专利名称：芯片薄膜的生成方法及生成芯片薄膜的载体的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体工艺领域，特别涉及一种芯片薄膜的生成方法及生成芯片薄膜的载体。
背景技术：
在半导体领域，根据不同的需要，生成芯片Si3N4薄膜的方式通常有两种，一种是常压高温(700 900摄氏度)直接由NH3和Si3H4反应合成；另一种是通过等离子体的增强作用，在低压(1. 2 2. 0毫米汞柱)和低温(300 400摄氏度)由NH3和Si3H4反应合成，即等离子增强型化学气相沉积法(PECVD)。在等离子增强型化学气相沉积法中，采用的射频负载的形式多种多样，射频的频率也从50KHZ 13. 56MHZ不等，甚至采用多个不同频率组合，这样可获得不同的薄膜性质。 然而，采用等离子增强型化学气相沉积法生成芯片薄膜，由于边缘电场的畸变，使得生成的芯片薄膜边缘的厚度明显小于中心厚度，导致芯片薄膜边缘出现色圈，如图1所示，1为芯片薄膜，2为芯片薄膜边缘色圈。
发明内容基于此，有必要提供一种芯片薄膜的生成方法，消除生成芯片薄膜的边缘色圈。一种芯片薄膜的生成方法，包括以下步骤将芯片放置在半导体材料制成的衬片的承载面上，所述芯片与衬片相接触的面为接触面，且所述衬片的承载面的面积大于所述芯片的接触面的面积；采用等离子增强型化学气相沉积法对所述芯片进行处理生成芯片薄膜。优选地，所述衬片厚度为300 500微米。优选地，所述衬片的电阻率小于1欧姆厘米。优选地，所述芯片放置在所述衬片上后，所述芯片的接触面的边缘与衬片的承载面的边缘之间的距离为5 10毫米。优选地，在所述采用等离子增强型化学气相沉积法对所述芯片进行处理生成芯片薄膜步骤前，还包括将所述衬片放置在射频负载上的步骤。优选地，所述射频负载为石墨材料制成。优选地，所述衬片的电阻率为1 100欧姆厘米。此外，还有必要提供一种生成芯片薄膜的载体，消除生成芯片薄膜的边缘色圈。一种生成芯片薄膜的载体，所述载体包括半导体材料制成的衬片。优选地，所述载体还包括石墨材料制成的射频负载，所述衬片放置在所述射频负载上。优选地，所述衬片厚度为300 500微米，所述衬片的电阻率为1 100欧姆厘米。上述芯片薄膜的生成方法及生成芯片薄膜的载体，采用将芯片放置在半导体材料制成的衬片上，且衬片的承载面的面积大于芯片的接触面的面积，使得采用等离子增强型化学气相沉积法处理芯片生成芯片薄膜时，芯片边缘不会出现明显的电场畸变，从而保证了芯片薄膜的厚度一致，不会出现色圈，影响芯片表面应力和可靠性。
图1为现有生成的芯片薄膜的表面状态示意图；图2为一个实施例中芯片薄膜的生成方法流程图；图3为采用图2生成的芯片薄膜的表面状态示意图。
具体实施方式下面结合具体的实施例及附图对技术方案进行详细描述。如图2所示，一种芯片薄膜的生成方法，包括以下步骤步骤S10，将芯片放置在半导体材料制成的衬片的承载面上，该芯片与衬片相接触的面为接触面，且该衬片的承载面的面积大于该芯片的接触面的面积。步骤SlO中，芯片采用半导体硅材料制成。衬片也采用半导体硅材料。该芯片与衬片相接触的面为接触面，衬片与芯片相接触的面为承载面，且衬片的承载面的面积大于芯片的接触面的面积。衬片的厚度为300 500微米。芯片的接触面的边缘与衬片的承载面的边缘之间的距离为5 10毫米，保证衬片有足够的空间使芯片处于没有发生畸变的电场中。衬片也可采用与芯片材料的电特性相似的其他半导体材料制成，如芯片采用半导体硅材料，衬片可采用半导体锗材料。该衬片可以专门定做，也可用大于芯片的报废芯片加工而成，例如四英寸芯片就使用五英寸的报废芯片加工的衬片进行生产，这样可以进一步降低生产成本。步骤S20，采用等离子增强型化学气相沉积法对该芯片进行处理生成得到芯片薄膜。步骤S20中，采用等离子增强型化学气相沉积法(PECVD)对该芯片进行处理，因该芯片放置在衬片上，且芯片和衬片采用相同或相近的半导体材料，则芯片和衬片在等离子体中的特性相同或相近，芯片边缘就不会出现明显的电场畸变，而发生电场畸变的地方被外推到衬片的边缘，从而保证生成的芯片薄膜一致，没有色圈，薄膜边缘的厚度和中部的厚度一致，芯片表面的应力一致，提高了芯片的可靠性。另外，芯片放置在衬片上后，直接进行等离子增强型化学气相沉积法处理时，该衬片采用电阻率小于1欧姆厘米的半导体材料制成。此处，直接将衬片作为射频负载，将芯片放置在衬片上，采用等离子增强型化学气象沉积法进行处理。在本实施例中，芯片薄膜是Si3N4薄膜。优选的实施例中，在步骤SlO之后，芯片薄膜的生成方法还包括将衬片放置在射频负载上。其中，该射频负载采用石墨材料制成。石墨材料为射频负载时，衬片可采用电阻率为1 100欧姆厘米之间的半导体硅材料制成。如此，采用石墨材料作为射频负载时，相对于直接使用半导体硅材料制成的衬片作为射频负载的方案，成本更低。如图3所示为将芯片放置在衬片上后，采用等离子增强型化学气相沉积法生成芯片薄膜的表面状态示意图，图中，芯片10放置在衬片20上，色圈22位于衬片20的边缘。上述芯片薄膜的生成方法，采用将芯片放置在半导体材料制成的衬片上，且衬片的承载面的面积大于芯片的接触面的面积，使得采用等离子增强型化学气相沉积法处理芯片生成芯片薄膜时，芯片边缘不会出现明显的电场畸变，从而保证了芯片薄膜的厚度一致， 不会出现色圈，影响芯片表面应力和可靠性。在一个实施例中，一种生成芯片薄膜的载体，该载体包括半导体材料制成的衬片。 芯片一般为半导体硅材料，衬片也采用半导体硅材料，如此衬片与芯片在同一电场中的特性相同。在生成芯片薄膜时，将芯片放置在该衬片上，该芯片与衬片相接触的面为接触面， 衬片与芯片相接触的面为承载面，且衬片的承载面的面积大于芯片的接触面的面积。衬片的厚度为300 500微米。芯片的接触面的边缘与衬片的承载面的边缘在任意方向上两者之间的距离为5 10毫米，保证衬片有足够的空间使芯片处于没有发生畸变的电场中。另夕卜，衬片也可采用与芯片材料的电特性相似的其他半导体材料制成，如芯片采用半导体硅材料，衬片可采用半导体锗材料。芯片放置在衬片后，直接采用化学气相沉积法处理时，该衬片采用电阻率小于1 欧姆厘米的半导体材料制成。该实施例中，直接将衬片作为射频负载使用。优选的实施例中，该载体还包括石墨材料制成的射频负载，且衬片放置在该射频负载上。衬片可采用电阻率为1 100欧姆厘米之间的半导体硅材料制成。该载体应用于承载芯片进行加工时，因该芯片放置在衬片上，且芯片和衬片采用相同或相近的半导体材料，则芯片和衬片在等离子体中的特性相同或相近，芯片边缘就不会出现明显的电场畸变，而发生电场畸变的地方被外推到衬片的边缘，从而保证生成的芯片薄膜一致，没有色圈，薄膜边缘的厚度和中部的厚度一致，芯片表面的应力一致，提高了芯片的可靠性。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
1.一种芯片薄膜的生成方法，包括以下步骤将芯片放置在半导体材料制成的衬片的承载面上，所述芯片与衬片相接触的面为接触面，且所述衬片的承载面的面积大于所述芯片的接触面的面积；采用等离子增强型化学气相沉积法对所述芯片进行处理生成芯片薄膜。
2.根据权利要求1所述的芯片薄膜的生成方法，其特征在于，所述衬片厚度为300 500微米。
3.根据权利要求1所述的芯片薄膜的生成方法，其特征在于，所述衬片的电阻率小于1 欧姆厘米。
4.根据权利要求1所述的芯片薄膜的生成方法，其特征在于，所述芯片放置在所述衬片上后，所述芯片的接触面的边缘与衬片的承载面的边缘之间的距离为5 10毫米。
5.根据权利要求1所述的芯片薄膜的生成方法，其特征在于，在所述采用等离子增强型化学气相沉积法对所述芯片进行处理生成芯片薄膜步骤前，还包括将所述衬片放置在射频负载上的步骤。
6.根据权利要求5所述的芯片薄膜的生成方法，其特征在于，所述射频负载为石墨材料制成。
7.根据权利要求6所述的芯片薄膜的生成方法，其特征在于，所述衬片的电阻率为1 100欧姆厘米。
8.—种生成芯片薄膜的载体，其特征在于，所述载体包括半导体材料制成的衬片。
9.根据权利要求8所述的生成芯片薄膜的载体，其特征在于，所述载体还包括石墨材料制成的射频负载，所述衬片放置在所述射频负载上。
10.根据权利要求8所述的生成芯片薄膜的载体，其特征在于，所述衬片厚度为300 500微米，所述衬片的电阻率为1 100欧姆厘米。
全文摘要
本发明涉及一种芯片薄膜的生成方法，包括以下步骤将芯片放置在半导体材料制成的衬片的承载面上，所述芯片与衬片相接触的面为接触面，且所述衬片的承载面的面积大于所述芯片的接触面的面积；采用等离子增强型化学气相沉积法对所述芯片进行处理生成芯片薄膜。此外，还提供一种生成芯片薄膜的载体。上述芯片薄膜的生成方法，采用将芯片放置在半导体材料制成的衬片上，且衬片的承载面的面积大于芯片的接触面的面积，使得采用等离子增强型化学气相沉积法处理芯片生成芯片薄膜时，芯片边缘不会出现明显的电场畸变，从而保证了芯片薄膜的厚度一致，不会出现色圈，影响芯片表面应力和可靠性。
文档编号H01L21/683GK102479678SQ20101056525
公开日2012年5月30日 申请日期2010年11月30日 优先权日2010年11月30日
发明者李国延 申请人:深圳深爱半导体有限公司