薄膜晶体管和显示器件的制作方法

专利名称：薄膜晶体管和显示器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及包含作为沟道的氧化物半导体层的薄膜晶体管(ThinFilm Transistor, TFT)和包括该薄膜晶体管的显示器件。
背景技术：
例如由氧化锌或铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide, IGZO)等制成的氧化物半导体作为半导体器件的活性层呈现出了优良的特性。近年来，已经进行了将该氧化 物半导体应用于TFT、发光元件或透明导电膜等的研发。例如，与包含作为沟道的液晶显示元件用非晶硅(a-Si:H)的现有TFT相比，包含 上述氧化物半导体的TFT的电子迁移率较高并且它的电气特性较好。此外，还可以预期的 一个优点是，包含上述氧化物半导体的TFT即使在接近室温的低温下也具有高迁移率。同时，已知的是，上述氧化物半导体的耐热性不好，因此由于在TFT的制造过程中 进行的热处理而使氧或锌等脱附从而会形成晶格缺陷。该晶格缺陷会导致形成电学上浅 的杂质能级，并导致上述氧化物半导体层的低阻抗性。这会导致即使在不施加栅极电压的 情况下也有漏极电流流过的常导通型(normally-on type)操作，即耗尽型(expression type)操作，阈值电压随着缺陷能级的增大而变小，并且漏电流增大。因而，例如在现有技术中已知的是，如日本专利申请公开公报No. 2006-15529和 No. 2006-165532中所记载的那样，在形成TFT之后在高温条件下进行氧退火，由此向氧化 物半导体层中缺氧或者脱氧的贫乏部分供氧以便恢复TFT的特性。然而，存在如下缺点难以根据TFT的形状和尺寸来恢复晶体管特性。

发明内容
为了解决上述问题，本发明的目的在于提供一种易于向氧化物半导体层供氧并能 够恢复优良的晶体管特性的薄膜晶体管，并且提供一种包括上述薄膜晶体管的显示器件。本发明实施例提供了第一种薄膜晶体管，它包括在基板上依次设置的栅极电极、 栅极绝缘膜、设有沟道区域的氧化物半导体层以及覆盖着所述沟道区域的沟道保护层，其 中，在位于所述沟道保护层两侧的所述氧化物半导体层上形成有源极电极和漏极电极，并 且所述源极电极和所述漏极电极中的至少一者具有使所述氧化物半导体层露出的开口部。本发明实施例提供了第二种薄膜晶体管，它包括在基板上依次设置的栅极电极、 栅极绝缘膜、设有沟道区域的氧化物半导体层以及覆盖着所述沟道区域的沟道保护层，其 中，在位于所述沟道保护层两侧的所述氧化物半导体层上形成有源极电极和漏极电极，并且所述源极电极和所述漏极电极在沟道宽度方向上被使所述氧化物半导体层露出的槽隔开。所述沟道宽度是指在与所述源极电极和所述漏极电极的相互面对方向垂直的方向(通常，纵长方向)上的宽度。本发明实施例提供了第三种薄膜晶体管，它包括在基板上依次设置的栅极电极、 栅极绝缘膜、设有沟道区域的氧化物半导体层以及覆盖着所述沟道区域的沟道保护层，其 中，在位于所述沟道保护层两侧的所述氧化物半导体层上形成有源极电极和漏极电极，并 且沿着所述源极电极和所述漏极电极中的至少一者的与所述沟道保护层重叠的一侧的相 对侧设有突出区域，在所述突出区域中所述氧化物半导体层从所述源极电极或所述漏极电 极的端部露出。本发明实施例的第一种显示器件至第三种显示器件各自包括薄膜晶体管和显示 元件，其中，上述第一种 第三种显示器件的薄膜晶体管分别由第一种薄膜晶体管 第三 种薄膜晶体管构成。在本发明实施例的第一种薄膜晶体管中，由于在所述源极电极和所述漏极电极中 的至少一者中设有使所述氧化物半导体层露出的开口部，因此，在形成薄膜晶体管之后在 高温条件下进行氧退火的情况下，易于从所述开口部向所述氧化物半导体层中缺氧或者脱 氧的贫乏部分供氧。在本发明实施例的第二种薄膜晶体管中，由于所述源极电极和所述漏极电极在所 述沟道宽度方向上被使所述氧化物半导体层露出的槽隔开，因此，在形成薄膜晶体管之后 在高温条件下进行氧退火的情况下，易于从所述槽向所述氧化物半导体层中缺氧或者脱氧 的贫乏部分供氧。在本发明实施例的第三种薄膜晶体管中，由于沿着所述源极电极和所述漏极电极 中的至少一者的与所述沟道保护层重叠的一侧的相对侧设有突出区域，且在所述突出区域 中所述氧化物半导体层从所述源极电极或所述漏极电极的端部暴露出来，因此，在形成薄 膜晶体管之后在高温条件下进行氧退火的情况下，易于从所述突出区域向所述氧化物半导 体层中缺氧或者脱氧的贫乏部分供氧。本发明实施例的第一种显示器件 第三种显示器件由于分别包括本发明实施例 的第一种薄膜晶体管 第三种薄膜晶体管，因此，抑制了薄膜晶体管的氧化物半导体层的 低阻抗性，因而抑制了漏电流，并且能够以高亮度进行光显示。在本发明实施例的第一种薄膜晶体管中，在所述源极电极和所述漏极电极中的至 少一者中设有使氧化物半导体层露出的开口部。因此，易于从所述开口部向所述氧化物半 导体层供氧，并且能够恢复优良的晶体管特性。在本发明实施例的第二种薄膜晶体管中，所述源极电极和所述漏极电极在沟道宽 度方向上被使所述氧化物半导体层露出的槽隔开。因此，易于从所述槽向所述氧化物半导 体层供氧，并且能够恢复优良的晶体管特性。在本发明实施例的第三种薄膜晶体管中，沿着所述源极电极和所述漏极电极中的 至少一者的与所述沟道保护层重叠的一侧的相对侧设有突出区域，在所述突出区域中所述 氧化物半导体层从所述源极电极或所述漏极电极的端部暴露出来。因此，易于从所述突出 区域向所述氧化物半导体层供氧，并且能够恢复优良的晶体管特性。
本发明实施例的第一种显示器件 第三种显示器件分别包括本发明实施例的第 一种薄膜晶体管 第三种薄膜晶体管。因此，抑制了薄膜晶体管的氧化物半导体层的低阻 抗性，因而能够抑制漏电流，并且能够以高亮度进行光显示。从下面的说明能够更充分地体现出本发明的其他和进一步的目的、特征和优点。


图1是图示了本发明第一实施例的显示器件的结构的图。图2是图示了图1所示像素驱动电路的示例的等效电路图。ITO图3是图示了图2所示TFT的结构的平面图。图4是沿图3中的线IV-IV得到的截面图。图5是图示了图1所示显示区域的结构的截面图。图6A 图6D是用于按照工序顺序来说明图1所示显示器件的制造方法的截面 图。图7A和图7B是用于解释图3所示TFT的特性的图。图8是图示了变形例1-1的TFT的结构的平面图。图9是图示了图8所示TFT的结构的截面图。图10是图示了包含图8所示TFT的像素电路的结构的平面图。图11是图示了变形例1-2的TFT的结构的平面图。图12是图示了图11所示TFT的结构的截面图。图13是图示了包含图11所示TFT的像素电路的结构的平面图。图14是图示了变形例1-3的TFT的结构的平面图。图15是图示了图14所示TFT的结构的截面图。图16是图示了图14所示TFT的变形例的平面图。图17是图示了包含图14所示TFT的像素电路的结构的平面图。图18是图示了变形例1-4的像素电路的结构的平面图。图19是图示了图18所示驱动晶体管的放大结构的平面图。图20是图示了变形例1-5的像素电路的结构的平面图。图21是图示了图20所示驱动晶体管和保持电容的结构的截面图。图22是图示了本发明第二实施例的TFT的结构的平面图。图23是沿图22中的线XXIII-XXIII得到的截面图。图24是用于解释表1中在W = 20 ym且L = 10 μ m情况下的氧输运距离的平面 图。图25是用于解释表1中在W = 50 μπι且L = 10 μ m情况下的氧输运距离的平面图。图26是图示了表1中在W = 20ym且L = 20ym情况下的晶体管特性(良好) 和在W= 501； 1且1^ = 20μπι情况下的晶体管特性(导电体操作)的图。图27是图示了本发明第三实施例的TFT的结构的平面图。图28是图示了变形例3-1的TFT的结构的平面图。图29是图示了图28所示TFT的结构的截面图。
图30是图示了变形例3-2的像素电路的结构的平面图。图31是图示了图30所示采样晶体管的结构的截面图。图32是图示了变形例3-3的像素电路的结构的平面图。图33是图示了图32所示采样晶体管的结构的截面图。图34是图示了包含上述实施例显示器件的模块的示意性结构的平面图。图35是图示了上述实施例显示器件的第一应用例的外观的立体图。图36A是图示了从第二应用例的正面看到的外观的立体图；图36B是图示了从第 二应用例的背面看到的外观的立体图。图37是图示了第三应用例的外观的立体图。图38是图示了第四应用例的外观的立体图。图39A是第五应用例处于打开状态下的正视图；图39B是第五应用例处于打开状 态下的侧视图；图39C是第五应用例处于闭合状态下的正视图；图39D是第五应用例处于 闭合状态下的左视图；图39E是第五应用例处于闭合状态下的右视图；图39F是第五应用 例处于闭合状态下俯视图；以及图39G是第五应用例处于闭合状态下的仰视图。
具体实施例方式下面参照附图具体说明本发明的实施例。说明的顺序如下1.第一实施例(在源极电极和漏极电极中设有开口部的示例)；2.第二实施例(源极电极和漏极电极被槽隔开的示例)；以及3.第三实施例(在源极电极和漏极电极外部设有突出区域的示例)。1.第一实施例图1图示了本发明第一实施例的显示器件的结构。该显示器件用作超薄型有机发 光彩色显示器件等。在该显示器件中，例如，在稍后说明的TFT基板1上形成有显示区域 110，在该显示区域110中，由稍后说明的作为显示元件的多个有机发光元件10R、有机发光 元件IOG和有机发光元件IOB构成的像素PXLC以矩阵状态布置着。在显示区域110的周 边，形成有作为信号部的水平选择器(HSFL) 121以及作为扫描部的写扫描器(WSCN) 131和 电源扫描器(DSCN) 132。在显示区域110中，按照列方向排列有信号线DTL 101 信号线DTLlOn，并且按照 行方向排列有扫描线WSL 101 扫描线WSL IOm和电源线DSL 101 电源线DSL IOm0在 各信号线DTL与各扫描线WSL的交叉部处设置有包含有机发光元件PXLC (10R、IOG和IOB 中的一者(亚像素))的像素电路140。各信号线DTL与水平选择器121连接。从水平选择 器121将视频信号提供至信号线DTL。各扫描线WSL与写扫描器131连接。各电源线DSL 与电源扫描仪132连接。图2图示了像素电路140的示例。像素电路140是包括采样晶体管3A、驱动晶体 管3B、保持电容3C和由有机发光元件PXLC构成的发光元件3D的有源驱动电路。采样晶 体管3A的栅极与相应的扫描线WSLlOl连接，采样晶体管3A的源极和漏极中的一者与对应 的信号线DTLlOl连接，并且另一者与驱动晶体管3B的栅极g连接。驱动晶体管3B的漏极 d与对应的电源线DSL 101连接，并且驱动晶体管3B的源极s与发光元件3D的阳极连接。 发光元件3D的阴极与地线3H连接。地线3H是全部像素PXLC共用的布线。保持电容3C被连接在驱动晶体管3B的源极s与栅极g之间。采样晶体管3A根据从扫描线WSL 101供给过来的控制信号而变为导通状态，对从信号线DTL 101供给过来的视频信号的信号电位进行采样，并将结果保持在保持电容3C 中。驱动晶体管3B接收从处于第一电位的电源线DSL 101供给过来的电流，并且根据保持 电容3C中所保持的信号电位将驱动电流提供至发光元件3D。发光元件3D利用该供给过来 的驱动电流以与视频信号的信号电位相对应的亮度进行发光。图3图示了用于构成图2所示采样晶体管3A和驱动晶体管3B的TFT 20的平面 结构。图4图示了沿图3中的线IV-IV得到的截面结构。TFT 20例如是在基板10上依次 形成有栅极电极21、栅极绝缘膜22、氧化物半导体层23、沟道保护层24、源极电极25S、漏极 电极25D和钝化膜26的氧化物半导体晶体管。此处的氧化物半导体是指锌、铟、镓或锡等 金属的氧化物或者上述金属的混合物的氧化物，并且已知的是，该氧化物半导体呈现出优 良的半导体特性。栅极电极21通过施加至TFT 20上的栅极电压来控制氧化物半导体层23中的电 子密度。栅极电极21例如具有由厚度为50nm的钼(Mo)层和厚度为400nm的铝(Al)层或 铝合金层构成的两层结构。铝合金层的示例例如是铝钕合金层。栅极绝缘膜22例如具有约400nm的厚度，并由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜或 氧化铝膜制成或者由上述膜的层叠膜制成。氧化物半导体层23例如具有20nm以上且IOOnm以下的厚度，并由铟镓锌氧化物 (IGZO)构成。沟道保护层24优选是能使从氧化物半导体薄膜层23脱离的氧量很少并且能向氧 化物半导体薄膜层23供给少量氢的层。沟道保护层24例如具有约200nm的厚度，并且由 氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜或氧化铝膜制成或者由上述膜的层叠膜制成。源极电极25S和漏极电极25D形成在位于沟道保护层24两侧的氧化物半导体层 23上。在氧化物半导体层23中，与源极电极25S与漏极电极25D之间区域对应的部分是沟 道区域23A。沟道区域23A被沟道保护层24覆盖着。此外，氧化物半导体层23的沟道宽度 方向上的两侧是未被沟道保护层24、源极电极25S及漏极电极25D中的任意一个覆盖的露 出部分23B。源极电极25S和漏极电极25D具有使氧化物半导体层23露出的开口部27。因此， 在TFT 20中，易于向氧化物半导体层23供氧，并能够恢复优良的晶体管特性。开口部27可设置在源极电极25S和漏极电极25D之一中。此外，开口部27的尺 寸、形状和数量不受具体限制。例如，可在一侧的四个位置中布置尺寸为5 μ mX5 μ m的开 口部 27。源极电极25S和漏极电极25D例如包括含有铝、铜、银或钼作为主要成分的金属 层。源极电极25S和漏极电极25D优选由上述金属层的单层膜制成，或者由层叠膜制成，该 层叠膜由上述金属层和含有钛、钒、铌、钽、铬、钨、镍、锌或铟作为主要成分的金属层或金属 化合物层构成。特别地，源极电极25S和漏极电极25D优选包括含有铝或铜作为主要成分的金属 层，从而能够降低布线的电阻。以铝作为主要成分的金属的示例包括铝、铝钕合金或含有硅 的铝。
此外，源极电极25S和漏极电极25D的与氧化物半导体层23接触的层优选由不会 使氧从氧化物半导体层23中脱离的金属或者不会使氧从氧化物半导体层23中脱离的金属 化合物构成，由于使用了这样的金属或这样的金属化合物，因而TFT 20的电气特性发生变 化的可能性很小。具体地，源极电极25S和漏极电极25D的与氧化物半导体层23接触的层 优选由下列之一构成钼；钼的氧化物、氮化物或氧氮化物；钛的氧化物、氮化物或氧氮化 物；氮化铝；氧化铜。源极电极25S和漏极电极25D的最上层优选由钛构成或者由钛的氧化物、氮化物 或氧氮化物构成。作为源极电极25S和漏极电极25D的具体结构示例，例如优选从氧化物半导体层 23侧层叠有厚度为50nm的钼层25A、厚度为50nm的铝层25B和厚度为50nm的钛层25C的 层叠膜，其原因如下所述。在稍后说明的有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光 元件IOB的阳极52由含有铝作为主要成分的金属构成的情况下，应当使用含有磷酸、硝酸 或醋酸等的混合溶液通过湿式蚀刻方法来设置阳极52。此时，作为最上层的钛层25C具有 非常低的蚀刻速率，因而在基板10侧可能留有钛层25C。结果，稍后说明的有机发光元件 10R、有机发光元件10G和有机发光元件IOB的阴极55可能与基板10侧的钛层25C连接。另外，源极电极25S和漏极电极25D的与氧化物半导体层23接触的层优选由金属 氧化物或金属氮化物构成。金属氧化物的示例包括氧化钛、氧化铌、氧化锌、氧化锡或铟锡 复合氧化物(indium tin compositeoxide, IT0)等。金属氮化物的示例包括氮化钛或氮化 钽等。钝化膜26例如具有约300nm的厚度，并且由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧 化铝膜或者它们的层叠膜制成。图5图示了显示区域110的截面结构。在显示区域110中，设有产生红光的有机 发光元件10R、产生绿光的有机发光元件IOG和产生蓝光的有机发光元件10B，这些有机发 光元件依次排列着从而在整体上呈矩形状。有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发 光元件IOB具有片状(reed-like)平面形状，并且彼此相邻的有机发光元件10R、有机发光 元件IOG和有机发光元件IOB的组合构成一个像素。有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件IOB分别具有如下结构在 TFT基板1上的平坦化绝缘膜51上，依次层叠有阳极52、电极间绝缘膜53、包含后述发光层 的有机层54以及阴极55。视需要，可将由氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO)等构成的保护膜56涂敷到上述有机 发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件IOB上。此外，在保护膜56的整个表面上 隔着由热固化树脂或紫外线固化树脂等制成的粘接层60与由玻璃等制成的封装基板71粘 合，从而密封有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件10B。视需要，在封装基 板71上可设有彩色滤光片72和作为黑矩阵的遮光膜(未图示)。平坦化绝缘膜51用于使形成有包括由前述TFT 20构成的采样晶体管3A和驱动 晶体管3B的像素电路140的TFT基板1的表面平坦化。由于要在平坦化绝缘膜51中形成 微小的连接孔51A，因而平坦化绝缘膜51优选由具有优良的图形精度的材料制成。平坦化 绝缘膜51的材料的示例包括诸如聚酰亚胺等有机材料或诸如氧化硅(SiO2)等无机材料。 图2所示的驱动晶体管3B通过设在平坦化绝缘膜51中的连接孔51A与阳极52电连接。
阳极52对应于各有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件IOB而被 形成。此外，阳极52具有反射电极的功能，从而反射在发光层中所产生的光，并且为了提高 发光效率，阳极52最好具有尽可能高的反射率。阳极52的厚度例如在IOOnm以上且IOOOnm 以下。阳极52由诸如银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、钼(Mo)、 铜(Cu)、钽(Ta)、钨(W)、钼(Pt)或金(Au)等金属元素的单质或合金构成。电极间绝缘膜53用于确保阳极52与阴极55之间的绝缘性，并用于精确地获得 发光区域的所需形状。例如，电极间绝缘膜53由诸如聚酰亚胺等有机材料或诸如氧化硅 (SiO2)等无机绝缘材料制成。电极间绝缘膜53具有与阳极52的发光区域对应的开口部。 有机层54和阴极55可以不仅在发光区域上而且也在电极间绝缘膜53上连续地设置着，此 时只有在电极间绝缘膜53的开口部处才会出射光。有机层54例如具有如下结构，即，从阳极52侧依次层叠有空穴注入层、空穴输运层、发光层和电子输运层(未图示)。在上述各层中，除了发光层以外的其他层可以视需要 来设置。此外，有机层54的结构可根据有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元 件IOB的发光颜色的不同而不同。空穴注入层用来提高空穴注入效率，并起到防止泄漏的 缓冲层的作用。空穴输运层用于提高向发光层的空穴输运效率。通过施加电场使电子空穴 复合，由此让发光层产生光。电子输运层用来增加向发光层的电子输运效率。有机层54的 材料不受具体限制，并且可以是普通的低分子有机材料或者普通的高分子有机材料。阴极55的厚度例如在5nm以上且50nm以下，并且由诸如铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca) 或钠(Na)等金属元素的单质或合金构成。特别地，优选镁和银的合金(MgAg合金)或者铝 (Al)和锂(Li)的合金(AlLi合金)。此外，阴极55可由ITO或IZO (铟锌复合氧化物)构 成。例如，上述显示器件的制造方法如下。形成TFT基板1的步骤首先，如图6A所示，例如通过溅射方法在由玻璃制成的基板10上形成具有上述厚 度且由上述材料制成的金属层。对该金属层进行光刻和蚀刻，从而形成栅极电极21。接着，如图6B所示，例如通过等离子体化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition, CVD)方法在基板10的整个表面上形成具有上述厚度且由上述材料制成的栅 极绝缘膜22。随后，还如图6B所示，通过溅射方法形成具有上述厚度且由上述材料制成的氧化 物半导体层23。具体地，在由铟镓锌氧化物(IGZO)构成氧化物半导体层23的情况下，例如 通过使用IGZO陶瓷作为靶材的DC(直流)溅射方法，并用氩气(Ar)和氧气(O2)的混合气 体进行等离子体放电，由此在基板10上形成IGZO膜。在等离子体放电之前，进行排气直到 真空室内部的真空度达到IXlO-4Pa以下，然后导入氩气和氧气的混合气体。在由氧化锌构 成氧化物半导体层23的情况下，通过使用氧化锌陶瓷作为靶材的RF(射频)溅射方法，或 者通过使用锌金属靶材且在含有氩气和氧气的气体氛围中进行的DC溅射方法，由此形成 氧化锌膜。此后，如图6C所示，通过光刻和蚀刻将氧化物半导体层23成形为预定的形状。随 后，再如图6C所示，例如通过等离子体CVD方法形成具有上述厚度且由上述材料制成的沟 道保护层24。通过光刻和蚀刻将沟道保护层24成形为预定的形状。
形成沟道保护层24之后，通过例如溅射方法，形成厚度为50nm的钼层25A、厚度 为50nm的铝层25B和厚度为50nm的钛层25C。随后，在使用氯基气体通过干式蚀刻法对钛 层25C进行蚀刻之后，使用含有磷酸、硝酸和醋酸的混合溶液通过湿式蚀刻法对铝层25B和 钼层25A进行蚀刻。因而，如图6D所示，形成了具有开口部27的源极电极25S和漏极电极 25D。在形成源极电极25S和漏极电极25D之后，在高温下进行氧退火，因此将氧提供至 氧化物半导体层23中缺氧或者脱氧的贫乏部分，从而恢复晶体管特性。作为退火条件，例 如可以采用在氮气浓度为60%且氧气浓度为40%的氛围中在300°C下退火1小时。在此 情况下，由于在源极电极25S和漏极电极25D中形成有开口部27，并且该开口部27使氧化 物半导体层23暴露出来，因此，易于从开口部27向氧化物半导体层23中的贫氧部分供氧。 此外，也易于从氧化物半导体层23的露出部分23B向氧化物半导体层23供氧。
此后，通过原子层沉积方法或溅射方法形成具有上述厚度且由上述材料制成的钝 化膜26。因此，形成了包含图3和图4所示的TFT 20的TFT基板1。TFT 20的实际制造方法是由厚度为50nm的钼层25A、厚度为50nm的铝层25B和 厚度为50nm的钛层25C构成的层叠膜来形成源极电极25S和漏极电极25D，并且在上述退 火条件下对所得到的膜进行退火。对于由此得到的TFT 20，检测其输运特性。结果，如图 7A所示，可以得到充分确保了开/关比(on/off ratio)的晶体管特性。另外，除了使用钛层代替钼层25A以外，按照与上述方式相同的方式制造出另一 TFT0对于所得到的TFT，检测其输运特性。结果，如图7B所示，没有得到充分确保了开/关 比的晶体管特性。上述结果的原因可能如下。在用由钛、铝和钛构成的三层膜来形成源极电极25S 和漏极电极25D的情况下，很难对钛进行湿式蚀刻，因而通常使用干式蚀刻。为了得到优良 的TFT特性，氧化物半导体层23的厚度应为约50nm。然而，在使用干式蚀刻的情况下，很难 增大构成源极电极25S和漏极电极25D的金属材料与氧化物半导体之间的选择比。因此， 在对源极电极25S和漏极电极25D进行的蚀刻中，除去了氧化物半导体层23。这样，开口 部27中没有氧化物半导体层23暴露出来，并且即使在进行氧退火时也很难向氧化物半导 体层23供氧。形成有机发光元件10RU0G和IOB的步骤在形成TFT基板1之后，在TFT基板1的整个表面上涂敷感光树脂，并对该感光树 脂进行曝光和显影。因此，形成了平坦化绝缘膜51和连接孔51A并进行烘烤。接着，通过 例如直流溅射法形成由上述材料制成的阳极52。例如利用光刻技术对所得到的膜进行选择 性地蚀刻，从而将其图形化成预定的形状。随后，例如通过CVD方法形成具有上述厚度且由 上述材料制成的电极间绝缘膜53，并且例如通过使用光刻技术形成开口部。自那之后，例如 通过蒸发沉积方法依次形成由上述材料制成的有机层54和阴极55，从而形成有机发光元 件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件10B。随后，使用由上述材料制成的保护膜56来 覆盖有机发光元件10R、有机发光元件IOG和有机发光元件10B。此后，在保护膜56上形成粘接层60。自那之后，准备好设有彩色滤光片72且由上 述材料制成的封装基板71。TFT基板1与封装基板71以把粘接层60夹在二者之间的方式相互粘合。因此，完成了图5所示的显示器件。
在该显示器件中，采样晶体管3A根据从扫描线WSL供给过来的控制信号而变为导通，对由信号线DTL供给过来的视频信号的信号电位进行采样，并将该信号电位保持在保 持电容3C中。此外，从处于第一电位的电源线DSL将电流提供至驱动晶体管3B，并且根据 保持在保持电容3C中的信号电位将驱动电流提供至发光元件3D(有机发光元件10R、有机 发光元件IOG和有机发光元件10B)。发光元件3D (有机发光元件10R、有机发光元件IOG 和有机发光元件10B)利用供给过来的驱动电流以与视频信号的信号电位对应的亮度进行 发光。该光透过阴极55、彩色滤光片72和封装基板71，然后被获取到。在此情况下，在构成采样晶体管3A和驱动晶体管3B的TFT 20中，因为有使氧化 物半导体层23露出的开口部27设在源极电极25S和漏极电极25D中，因此，在制造步骤中 通过氧退火处理，从开口部27将氧提供至氧化物半导体层23中缺氧或者脱氧的贫乏部分， 从而充分地恢复晶体管特性。这样，在利用TFT 20构造而成的显示器件中，抑制了 TFT 20 的氧化物半导体层23的低阻抗性，抑制了漏电流，并能够以高亮度进行光显示。如上所述，在本实施例中，因为在TFT 20的源极电极25S和漏极电极25D中设有使氧化物半导体层23露出的开口部27，因此，易于从开口部27向氧化物半导体层23供氧，并且能够恢复优良的晶体管特性。于是，当使用TFT 20来构造出显示器件时，抑制了 TFT 20的氧化物半导体层23的低阻抗性，因此能够抑制漏电流，并且能够以高亮度进行光显示。
下面给出本实施例的变形例1-1 变形例1-5的说明。在实际的像素布局中，在某些情况下难以在行间加工(line and space process)中把开口部27设置在源极电极25S 或漏极电极25D中。下面的变形例能够解决这种缺点。变形例1-1图8图示了变形例1-1的TFT 20的平面结构。图9图示了沿图8中的线IX-IX 得到的截面结构。在TFT 20中，漏极电极25D的沟道宽度W与源极电极25S的沟道宽度 Ws不同，并且使氧化物半导体层23露出的开口部27被设在源极电极25S和漏极电极25D 之一的沟道宽度方向的两侧上。因此，在TFT 20中，易于向氧化物半导体层23供氧，并能够恢复优良的晶体管特性。具体地，优选源极电极25S的沟道宽度Ws比漏极电极25D的沟道宽度W大，并且将开口部27设在漏极电极25D的沟道宽度方向的两侧上。如果将开口部27设在源极电极25S中，则难以充分地确保保持电容3C。图10图示了使用图8和图9所示TFT 20的像素电路140的平面结构。TFT 20对采样晶体管3A和驱动晶体管3B都适用，但特别地，优选将该TFT 20应用于驱动晶体管3B， 这是因为驱动晶体管3B具有较大的晶体管尺寸。变形例1-2图11图示了变形例1-2的TFT 20的平面结构。图12图示了沿图11中的线 XII-XII得到的截面结构。在TFT 20中，漏极电极25D和源极电极25S之一为喷嘴形状或 者梳齿形状。使氧化物半导体层23露出的开口部27设在梳子结构的梳齿之间。因此，在 TFT 20中，易于向氧化物半导体层23供氧，并能够恢复优良的晶体管特性。具体地，漏极电极25D优选为喷嘴形状或者具有很多梳齿25D1的梳子形状，并且 将开口部27设在漏极电极25D的各梳齿25D1之间。如果将开口部27设在源极电极25S中，则难以充分地确保保持电容3C。此外，漏极电极25D的沟道宽度W等于各个梳齿25D1 的宽度的总和(Wd = Wdl+ffd2+. . . +ffdn)。源极电极25S的沟道宽度Ws大于漏极电极25D 的沟道宽度W。图13图示了使用图11和图12所示TFT 20的像素电路140的平面结构。TFT 20 对采样晶体管3A和驱动晶体管3B都适用，但特别地，优选将该TFT 20应用于驱动晶体管 3B，这是因为驱动晶体管3B具有较大的晶体管尺寸。变形例1-3图14图示了变形例1-3的TFT 20的平面结构。图15图示了沿图14中的线XV-XV 得到的截面结构。在TFT 20中，在漏极电极25D中设有沟道宽度减小了的窄沟道宽度区域 25D2。使氧化物半导体层23露出的开口部27设在窄沟道宽度区域25D2中。因此，在TFT 20中，易于向氧化物半导体层23供氧，并能够恢复优良的晶体管特性。在此情况下，与在源极电极25S的一部分中设置窄沟道宽度区域相比，更优选将 窄沟道宽度区域25D2和开口部27设在漏极电极25D的一部分中。如果将开口部27设在 源极电极25S中，则难以充分地确保保持电容3C。窄沟道宽度区域25D2的平面形状不限于图14所示的矩形，并且可以是如图16所 示的诸如梯形等渐锥形状，该渐锥形状是宽度随着窄沟道宽度区域25D2的位置远离源极 电极25S而变窄的形状。图17图示了使用图14和图15所示的TFT 20的像素电路140的平面结构。TFT 20对采样晶体管3A和驱动晶体管3B都适用，但特别地，优选将该TFT 20应用于驱动晶体 管3B，这是因为驱动晶体管3B具有较大的晶体管尺寸。变形例1-4图18图示了变形例1-4的像素电路140的平面结构。图19图示了图18所示的 驱动晶体管3B的放大平面结构。在像素电路140和驱动晶体管3B中，氧化物半导体层23 从漏极电极25D下方的部分延伸至电源线DSL下方的部分。使氧化物半导体层23露出的 开口部27设在电源线DSL中。因此，在像素电路140中，易于向驱动晶体管3B的氧化物半 导体层23供氧，并能够恢复优良的晶体管特性。该变形例对采样晶体管3A和驱动晶体管3B都适用，但特别地，优选将该变形例应 用于驱动晶体管3B，这是因为驱动晶体管3B具有较大的晶体管尺寸。此外，由于电源线DSL 具有较大的线宽，因而与在扫描线WSL和信号线DTL中设置开口部27相比，开口部27更适 合设在电源线DSL中。变形例1-5图20图示了变形例1-5的像素电路140的平面结构。图21图示了沿图20中的线XXI-XXI得到的截面结构。在像素电路140和驱动晶体管3B中，氧化物半导体层23从 漏极电极25D下方的部分延伸至保持电容3C下方的部分。使氧化物半导体层23露出的开 口部27设在保持电容3C中。因此，在像素电路140中，易于向驱动晶体管3B的氧化物半 导体层23供氧，并能够恢复优良的晶体管特性。2.第二实施例图22图示了第二实施例的TFT 20的平面结构。图23图示了沿图22中的线 XXIII-XXI11得到的截面结构。在图22中，图示了在TFT基板1的像素电路140中构成上述采样晶体管3A的TFT 20和构成上述保持电容3C的电容器30。该TFT 20除了源极电 极25S和漏极电极25D在沟道宽度方向上被隔离以外，按照与上述第一实施例相同的方式 构造而成。因此，相应的元件用相同的附图标记来进行说明。按照与第一实施例相同的方式构造出TFT 20的栅极电极21、栅极绝缘膜22、氧化 物半导体层23、沟道保护层24和钝化膜26。源极电极25S和漏极电极25D在沟道宽度方向上被槽28隔开。在槽28中，氧化 物半导体层23被暴露出来。因此，在TFT 20中，易于向氧化物半导体层23供氧，并能够恢 复优良的晶体管特性。沟道区域23A最好形成在与槽28相距20 μ m以内的区域中。氧的输运是在穿过 氧化物半导体层23内或者穿过氧化物半导体层23与其他层之间界面的水平方向上进行的 输运。因而，当在与槽28相距20 μ m以内的区域中形成沟道区域23A时，能够进一步提高 槽28的效果。表1图示了通过检测沟道宽度W(在与源极电极25S和漏极电极25D的相互面对方 向垂直的方向上的宽度，即，在源极电极25S和漏极电极25D的纵长方向上的宽度)和沟道 长度L(在源极电极25S和漏极电极25D相互面对的方向上的宽度)与 晶体管特性之间的 关系而得到的结果。从表1明显可知，在图24所示的W为20μπι且L为ΙΟμπι的情况下， 显示出了优良的晶体管特性。同时，在图25所示的W为50μπι且L为ΙΟμπι的情况下，耗 尽型操作转变成导电体操作。作为参考，在图26中，图示了表1中W为20μπι且L为20μπι 的情况下的晶体管特性(良好)和W为50μπι且L为20μπι的情况下的晶体管特性(导电 体操作)。表 1
51020
W___10 —良好良好良好
20耗尽型__良好~~ 良好-
50导电体操作导电体操作导电体操作(单位μπι)在如图24和图25所示的TFT 20中，仅从在氧化物半导体层23的沟道宽度方向 的两端上的露出部分23Β供氧。因此，氧输运距离变成W/2。在图24中，氧输运距离为W/2 =IOym,并且得到了良好的晶体管特性。同时，在图25中，氧输运距离为W/2 = 25 μ m，并 且状态转变成导电体操作。因此，可以认为，在形成了槽28的情况下，如果氧输运距离为 10 μ m以下，也就是说，如果在与槽28相距20 μ m以内的区域中形成沟道区域23A，则能够 从槽28和露出部分23B向氧化物半导体层23充分地供氧。电容器30包括从基板10侧依次形成的与栅极电极21形成在同一层的下层电极、 与栅极绝缘膜22形成在同一层的电容绝缘膜以及与源极电极25S和漏极电极25D形成在 同一层的上层电极。可按照与第一实施例相同的方式来制造出TFT 20和包括TFT 20的显示器件。在该显示器件中，与第一实施例相同，发光元件3D(有机发光元件10R、有机发光 元件IOG和有机发光元件10B)发光，并且该光透过阴极55、彩色滤光片72和封装基板71然后被获取到。在此情况下，在构成采样晶体管3A和驱动晶体管3B的TFT 20中，源极电 极25S和漏极电极25D在沟道宽度方向上被使氧化物半导体层23露出的槽28隔开。因此， 在制造步骤中通过氧退火处理，从开口部27向氧化物半导体层23中缺氧或者脱氧的贫乏 部分供氧，并充分地恢复晶体管特性。因此，在使用TFT 20构造而成的显示器件中，能够抑 制TFT 20的氧化物半导体层23的低阻抗性，抑制漏电流，并能够以高亮度进行光显示。如上所述，在本实施例中，源极电极25S和漏极电极25D在沟道宽度方向上被使氧 化物半导体层23暴露出来的槽28隔开。因而，易于从槽28向氧化物半导体层23供氧，并 能够恢复优良的晶体管特性。因此，如果使用TFT 20来构造出显示器件，则抑制了 TFT 20 的氧化物半导体层23的低阻抗性，因而能够抑制漏电流，并且能够以高亮度进行光显示。3.第三实施例图27图示了本发明第三实施例的TFT 20的平面结构。该TFT 20除了氧化物半 导体层23在漏极电极25D的一侧露出以外，按照与上述第一实施例和第二实施例相同的方 式构造而成。因此，相应的元件用相同的附图标记来进行说明。按照与第一实施例相同的方式构造出TFT 20的栅极电极21、栅极绝缘膜22、氧化物半导体层23、沟道保护层24和钝化膜26。沿着漏极电极25D的与沟道保护层24重叠的一侧的相对侧设有氧化物半导体层 23从漏极电极25D的端部露出的突出区域29。因而，在TFT 20中，易于向氧化物半导体层 23供氧，并能够恢复优良的晶体管特性。与第二实施例相同，优选将沟道区域23A形成在与突出区域29相距20 μ m以内的 区域中。可按照与第一实施例相同的方式制造出TFT 20和包括TFT20的显示器件。在本显示器件中，与第一实施例相同，发光元件3D (有机发光元件10R、有机发光 元件IOG和有机发光元件10B)发光，该光透过阴极55、彩色滤光片72和封装基板71然后 被获取到。在此情况下，在构成采样晶体管3A和驱动晶体管3B的TFT 20中，沿着漏极电 极25D的与沟道保护层24重叠的一侧的相对侧设有氧化物半导体层23从漏极电极25D的 端部露出的突出区域29。因而，在制造步骤中通过氧退火处理，向氧化物半导体层23中缺 氧或者脱氧的贫乏部分供氧，并充分地恢复晶体管特性。因此，在使用TFT 20构造而成的 显示器件中，抑制了 TFT 20的氧化物半导体层23的低阻抗性，抑制了漏电流，并且能够以 高亮度进行光显示。如上所述，在本实施例中，沿着漏极电极25D的与沟道保护层24重叠的一侧的相对侧设有氧化物半导体层23从漏极电极25D的端部露出的突出区域29。因而，易于从突出 区域29向氧化物半导体层23供氧，并能够恢复优良的晶体管特性。因此，在使用TFT 20 构造出显示器件的情况下，抑制了 TFT 20的氧化物半导体层23的低阻抗性，从而能够抑制 漏电流，并且能够以高亮度进行光显示。变形例3-1在上述实施例中，已经对突出区域29设置在漏极电极25D的一侧上的情况进行了说明。然而，如图28和图29所示，根据TFT 20的结构，也可将突出区域29设置在源极电 极25S和漏极电极25D的外侧。变形例3-2
图30图示了变形例3-2的像素电路140的平面结构。图31图示了图30所示的 采样晶体管3A和信号线DTL的截面结构。在像素电路140中，氧化物半导体层23从源极 电极25S或漏极电极25D下方的部分延伸至诸如信号线DTL和电源线DSL等布线下方的部 分。突出区域29设置在诸如信号线DTL和电源线DSL等布线中。因此，在像素电路140中， 易于向采样晶体管3A或驱动晶体管3B的氧化物半导体层23供氧，并能够恢复优良的晶体 管特性。 变形例3-3图32图示了变形例3-3的像素电路140的平面结构。图33图示了图32所示的 采样晶体管3A和信号线DTL的截面结构。在像素电路140中，在诸如扫描线WSL、信号线 DTL和电源线DSL等布线的下方设有下层布线氧化物半导体层23C。该下层布线氧化物半 导体层23C通过隔离槽23D与作为采样晶体管3A或驱动晶体管3B的活性层的氧化物半导 体层23隔开。诸如扫描线WSL、信号线DTL和电源线DSL等布线的宽度大于下层布线氧化 物半导体层23C的宽度，并且这些布线覆盖下层布线氧化物半导体层23C的整个表面。因 此，在下层布线氧化物半导体层23C中，在制造步骤中氧始终被脱离，并且没有通过退火处 理引入用于恢复氧化物半导体层23的特性的氧。下层布线氧化物半导体层23C具有金属 的特性，并且构成布线的一部分。此外，能够使用与氧化物半导体层23的掩模相同的掩模 来形成下层布线氧化物半导体层23C。因而，在像素电路140中，不必使用多个掩模，也能够 降低扫描线WSL、信号线DTL或电源线DSL的电阻。因此，能够以低成本抑制布线电阻所引 起的诸如串扰或阴影等图像失真。模块和应用例下面说明在上述各实施例中说明的显示器件的应用例。上述各实施例的显示器件 适合于用于把从外部输入的视频信号或者在内部产生的视频信号以图像或视频的方式进 行显示的任何领域中的电子装置的显示器件，上述电子装置例如是电视机、数码相机、笔记 本电脑、诸如手机等便携式终端装置、摄像机等。模块将上述各实施例的显示器件作为例如图34所示的模块而装配至诸如后述的第一 应用例 第五应用例的各种电子装置中。在该模块中，例如，在基板11的一边设有从封装 基板71和粘接层60露出的区域210，并且在该露出的区域210中通过延长信号线驱动电路 120的布线和扫描线驱动电路130的布线而形成外部连接端子(未图示)。这些外部连接端 子可以设有用于输入及输出信号的柔性印刷电路(Flexible Printed Circuit，FPC) 220。第一应用例图35图示了应用上述实施例的显示器件的电视机的外观。该电视机例如具有包 括前面板310和滤光玻璃320的视频显示屏部300。该视频显示屏部300由任一上述实施 例的显示器件构成。第二应用例图36A和图36B图示了应用上述实施例的显示器件的数码相机的外观。该数码相 机例如包括闪光用的发光部410、显示部420、菜单开关430和快门按钮440。该显示部420 由任一上述实施例的显示器件构成。 第三应用例
图37图示了应用上述实施例的显示器件的笔记本电脑的外观。该笔记本电脑例 如包括主体510、用于进行字符等的输入操作的键盘520和用于显示图像的显示部530。该 显示部530由任一上述实施例的显示器件构成。第四应用例图38图示了应用上述实施例的显示器件的摄像机的外观。该摄像机例如包括主 体610、设在主体610的前侧面上且用于拍摄物体的镜头620、拍摄开始/停止开关630和 显示部640。该显示部640由任一上述实施例的显示器件构成。第五应用例图39A 图39G图示了应用上述实施例的显示器件的手机的外观。在该手机中， 例如上壳体710和下壳体720通过连接部(铰链部)730连接在一起。该手机包括显示部 740、副显示部750、图片灯760和照相机770。该显示部740或该副显示部750由任一上述 实施例的显示器件构成。虽然参照各实施例说明了本发明，但本发明不限于上述各实施例，可以作出各种 修改。例如，各层的材料、厚度、成膜方法、成膜条件等不限于上述各实施例中所述的那些， 也可以采用其他材料、其他厚度、其他成膜方法和其他 成膜条件。此外，在上述各实施例中，说明了有机发光元件10R、有机发光元件IOB和有机发 光元件IOG具有在TFT基板1上依次层叠有阳极52、包含发光层的有机层54和阴极55的 结构的情况。然而，层叠顺序不限于上述，只要有机发光元件10R、有机发光元件IOB和有机 发光元件IOG具有位于阳极52与阴极55之间且包含发光层的有机层54即可。例如，有机 发光元件10R、有机发光元件IOB和有机发光元件IOG可具有在TFT基板1上依次层叠有阴 极55、包含发光层的有机层54和阳极52的结构。此外，在上述各实施例中，用具体示例说明了有机发光元件10R、有机发光元件 IOB和有机发光元件10G。然而，上述所有层并不是都必需设置的，并且还可以设置有其他层。另外，本发明除了适用于包含有机发光元件的显示器件之外，还适用于包含诸 如液晶显示元件、无机电致发光元件、电沉积显示元件(electrod印osition display device)或电铬显示元件(electrochromic display device)等其他显示元件的显示器件。本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其他因素，可以在本发明所附的权利 要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。
权利要求
一种薄膜晶体管，它包括在基板上依次设置的栅极电极、栅极绝缘膜、设有沟道区域的氧化物半导体层以及覆盖着所述沟道区域的沟道保护层，其中，在位于所述沟道保护层两侧的所述氧化物半导体层上形成有源极电极和漏极电极，并且所述源极电极和所述漏极电极中的至少一者具有使所述氧化物半导体层露出的开口部。
2.一种薄膜晶体管，它包括在基板上依次设置的栅极电极、栅极绝缘膜、设有沟道区域 的氧化物半导体层以及覆盖着所述沟道区域的沟道保护层，其中，在位于所述沟道保护层两侧的所述氧化物半导体层上形成有源极电极和漏极电 极，并且所述源极电极和所述漏极电极在沟道宽度方向上被使所述氧化物半导体层露出的槽 隔开。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述沟道区域形成在与所述槽相距20μ m以 内的区域中。
4.一种薄膜晶体管，它包括在基板上依次设置的栅极电极、栅极绝缘膜、设有沟道区域 的氧化物半导体层以及覆盖着所述沟道区域的沟道保护层，其中，在位于所述沟道保护层两侧的所述氧化物半导体层上形成有源极电极和漏极电 极，并且沿着所述源极电极和所述漏极电极中的至少一者的与所述沟道保护层重叠的一侧的 相对侧设有突出区域，在所述突出区域中所述氧化物半导体层从所述源极电极或所述漏极 电极的端部露出。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述源极电极和所述漏极电极中的至少一 者沿着除了与所述沟道保护层重叠的一侧以外的侧设有突出区域，在所述突出区域中所述 氧化物半导体层从所述源极电极或所述漏极电极的端部露出。
6.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述沟道区域形成在与所述突出区域相距 20 μ m以内的区域中。
7.如权利要求1、2和4中任意一项所述的薄膜晶体管，其中，所述源极电极和所述漏极电极包括含有铝、铜、银或钼作为主要成分的金属层，并且所述源极电极和所述漏极电极由上述金属层的单层膜构成，或者由层叠膜构成，所述 层叠膜包括上述金属层和含有钛、钒、铌、钽、铬、钨、镍、锌或铟作为主要成分的金属层或金 属化合物层。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述源极电极和所述漏极电极的与所述氧 化物半导体层接触的层由不会使氧从所述氧化物半导体层脱离的金属或者不会使氧从所 述氧化物半导体层脱离的金属化合物构成。
9.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述源极电极和所述漏极电极的与所述氧 化物半导体层接触的层由下列之一构成钼；钼的氧化物、氮化物或氧氮化物；钛的氧化 物、氮化物或氧氮化物；氮化铝；氧化铜。
10.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述源极电极和所述漏极电极的最上层由 钛构成或者由钛的氧化物、氮化物或氧氮化物构成。
11.如权利要求1、2和4中任意一项所述的薄膜晶体管，其中，所述源极电极和所述漏 极电极的与所述氧化物半导体层接触的层由导电金属氧化物、导电金属氮化物或导电金属 氧氮化物构成。
12.—种显示器件，所述显示器件包括薄膜晶体管和显示元件，其中，所述薄膜晶体管包括在基板上依次设置的栅极电极、栅极绝缘膜、设有沟道区域 的氧化物半导体层以及覆盖着所述沟道区域的沟道保护层，在位于所述沟道保护层两侧的所述氧化物半导体层上形成有源极电极和漏极电极，并且所述源极电极和所述漏极电极中的至少一者具有使所述氧化物半导体层露出的开口部。
13.—种显示器件，所述显示器件包括薄膜晶体管和显示元件，其中，所述薄膜晶体管包括在基板上依次设置的栅极电极、栅极绝缘膜、设有沟道区域 的氧化物半导体层以及覆盖着所述沟道区域的沟道保护层，在位于所述沟道保护层两侧的所述氧化物半导体层上形成有源极电极和漏极电极，并且所述源极电极和所述漏极电极在沟道宽度方向上被使所述氧化物半导体层露出的槽 隔开。
14.一种显示器件，所述显示器件包括薄膜晶体管和显示元件，其中，所述薄膜晶体管包括在基板上依次设置的栅极电极、栅极绝缘膜、设有沟道区域 的氧化物半导体层以及覆盖着所述沟道区域的沟道保护层，在位于所述沟道保护层两侧的所述氧化物半导体层上形成有源极电极和漏极电极，并且沿着所述源极电极和所述漏极电极中的至少一者的与所述沟道保护层重叠的一侧的 相对侧设有突出区域，在所述突出区域中所述氧化物半导体层从所述源极电极或所述漏极 电极的端部露出。
15.如权利要求12 14中任意一项所述的显示器件，其中，所述显示元件是具有设在 阳极与阴极之间且包含发光层的有机层的有机发光元件。
全文摘要
本发明公开了易于向氧化物半导体层供氧并能够恢复优良的晶体管特性的薄膜晶体管，并公开了包括上述薄膜晶体管的显示器件。所述薄膜晶体管包括在基板上依次设置的栅极电极、栅极绝缘膜、设有沟道区域的氧化物半导体层以及覆盖着所述沟道区域的沟道保护层。在位于所述沟道保护层两侧的所述氧化物半导体层上形成有源极电极和漏极电极，并且所述源极电极和所述漏极电极中的至少一者具有使所述氧化物半导体层露出的开口部。本发明的薄膜晶体管易于从开口部向氧化物半导体层供氧，并且能够恢复优良的晶体管特性。包含该薄膜晶体管的显示器件由于抑制了薄膜晶体管的氧化物半导体层的低阻抗性，因而能够抑制漏电流，并且能够以高亮度进行光显示。
文档编号H01L27/32GK101800248SQ20101010436
公开日2010年8月11日 申请日期2010年2月2日 优先权日2009年2月9日
发明者三浦究, 佐川裕志, 德永和彦, 荒井俊明, 诸沢成浩 申请人:索尼公司