专利名称：电子装置的制造方法、电子装置、电子装置封装体的制造方法、电子装置封装体的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子装置的制造方法、电子装置、电子装置封装体的制造方法、电子装置封装体。
背景技术：
伴随着近年来电子设备的高功能化以及轻薄短小化的要求，电子部件的高密度集成化、进而高密度安装化发展起来。作为用于实现高密度安装的半导体装置，提出了配置有在基板上搭载第一半导体元件、进ー步在第一半导体元件的上方搭载第二半导体元件的基板的封装体叠层(POP)结构的半导体封装体。 作为具备在这种POP结构的半导体封装体中使用的第一半导体元件的半导体装置，提出了如图8所示的结构(例如，參照专利文献I)。图8的半导体装置具备基板900和设置在该基板900上的第一半导体元件901，第一半导体元件901被成型材料902覆盖。在成型材料902中形成孔，在孔中填充有导电材料 903。专利文献I :日本特表2009-520366号公报
发明内容
通常成型材料902的孔通过向成型材料902照射激光而形成。但是，在照射激光时，难以正确地调整激光的強度、照射时间而使基板900表面被激光切削，从而难以获得可靠性高的半导体封装体。根据本发明提供电子装置的制造方法，其中包括以下エ序在基材上配置电子部件的エ序；在上述基材的配置有上述电子部件的面上立起设置含有热分解性的树脂而构成的立设部的エ序；以包埋上述电子部件、覆盖上述立设部的周围且从表面露出上述立设部的一部分的方式设置密封件的エ序；加热上述立设部而分解并除去上述立设部，从而形成贯通上述密封件的孔的エ序；在上述孔内设置导电体的エ序。在该发明中，在设有电子部件的基板上设置立设部，以覆盖立设部的周围且从表面露出立设部的一部分的方式设置密封件。之后，加热立设部来热分解，由此在密封件中形成孔。因此，能够不用激光切削基板表面而获得可靠性高的电子装置。进而，根据本发明还能够提供采用上述制造方法制造的电子装置。另外，根据本发明还能够提供电子装置封装体的制造方法，是层叠有采用上述制造方法制造的电子装置和其它电子装置的电子装置封装体的制造方法，所述制造方法包括以下エ序以采用上述制造方法制造的上述电子装置的上述导电体与形成在上述其它电子装置的电极相接触的方式，在上述电子装置上搭载上述其它电子装置，从而获得由上述电子装置和上述其它电子装置构成的层叠体的エ序；通过加热上述层叠体来将上述导电体与上述其它电子装置的上述电极接合的エ序。进而，还能够提供采用该电子装置封装体的制造方法制造的电子装置封装体。根据本发明，可以提供能够获得可靠性高的电子装置的电子装置的制造方法、电子装置、进而电子装置封装体的制造方法、电子装置封装体。
图I是表示本发明的一个实施方式所涉及的电子装置的制造エ序的エ序截面图。图2是表示在电子装置中使用的立设部配置的平面图。图3是表示电子装置的制造エ序的エ序截面图。图4是表示电子装置的制造エ序的エ序截面图。图5是表示电子装置的制造エ序的エ序截面图。图6是表示电子装置封装体的制造エ序的エ序截面图。图7是表示本发明的变形例的截面图。图8是表示以往的电子装置的图。
具体实施例方式下面，基于图I 图6说明本发明的实施方式。首先，对于本实施方式的概要进行说明。本实施方式的电子装置的制造方法包括以下エ序在基材(基板)11上配置电子部件10的エ序；设置含有热分解性的树脂而构成的立设部13，所述立设部13在上述基材11的配置有上述电子部件10的面上立起设置的エ序；以包埋上述电子部件10、覆盖上述立设部13的周围且从表面露出上述立设部13的一部分的方式设置密封件14的エ序；加热上述立设部13而分解并除去上述立设部13，从而形成贯通上述密封件14的孔141的エ序；在上述孔141内设置导电体15的エ序。在此，本实施方式中，电子装置是半导体装置1，电子部件是半导体芯片10。接着，对于本实施方式的电子装置的制造方法详细地进行说明。首先，如图I (A)所示，在基板11上安装半导体芯片10。基板11是半导体芯片搭载用的基板，是所谓的两面电路基板或者多层电路基板。 该基板11可以仅由芯层构成，也可以在芯层的表面背面层叠有增层，另外，还可以仅由增层构成。增层是绝缘层与导体电路层交替层叠形成的层，芯层是由绝缘层与导体电路层形成的层。在基板11的表面背面没有图示，但形成有导体电路层(电路)。半导体芯片10与基板11的导体电路层电连接，本实施方式中，基板11的导体电路层与半导体芯片10介由半导体芯片10背面的焊锡凸点12电连接。焊锡凸点12可以为无铅焊锡，另外，也可以为含铅的高熔点焊錫。接着，如图I (B)所示，在基板11上设有立设部13。从基板面侧观察，立设部13以包围半导体芯片10的方式设置，例如可以举出如图2 (A)所示，分别设在基板11的四个角上的情况，另外，如图2 (B)所示，以包围半导体芯片10的方式设置的情況。立设部13形成柱状，例如为圆柱形状、四方柱形状。立设部13的自基板11表面的高度比半导体芯片10的自基板表面的高度高，例如为10 1000 μ m。各立设部13在基板11的导体电路层上直接形成，覆盖导体电路层的一部分。立设部13含有热分解性的树脂而构成。立设部13优选使热分解性的树脂为主成分(在立设部13含有溶剂时，相对于除去了溶剂的总量，热分解性的树脂为50wt%以上)，作为构成立设部13的热分解性的树脂成分，例如可以举出聚碳酸酯系树脂、聚缩醛系树脂、聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚醚系树脂、聚氨酯系树脂、(甲基)丙烯酸酯系树脂等。从热分解性的观点考虑，立设部13优选含有共计50wt%以上的选自这些树脂中的树脂(在立设部13含有溶剂时，相对于除去了溶剂的总量，热分解性的树脂为50wt%以上)。 在这些树脂成分之中，为了有效地缩短后述的立设部13的热分解时间，优选立设部13以聚碳酸酯系树脂为主成分。此外，构成立设部13的树脂组合物可以仅由I种树脂构成，另外，也可以含有2种以上树脂。在本说明书中，构成立设部13的材料由I种树脂形成时也称为树脂组合物。作为上述聚碳酸酯系树脂，没有特别限定，例如可以举出聚碳酸亚丙酯树脂、聚碳酸亚こ酯树脂、1，2-聚碳酸亚丁酯树脂、I, 3-聚碳酸亚丁酯树脂、I, 4-聚碳酸亚丁酯树脂、顺-2，3-聚碳酸亚丁酯树脂、反-2，3-聚碳酸亚丁酯树脂、α，β -聚碳酸异亚丁酯树脂、a, Y-聚碳酸异亚丁酯树脂、顺-1，2-聚碳酸亚环丁酯树脂、反-1，2-聚碳酸亚环丁酯树月旨、顺-1，3-聚碳酸亚环丁酯树脂、反-1，3-聚碳酸亚环丁酯树脂、聚碳酸己烯酯树脂、聚碳酸环丙烯酯树脂、聚碳酸环己烯酯树脂、1，3-聚碳酸环己酯树脂、聚(碳酸甲基环己烯酷)树脂、聚(碳酸こ烯基环己烯酷)树脂、聚ニ氢萘碳酸酯树脂、聚六氢苯こ烯碳酸酯树月旨、聚环己烷亚丙基碳酸酯树脂、聚苯こ烯碳酸酯树脂、聚(3-苯基亚丙基碳酸酷)树脂、聚(3-三甲基甲硅氧基亚丙基碳酸酷)树脂、聚(3-甲基丙烯酰氧基亚丙基酷)树脂、聚全氟亚丙基碳酸酯树脂、聚降冰片烯碳酸酯树脂、聚降冰片烷碳酸酯树脂以及它们的组合。另外，作为聚降冰片烯碳酸酯树脂，例如可以举出外-聚降冰片烯碳酸酯树脂、内-聚降冰片烯碳酸酯树脂、反-聚降冰片烯碳酸酯树脂、顺-聚降冰片烯碳酸酯树脂。作为上述聚碳酸酯系树脂，例如可以进一歩举出聚碳酸亚丙酷/聚环己烯碳酸酯共聚物、1，3-聚环己烷碳酸酷/聚降冰片烯碳酸酯共聚物、聚[(氧基羰基氧基-1，1,4, 4-四甲基丁烷)-alt-(氧基羰基氧基-5-降冰片烯-2-内-3-内-ニ甲烧)]树脂、聚[(氧基擬基氧基-1,4-ニ甲基丁烧)-alt-(氧基擬基氧基-5-降冰片烯_2_内-3-内_ ニ甲烧)]树脂、聚[(氧基擬基氧基_1，I, 4, 4-四甲基丁烧)-alt-(氧基羰基氧基-对ニ甲苯)]树脂、及聚[(氧基羰基氧基-1，4- ニ甲基丁烷)-alt-(氧基羰基氧基-对ニ甲苯)]树脂等。另外，作为1，3-聚环己烷碳酸酯/聚降冰片烯碳酸酯共聚物，例如可以举出1，3-聚环己烷碳酸酯/外-聚降冰片烯碳酸酯共聚物、1，3-聚环己烷碳酸酯/内-聚降冰片烯碳酸酯共聚物。作为上述聚碳酸酯系树脂，也能够使用具有至少2个环状体的聚碳酸酯树脂。
环状体的数量可以为2个以上，但优选为2 5个，更优选为2或者3个，进一歩优选为2个。作为碳酸酯结构単元，通过含有这样数量的环状体，与基板11的密合性优异。多个环状体可以形成各自顶点彼此相互连接的连结多环系结构，但优选形成各自具有的ー边彼此相互连结的稠合多环系结构。由此，能够兼顾在用密封件14进行密封的エ序中的耐热性与缩短立设部13的热分解时间。另外，多个环状体优选各自为5元环或者6元环。由此，保持碳酸酯结构单元的平面性，因此，能够使对于溶剂的溶解性更稳定。 这样的多个环状体优选为脂环式化合物。在各环状体为脂环式化合物时，可以更显著地发挥上述的效果。如果考虑这些，则在聚碳酸酯系树脂中，作为碳酸酯结构单元，例如为下述化学式(I)表示的结构是特别优选的结构。
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:。が_⑴此外，具有上述化学式(I)表示的碳酸酯结构单元的聚碳酸酯系树脂能够通过萘烷ニ醇与碳酸ニ苯酯这样的碳酸ニ酯的缩聚反应而获得。 另外，在上述化学式(I)表示的碳酸酯结构单元中，优选来自与萘烷ニ醇具有的羟基连结的碳原子的碳原子分别键合在构成萘烷(即，形成稠合多环系结构的2个环状体)的碳原子上，并且3个以上原子介干与这些羟基连结的碳原子之间。由此，能够控制聚碳酸酯系树脂的分解性，其结果，能够兼顾由密封件14进行密封的エ序中的耐热性与缩短立设部13的热分解时间。进而，能够使对于溶剂的溶解性更稳定。作为这样的碳酸酯结构单元，例如可以举出以下述化学式(1A)、(IB)表示的结构单元。
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(I B)
(I A)进而，多个环状体除可以为脂环式化合物以外，还可以为杂脂环式化合物。即使各环状体为杂脂环式化合物的情况下，也可以更显著地发挥上述的效果。这种情况下，在聚碳酸酯系树脂中，作为碳酸酯结构単元，例如，下述化学式(2)表示的结构是特别优选的结构。
权利要求
1.一种电子装置的制造方法，其中，包括以下エ序 在基材上配置电子部件的エ序； 在所述基材的配置有所述电子部件的面上立起设置含有热分解性的树脂的立设部的ェ序； 以包埋所述电子部件、覆盖所述立设部的周围且从表面露出所述立设部的一部分的方式设置密封件的エ序； 加热所述立设部而分解并除去所述立设部，从而形成贯通所述密封件的孔的エ序； 在所述孔内设置导电体的エ序。
2.根据权利要求I所述的电子装置的制造方法，其中，所述电子部件是半导体芯片，所述基材是用于搭载半导体芯片的基板。
3.根据权利要求I或2所述的电子装置的制造方法，其中， 在所述基材的设置有所述电子部件的所述面上形成电路， 在设置立起设置在所述基材的配置有所述电子部件的面上的立设部的所述エ序中，所述立设部在所述基材的电路上形成。
4.根据权利要求I 3中任一项所述的电子装置的制造方法，其中，所述立设部含有共计50wt%以上的热分解性的树脂，所述热分解性的树脂选自聚碳酸酯系树脂、聚缩醛系树月旨、聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚醚系树脂、聚氨酯系树脂、(甲基)丙烯Ife酷系树脂。
5.根据权利要求I 4中任一项所述的电子装置的制造方法，其中，所述立设部以聚碳酸酯系树脂为主成分。
6.根据权利要求I 5中任一项所述的电子装置的制造方法，其中，在所述基材的配置有所述电子部件的面上设置立设部的所述エ序中，通过分配器在所述基材上配置构成所述立设部的树脂来设置所述立设部。
7.根据权利要求I 6中任一项所述的电子装置的制造方法，其中，在设置密封件的所述エ序中，所述密封件以覆盖所述基材整面的方式设置。
8.根据权利要求I所述的电子装置的制造方法，其中，所述热分解性的树脂的50%重量减少温度为400°C以下。
9.根据权利要求I所述的电子装置的制造方法，其中，所述热分解性的树脂的5%重量减少温度为50°C以上。
10.根据权利要求I所述的电子装置的制造方法，其中，所述热分解性的树脂的95%重量减少温度与5%重量减少温度之差为1°C 300°C。
11.一种电子装置，采用权利要求I 10中任一项所述的电子装置的制造方法制造。
12.一种电子装置封装体的制造方法，是层叠有采用权利要求I 10中任一项所述的电子装置的制造方法制造的电子装置和其它电子装置的电子装置封装体的制造方法， 所述制造方法包括以下エ序 以采用权利要求I 10中任一项所述的电子装置的制造方法制造的所述电子装置的所述导电体与形成在所述其它电子装置的电极相接触的方式，在所述电子装置上搭载所述其它电子装置，从而获得由所述电子装置和所述其它电子装置构成的层叠体的エ序； 通过加热所述层叠体来将所述导电体与所述其它电子装置的所述电极接合的エ序。
13. 一种电子装置体，采用权利要求12所述的电子装置封装体的制造方法制造。
全文摘要
一种电子装置的制造方法，包括以下工序在基材(基板)(11)上配置电子部件(10)的工序；设置含有热分解性的树脂而构成的立设部(13)，所述立设部(13)立起设置在基材(11)的配置有电子部件(10)的面上的工序；以包埋上述电子部件(10)、覆盖上述立设部(13)的周围且从表面露出上述立设部(13)的一部分的方式设置密封件(14)的工序；加热上述立设部(13)而分解并除去上述立设部(13)，从而形成贯通上述密封件(14)的孔(141)的工序；在上述孔(141)内设置导电体(15)的工序。
文档编号H01L23/12GK102668065SQ20108005364
公开日2012年9月12日 申请日期2010年11月19日 优先权日2009年11月27日
发明者川田政和, 杉山广道, 楠木淳也, 竹内江津 申请人:住友电木株式会社