专利名称：半导体器件、半导体器件的制造方法以及电子设备的制作方法
技术领域：
这里公开的实施例涉及半导体器件、半导体器件的制造方法以及电子设备
背景技术：
在某些情况下，在利用螺纹件或其他紧固件将衬底安装到壳体等的同时，外应力 可能施加到具有安装到其上的电子组件的衬底(例如，印刷电路板)上。外应力可能传播 到衬底并且在电子组件与衬底之间的焊锡接合部分产生连续的蠕变应力。因此，在安装壳体之后可能发生焊锡接合部分中的破裂和/或衬底上的导体焊盘 的脱落。球栅阵列(BGA)已经被公知为将电子组件安装到衬底上的方法。特别地，因为具 有BGA构造的电子组件通常具有短的端子，所以电子组件不能充分地承受外应力。为了减小焊锡接合部分的破裂和/或焊盘的脱落，通常执行底层填料涂布以将树 脂灌注在电子组件与印刷电路板之间的空隙中。此外，可以执行机械加工以在安装电子组 件之后获得可靠的构造。例如，已经知道安装衬底的构造包括具有预定厚度的加强件，通 过使用粘合剂和/或螺纹件将加强件固定到安装衬底的顶面和/或底面，因此获得与通过 使用底层填料材料获得的效果相同的效果。上述技术例如描述在日本公开专利申请1-105593和2007-227550中。然而，一旦在衬底上执行底层填料涂布，替换电子组件可能比较困难。因此，如果 在电测试之前已经涂布了底层填料的衬底电测试失败的话，衬底通常被放弃或者丢弃，这 可能造成衬底的浪费。此外，在使用加强件的情况下，以另一个电子组件对电子组件进行替换也可能比 较困难，这也引起衬底浪费。
发明内容
根据本发明的实施例，半导体器件具有衬底、电子组件以及树脂构件。衬底具有第 一电极。电子组件设置在衬底上，并且第二电极电连接到第一电极。树脂构件减轻施加到 电子组件的第二电极的外应力。树脂构件设置在衬底上的、与电子组件相分离的区域处。应该理解上述概括描述和以下的详细描述是示例性的和解释性的，并且不是限制 性的。
通过结合附图，本发明的上述和其他特征将会变得明显，其中图IA示出了根据第一实施例的衬底单元；
图IB也示出了根据第一实施例的衬底单元；图2示出了由于外应力施加到外应力施加点而在衬底中产生的外应力；图3示出了设置树脂构件的不同图案；图4示出了设置树脂构件的不同图案；图5示出了设置树脂构件的不同图案；图6示出了根据第二实施例的衬底单元；图7A示出了用于测量的树脂的形状；图7B示出了用于测量的树脂的另一个形状；图7C示出了用于测量的树脂的另一个形状；图8是示出了测量结果的图；图9是示出了测量衬底单元的方法；图10也是出了制造衬底单元的方法；图11示出了根据第二实施例的制造方法而制造的衬底单元中发生的示例性应 力；图12A示出了判断设置树脂构件的位置的方法；图12B示出了判断设置树脂构件的位置的另一个方法；图12C示出了判断设置树脂构件的位置的另一个方法；图13示出了模拟器件的示例硬件构造；图14示出了显示在监视器上的模拟结果。
具体实施例方式下文中，将要参照附图详细描述实施例。图IA和图IB示出了根据第一实施例的衬底单元1。图IA是示出了衬底单元1的平面图，其中衬底单元1包括柔性衬底2、设置在衬 底2上的电子组件3以及树脂构件或结构401、402、403、404、405、406、407和408 (它们可 以简单地被称作树脂构件4)。这里，树脂构件或结构401到408由不同的附图标记指示，以 表明这些树脂构件设置在不同的位置。电子组件3包括引线插入型封装和表面安装型封装等，并且包括设置为预定形式 的多个电极。每个上述电极都根据例如焊锡回流法而电结合到设置在衬底2上的电极(未 示出)。电子组件3例如可以是半导体集成电路，诸如中央处理单元(CPU)、包括随机存取 存储器(RAM)等的存储器、将处理结果的数据传送到CPU和/或从CPU接收处理结果的数 据的外围逻辑电路、将数据传送到外围逻辑电路和/或从外围逻辑电路接收数据的接口电路。此外，表面安装型封装例如可以包括鸥翼引线和/或直引线、J引线封装、具有或 不具有焊锡球的BGA型封装、方形扁平无引线(QFN)封装、小轮廓无引线(SON)封装等。上 述封装包括陶瓷、塑料等。每个树脂构件4在平面图中为矩形形状并且树脂构件4设置在衬底2的表面上， 该表面与设置电子组件3的表面相同。在图IA中，包括树脂构件401到408的八个树脂构
4件设置在上述表面上。例如通过将树脂涂布在衬底2上，而将树脂构件4设置在衬底2上。这里，每个树 脂构件4的尺寸(宽度和高度)由衬底2的尺寸、电子组件3的尺寸以及每个树脂构件与 不同的电子组件(未示出)之间的关系等决定，并且没有具体地限制。然而，每个树脂构件 4的宽度可以从0. 5mm到5. Omm(包括端点)。此外，每个树脂构件4的高度可以从0. 5mm 到3. Omm(包括端点)。树脂构件4有规律地设置在除了电子组件3结合到衬底2的部分之外的部分上的 预定位置处。换言之，树脂构件4远离电子组件3预定距离规律地设置。在图IA和图IB的每一者中，示出了外应力施加点20。树脂构件4设置为使得在 平面图中应力施加点20和电子组件3在树脂构件4在它们中间的状态下相对设置。此外，关于应力施加点20朝向电子组件3(从图1的左侧到右侧)设置树脂构件 4的多个段(诸如三个段)。更具体地，树脂构件401、402和403设置在第一段，树脂构件 404和405设置在第二段并且树脂构件406、407和408设置在第三段。此外，树脂构件4交替或交错地设置，使得树脂构件4的至少一部分彼此重叠，使 得在从图1的左侧观察时没有空隙。更具体地，在从图1的左侧观察时，树脂404设置在树 脂构件401与402之间，树脂405设置在树脂构件402与403之间并且树脂407设置在树 脂构件404与405之间。上述设置允许分散在应力施加点20产生的应力，因此防止电子组件3被直接施加 应力。虽然每个树脂构件4的材料没有具体限制，但是材料可以是热硬化树脂，包括环氧树 脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、酚醛树脂和硅树脂等。在上述树脂构件中，环氧树脂和环氧丙烯酸树脂可以比其余的更优选。在材料包 括环氧树脂时，上述材料的硬度和粘附力(附着力)增加。此外，在材料包括环氧丙烯酸树 脂时，材料快速干燥并且在低温下(例如室温下)硬化或者紫外线硬化。在图1中，树脂构件4设置在与设置电子组件3的表面相同的表面上。然而，不限 制于上述设置，树脂构件4可以设置在与设置电子组件3的表面相反的表面上。上述设置 也允许分散应力。在这种情况下，树脂构件4也设置为使得在平面图中应力施加点20和电 子组件3在树脂构件4位于它们之间的状态下彼此相对。图IB是由支撑构件10保持在悬臂状态的衬底单元1的侧视图。在图IB中，外应 力从页面的上侧朝向下侧施加到应力施加点20。随后，衬底单元1弯曲。因为在上述实施例中规律地设置树脂构件4，所以减小了施加到电子组件3的外 应力。上述应力小于在没有设置树脂构件4的时候施加到电子组件3的应力。图2示出了 由于施加到应力施加点20的应力而产生在衬底单元1中的应力。因为衬底单元1由支撑构件10保持，所以施加到应力施加点20的应力产生沿着 使得所产生的应力从应力施加点20朝向支撑构件10快速传播的方向传播的外应力。图2 示出了所产生的应力沿着虚线传播的方向的示例。在所产生的应力作用到树脂构件402上时，如图2所示，传播的应力的一部分由树 脂构件402吸收，使得传播的应力减弱并且沿着树脂构件402的表面移动。在应力到达树 脂构件402的角部之后，应力的一部分作用到树脂构件404和405上。在应力作用到树脂构件404和405上时，传播的应力的一部分由树脂构件404和405吸收，使得传播的应力减小并且沿着每个树脂构件404和405的表面移动。在之后应力 到达树脂404的角部时，应力的一部分作用到树脂406上。在之后应力到达树脂405的角 部时，应力的一部分作用到树脂408上。在应力作用到树脂构件406和408上时，传播的应力的一部分由树脂构件406和 408吸收，使得传播的应力减小并且沿着每个树脂构件406和408的表面移动。之后，应力 到达每个树脂构件406和408的角部，并且朝向衬底2的边传播。根据上述衬底单元1，树脂构件4设置在应力施加点20与电子组件3之间。因此， 即使应力作用在电子组件3上，应力也变得比从前更小，这使得有可能简单地保护电子组 件3使其不受到应力。此外，树脂构件4设置为远离电子组件3，使得电子组件3可以容易地安装到衬底 2上或从衬底2上拆除。此外，电子组件3与衬底2之间的接合部分间接地由树脂构件4增 强，使得作用到接合部分的应力减小。此外，树脂构件4中的至少两个在其之间设置有预定的间隙，使得应力比设置单 个树脂的情况下更平均地分散。此外，相比于执行底层填料涂布的情况，举例来说，温度循 环测试(温度加速的寿命测试)特性可能根据底层填料特性而劣化。然而，在上述实施例 中实现的设置可以避免特性劣化。此外，由于底层填料的接触，可能发生特定组件和/或外围组件的特性变化。因 此，按照底层填料涂布，可能难以增强特定组件与衬底2之间的接合部分。另一方面，即使 将特定组件安装到衬底2上，在上述实施例中实现的树脂构件4的设置仍允许容易地减小 产生在电子组件3中的应力。此外，如下所述，将使用加强件的情况与上述实施例相比较。在这种情况下，加强 件设置为包括电子组件3的结构，使得组件的数目增加。因此，电路面积增加。然而，在上 述实施例中实现的树脂构件4的设置，允许防止电路面积增加。虽然在图2中未示出，但是树脂构件4的宽度(沿着图2中的水平方向限定的厚 度)可以不相等。例如，树脂构件401到403的宽度可以大于树脂构件404到408的宽度。 即，树脂构件4的宽度可以根据作用到树脂构件4上的应力的大小而变化。在树脂构件401到403的宽度大于树脂构件404到408的宽度时，作用到后者的 树脂构件404到408上的应力可以比图2中示出的更低。在上述实施例中，每个树脂构件4形成为矩形形状。然而，每个树脂构件4的边的 一部分和/或全部可以是曲线的和/或弯曲的，而不限于上述实施例。此外，在将不同的电 子组件设置在电子组件3附近时，树脂构件4还可以设置在不同的电子组件上。之后，将要描述树脂构件4的不同的示例性设置(下文中称作设置图案)。图3、 图4和图5中的每一者示出了不同的树脂设置图案。通常被称作树脂构件4的树脂构件409、410、411、414、415和416设置在图3中示 出的衬底单元Ia上，并且相对于垂直方向(图3中限定的上下方向)向左侧倾斜预定角度。 此外，树脂构件412和413设置并且相对于垂直方向向右侧倾斜预定角度。每个上述树脂构件409、410、411、414、415和416设置在这样的位置决定该位置 以分散在应力施加点20产生的外应力并减小作用在电子组件3上的应力。举例来说，在图 3中，作用在树脂409上的应力由树脂409分散，并且还由树脂构件410、413和411分散。此外，作用在树脂412上的应力由树脂412分散，并且还由树脂构件410、413和411分散。 此外，作用在树脂415上的应力由树脂415分散并且引导到衬底2的边缘。设置树脂构件4的上述图案也减小作用在电子组件3上的应力。在图4中示出的 衬底单元Ib上，设置树脂构件417和418来代替设置在衬底单元1上的树脂构件404和 405。树脂构件417和418设置在树脂构件404和405围绕树脂构件404和405的矩形形 状的各自的中心旋转90°时将会设置树脂构件404和405的位置。之后，将要描述在外应力产生在衬底单元Ib中的情况下执行的处理过程。在外应 力施加到应力施加点20时，外应力产生在衬底2中并且快速地传播经过衬底2。在所产生的应力施加到树脂构件402上时，传播的应力的一部分由树脂构件402 吸收，使得传播的应力减小并且沿着树脂构件402的表面移动。其后，传播的应力到达树脂 构件402的角部并且传播的应力的一部分作用到每个树脂构件417和418上。在应力作用到每个树脂构件417和418上时，传播的应力的一部分由树脂构件417 和418吸收，使得传播的应力被吸收并且沿着树脂构件417和418的表面移动。其后，应力 到达树脂417的角部，并且应力的一部分合成并且作用到树脂406上。此外，在应力到达树 脂418的角部时，应力的一部分合成并且作用到树脂408。在应力作用到树脂构件406和408上时，传播的应力由树脂构件406和408吸收， 使得传播的应力减小并且沿着每个树脂构件406和408的表面移动。之后，应力被引导到 衬底2的边缘。上述设置树脂构件4的图案也减小了作用在电子组件3上的应力。根据图5中示 出的衬底单元lc，结合使用在图2中示出的设置树脂构件4的图案以及在图3中示出的设 置树脂构件4的图案。S卩，在设置在衬底单元1上的树脂构件4中，设置在应力施加点20那一侧的三个 树脂构件409、412和414被设置并且相对于垂直方向倾斜预定角度。此外，设置在电子组 件3那一侧上的三个树脂构件406、407和408沿着垂直方向设置。举例来说，在图5中，作用在树脂409上的外应力由树脂409分散并且还由树脂构 件412和407分散。此外，作用在树脂408上的应力由树脂408分散，并且引导到衬底2的 边缘。设置树脂构件4的上述图案也减小了作用在电子组件3上的应力。在上述实施例 中，仅示例性地描述了从施加到应力施加点20那一侧上的应力产生的应力。然而，外应力 也从支撑构件10那一侧产生。因此，树脂构件4可以设置在支撑构件10与电子组件3之 间。在这种情况下，可以适当地选择上述设置图案以设置树脂构件4。之后，在下文中描述根据第二实施例的衬底单元。下文中，将要主要描述第二实施 例的衬底单元与第一实施例的衬底单元之间的区别，并且与第一实施例相同的细节将会被 省略。图6示出了根据第二实施例的衬底单元。由于产品使用条件，外应力可能产生在 多个位置。因此，在衬底单元Id上，树脂构件4设置为环绕电子组件3。S卩，在衬底单元Id 上，树脂构件4设置在电子组件3的支撑构件10那一侧。此外，每个树脂构件4可以为L形(钩形)并且设置为覆盖电子组件3的角部。因 此，改变了应力分布(参照产生应力的方向)以减轻作用在角部的应力并且减小作用到电子组件3的角部的所产生的应力。此外，每个树脂构件4的厚度和/或高度可以改变，以减小其扭曲量。此外，每个 树脂构件4可以具有不同的形状，而不限于图6中示出的L形。下文中，将会示出在每个树 脂构件4的厚度和/或高度改变时以及每个树脂构件4的形状改变到不同的形状时获得的 示例性地测量的扭曲量。如图6所示，在衬底单元Id由支撑构件10保持的同时将外应力施加到应力施加 点20，使得负载施加到衬底单元Id。之后，测量与衬底2的位移量相对的扭曲量。然而，如 下所述地改变每个树脂构件4的形状。图7A、图7B和图7C中的每个示出了用于测量的树脂构件4的形状。如图7A所 示，每个树脂构件4的宽度和内径由相应的符号W和Ll表示。此外，电子组件3的端面与 每个树脂构件4之间的间距由符号L2表示。将施加到电子组件3附近的扭曲量相互比较，其中扭曲量是与根据以下设置图案 而获得的。此外，具有34. 0X34. OX 1. 5mm尺寸的BGA封装被用作电子组件3。设置图案(a)不使用树脂构件4。设置图案(b)四个L形树脂构件4设置为围绕电子组件3。每个树脂构件4的长 度和宽度由相应的表达式W = 5. Omm和H = 2. 5mm表示。设置图案(c)四个L形树脂构件4设置为围绕电子组件3。每个树脂构件4的长 度和宽度由相应的表达式W = 2. 5mm和H = 2. 5mm表示。设置图案(d)四个L形树脂构件4设置为围绕电子组件3。每个树脂构件4的长 度和宽度由相应的表达式W = 5. Omm和H= 1.5mm表示。根据上述设置图案(1)到(4)，每 个树脂构件4的长度Ll和L2分别确定为15mm和4. 0mm。此外，研究了如图7B所示设置树脂4以覆盖电子组件3的整个边缘的示例。设置图案(e)树脂4的长度和宽度由相应的表达式W = 2. 5mm和H = 1. 5mm表
7J\ ο此外，研究了每个树脂构件4是点状并且多个树脂构件4如图7C所示地设置的示 例。在树脂4设置为点状树脂时，树脂4可以容易成形。设置图案(f)每个树脂构件4的点直径和高度由相应的表达式Φ = 2. 5mm和H =1. 5mm 表不。图8是示出了测量结果的图(图表)。纵轴表示衬底2a的扭曲量(μ ε )并且横轴表示衬底2a的位移量(单位为毫米)。 对应于设置图案(a)的扭曲量画为圆形。对应于设置图案(b)的扭曲量画为正方形。对应 于设置图案(c)的扭曲量画为菱形。对应于设置图案(d)的扭曲量画为三角形。对应于设 置图案(e)的扭曲量画为十字。对应于设置图案(f)的扭曲量画为星号。在与对应于设置图案(a)的扭曲量相比较时，获得了通过设置图案(2)到(6)而 取得的成效的评价。例如，对应于各个设置图案的扭曲量彼此比较，其中每个扭曲量是在衬 底位移量为5mm的位置处获得的。设置图案(b)的位移量相对于设置图案(a)减小70%左右。设置图案(c)的位移 量相对于设置图案(a)减小60%左右。设置图案(d)的位移量相对于设置图案(a)减小 40%左右。设置图案(e)的位移量相对于设置图案(a)减小20%左右。设置图案(f)的位移量相对于设置图案(a)减小20%左右。此外，即使树脂构件4形状相同，但是每个树脂构件4的宽度和高度可能在树脂涂 布时变化，使得所获得的效果变化。更具体地，确认了扭曲量随着宽度W和高度H的增加而 减小。此外，将设置图案(2)和(3)之间的关系与设置图案(2)和⑷之间的关系相比 较。因此，可以确认在高度变为双倍(增加)时获得的扭曲量比在宽度W变为两倍(增加) 时获得的扭曲量更小。更具体地，可以确认使得高度H变为两倍具有将应力减小约30%的 效果。此外，可以确认使得宽度W变为双倍具有将应力减小约10%的效果。此外，设置树脂构件4的图案可以不限于设置图案⑵到(6)，但是可以结合使用 设置图案⑵到(6)中的至少两个。例如，可以结合使用设置图案(5)和(6)。此外，可以结合使用第二实施例的设置图案和第一实施例的设置图案。例如，可以 沿着从电子组件3朝向衬底2的边缘限定的方向设置根据设置图案(b)设置的树脂构件4 的多个段。之后，将要参照图9和图10描述制造衬底单元的方法。[步骤Si]首先，制备衬底2a，衬底2a具有孔以容纳螺纹件。之后，将电子组件 3a、3b、3c、3d和3e焊接并安装到制备的衬底2上。[步骤S2]因为衬底2a被螺纹固定到壳体9，所以每个螺纹位置变为应力源并且 外应力产生在衬底2中。因此，通过粘合剂等将扭曲标尺7临时地粘附到预料到应力集中的区域处(例如， 每个电子组件3a到3e的角部)。之后，通过使用胶带8将每个扭曲标尺7的导线固定到衬 底2a。之后，将螺纹件插入螺纹孔中并且将衬底2a螺纹固定到壳体9。图9示出了通过使 用螺纹件6a到6f将衬底2a螺纹固定到壳体9的状态。衬底2a被螺纹固定到壳体9，使得外应力产生在衬底2a中。在这个状态下，通过 扭曲标尺7实际测量产生在每个电子组件3a到3e的角部等中的外应力。[步骤S3]之后，如图10所示，基于由于螺纹件而产生的应力的实际测量结果来 检测设置树脂构件4的地点。此外，为每个设置地点决定每个树脂构件4的适当形状(位 置、宽度、高度等)。将要在下文中描述决定上述形状的示例性方法。此外，图10示出了螺 纹孑L 5a、5b、5c、5d、5e 禾口 5f。在图10中，决定将树脂419设置为使得应力不集中在电子组件3a的左上角。决 定将树脂420设置为使得应力不集中在电子组件3a的右上角。决定将树脂422设置为使 得应力不集中在电子组件3b的左上角。决定将形成段的树脂构件423、424和425设置为 使得应力不集中在电子组件3b的右上角。决定将树脂426设置为使得应力不集中在电子 组件3c的左下角。决定将树脂421设置为使得应力不集中在电子组件3d的右上角。决定 将树脂427设置为使得应力不集中在电子组件3d的右下角。决定将树脂428设置为使得 应力不集中在电子组件3e的左下角。[步骤S4]之后，将树脂涂布到所决定的地点上。之后，根据适当的方法(诸如自 然干燥法、紫外辐射法、加热法等)使得所涂布的树脂硬化。因此，衬底单元完成了。因此完成了制造衬底单元的制造方法的描述。也可以根据上述方法制造每个上述 衬底单元1和Ia到Id。
图11示出了根据第二实施例的制造方法制造的衬底单元中产生应力的示例。树 脂构件419到428的设置允许减小集中在应当被保护而不受到应力集中的地点(图11中 示出的虚圆)。之后，将要描述在步骤S3中执行的决定设置树脂构件4的位置的方法。图12A、图 12B和图12C示出了决定设置树脂构件4的位置的方法。下文中，为了简化，将要关于设置 在衬底2b上的电子组件3描述上述方法。[步骤Sll]关于电子组件3的每个地点(图12A到图12C中示出的虚圆)决定每 个树脂构件4的设置位置和形状，其中这些地点最靠近螺纹固定位置并且应当被保护而不 受到应力集中。在图12A中，最靠近螺纹件6g的螺纹固定位置的地点是电子组件3的左上角。因 此，可以决定将L形树脂429设置在左上角附近。最靠近螺纹件6h的螺纹固定位置的地点 是电子组件3的右上角。因此，决定将矩形树脂430设置在右上角附近。最靠近螺纹件6i 的螺纹固定位置的地点是电子组件3的右下角和左下角。因此，决定将U形树脂431设置 在右下角和左下角附近。[步骤S12]预测由于设置树脂构件429、430和431而引起的应力分散(离开)的方向。在预测的应力分散方向被限定为朝向应当被保护而不受到应力集中的地点时，决 定第二树脂4的设置位置和形状，来因此设置第二树脂4。由于设置了树脂4，所以应力可 能例如由于电子组件3和/或不同的电子组件切断应力分散方向而不适当地分散。因此， 考虑将树脂4涂布到衬底的效率，来调整树脂4的设置位置和形状。更具体地，进行以下预测树脂429的设置使得由于螺纹件6a螺纹固定到衬底2b 而产生的外应力作用到电子组件3的右上角。此外，进行以下预测树脂430的设置使得由 于螺纹件6h螺纹固定到衬底2b而产生的外应力作用到电子组件3的左上角。因此，如图 12B所示，决定设置树脂432以切断上述应力分散的方向。在这里，考虑到涂布效率，优选地将树脂构件429和432彼此结合。因此，决定如 图12C所示地实际设置树脂433。另一方面，进行以下预测由于树脂430的设置而将由于将螺纹件6i螺纹固定到 衬底2b而产生的外应力适当地分散，并且减小作用在电子组件3上的应力。因此，决定基 于该决定来设置树脂430。[步骤S13]在作用在应当被保护而不受到应力的地点上的外应力较大时，决定增 加每个树脂构件430、431和433的宽度W和/或高度H。因此完成了对于决定设置位置的方法的描述。此外，在步骤Sll到S13中示出的 决定方法不限于仅用在步骤S3处示出的过程，而是也可以用于在步骤S4处设置树脂4之 后执行的视觉检查螺纹固定状态、第二应力测量等显示出树脂4的形状应当被调整并且应 当增加新形状的树脂4的情况。因此，上述实施例的衬底单元制造方法允许减小集中在应当被保护而不受到应力 的地点上的应力。在与衬底单元包括通过使用螺纹件而结合到其上的加强件的情况相比较 时，应当在受到设置在衬底中的布线的限制的同时对于衬底执行孔加工。此外，可能将会产 生不同的应力。然而，根据上述实施例的制造方法，由于树脂构件4的使用布线限制比执行
10孔加工的情况变得更不严重。此外，产生不同应力的可能性较低。此外，在使用粘合剂将加强件接合到衬底单元时，应当执行与底层填料涂布操作 几乎相等的操作，使得制造工时增加。上述制造方法允许使得工时的增加减小。根据上述衬底单元制造方法，通过经由使用扭曲标尺7实际测量应力来决定每个 树脂构件4的设置位置。然而，不限于上述方法，可以通过模拟装置来预测产生在每个电子 组件3与衬底2a相接触的区域(焊接区域)处的外应力，因此根据预测结果来决定设置树 脂构件4的位置。图13示出了模拟装置100的示例性硬件构造。CPU 101可以控制整个模拟装置 100。RAM 102、硬盘驱动器(HDD) 103、图像处理装置104、输入接口 105、外部辅助存储装置 106和通信接口 107可以经由总线108连接到CPU 101。由CPU 101执行的操作系统(OS)的程序的至少一部分以及应用程序(例如包括 提供外应力模拟的应用程序)临时地存储在RAM 102中。此外，适合于通过CPU 101执行 的处理的各种类型的数据存储在RAM102中。OS和/或应用程序存储在HDD 103中。此外，程序文件数据存储在HDD 103中。 监视器104a连接到图像处理装置104，其中图像处理装置104构造为基于从CPU 101发出 的指令将图像数据显示在监视器104a的显示屏上。键盘105a和鼠标105b连接到输入接 口 105，其中输入接口 105构造为将从键盘105a和/或鼠标105b发出的信号经由总线108 发送到CPUlOl。外部辅助存储装置106读取写在记录介质上的信息和/或将信息写在记录介质 上。适合于外部辅助存储装置106的可读和可写的记录介质例如包括磁性记录装置、光盘、 磁光学记录介质、半导体存储器等。磁性记录装置例如可以是HDD、软盘(FD)、磁带等。光 盘例如可以是数字通用盘(DVD)、DVD随机存取存储器(RAM)、⑶-R0M(紧凑型盘只读存储 器)、⑶-可记录(R)/可擦写(RW)等。磁光学记录介质例如可以是磁光盘(M0)。通信接口 107连接到网络30。通信接口 107将数据经由网络30发送到不同的计 算机和/或从不同的计算机接收数据。上述硬件构造允许实现上述实施例的处理功能。之后，将要描述通过使用模拟装 置100来制造衬底单元的方法。[步骤Sla]首先，设计者操作模拟装置100并且开始提供外应力模拟的应用程序。 之后，在衬底的数据中设置电子组件并且形成螺纹孔，衬底的数据显示在监视器104a上。[步骤S2]使得应用程序进行模拟并且将产生在衬底中的外应力的显示数据显示 在监视器104a上。图14示出了显示在监视器104a上的数据的模拟结果。这里，衬底2c对应于衬底 2a。电子组件3f、3g、3h、3i和3j对应于相应的电子组件3a到3e。螺纹件6j、6k、6m、6n和 6q对应于相应的螺纹件6a到6e。图14也将每个所产生的应力示出为虚线。每个应力的强度例如表示为等级。因 此，使用者可以容易理解应力集中在电子组件3的哪个地点上。下文中，电子组件3a到3e可以与上述步骤Sl的情况相同地设置在实际衬底2a 上，并且执行与上述步骤S3到S5相同的处理过程。此时，根据模拟结果决定树脂4的适当 的形状(位置、宽度、高度等)。
此外，可以通过使用应用程序的树脂设置功能将树脂设置在衬底2c上(衬底2c 的数据显示在监视器104a上)，并且可以再次执行模拟。因此，变得可以容易地把握在设置 树脂的状态下作用在每个电子组件3f到3j上的外应力。因此，已经基于图示的实施例描述了本发明的半导体器件、制造半导体器件的方 法以及电子设备。然而，每个组件的构造可以由任意地构造为具有与上述组件相同功能的 组件来代替，而不限于实施例。此外，本发明可以包括附加的不同任意结构和/或过程。此外，本发明可以结合包括在上述实施例中的至少两个任意结构或特性。虽然没 有特别限制所公开的衬底单元的使用，但是衬底单元可以设置为例如安装在包括在应当尺 寸紧凑的电子设备中的壳体上的衬底单元，和/或具备扁平电缆的衬底单元。此外，根据实施例的半导体器件制造方法可以用于集成电路。附带地，可以通过 计算机来实现上述模拟功能。在这种情况下，提供描述通过模拟装置100的功能来执行的 处理细节的程序。由计算机执行程序，使得通过计算机来实现上述处理功能。描述处理细 节的程序可以存储在计算机可读记录介质中，计算机可读记录介质例如可以是磁性记录装 置、光盘、磁光学记录介质、半导体存储器等。磁性记录装置例如可以是HDD、软盘(FD)、磁 带等。光盘例如可以是数字通用盘(DVD)、DVD随机存取存储器(RAM)、⑶-ROM (紧凑型盘只 读存储器)、CD-可记录(R)/可擦写(RW)等。磁光学记录介质例如可以是磁光盘(M0)。为了使得程序流通，出售存储有程序的便携式记录介质，其中便携式记录介质可 以是DVD、⑶-ROM等。此外，程序可以存储在服务器计算机的存储器中，使得可以经由网络 将程序从服务器计算机传送到不同的计算机。执行模拟程序的计算机将记录在便携式记录介质上的程序和/或从服务器计算 机传送的程序存储在计算机的存储器中。之后，计算机从其存储器读取程序并且根据程序 来执行处理。此外，计算机可以直接从便携式记录介质读取程序并且基于该程序来执行处 理。此外，每次从服务器计算机传送程序时，计算机可以根据所传送的程序来逐次执行处理。这里陈述的所有示例和条件性的语言是为了教育目的，以帮助堵着理解本发明以 及由本发明贡献以促进现有技术的概念，并且将会被理解为不限制到这些特别陈述的实力 和条件，并且在说明书中的这些示例的组织也不涉及示出本发明的优势和劣势。虽然已经 详细描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以理解，可以在不超出本发明如权利 要求所述的精神和范围的情况下作出各种改变、替换和变化。
权利要求
一种半导体器件，包括包括第一电极的衬底；设置在所述衬底上的电子组件，所述电子组件包括电连接到所述第一电极的第二电极；以及减轻施加到所述电子组件的所述第二电极的外应力的树脂构件，所述树脂构件在与所述电子组件相分离的区域处设置在所述衬底上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述树脂构件包括交替地设置在所述衬 底上的多个树脂构件。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述多个树脂构件相对于所述电子组件 交替地设置，从而将所述外应力分散。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述树脂构件设置为围绕所述电子组件 的角部。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述树脂构件包括多个点状部分。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述树脂构件围绕所述电子组件的外围设置。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述树脂构件设置在所述衬底的表面上， 所述衬底与设置所述电子组件的表面相反。
8.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括提供所述半导体装置，所述半导体装置包括衬底和设置在所述衬底上的电子组件； 在与所述电子组件相分离的区域处将树脂构件设置在所述衬底上，以减轻施加到所述 电子组件的第二电极的外应力，所述第二电极电连接到所述衬底的第一电极。
9.根据权利要求8所述的制造方法，还包括 使得涂布在所述衬底上的树脂构件硬化。
10.一种电子设备，包括 壳体；以及安装在所述壳体中的半导体器件，其中所述半导体器件包括衬底和设置在所述衬底上 的电子组件，所述衬底包括第一电极并且所述电子组件包括电连接到所述第一电极的第二 电极；以及减轻施加到所述电子组件的所述第二电极的外应力的树脂构件，所述树脂构件 在与所述电子组件相分离的区域处设置在所述衬底上。
全文摘要
本发明提供了半导体器件、半导体器件的制造方法以及电子设备。半导体器件具有衬底、电子组件以及树脂构件。衬底具有第一电极。电子组件设置在衬底上，并且第二电极电连接到第一电极。树脂构件减轻施加到电子组件的第二电极的外应力。树脂构件设置在衬底上的、与电子组件相分离的区域处。
文档编号H01L23/16GK101944513SQ20101022434
公开日2011年1月12日 申请日期2010年7月7日 优先权日2009年7月7日
发明者山本敬一, 福田孝 申请人:富士通株式会社