专利名称：用于Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正的方法
技术领域：
本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种用于Bipolar-CMOS(双 极-CMOS)工艺中有源区光学临近修正的方法。
背景技术：
在先进光刻工艺中，因曝光图形尺寸的缩小，须对光掩模图形进行预先的光学临 近修正(0PC，0ptical Proximity Correction)，来弥补由光学系统的有限分辨率造成的光 学临近效应。在传统先进Bipolar-CMOS工艺中，需对有源区(AA Active Area)进行模型式光 学临近修正(model based 0PC) ,Bipolar (双极)和CMOS区域的AA是统一做模型式光学临 近修正的。但是Bipolar AA设计图形(参见图2)比较简单，并且尺寸远大于CMOS AA(参 见图3)设计尺寸。从OPC角度来讲对Bipolar AA这样的设计图形进行模型式光学临近修 正，浪费出版时间和软硬件资源。同样一组设计图形运行模型式光学临近修正所需时间是 运行规则式光学临近修正(rule based 0PC)所需时间的20倍以上，软硬件资源是规则式 光学临近修正的10倍以上。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种用于Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近 修正的方法，能够节省Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正的运算时间和运行成本。为解决上述技术问题，本发明的用于Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正 的方法是采用如下技术方案实现的所述Bipolar-CMOS工艺中，Bipolar有源区的设计尺 寸远大于CMOS有源区的设计尺寸，对Bipolar有源区进行规则式光学临近修正，对CMOS有 源区进行模型式光学临近修正。本发明基于Bipolar-CMOS工艺中Bipolar有源区的设计图形比较简单并且尺 寸远大于CMOS有源区的设计尺寸的特点，对Bipolar有源区与CMOS有源区采用不同的 光学临近修正。CMOS有源区经过模型式光学临近修正后仿真图形与传统方式完全一致； Bipolar有源区经过规则式光学临近修正后仿真图形与传统方式基本一致(参见图6)，足 以满足有源区光学临近修正精准度。但是Bipolar有源区光学临近修正运行的时间缩短为 原来的20分之一以内，所需软硬件资源是原来的10分之一以内。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明图1是本发明的方法一实施例控制流程图；图2是Bipolar有源区设计版图示意图；图3是CMOS有源区设计版图示意图；图4是经过模型式光学临近修正后的版图示意图5是经过规则式光学临近修正后的版图示意图；图6是模型式光学临近修正和规则式光学临近修正仿真图形叠加后的示意图。
具体实施例方式图1是本发明的用于Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正的方法的一个实 施例，具体包括如下步骤步骤一，将Bipolar-CMOS工艺中有源区原始设计数据通过控制程序分离成 Bipolar区域有源区设计数据和CMOS区域有源区设计数据两部分。步骤二，对于Bipolar区域有源区设计数据采用规则式光学临近修正，对于CMOS 区域有源区设计数据采用模型式光学临近修正。步骤三，经过光学临近修正后分别得到Bipolar区域有源区Post OPC (光学临近 修正后)数据，和CMOS区域有源区Post OPC数据。步骤四，通过控制程序合并步骤三得到的两部分Post OPC数据并输出。步骤五，最终得到Bipolar-CMOS工艺中有源区Post OPC数据。本发明对Bipolar有源区和CMOS有源区分别采用了不同的光学临近修正，由于规 则式光学临近修正(参见图4)运算时间和运行成本远低于模型式光学临近修正(参见图 5)，在不影响有源区光学临近修正精准度的前提下，能够大大节省Bipolar-CMOS工艺中有 源区光学临近修正运算时间和运行成本。以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限 制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应 视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种用于Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正的方法，所述Bipolar-CMOS工 艺中，Bipolar有源区的设计尺寸远大于CMOS有源区的设计尺寸，其特征在于对Bipolar 有源区进行规则式光学临近修正，对CMOS有源区进行模型式光学临近修正。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于对Bipolar有源区和CMOS有源区进行光学 临近修正前，将Bipolar-CMOS工艺中有源区原始设计数据通过控制程序分离成Bipolar区 域有源区设计数据和CMOS区域有源区设计数据两部分，然后再分别进行不同的光学临近 修正。
3.如权利要求1所述的方法，对Bipolar有源区和CMOS有源区分别进行不同的光学临 近修正后，通过控制程序合并Bipolar区域有源区光学临近修正后数据，和CMOS区域有源 区光学临近修正后数据并输出；最终得到Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正后数 据。
全文摘要
本发明公开了一种用于Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正的方法，所述Bipolar-CMOS工艺中，Bipolar有源区的设计尺寸远大于CMOS有源区的设计尺寸，对Bipolar有源区进行规则式光学临近修正，对CMOS有源区进行模型式光学临近修正。本发明能够节省Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正的运算时间和运行成本。
文档编号H01L21/8249GK102117011SQ201010027228
公开日2011年7月6日 申请日期2010年1月6日 优先权日2010年1月6日
发明者阚欢, 陈福成, 魏芳 申请人:上海华虹Nec电子有限公司