高压大功率运算放大器的制作方法

文档序号:6965133阅读:678来源:国知局
专利名称:高压大功率运算放大器的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种半导体混合集成电路器件,尤其涉及一种高压大功率运算放 大器。
背景技术
由于运算放大器多为工作电压较低,输出功率较小。因而,无法直接应用于某些工 作电压较高,负载较重的环境。目前,大多数是通过普通运算放大器、扩流电路组合使用来 实现电路功能,且需要外加晶体管散热片,占用空间大,组装繁琐。尤其在一些恶劣环境下, 例如超高温、超低温、高湿度、强振动等,普通元件无法工作。

实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种将运算放大器、构成扩流电路的大功率 晶体管和电阻全部集成在一起,占用空间小,方便使用,并且能保证良好的散热效果,可适 用于-40°C +85°C的工作环境的高压大功率运算放大器。本实用新型涉及的高压大功率运算放大器,包括管壳,其特征是在管壳上通过粘 结膜粘接有陶瓷基片,在陶瓷基片上印制有金导带和厚膜电阻,在陶瓷基片上通过焊膏焊 接有运算放大器表贴元件,在陶瓷基片上还粘接有大功率晶体管,所述的大功率晶体管和 厚膜电阻构成扩流电路,位于陶瓷基片上各元件之间通过互连引线连接。上述的高压大功率运算放大器,所述的互连引线为金丝。本实用新型将运算放大器表贴元件、大功率晶体管和电阻全部集成在陶瓷基片 上,占用空间小,方便使用,并且能保证良好的散热效果,可适用于-40°C +85°C的工作环
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图1是本实用新型的结构示意图;图2是图1 (去掉管帽)的俯视图。图中管壳1,陶瓷基片2,金导带201,厚膜电阻202,运算放大器表贴元件3,焊膏 4,大功率晶体管5,导电环氧胶6,互连引线7,粘结膜8。
具体实施方式
如图所示,本实用新型有一个由管帽和管座构成的管壳1,在管壳1上通过粘结膜 8粘接有厚度在0. 4 0. 8mm之间的陶瓷基片2,在陶瓷基片2表面采用丝网印刷技术印制 金导带201和厚膜电阻202 ;陶瓷基片2采用二氧化硅、氮化铝、氧化铝、氧化铍中的一种作 为基片材料。在陶瓷基片2上通过焊膏4焊接有运算放大器表贴元件3,在陶瓷基片2上采 用导电环氧胶6粘接有大功率晶体管5,位于陶瓷基片2上各元件(运算放大器表贴元件3、 大功率晶体管5和厚膜电阻202)之间通过互连引线7连接,所述的互连引线7采用金丝。
权利要求一种高压大功率运算放大器,包括管壳,其特征是在管壳上通过粘结膜粘接有陶瓷基片,在陶瓷基片上印制有金导带和厚膜电阻,在陶瓷基片上通过焊膏焊接有运算放大器表贴元件,在陶瓷基片上还粘接有大功率晶体管,所述的大功率晶体管和厚膜电阻构成扩流电路,位于陶瓷基片上各元件之间通过互连引线连接。
2.根据权利要求1所述的高压大功率运算放大器,其特征是所述的互连引线为金丝。
专利摘要一种高压大功率运算放大器,包括管壳,其特征是在管壳上通过粘结膜粘接有陶瓷基片,在陶瓷基片上印制有金导带和厚膜电阻,在陶瓷基片上通过焊膏焊接有运算放大器表贴元件,在陶瓷基片上还粘接有大功率晶体管,所述的大功率晶体管和厚膜电阻构成扩流电路,位于陶瓷基片上各元件之间通过互连引线连接。优点是占用空间小,方便使用,并且能保证良好的散热效果,可适用于-40℃~+85℃的工作环境。
文档编号H01L23/12GK201576682SQ201020150039
公开日2010年9月8日 申请日期2010年4月1日 优先权日2010年4月1日
发明者任志伟, 薛晓东, 邱晓华 申请人:锦州七七七微电子有限责任公司
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