专利名称：改良半导体可控硅的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体可控硅，具体涉及一种起控制或开关电源用的改良半 导体可控硅。
背景技术：
目前，可控硅广泛应用于开关电源用或调压用设备上，如广泛应用在调速、调压， 调光电源上，但是现有技术中的可控硅中只含有1个芯片，只有一个芯片的可控硅功能有 限，若要提高可控硅的性能，一般只有增加芯片面积，但由于芯片面积与芯片合格率成反比 关系，芯片面积增加的同时会直接导致成本的提高。因此，目前现有技术中的可控硅不能满 足高要求的标准。
发明内容本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种结构设计合理、性能好、 生产成本低的改良半导体可控硅。为了实现以上目的，本发明采用的技术方案为一种改良半导体可控硅，其包括铜 电极片底座、铜引脚、可控硅芯片和塑封管帽，所述两个铜引脚设置在铜电极片底座上，若 干个可控硅芯片焊接在铜电极片底座上，各可控硅芯片之间焊接在一起，其中每个可控硅 芯片的门极和阴极分别通过金属丝用超声波焊接到二个铜引脚上；塑封管帽粘设在铜电极 片底座上并将所有可控硅芯片封装在铜电极片底座上形成一个完整的可控硅。铜电极片底座上的可控硅芯片的个数为2至4个，作为进一步优选方案，其中焊接 在铜电极片底座上的可控硅芯片的个数为2个，2个可控硅芯片的门极和阴极分别用金属 丝通过超声波焊接并联到铜电极片底座上的两个引脚上，2个可控硅芯片之间通过焊丝或 焊片焊连接。本实用新型所述的改良半导体可控硅，其中底座为铜电极片，所述的铜电极片底 座可以采用不同形状，也可以采用的较大面积或厚度的铜电极片。本实用新型所述的改良半导体可控硅，其中管帽将整个可控硅芯片封装在铜电极 片底座上，形成一个完整的塑料封装的可控硅。本实用新型所述的改良半导体可控硅和现有技术中的半导体可控硅相比具有以 下优点1、本实用新型所述的改良半导体可控硅，结构设计合理、性能高，生产成本低、应 用范围广泛。2、本实用新型所述的改良半导体可控硅，产品的形状结构精致，便于包装、运输和 安装，可控硅性价比高，单位产品所需的可控硅少。
图1为本实用新型的结构示意图。[0012]图2为图1沿A-A方向的剖视图。 具体实施例
以下结合附图和具体实施例，进一步阐明本实用新型，应理解这些实施例仅用于 说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围，在阅读了本实用新型之后，本领域技术 人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。如图1和图2所示，一种改良半导体可控硅，它包括铜电极片底座1、设置在铜电 极片底座1上的两个铜引脚2、焊接在铜电极片底座1上的两个可控硅芯片3、粘设在铜电 极片底座1上的塑封料4。其中两个可控硅芯片3之间用焊膏或焊丝焊连接，其中两个可 控硅芯片3的门极和阴极分别通过金属丝5用超声波焊接到二个铜引脚2上，其中塑封料 4将整个可控硅芯片3封装在铜电极片底座1上，形成一个完整的可控硅。此外，可控硅芯 片3的个数可以为3个或者4个，其结构与上述实施例类似。
权利要求一种改良半导体可控硅，其特征在于它包括铜电极片底座(1)、铜引脚(2)、可控硅芯片(3)和塑封管帽(4)，所述两个铜引脚(2)设置在铜电极片底座(1)上，若干个可控硅芯片(3)焊接在铜电极片底座(1)上，各可控硅芯片(3)之间焊接在一起，其中每个可控硅芯片(3)的门极和阴极分别通过金属丝(5)用超声波焊接到二个铜引脚(2)上；塑封管帽(4)粘设在铜电极片底座(1)上并将所有可控硅芯片(3)封装在铜电极片底座(1)上形成一个完整的可控硅。
2.根据权利要求1所述的改良半导体可控硅，其特征在于，铜电极片底座(1)上的可控 硅芯片⑶的个数为2至4个。
3.根据权利要求2所述的改良半导体可控硅，其特征在于，焊接在底座(1)上的可控硅 芯片⑶的个数为2个。
专利摘要本实用新型公开了一种改良半导体可控硅，它包括铜电极片底座、设置在铜电极片底座上的两个铜引脚、焊接在铜电极片底座上的两个可控硅芯片、粘设在铜电极片底座上的塑封管帽。其中可控硅芯片之间用焊膏焊连接，可控硅芯片的门极和阴极分别通过金属丝用超声波焊接到二个铜引脚上，塑封管帽将整个可控硅芯片封装在铜电极片底座上，形成一个完整的可控硅。本实用新型提供的改良半导体可控硅结构设计合理、性能高，生产成本低、应用范围广泛，可满足高要求的标准，且形状结构精致，便于包装、运输和安装。
文档编号H01L23/488GK201773838SQ20102025235
公开日2011年3月23日 申请日期2010年7月7日 优先权日2010年7月7日
发明者伍林, 左亚兵, 潘建英 申请人:宜兴市环洲微电子有限公司