专利名称：低温冲击型浪涌抑制负温度热敏电阻的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种热敏电阻，尤其是一种可以在低温(零度以下)下使用的一 种负温度系数热敏电阻。
背景技术：
浪涌抑制负温度热敏电阻主要起到电路开关瞬间抑制电路中突波电流且保护其 它组件不受电流冲击而损害的作用。瞬间抑制突波电流后产品将直接连接在电路中长时间 通电，但是随着此种类型的产品畅销度的增加，使用的地区差异也越来越大。其中地区差异 所带来的温差与使用环境严重影响着此种浪涌抑制热敏电阻的使用寿命及实际标注的性 能等级！目前，常规的浪涌抑制负温度热敏电阻使用温度一般在25 65°C，此温度亦是较 为合理的产品使用温区(因室温一般在20 25度左右，产品通电后会产生自热现象，产品 亦会将此热量散发之使用环境中，故产品使用温区一般都在25 60之间)。但较大跨度 的地区差异与特殊的机器设备导致客户在实际使用本产品时环境温度往往超出标准使用 环境。其中较大部份的客户使用条件出现在零度以下，因负温度系数热敏电阻随着温度的 降低其阻值会有上升趋势。当产品运用于零度以下时，此时产品实际的阻值将是常温下的 3 5倍之多，通电后加载于产品的能量也瞬时提高2 3倍，突增的能量使产品瞬间或者 再很短时间内造成能量击穿失效。此种不良不但使整机产品无法适用较为低温的环境且容 易在开机瞬间被击穿导致重要组件承受浪涌电流而击穿！因此大大缩减了本类产品的广 泛应用！
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够提高现有的浪涌抑制负温度热敏 电阻在低温下的使用等级，保证其它组件能不受突波电流冲击损害的低温冲击型浪涌抑制 负温度热敏电阻。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种低温冲击型浪涌抑制负 温度热敏电阻，包括由陶瓷体制成的本体元件以及设置在本体元件下端的引脚，所述的本 体元件内具有电极层，所述的电极层中的电极膏烧入本体元件陶瓷体的深度为ΙΟΟμπι 150 μ m，焊接拉力为0. 9kg 1. 5kgo进一步的说，为了保护本体元件的陶瓷体，本实用新型包括所述的本体元件表面 设置有保护层。本实用新型在-10 0°C使用条件下，其耐受能量Ct值不需进行相应的降低，按照 常温下能量Ct值直接使用。受冲击次数也与常温下达到值次数相当。由此大大提高了此 类产品在低温环境高功率、高能量电路中的应用！防止产品因低温高能量冲击而失效从而 无法保证电路其它组件之正常运行！本实用新型通过对电极膏中玻璃粉烧入陶瓷的程度调整，使得电极与陶瓷体附着3程度加深，即电极高中的玻璃纤维渗入陶瓷体深度得到提高，最终保证其在长时间高温 情况下，仍保证相当等级的附着拉力，将现有电极高中玻璃粉含量提高，加大烧银曲线斜率 有利于电极中玻璃纤维更好地渗入陶瓷体。最后使得电极与陶瓷体的附着拉力从原有的 0. 4 0. 7Kg提升至现有的0. 9 1. ^(g，提升幅度超过200% ！以及电极面积大小的调整， 使得同样通流面积下通过产品的能量幅度得到有效提高。附着力的提升与通流密度的降 低，提高了产品在低温环境使用下的能量冲击的持久性及稳定性！本实用新型的有益效果是，解决了背景技术中存在的缺陷，可以在命中阻值的情 况下提升产品在低温环境下耐受能量的程度，从而有效降低产品在通电过程中所产生的热 量，使其能更广泛地援用于低温环境下高能量、高功率电路！以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的优选实施例的结构示意图；图中1、本体元件；2、引脚；3、电极层；4、保护层。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简 化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关 的构成。如图1所示的一种低温冲击型浪涌抑制负温度热敏电阻，包括由陶瓷体制成的本 体元件1以及设置在本体元件1下端的引脚2，所述的本体元件1内具有电极层3，电极层 3中电极膏内的玻璃粉的加入量相比较原有的玻璃粉的加入量增加了 5 %，使得电极层3中 的电极膏烧入本体元件1陶瓷体的深度有改善前的40 μ m增加至125 μ m,焊接拉力由原有 的0. 7kg提升至1. 5kg。对本实用新型进行加工时，首先进行配料，配料完成后对其加水滚料，然后再进行 喷雾造粒，喷雾造粒完成后进行成型制作，最后将成型的产品进行排胶，并烧结印刷成成 品，印刷面积相比较之前增加50%以上。这样，所生产出的产品可以在命中阻值的情况下提 升产品在低温环境下耐受能量的程度，从而有效降低产品在通电过程中所产生的热量，使 其能更广泛地援用于低温环境下高能量、高功率电路！以上说明书中描述的只是本实用新型的具体实施方式
，各种举例说明不对本实用 新型的实质内容构成限制，所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所 述的具体实施方式
做修改或变形，而不背离实用新型的实质和范围。
权利要求1.一种低温冲击型浪涌抑制负温度热敏电阻，包括由陶瓷体制成的本体元件(1)以及 设置在本体元件⑴下端的引脚O)，其特征在于所述的本体元件⑴内具有电极层(3)， 所述的电极层(3)中的电极膏烧入本体元件(1)陶瓷体的深度为100 μ m 150 μ m，焊接拉 力为 0. 9kg 1. 5kg。
2.如权利要求1所述的低温冲击型浪涌抑制负温度热敏电阻，其特征在于所述的本 体元件(1)的外部设置有保护层。
专利摘要本实用新型涉及一种低温冲击型浪涌抑制负温度热敏电阻，包括由陶瓷体制成的本体元件以及设置在本体元件下端的引脚，所述的本体元件内具有电极层，通过对电极膏中玻璃粉烧入陶瓷的程度调整，使得电极与陶瓷体附着程度加深，最后使得电极与陶瓷体的附着拉力从原有的0.7Kg提升至现有的1.5Kg，提升幅度超过200％！以及电极面积大小的调整，使得同样通流面积下通过产品的能量幅度得到有效提高(见表1)。经过试验产品后段信赖性测试结果来看，附着力的提升与通流密度的降低，提高了产品在低温环境使用下的能量冲击的持久性及稳定性。
文档编号H01C7/04GK201838412SQ20102057897
公开日2011年5月18日 申请日期2010年10月27日 优先权日2010年10月27日
发明者李晓乐 申请人:兴勤(常州)电子有限公司