专利名称：一种大直径立式硅片承载器的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种硅产品，特别是一种大直径立式硅片承载器的制备方法。
背景技术：
目前，微电子集成电路的4"、6"、8"硅片，主要应用相配套尺寸的卧式硅片承载器，并作为硅片承载器和氧化与扩散使用。4"、6"、8"卧式硅片承载器仅能够和集成电路 6"、8"硅片相配套，但随着大直径12"硅片进入市场，与之相配套的12"硅片承载器缺口则较大。卧式硅片承载器由于长度的限制，只能应用4〃、6〃、8〃硅片，承载硅片数量也较少，一般在60个，同时卧式硅片承载器在承载硅片进行掺杂和氧化工艺时，需要专业托盘将其送入石英容器内，所以使用也极为不便。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提出了一种保障硅片间隙微小，不松动，提高硅片在氧化和扩散的均勻性和一致性的大直径立式硅片承载器的制备方法。本发明要解决的技术问题是通过以下技术方案来实现的，一种大直径立式硅片承载器的制备方法，其特点是①选用Φ20πιπι石英棒和Φ310πιπι石英片，作为制作卧式硅片承载器的原材料，石英硅含量> 99. 998% ；②对Φ 20mm石英棒进行切割，长度为920mm ；③铣削石英片，作为底盘；④通过模具定位，沿底盘边缘竖向焊接四根石英棒；⑤火焰抛光及退火；⑥通过模具定位，对石英棒相对的内侧分别横向进行开槽，四个石英棒相对应的槽在同一水平面上； ⑦对沟槽深度及边距进行一次检验；⑧在模具上定位上片石英片，并定位点焊；⑨主体焊接后火焰抛光及退火；⑩最终检验成品。发明采用了立式形状，高度大于920mm，可以承载8〃、12〃硅片，承载数量多。同时，在承载硅片进行掺杂和氧化工艺时，并不需要辅助托盘，可以直接将立式硅片承载器放进掺杂和养化硅片石英容器内。本发明立式硅片承载器在应用时，可保障硅片间隙微小，不松动，提高硅片在氧化和扩散的均勻性和一致性，效果大大优于卧式硅片承载器。
具体实施例方式一种大直径立式硅片承载器的制备方法，
①选用Φ20πιπι石英棒和Φ310πιπι石英片，作为制作卧式硅片承载器的原材料，石英硅含量> 99. 998% ；②对Φ 20mm石英棒进行切割，长度为920mm ；③铣削石英片，Φ310πιπι士0. 1mm，作为底盘；④通过模具定位，沿底盘边缘竖向焊接四根石英棒；⑤火焰抛光及退火；⑥通过模具定位，对石英棒相对的内侧分别横向进行开槽，四个石英棒相对应的槽在同一水平面上；深8mm ；沟槽数175个；⑦对沟槽深度及边距进行一次检验；⑧在模具上定位上片石英片，并定位点焊；⑨主体焊接后火焰抛光及退火；⑩最终检验成品。
权利要求
1. 一种大直径立式硅片承载器的制备方法，其特征在于①选用Φ20πιπι石英棒和Φ310πιπι石英片，作为制作卧式硅片承载器的原材料，石英硅含量 > 99. 998% ；②对Φ20mm石英棒进行切割，长度为920mm ；③铣削石英片，作为底盘；④通过模具定位，沿底盘边缘竖向焊接四根石英棒；⑤火焰抛光及退火；⑥通过模具定位，对石英棒相对的内侧分别横向进行开槽，四个石英棒相对应的槽在同一水平面上；⑦对沟槽深度及边距进行一次检验；⑧在模具上定位上片石英片，并定位点焊；⑨主体焊接后火焰抛光及退火；⑩最终检验成品。
全文摘要
一种大直径立式硅片承载器的制备方法，其特点是选用Ф20mm石英棒和Ф310mm石英片，作为制作卧式硅片承载器的原材料，石英硅含量≥99.998％；通过模具定位，沿底盘边缘竖向焊接四根石英棒；对石英棒相对的内侧分别横向进行开槽，四个石英棒相对应的槽在同一水平面上；在模具上定位上片石英片，并定位焊接后火焰抛光及退火；最终检验成品。采用了立式形状，承载数量多。同时，在承载硅片进行掺杂和氧化工艺时，并不需要辅助托盘，可以直接将立式硅片承载器放进掺杂和养化硅片石英容器内。本发明立式硅片承载器在应用时，可保障硅片间隙微小，不松动，提高硅片在氧化和扩散的均匀性和一致性，效果大大优于卧式硅片承载器。
文档编号H01L21/683GK102222635SQ20101014702
公开日2011年10月19日 申请日期2010年4月14日 优先权日2010年4月14日
发明者王运家 申请人:王运家