用了酸性溶液的第1蚀刻处理，在开口部103的下部及其附近区域形成第1凹部104的步骤；将保护膜102作为掩模实施蚀刻处理，除去形成在第1凹部104的表面的氧化膜104a的步骤；将保护膜102作为掩模实施各向异性蚀刻，在开口部103的下部及其附近区域形成第2凹部106的步骤；以及除去保护膜102的步骤。
文档编号H01L31/04GK102362356SQ20098015826
公开日2012年2月22日 申请日期2009年8月27日 优先权日2009年3月25日
发明者新延大介, 松野繁, 西村邦彦 申请人:三菱电机株式会社