显示器件的制造方法和显示器件的制作方法

专利名称：显示器件的制造方法和显示器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及尤其适合于有机EL(电致发光)显示器件或者液晶显示器件等显示器件的制造方法，本发明还涉及显示器件。
背景技术：
目前在制造平板显示器(Flat Panel Display, FPD)时主要的问题是提高薄膜晶 体管(Thin Film Transistor, TFT)基板的成品率。例如，在用于有机EL显示器件的TFT基 板的情况下，因为除了信号线和扫描线之外还存在多条电位供给线，所以像素中的布线密 度增加，使得像素结构极其复杂，这导致缺陷产品的概率极高。另一方面，即使在用于液晶 显示器件的TFT基板的情况下，假想显示器件的尺寸增大到与等离子体显示器件的尺寸相 当的水平因而该显示器件的大型化和像素的高精度化得以发展，但缺陷数量相应地增多， 因此也将导致成品率大幅度下降的主要问题。以高概率出现的缺陷包括层间短路。层间短路是指在上层导电膜和下层导电膜彼 此交叉或彼此重叠的位置上，上层导电膜和下层导电膜由于绝缘膜的缺陷或非绝缘性杂质 的混入而发生电连接的现象。这种层间短路通常产生在例如布线的交叉部中或产生在保持 电荷的电容器中，特别是在有机EL显示器件的情况下，在电容器中的产生概率很高。其原 因是由于与液晶显示器件的驱动方法不同，因此有机EL显示器件中的电容器面积与液晶 显示器件中的电容器面积相比非常大。如果在电容器中产生层间短路，则部分像素不发光， 或部分像素与周围的像素相比所发出的光过度明亮，从而导致图像显示性能显著下降。例如可以用减少杂质的制造工序管理来减少这种缺陷产品。然而，难以完全地避 免缺陷产品。因此，目前在TFT基板的制造过程中修复缺陷的步骤(修复步骤)是必需的。 例如，日本专利申请公开公报No. 200177198 (JP-A-2001-77198)和日本专利申请公开公报 No. 11-282010 (JP-A-11-282010)分别公开了一种通过激光照射来修复层间短路的方法。然而，在JP-A-2001-77198的方法中，通过激光照射来切断上层布线和下层布路 中的一者，然后形成旁通布线，这导致工艺过程变得复杂。在JP-A-11-282010的方法中，通 过激光照射来切断上层布线和下层布线中的一者，然后把该布线重新连接到先前设置的冗 余布线，这导致的困难是在布线密度原本就很高的有机EL显示器件的布线板中，无法保 证用于上述冗余布线的空间。此外，JP-A-2001-77198和JP-A-11-282010的方法都涉及在布线的交叉部中的缺 陷修复，而电容中的缺陷的修复方法过去一直没有被研发。

发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种能够修复在布线板的电容器中或布线 的交叉部中形成的层间短路的显示器件制造方法，本发明的目的还在于提供一种能够抑制 由于布线板的电容器中的层间短路而引起的显示不良的显示器件。本发明实施方案的显示器件的制造方法包括如下步骤形成布线板，所述布线板 在基板上依次设有下层导电膜、绝缘膜和上层导电膜；修复层间短路，所述层间短路是在所 述上层导电膜和所述下层导电膜之间发生的短路；以及在所述布线板上形成显示元件，其 中在修复所述层间短路的步骤中，将脉冲宽度为10皮秒以下的激光照射到包含所述层间 短路的短路包含区域，以便把短路包含区域内的所述下层导电膜、所述绝缘膜和所述上所 述层导电膜中的至少上层导电膜除去。本发明实施方案的显示器件包括布线板，所述布线板在基板上依次设有下层导 电膜、绝缘膜和上层导电膜；以及显示元件，各所述显示元件形成在所述布线板上，其中，所 述布线板设有像素驱动电路，各个所述像素 驱动电路具有晶体管、电容器和所述显示元件， 各个所述晶体管包括所述下层导电膜、所述绝缘膜和所述上层导电膜，所述电容器包括所 述下层导电膜、所述绝缘膜和所述上层导电膜，并且所述电容器具有开口部，所述开口部内 的所述下层导电膜、所述绝缘膜和所述上层导电膜中的至少所述上层导电膜被除去。根据本发明实施方案的显示器件，在布线板的电容器的开口部中，把下层导电膜、 绝缘膜和上层导电膜中的至少上层导电膜除去，因此能够可靠地修复制造工序中所形成的 层间短路。因此，这抑制了由电容器中的层间短路而引起的显示不良，例如，抑制了部分像 素不发光或者部分像素与周围的像素相比所发出的光过度明亮的现象。根据本发明实施方案的显示器件的制造方法，在修复层间短路的步骤中，将脉冲 宽度为10皮秒以下的激光照射到包含该层间短路的短路包含区域，以便把该短路包含区 域内的下层导电膜、绝缘膜和上层导电膜中的至少上层导电膜除去，因此能够修复在布线 板的电容器中或布线的交叉部中形成的层间短路。根据本发明实施方案的显示器件，因为布线板的电容器设有开口部，该开口部内 的下层导电膜、绝缘膜和上层导电膜中的至少上层导电膜被除去，所以能够抑制由电容器 中的层间短路所引起的显示不良。本发明的其它和进一步的目的、特征和优点将会在以下的描述中更充分地呈现。


图1是示出了本发明第一实施方案的显示器件的结构的图。图2是示出了图1所示像素驱动电路的示例的平面图。图3是示出了图2所示电容器的结构的截面图。图4是示出了图2所示电容器的另一种结构的截面图。图5是示出了图2所示像素驱动电路的等效电路的图。图6是示出了图1所示显示区域的结构的截面图。图7A和图7B是用于按照工序顺序说明图1所示显示器件的制造方法的平面图和 截面图。图8是示出了用于修复图7A和图7B所示层间短路的修复装置的结构的图。
图9是示出了从底视截面图观察图8所示局部修复部的结构的平面图。图10是用于说明接着图7A及图7B的后一个步骤的平面图。图11是对于作为上层导电膜(上层电极)的主要构成材料的铝(Al)示出了脉冲 宽度和热扩散长度之间的关系的图。图12A和图12B分别是用于说明接着图10的后一个步骤的截面图。图13A和图13B分别是用于说明接着图12A及图12B的后一个步骤的截面图。图14A和图14B分别是用于说明接着图13A及图13B的后一个步骤的截面图。图15示出了本发明第二实施方案的显示器件的像素驱动电路示例的平面图。图16是示出了图15所示电容器的结构的截面图。图17是示出了图15所示电容器的另一种结构的截面图。图18是示出了用于说明图15所示显示器件的制造方法的流程图。图19是示出了用于说明图18所示的各步骤的图。图20示出了本发明第三实施方案的显示器件的像素驱动电路示例的平面图。图21是示出了图20所示交叉部的结构的截面图。图22是示出了图20所示交叉部的另一种结构的截面图。图23A和图23B是用于按照工序顺序说明图19所示显示器件的制造方法的平面 图和截面图。图24是用于说明接着图23A及图23B的后一个步骤的图。图25示出了本发明第四实施方案的显示器件的像素驱动电路示例的平面图。图26是示出了图25所示交叉部的结构的截面图。图27是示出了图25所示交叉部的另一种结构的截面图。图28是用于说明图25所示显示器件的制造方法的平面图。图29A和图29B分别是用于说明本发明实施例的结果的照片。图30A和图30B分别是用于说明本发明实施例的另一个结果的照片。图31是示出了本发明实施例的另一个结果的图。图32是示出了包括上述各实施方案的显示器件的模块的示意性结构的平面图。图33是示出了各实施方案的显示器件的应用例1的外观的立体图。图34A是示出了从前侧观察到的应用例2的外观的立体图，并且图34B是示出了 从后侧观察到的应用例2的外观的立体图。图35是应用例3的外观的立体图。图36是应用例4的外观的立体图。图37A是应用例5在打开状态下的正视图，图37B是该应用例5在打开状态下的 侧视图，图37C是该应用例5在闭合状态下的正视图，图37D是该应用例5在闭合状态下的 左视图，图37E是该应用例5在闭合状态下的右视图，图37E是该应用例5在闭合状态下的 俯视图，图37G是该应用例5在闭合状态下的仰视图。
具体实施例方式以下参照附图详细说明本发明的优选实施方案。按照以下顺序进行说明1.第一实施方案(电容器；将激光照射到短路包含区域的示例)
2.第二实施方案(电容器；判断层间短路的尺寸，并将激光照射到包围该层间短 路周围的框形区域的示例)3.第三实施方案(线的交叉部；将激光照射到短路包含区域的示例)4.第四实施方案(线的交叉部；将激光照射到包围层间缺陷周围的框形区域的示 例)5.实施例
第一实施方案图1示出了本发明第一实施方案的显示器件的结构。该显示器件用于超薄型有机 发光彩色显示器件等，并且例如在布线板1上具有多个随后说明的作为显示元件的有机发 光元件10RU0G和10B。有机发光元件10RU0G和IOB按照矩阵样子被布置在布线板1的 中央处的显示区域110内。在布线板1中，像素驱动电路111形成在基板11上的显示区域110内，都作为用 于图像显示的驱动器的信号线驱动电路112和扫描线驱动电路113形成在显示区域110的 周边。图2示出了像素驱动电路111的平面结构的示例。像素驱动电路111在由例如玻 璃等构成的基板11上依次设有下层导电膜120、绝缘膜131 (图2中未示出，参照图3)和上 层导电膜140。在本说明书中，在图2及其它的平面图中，下层导电膜120用斜向右下的斜 线标记，上层导电膜140用斜向右上的斜线标记，以便更容易区分下层导电膜120和上层导 电膜140。下层导电膜120包括各条扫描线121和连接到这些扫描线的布线，S卩，要作为电容 器(保持电容)CS的下层电极122的布线及要作为写晶体管Trl和驱动晶体管Tr2各自的 栅极的布线。下层导电膜120具有例如大约IOOnm的厚度并且由诸如钼(Mo)等构成。绝 缘膜131具有例如大约300nm的厚度并且由诸如二氧化硅(SiO2)等构成。上层导电膜140包括信号线141和电源电位供给线142以及连接到它们的布线， 艮口，要作为电容器CS的上层电极143的布线及要作为写晶体管Trl和驱动晶体管Tr2各自 的源极和漏极的布线。上层导电膜140例如是由50nm厚的钛(Ti)层、900nm厚的铝(Al) 层和50nm厚的钛(Ti)层构成的层叠膜，且该层叠膜的总厚度例如是大约lOOOnm。在下层导电膜120、绝缘膜131和上层导电膜140上可形成有绝缘膜132(图2未 示出，参照图3)。绝缘膜132例如具有大约300nm的厚度并且由诸如氮化硅(SiN)等构成。图3示出了电容器CS的截面结构的示例。电容器CS具有开口部161，开口部161 内的上层电极143、绝缘膜131和下层电极122已被除去。因此，在该显示器件中，可以抑制 由电容器CS中的层间短路所引起的显示不良。开口部161是作为当修复在制造工序期间在电容器CS中形成的层间短路时所做 出的修复痕迹而残留下来的开口部，因此不一定必须形成在所有有机发光元件10RU0G和 IOB的像素驱动电路111的各个电容器CS中。图4示出了电容器CS的截面结构的另一示例。在开口部161中，也可以只把上层 电极143、绝缘膜131和下层电极122中的上层电极143除去。在这种情况下，在绝缘膜131 和下层电极122中可能会留下引起层间短路的导电杂质162。如图3所示，优选把开口部161内的上层电极143、绝缘膜131和下层电极122都除去。而不是如图4所示只有上层电极143被除去。这是因为这样能够实现稳定且可靠的修复。具体地，如图4所示当下层电极122没有被完全除去时，构成下层电极122的导电材 料可能会扩散到绝缘膜131中，从而可能导致与上层电极143发生短路。图5示出了图2所示的像素驱动电路111的等效电路。像素驱动电路形成在稍后说明的第一电极13的下层，并且是有源驱动电路，该有源驱动电路包括写晶体管Trl、驱动 晶体管Tr2、在晶体管Trl与Tr2之间的电容器(保持电容)Cs以及通过驱动晶体管Tr2连 接到电源电位供给线142的有机发光元件IOR (或IOG或10B)。写晶体管Trl的栅极连接到扫描线121。写晶体管Trl的源极和漏极中的一者连接到信号线141，另一者连接到电容器CS的上层电极133并且通过连接孔151连接到驱动晶 体管Tr2的栅极。电容器CS的下层电极122通过连接孔152连接到电源电位供给线142。 驱动晶体管Tr2的源极和漏极中的一者连接到电源电位供给线142，另一者连接到有机发 光元件IOR (或IOG或10B)的稍后说明的第一电极13。扫描线121主要按行方向设置着，信号线141和电源电位供给线142主要按列方向(垂直于扫描线121的方向)设置着。在各条信号线141和各条扫描线121的交叉处对 应于一个像素，即，有机发光元件10RU0G和IOB中的一者。每条信号线141连接到信号线 驱动电路112，图像信号DS从信号线驱动电路112通过信号线141提供到写晶体管Trl的 源电极。每条扫描线121连接到扫描线驱动电路113，扫描信号SS从扫描线驱动电路113 通过扫描线121依次提供到写晶体管Trl的栅电极。图6示出了显示区域110的截面结构。在显示区域110中，发出红光的有机发光 元件10R、发出绿光的有机发光元件IOG和发出蓝光的有机发光元件IOB在整体上以矩阵样 子依次布置着。例如，有机光元件10RU0G和IOB都具有带状(长方形)平面形状，并且逐 个发光颜色地在纵长方向上呈列的方式布置着。彼此接近的有机光元件10RU0G和IOB的
组合形成一个像素。有机发光元件10RU0G和IOB各自都具有如下结构其中，像素驱动电路111的驱 动晶体管Tr2、平坦化层12、作为阳极的第一电极13、绝缘膜14、稍后说明的包括发光层的 有机层15和作为阴极的第二电极16从基板11侧按上述顺序层叠起来。如果需要的话，这些有机光元件10RU0G和IOB可以被由诸如氮化硅(SiN)或氧 化硅(SiO)等构成的保护膜17覆盖着，此外，利用夹在中间的由诸如热固化树脂或紫外线 固化树脂等构成的粘接层20，把由诸如玻璃等构成的密封基板30粘附到保护膜17的整个 表面上，从而密封有机光元件。如果需要的话，在密封基板30上可设置有彩色滤光片31和 作为黑矩阵的遮光膜(未示出)。驱动晶体管Tr2通过设置在平坦化层12中的连接孔12A与第一电极13电连接。 平坦化层12使形成有像素驱动电路111等的布线板1的表面变平坦，并且因为有细小的连 接孔12A形成在平坦化层12中，所以平坦化层12优选由能够提供高的图形精度的材料构 成。例如，平坦化层12的构成材料例如是诸如聚酰亚胺等有机材料或诸如二氧化硅(SiO2) 等无机材料。对应于各个有机发光元件10RU0G和IOB都形成有第一电极13。第一电极13还 具有反射层的功能，并且由诸如钼(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铬(Cr)或钨(W)等金属构成或者 由上述金属的金属合金构成。绝缘膜14保证了第一电极13与第二电极16之间的隔离，并精确地将各个有机光元件IORUOG和IOB中的发光区域的形状制成想要的形状，并且例如
由聚酰亚胺构成。例如，有机层15具有如下结构其中，空穴输运层、发光层和电子输运层从第一电极13侧按上述顺序层叠起来。空穴输运层用于提高向发光层的空穴注入效率。把电压施加 到发光层，因此发生电子和空穴的复合，使得发光层发出光。电子输运层用于提高向发光层 的电子注入效率。有机发光元件IOR的空穴输运层的构成材料例如是双[(N-萘基)-N_苯 基]联苯胺(α -NPD)，有机发光元件IOR的发光层的构成材料例如是2，5_双-[4_ [N- (4-甲 氧苯基)-N-苯基氨]]苯乙烯基苯-1，4-二腈(BSB)，有机发光元件IOR的电子输运层的 构成材料例如是8-羟基喹啉铝配合物(Alq3)。有机发光元件IOB的空穴输运层的构成材 料例如是α-NPD，有机发光元件IOB的发光层的构成材料例如是4，4'-双(2，2' -二苯 基1，2_亚乙烯基)联苯(DPVBi)，有机发光元件IOB的电子输运层的构成材料例如是Alq3。 有机发光IOG的空穴输运层的构成材料例如是α -NPD，有机发光元件IOG的发光层的构成 材料例如是混合有1体积％的香豆素6(C6)的Alq3,有机发光元件IOG的电子输运层的构 成材料例如是Alq3。第二电极16例如是半透射型电极，发光层中产生的光从第二电极16侧获得。第 二电极16由诸如银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)或钠(Na)等金属构成或者由上述金属 的金属合金构成。上述显示器件例如可按下列方式制造出来。形成布线板的步骤首先，准备好由上述材料构成的基板11，然后形成大约IOOnm厚的钼膜，然后通过 光刻法使该钼膜形成预定的图形。因此，形成了下层导电膜120，该下层导电膜包括各条扫 描线121和连接到这些扫描线的布线，即，要作为电容器CS的下层电极122的布线以及要 作为写晶体管Trl和驱动晶体管Tr2各自的栅极的布线等。此时，可能会有导电性杂质162 附着在下层电极122上。接下来，将具有上述厚度且由上述材料构成的绝缘膜131形成在下层导电膜120 上。此时，杂质162不一定会全部被绝缘膜131覆盖，可能部分地从绝缘膜131露出。接下来，在绝缘膜131上形成总厚度大约为IOOOnm且由钛(Ti)层、铝(Al)层和 钛(Ti)层构成的层叠膜，然后通过光刻法使其形成预定的图形。由此，形成了上层导电膜 140，该上层导电膜包括各条信号线141、各条电源电位供给线142以及与它们连接的布线， 艮口，要作为电容器CS的上层电极143的布线及要作为写晶体管Trl和驱动晶体管Tr2各自 的源极和漏极的布线。因此，形成了在基板11上设有像素驱动电路111的布线板1。可利 用与像素驱动电路111相同的工序来形成信号线驱动电路112和扫描线驱动电路113。修复层间短路的步骤在此工序中，如图7A和图7B所示，可能在电容器CS中出现了下层电极122由于 杂质162因而与上层电极143发生短路的层间短路163。因此，例如通过电学检测来检查层 间短路163的存在，然后通过光学检测来获取该层间短路的位置或尺寸。可以通过例如使 用阵列检测仪(玻璃基板电学检测仪)的电荷探测方法来执行电学检测。在该电荷探测方 法中，基本上按照与实际操作中相同的方法向全部像素中写入电荷，在经过一定的时间后 读取所写入的电荷，从电荷的转变来判定各个像素的缺陷。在光学检测中，例如，通过图形检验来检查层间短路163的位置和尺寸。按照如下这种方法来执行图形检验通过显微镜 将像素驱动电路111放大，通过电荷耦合器(Charge Coupled Device, (XD)照相机等来读 取所放大的图像，通过图像处理来检测异常，评价相邻像素之间的图像差异，当发现显著差 异时，就确定相关的像素是有缺陷的。层间短路163的原因除了是由于如上所述的导电杂 质162等在光刻步骤中产生的缺陷之外，还可能包括绝缘膜131的缺陷。然后，通过修复装置来修复层间短路163。图8示出了修复装置800的结构。例 如，修复装置800包括用于观察层间短路163的光学系统810 ；用于使光学系统810与布 线板1相对移动的移动构件820 ；和用于修复层间短路163的修复构件830。光学系统810 例如包括物镜811。移动构件820例如包括X-Y平台。修复构件830例如具有被设置在移动构件820上的布线板1与物镜811之间的局 部修复部831。局部修复部831在物镜811下方具有窗口 831A和激光照射室831B，可从窗 口 831A观察层间短路163，或者透过窗口 831A照射激光LB以进行修复步骤。修复构件830还具有用于激光加工处理的脉冲激光源832、用于激光CVD (化学气 相沉积)法的连续波(Continuous Wave, Cff)激光源833、局部排气系统835、压缩气体供给 系统836、压缩气体排气系统837和吹扫用气体供给系统838。脉冲激光源832可以产生脉冲宽度为10皮秒以下的激光LB。局部排气系统835 局部地对激光照射室831B进行排气，以便排出被激光加工过程除去的布线材料等。压缩气 体供给系统836通过使用可以是诸如氩(Ar)或氮气(N2)等不活泼气体的压缩气体Gl来 使局部修复部831浮起。压缩气体排气系统837排出该压缩气体Gl并因此在局部修复部 831和布线板1之间形成具有极大弹性常数的弹性，由此来抑制局部修复部831的浮起高 度D的变化从而提供浮起的刚性。吹扫用气体供给系统838将诸如氩(Ar)气等吹扫用气 体G2吹到窗口 831A以防止被激光加工过程除去的布线材料附着到该窗口 831A上。视需 要，修复构件830也可以具有用于提供激光CVD法用的气体的沉积材料供给系统，或用于金 属微粒涂覆法的涂敷液体供给系统(两个系统均未示出)。如图9所示，在局部修复部831的底面上设置有送风部831C和压缩气体抽吸孔 831D，送风部831C包括用于吹出例如氮气(N2)等压缩气体Gl的多孔铝，压缩气体抽吸孔 831D用于排出流入到激光LB照射位置附近区域的压缩气体G1。送风部831C通过压缩气 体Gl使局部修复部831相对于布线板1浮起。压缩气体抽吸孔831D抽吸压缩气体G1，并 且通过压缩气体排气系统837排出该气体。修复装置800例如可以按下列方式来修复层间短路163。首先，在进行修复前，优选使局部修复部831预先浮起例如大约IOOm左右。这是 为了当即使有翘曲或隆起在布线板ι上产生时，也可以防止布线板1与局部修复部831接 触而造成损伤。为了使局部修复部831浮起，从压缩气体供给系统836提供例如氩(Ar)或 氮气(N2)作为压缩气体G1，该压缩气体Gl通过送风部831C吹向移动构件820。此外，优选的是，通过吹扫用气体供给系统838向窗口 831A吹出200ccm的氮气作 为吹扫用气体G2。接下来，使移动移动构件820在水平方向上移动，并且因此把布线板1插入到局部 修复部831和移动构件820之间的间隙中。接下来，压缩气体排气系统837开始排气，并且 通过阀837A来控制压缩气体Gl的压力或流量，以把局部修复部831的浮起高度D调整为例如20 μ m。然后，如图10所示，把脉冲宽度为10皮秒以下的激光LB照射到包含层间短路163 的短路包含区域164，S卩，以覆盖住层间短路163的方式进行照射。图11示出了脉冲宽度和 作为上层导电膜140(上层电极143)的主要构成材料的铝(Al)的热扩散长度之间的关系。
热扩散长度可以表示为热扩散长度[μηι]= 2λ/热扩散系数Cm2脉冲宽度[s]。铝的
热扩散系数假定为9.98X10_4m2/s。最好把热扩散长度调节到0. 1 μ m以下以防止上层导 电膜140 (上层电极143)与下层导电膜120(下层电极122)之间的短路。为了实现这个目 的，从图11可知将激光LB的脉冲宽度调节到10皮秒以下即可。激光LB的每一个脉冲的能量密度优选地调节到0. 03J/cm2到0. 5J/cm2的范围内。 理由如下当能量密度小于0. 03J/cm2时，因为该能量密度低于材料的加工阈值，不能进行 加工。当能量密度大于0. 5J/cm2时，材料容易熔化，因此可能导致下层电极122可与上层 电极143短路。具体地说，将激光LB调节到波长为400nm、频率为500Hz、脉冲宽度为3皮秒、照射 束形状为IOym正方形，并且在静止状态下输出4000个脉冲以照射大约8秒钟，同时将布 线板1的表面上的能量密度设置为0. 2J/cm2。通过小孔(未示出)将激光LB整形然后照 射出去，同时使用放大倍数为50和动作距离为15mm的光学系统810的物镜811来观察该 激光LB。因此，除去了短路包含区域164内的下层电极122、绝缘膜131和上层电极143，并 且因此修复层间短路163，从而形成如图2和图3所示的开口部161。可替代地，如图4所 示只把短路包含区域164内的下层电极122、绝缘膜131和上层电极143中的上层电极143 除去。在这种情况下，将激光LB调节到波长为400nm、频率为500Hz、脉冲宽度为3皮秒以 及照射束形状为IOym正方形，并且在静止状态下输出4000个脉冲以照射大约8秒钟，同 时将布线板1的表面上的能量密度设置为0. 03J/cm2。在布线板1上形成有机发光元件10RU0G和IOB的步骤这样，修复了布线板1中的层间短路163。然后，如图12A所示，将感光树脂涂敷在 布线板1的整个表面上以形成平坦化层12，通过曝光和显影使该平坦化层成为预定的图形 且同时形成有连接孔12A，然后烘烤。在形成平坦化层12后，如图12B所示，通过例如溅射法来形成由上述材料构成的 第一电极13，并且通过例如蚀刻来使其成形为预定的图形。在形成第一电极13后，将感光树脂涂敷在平坦化层12的整个表面上，然后通过例 如光刻来形成与发光区域对应的开口部，然后烘烤该感光树脂，因此形成了如图13A所示 的绝缘膜14。在形成绝缘膜14后，如图13B和图14A所示，依次形成有机层15和第二电极16， 有机层15包括各自具有上述厚度且由上述材料构成的空穴注入层、空穴输运层、发光层、 电子输运层和电子注入层。因此，形成了有机光元件10RU0G和10B.在形成有机发光元件10RU0G和IOB后，如图14B所示，通过例如蒸发沉积法或 CVD法来形成由上述材料构成的保护膜17。此外，在由上述材料构成的密封基板30上通过旋涂法等涂敷红色滤光片的材料， 然后通过光刻技术来使该涂敷材料图形化，然后进行烘烤，因此形成了红色滤光片。接下来，用与形成红色滤光片相同的方法依次形成蓝色滤光片和绿色滤光片，从而形成彩色滤 光片31。然后，在保护膜17上形成粘接层20，之后以将粘接层20夹在保护膜17与密封基 板30之间的方式把密封基板30粘附到保护膜17上。因此，完成了图1至图6所示的显示 器件。在以这种方法获得的显示器件中，扫描信号SS从扫描线驱动电路113通过写晶体管Trl的栅电极提供到各个像素，图像信号DS从信号线驱动电路112通过写晶体管Trl提 供到保持电容CS，并且被保持在保持电容CS中。特别地，根据保持电容CS所保持的信号来 控制驱动晶体管Tr2的导通或断开，于是把驱动电流注入到各个有机发光元件10RU0G和 IOB中，因此使空穴与电子产生复合，从而发出光。所发出的光穿过第二电极16、彩色滤光 片31和密封基板30，然后被获取到。按这种方法，在本实施方案的显示器件的制造方法中，在修复层间短路163的步 骤中将脉冲宽度为10皮秒以下的激光LB照射到包含层间短路163的短路包含区域164，以 便把短路包含区域164内的下层电极122、绝缘膜131和上层电极143中的至少上层电极 143除去，因此可以修复在布线板1的电容器CS中形成的层间短路163。特别地，短路包含区域164内的下层电极122、绝缘膜131和上层电极143都被除 去，以使得修复过程稳定且可靠。按照本实施方案的显示器件，因为布线板1中的电容器CS具有开口部161，且该开 口部161内的下层电极122、绝缘膜131和上层电极143中的至少上层电极143除去，所以 能够抑制由于电容器CS中的层间短路163所引起的显示不良。第二实施方案图15示出了本发明第二实施方案的显示器件的像素驱动电路111的平面结构示 例。本显示器件除了电容器CS具有槽165以外，其他结构与第一实施方案的显示器件相同。 因此，相同的元件用相同的附图标记或符号来表示。图16示出了电容器CS的截面结构的示例。在电容器CS中，层间短路163以原状 保留着，槽165包围在层间短路163的周围。在槽165中，除去了上层电极143、绝缘膜131 和下层电极122。因此，在本显示器件中，如同第一实施方案那样，可以抑制由电容器CS中 的层间短路所引起的显示不良。槽165是作为当修复在制造工序期间在电容器CS中形成的层间短路时所做出的 修复痕迹而残留下来的槽，因此不一定必须形成在所有有机发光元件10RU0G和IOB的像 素驱动电路111的各个电容器CS中。图17示出了电容器CS的截面结构的另一示例。可以与开口部161那样，在槽165 中，只除去了上层电极143、绝缘膜131和下层电极122中的上层电极143。在这种情况下， 在绝缘膜131和下层电极122中可能会留下引起层间短路的导电杂质162。优选的是如图16所示把槽165中的上层电极143、绝缘膜131和下层电极122都 除去，而不是如图17所示只除去上层电极143。这是因为这样能实现稳定且可靠的修复。在同一布线板1或同一显示器件中可以组合设有槽165和开口部161。在这种情 况下，如以下的制造方法所述，优选根据层间短路163的尺寸来恰当地使用槽165和开口部 161。
例如，可按下列方式制造出上述显示器件。形成布线板的步骤首先，根据图7A和图7B所示的步骤在基板11上形成下层导电膜120、绝缘膜131 和上层导电膜140，因此如同在第一实施方案中那样形成了布线板1。修复层间短路的步骤接下来，如同第一实施方案那样，通过例如电学检测来检查层间短路163的存在， 然后通过光学检测来获取该层间短路的位置或尺寸(图18中的步骤S101)。然后，利用图8和图9所示的修复装置来修复层间短路163。此时，激光LB的照射 方法优选根据层间短路163的尺寸的不同而不同。这是为了无论层间短路163的尺寸是多 少时，都能够可靠地修复该层间短路163。具体地，如图18所示，为层间短路163的尺寸设定某一阈值(例如，20μπι正方 形)，并判断层间短路163的尺寸是在该阈值以下还是大于该阈值。当层间短路163的尺 寸在该阈值以下(20 μ m正方形或更小)时，优选将激光LB照射到短路包含区域164 (步骤 S102)。这是因为这样能够使加工面积最小化，并且能够通过静止地照射激光LB来减少加 工时间。在这种情况下，修复方法与第一实施方案中的修复方法相同。相反，当层间短路163的尺寸大于该阈值(大于20μπι正方形)时，优选将激光LB 照射到包围层间短路163周围的框形区域166内(步骤S103)。这是因为当层间短路163 的尺寸较大时，用于对激光LB的束形状进行调整的狭缝尺寸可能不适合于上述尺寸，或者 即使狭缝尺寸适合于上述尺寸时，在照射平面内的激光能量分布也变差，以致于使修复可 靠性降低。在这种情况下，例如，将激光LB调节成波长为400nm、频率为500Hz、脉冲宽度为3 皮秒和照射束形状为8 μ m正方形，并且通过扫描速度为5 μ m/s的扫描法按照6扫描来照 射脉冲激光LB，同时将布线板1的表面上的能量密度设置为0. 2J/cm2。因此，将框形区域166内的下层电极122、绝缘膜131和上层电极143除去，使得层 间短路163与电容器CS分离，并因此形成了如图15和图16所示的槽165。可替代地，如图17所示那样，只把框形区域166内的下层电极122、绝缘膜131和 上层电极143中的上层电极143除去。在这种情况下，例如，将激光LB调节成波长为400nm、 频率为500Hz、脉冲宽度为3皮秒和照射束形状为8 μ m正方形，并且通过扫描速度为5 μ m/ s的扫描法按照6扫描来照射脉冲激光LB，同时将布线板1的表面上的能量密度设置为 0. 03J/cm2。即使按这种方法，也可以修复层间短路163，并且可以形成槽165。在布线板1上形成有机发光元件10RU0G和IOB的步骤按照上述方式，修复了布线板1中的层间短路163。然后，根据如图12A到图14B 所示的步骤，形成有机光元件10RU0G和10B，因此与第一实施方案中一样形成了本显示器 件。本显示器件的作用与第一实施方案中显示器件的作用相同。于是，在本实施方案的显示器件的制造方法中，因为在修复层间163的步骤中根 据层间短路163的尺寸来改变激光LB的照射方法，所以无论在布线板1的电容器CS中形 成的层间短路163的尺寸是多少都能够可靠地修复该层间短路163。具体地，当层间短路163的尺寸在阈值以下时，将激光LB照射到短路包含区域164。因此，由于在静止状态下照射激光LB，因此可以使加工面积最小化并且可以减少加工时间。相反，当层间短路163的尺寸大于阈值时，将激光LB照射到包围层间短路163周围的框形区域166。因此，即使当层间短路163的尺寸较大时，也可以抑制修复可靠性的降 低。此外，因为框形区域166内的下层电极122、绝缘膜131和上层电极143都被除去，所以可以稳定且可靠地修复层间短路。根据本实施方案的显示器件，因为布线板1中的电容器CS具有槽165，该槽165中的下层电极122、绝缘膜131和上层电极143中的至少上层电极143被除去，所以可以抑制 由电容器CS中的层间短路163所引起的显示不良。第三实施方案图20示出了本发明第三实施方案的显示器件的像素驱动电路111的平面结构示例。该显示器件除了开口部161被设置在扫描线121与信号线141的交叉部IS中以外，其 他结构与第一实施方案中的显示器件相同。因此，相同的元件用相同的附图标记或符号来表不。图21示出了交叉部IS的截面结构的示例。在开口部161中，除去了信号线141、 绝缘膜131和扫描线121。因此，在该显示器件中，可以抑制由交叉部IS中的层间短路所引 起的显示不良。开口部161是作为当修复在制造工序期间在交叉部IS中形成的层间短路时所做 出的修复痕迹而残留下来的开口部，因此不一定必须形成在所有交叉部IS中。图22示出了交叉部IS的截面结构的另一示例。在开口部中，如同在第一实施方 案中那样，只把信号线141、绝缘膜131和扫描线121中的信号线141除去。在这种情况下， 在绝缘膜131和扫描线121中可能会留下引起层间短路的导电杂质162。优选如图21所示把开口部161中的信号线141、绝缘膜131和扫描线121都除去， 而不是如图22所示只把信号线141除去。这是因为这样能实现稳定且可靠的修复。例如，可以按下列方式制造出上述显示器件。形成布线板的步骤首先，根据图7A和图7B所示的步骤在基板11上形成下层导电膜120、绝缘膜131 和上层导电膜140，因此如同在第一实施方案中那样形成了布线板1。修复层间短路的步骤在该步骤中，如图23A和图23B所示，在交叉部IS中可能出现由于杂质162而使 扫描线121与信号线141发生短路处的层间短路163。因此，例如，通过电学检测来检查层 间短路163的存在，然后通过光学检测来获取该层间短路的位置或尺寸。接下来，通过如图8和图9所示的修复装置，将激光LB照射到如图24所示的短路 包含区域164以修复层间短路163。在布线板1上形成有机发光元件10RU0G和IOB的步骤以上述方式，修复了布线板1中的层间短路163。然后，根据如图12A到图14B所 示的步骤来形成有机光元件10RU0G和10B，因此如同第一实施方案中一样形成了本显示 器件。
本显示器件的作用与第一实施方案中显示器件的作用相同。这样，在本实施方案的显示器件的制造方法中，在修复层间短路163的步骤中，将 脉冲宽度为10皮秒以下的激光LB照射到包含层间短路163的短路包含区域164内，以便 把短路包含区域164内的扫描线121、绝缘膜131和信号线141中的至少信号线141除去， 因此，可修复在布线板1的交叉部IS中形成的层间短路163。特别地，因为短路包含区域164内的扫描线121、绝缘膜131和信号线141都被除 去，所以可以稳定且可靠地修复层间短路。根据本实施方案的显示器件，由于布线板1中的交叉部IS具有开口部161，该开口 部161内的扫描线121、绝缘膜131和信号线141中的至少信号线141被除去，因此可以抑 制由交叉部IS中的层间短路163所引起的显示不良。本实施方案也可以适用于扫描线121与电源电位供给线142的交叉部IS。第四实施方案图25示出了本发明第四实施方案的显示器件的像素驱动电路111的平面结构示 例。该显示器件除了把槽165设置在扫描线121与信号线141的交叉部IS中以外，其他结 构与第二实施方案中的显示器件相同。因此，相同的元件用相同的附图标记或符号来表示。图26示出了交叉部IS的截面结构的示例。在交叉部IS中，层间短路163以原样 被保留着，槽165包围在层间短路163的周围。在槽165中，除去了信号线141、绝缘膜131 和扫描线121。因此，如同在第三实施方案中那样，在本显示器件中可以抑制由交叉部IS中 的层间短路所引起的显示不良。槽165是作为当修复在制造工序期间在交叉部IS中形成的层间短路时所做出的 修复痕迹而残留下来的槽，因此不一定必须形成在所有交叉部IS中。图27示出了交叉部IS的截面结构的另一示例。在槽165中，可以只把信号线141、 绝缘膜131和扫描线121中的信号线141除去。在这种情况下，在绝缘膜131和扫描线121 中可能会留下引起层间短路的导电杂质162。优选如图26所示把槽165内的信号线141、绝缘膜131和扫描线121都除去，而不 是如图27所示只把信号线141除去。这是因为这样能实现稳定且可靠的修复。在同一布线板1或同一显示器件中可以组合地设有槽165和开口部161。在这种 情况下，如以下的制造方法所述，优选根据层间短路163的尺寸来恰当地使用槽165和开口 部 161。例如，可按下列方式制造上述显示器件。形成布线板的步骤首先，根据图7A和图7B所示的步骤在基板11上形成下层导电膜120、绝缘膜131 和上层导电膜140，因此如同第一实施方案中那样形成了布线板1。修复层间短路的步骤接下来，通过例如电学检测来检查如图23A和图23B所示交叉部IS中的层间短路 163是否存在，然后如同第二实施方案(步骤S101)中那样利用图18所示的步骤通过光学 检测来获取层间短路163的位置或尺寸。 然后，利用图8和图9所示的修复装置来修复层间短路163。此时，如同在第二实 施方案中那样，激光LB的照射方法优选根据层间短路163的尺寸的不同而不同。这是为了无论层间短路163的尺寸是多少都能够可靠地修复该层间短路163。具体地，为层间短路163的尺寸设定某一阈值(例如，20 μ m正方形)，根据如图18所示的步骤来判断层间短路163的尺寸是在该阈值以下还是大于该阈值。当层间短路 163的尺寸在该阈值以下(20μπι正方形或更小)时，优选将激光LB照射到短路包含区域 164 (步骤S102)。在这种情况下，修复方法与第一实施方案或第三实施方案中的修复方法 相同。相反，当层间短路163的尺寸大于该阈值(大于20μπι正方形)时，优选将激光LB 照射到包围层间短路163周围的框形区域166 (步骤S103)。这是因为当层间短路163的尺 寸较大时，用于对激光LB的束形状进行调整的狭缝尺寸可能不适合于上述尺寸，或即使当 狭缝尺寸适合于上述尺寸时，在照射平面内的激光能量分布也变差，从而使修复可靠性降 低。在这种情况下，修复方法与第二实施方案中的修复方法相同。在布线板1 h形成有机发光元件10R、10G和IOB的步骤如上所述，修复了布线板1中的层间短路163。然后，根据如图12A到图14B所示的 步骤形成有机光元件10RU0G和10B，因此，如同第一实施方案中一样形成了本显示器件。本显示器件的作用与第一实施方案中显示器件的作用相同。如上所述，根据本实施方案的显示器件的制造方法，因为在修复层间163的步骤 中根据层间短路163的尺寸的不同使激光LB的照射方法不同，所以无论在布线板1的交叉 部IS中形成的层间短路163的尺寸是多少都能够可靠地修复该层间短路163。具体地，当层间短路163的尺寸在阈值以下时，将激光LB照射到短路包含区域164。 因此，由于在静止状态下照射激光LB，因此可以使加工面积最小化并且可以减少加工时间。相反，当层间短路163的尺寸大于阈值时，将激光LB照射到包围层间短路163周 围的框形区域166。因此，即使层间短路163的尺寸较大时，也可以抑制修复可靠性的降低。此外，因为框形区域166内的扫描线121、绝缘膜131和信号线141都被除去，所以 可以稳定且可靠地修复层间短路。根据本实施方案的显示器件，因为布线板1中的交叉部IS具有槽165，该槽165内 的扫描线121、绝缘膜131和信号线141中的至少信号线141被除去，所以可以抑制由交叉 部IS中的层间短路163所引起的显示不良。本实施方案可应用于扫描线121与电源电位供给线142的交叉部IS。实施例下面，说明本发明的具体实施例。实施例1按与第一实施方案中相同的方式制作布线板1。对于所得到的布线板1，测出在电 容器CS中形成的层间短路163的尺寸。结果，该层间短路的直径为5 μ m。将具有10皮秒以下脉冲宽度的激光LB照射到包含层间短路163的短路包含区域 164，S卩，以覆盖层间短路163的方式进行照射。此时，把激光LB调节到波长为400nm、频率 为500Hz、脉冲宽度为3皮秒和照射束形状为10 μ m正方形，并且在静止状态下输出4000个 脉冲以照射大约8秒钟，同时将布线板1的表面上的能量密度设置为0. 2J/cm2。通过小孔 (未示出)使激光LB整形并且照射除去，同时使用放大倍数为50和动作距离为15mm的光 学系统810的物镜811来观察激光LB。
因此，把短路包含区域164内的下层电极122、绝缘膜131和上层电极143都除去，因此修复了层间短路163，并且形成了开口部161。图29A和图29B分别示出了开口部161的反射照片和透射照片。从图29B可知，光穿过了开口部161，由此可以确认已把开口部161中的下层电极122除去。图30A和图30B分别示出了开口部161的顶部和截面的扫描电子显微镜 (Scanning Electron Microscope, SEM)照片。从图30B可知，可以确认上层电极143的铝 层和钛层、绝缘膜131以及下层电极122的钼层都被除去。当在被修复的电容器CS的下层电极122与上层电极143之间施加OV到200V的电 压时，检测漏电流值。图31图示出了检测结果。从图31可知，即使外加电压增加到200V， 也不会出现介电击穿，因此可以确定实现了可靠的修复。对比例1作为对比例1，除了使用脉冲宽度大于10皮秒的激光以外，按照与实施例1中相同的方式来修复层间短路。此时，将激光LB调节到波长为532nm、频率为10Hz、脉冲宽度为 10纳秒和照射束形状为8 μ m正方形，并在静止的状态下输出5个脉冲以进行照射，同时将布线板的表面上的能量密度设置为2. OJ/cm2。如同在实施例1中那样，在修复对比例1的电容器以后来检测漏电流值。结果，漏电流值是10mA，这是测量上限的电流值。也就是说，电容器仍然短路，而未能修复层间短路。也就是说，可以认为，当将脉冲宽度为10皮秒以下的激光LB照射到包括层间短路163的短路包含区域164时，能够修复在布线板1的电容器CS中形成的层间短路163。实施例2除了把短路包含区域164内的下层电极122、绝缘膜131和上层电极143中的至少上层电极143除去以外，按与实施例1中相同的方式来修复层间短路163。此时，将激光LB 调节到波长为400nm、频率为500Hz、脉冲宽度为3皮秒和照射束形状为10 μ m正方形，并且 在静止状态下输出4000个脉冲以照射大约8秒钟，同时将布线板1的表面上的能量密度设 置为 0. 03J/cm2。如同在实施例1中那样，也检测实施例2的被修复电容器的漏电流。结果，在150V到200V的外加电压下出现了介电击穿。具体地，因为短路包含区域164内的下层电极122、绝缘膜131和上层电极143都被除去，所以能够稳定且可靠地修复层间短路。也就是说，可以明确的是，当短路包含区域164内的下层电极122、绝缘膜131和上层电极143都被除去后，能够稳定且可靠地修复层间短路。模块和应用例以下将说明在上述各个实施方案中说明的显示器件的应用例。各个实施方案的显示器件可以用于能够以图像或图画的形式显示从外部输入的视频信号或在内部产生的视 频信号的任何领域中的电子装置，这种电子装置例如是电视机、数码相机、笔记本电脑、诸 如移动电话等移动终端、摄像机等。 例如，各个实施方案的显示器件作为图32所示的模块被装配到后面说明的例如应用例1至应用例5等各种电子装置中。在该模块中，例如，在被转印基板11的一边设有从密封基板30和粘接层20暴露出来的区域210，通过延长信号线驱动电路120的布线和扫 描线驱动电路130的布线在暴露区域210上形成外部连接端子(未示出)。这些外部连接 端子上可以设有用于输入/输出信号的柔性印刷电路(FPC) 220。应用例1图33示出了应用各个实施方案的显示器件的电视机的外观。例如，该电视机具有 包括前面板310和滤光玻璃320的图像显示屏300，并且图像显示屏300例如采用各个实施 方案的显示器件。应用例2图34A和图34B示出了应用各个实施方案的显示器件的数码相机的外观。例如， 该数码相机具有闪光用的发光部410、显示部420、菜单开关430和快门按钮440，并且显示 部420例如采用各个实施方案的显示器件。应用例3图35示出了应用各个实施方案的显示器件的笔记本电脑的外观。例如，该笔记本 电脑具有主体510、用于字母等的输入操作的键盘520和用于显示图像的显示部530，并且 显示部530例如采用各个实施方案的显示器件。应用例4图36示出了应用各个实施方案的显示器件的摄像机的外观。例如，该摄像机具有 主体610、设置在主体610的前侧面上且用于拍摄物体的镜头620、拍摄开始/停止开关630 和显示部640，并且显示部640例如采用各个实施方案的显示器件。应用例5图37A至图37G示出了应用各个实施方案的显示器件的移动电话的外观。例如，该 移动电话包括通过铰链部730彼此连接的上壳体710和下壳体720，并且具有显示屏740、 副显示屏750、图片灯760和照相机770。显示屏740或副显示屏750例如采用各个实施方 案的显示器件。以上虽然已经说明了本发明的各实施方案，但是本发明不限于这些实施方案，可 以做出各种修改和变形。例如，虽然在各实施方案中把电源电位供给线142形成在上层导 电膜140中，但是这些电源电位供给线也可以形成在下层导电膜120中。此外，例如，虽然各实施方案已经说明了把本发明实施方案的显示器件的制造方 法应用于使用有机发光元件10RU0G和IOB的有机发光显示器件的情况，但是本发明也可 以广泛地应用于诸如液晶显示器件等其它平板显示器件。此外，例如，虽然各实施方案已经说明了修复装置800的具体结构，但是修复装置 800的结构不限于此。例如，虽然各实施方案已经说明了通过移动构件820来使布线板1相 对于光学系统810进行移动的情况，但是也可以使光学系统810相对于布线板1进行移动， 或者使两者相对于彼此进行移动。另外，例如，虽然各实施方案已经说明了通过使用压缩气体Gl来使局部修复部 831浮起的情况，但浮起方法不限于这种使用压缩气体Gl的静态压力浮起方法。也可以把 局部修复部831固定到支架等上。本领域技术人员应当理解的是，依据设计要求和其他因素，可以在本发明所附的 权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。
权利要求
一种显示器件的制造方法，其包括以下步骤形成布线板，所述布线板在基板上依次设有下层导电膜、绝缘膜和上层导电膜；修复层间短路，所述层间短路是在所述上层导电膜与所述下层导电膜之间发生的短路；以及在所述布线板上形成显示元件；其中，在修复所述层间短路的步骤中，将脉冲宽度为10皮秒以下的激光照射到包含所述层间短路的短路包含区域，把所述短路包含区域内的所述下层导电膜、所述绝缘膜和所述上层导电膜中的至少所述上层导电膜除去。
2.如权利要求1所述的显示器件的制造方法，其中，在修复所述层间短路的步骤中，把 所述短路包含区域内的所述上层导电膜、所述绝缘膜和所述下层导电膜都除去。
3.如权利要求1所述的显示器件的制造方法，其中，在修复所述层间短路的步骤中，使 所述激光的照射方法根据所述层间短路的尺寸的不同而不同。
4.如权利要求3所述的显示器件的制造方法，其中，在修复所述层间短路的步骤中，判 断所述层间短路的尺寸是在阈值以下还是大于所述阈值，当所述层间短路的尺寸在所述阈 值以下时，将所述激光照射到所述短路包含区域，而当所述层间短路的尺寸大于所述阈值 时，将所述激光照射到包围所述层间短路周围的框形区域。
5.如权利要求1所述的显示器件的制造方法，其中，所述布线板设有像素驱动电路，各个所述像素驱动电路具有晶体管、电容器和所述显 示元件，各个所述晶体管包括所述下层导电膜、所述绝缘膜和所述上层导电膜，所述电容器 包括所述下层导电膜、所述绝缘膜和所述上层导电膜，并且在修复所述层间短路的步骤中，修复在所述电容器中产生的层间短路。
6.如权利要求1所述的显示器件的制造方法，其中，所述布线板设有扫描线和信号线，各所述扫描线包括所述下层导电膜和所述上层导电 膜中的一者，各所述信号线包括所述下层导电膜和所述上层导电膜中的另一者，并且在修复所述层间短路的步骤中，修复在各所述扫描线与各所述信号线的交叉部中产生 的层间短路。
7.如权利要求6所述的显示器件的制造方法，其中，各所述显示元件是有机发光元件，所述布线板设有包括所述下层导电膜或所述上层导电膜的电源电位供给线，并且在修复所述层间短路的步骤中，修复在各所述电源电位供给线与各所述信号线或各所 述扫描线的交叉部中产生的层间短路。
8.如权利要求1所述的显示器件的制造方法，其中，所述激光的每一个脉冲的能量密 度是0. 03J/cm2以上且0. 5J/cm2以下。
9.如权利要求1所述的显示器件的制造方法，其中，在使所述激光静止的状态下照射 所述激光。
10.如权利要求1所述的显示器件的制造方法，其中，在使所述激光进行扫描的状态下 照射所述激光。
11.一种显示器件，其包括布线板，所述布线板在基板上依次设有下层导电膜、绝缘膜和上层导电膜；以及显示元件，各所述显示元件形成在所述布线板上，其中，所述布线板设有像素驱动电路，各个所述像素驱动电路具有晶体管、电容器和所 述显示元件，各个所述晶体管包括所述下层导电膜、所述绝缘膜和所述上层导电膜，所述电 容器包括所述下层导电膜、所述绝缘膜和所述上层导电膜，并且所述电容器具有开口部，该开口部内的所述下层导电膜、所述绝缘膜和所述上层导电 膜中的至少所述上层导电膜被除去。
12.如权利要求11所述的显示器件，其中，所述布线板设有扫描线和信号线，各所述扫描线包括所述下层导电膜和所述上层导电 膜中的一者，各所述信号线包括所述下层导电膜和所述上层导电膜中的另一者，并且各所述扫描线与各所述信号线的交叉部具有开口部，该开口部内的所述下层导电膜、 所述绝缘膜和所述上层导电膜中的至少所述上层导电膜被除去。
13.如权利要求12所述的显示器件，其中， 各所述显示元件是有机发光元件，所述布线板设有包括所述下层导电膜或所述上层导电膜的电源电位供给线，并且 各所述电源电位供给线与各所述扫描线或各所述信号线的交叉部具有开口部，该开口 部内的所述下层导电膜、所述绝缘膜和所述上层导电膜中的至少所述上层导电膜被除去。
14.如权利要求11所述的显示器件，其中，所述电容器包括层间短路，所述层间短路是在所述上层导电膜与所述下层导电膜之间发生的短路，以及槽，所述槽包围所述层间短路的周围，并且所述槽内的所述下层导电膜、所述绝缘膜和 所述上层导电膜中的至少所述上层导电膜被除去。
全文摘要
本发明提供了显示器件的制造方法，在该制造方法中可以修复在布线板的电容器中或在布线的交叉部中形成的层间短路，并且本发明还提供了显示器件。上述显示器件的制造方法包括以下步骤形成布线板，所述布线板在基板上依次设有下层导电膜、绝缘膜和上层导电膜；修复层间短路，所述层间短路是在所述上层导电膜与所述下层导电膜之间发生的短路；以及在所述布线板上形成显示元件。在修复所述层间短路的步骤中，将脉冲宽度为10皮秒以下的激光照射到包含所述层间短路的短路包含区域，把所述短路包含区域内的所述下层导电膜、所述绝缘膜和所述上层导电膜中的至少所述上层导电膜除去。本发明能够抑制因层间短路引起的显示不良。
文档编号H01L21/768GK101800195SQ201010104368
公开日2010年8月11日 申请日期2010年2月2日 优先权日2009年2月10日
发明者古立学, 舆石亮 申请人:索尼公司