专利名称：用以改进无核封装连接的系统及相关联的方法
用以改进无核封装连接的系统及相关联的方法
背景技术：
球栅阵列("BGA")可以是承载集成电路和连接构件的表面安装封装。所述连接构件通常耦合到由印刷电路板承载的球栅阵列焊盘。无核封装是可以不具有刚性环氧树脂核的一种类型的集成电路封装。无核封装通常包括交替叠层基板，该交替叠层基板具有通过构图导体层分开的绝缘层。
发明内容
根据ー个实施例，用以改进核封装连接的系统可包括球栅阵列焊盘和球栅阵列。该系统还可包括该球栅阵列的连接构件，所述连接构件导电连接到相应的球栅阵列焊盘。该系统可进ー步包括磁性底部填充物，该磁性底部填充物定位成与所述连接构件中的至少 一些和相应的球栅阵列焊盘相邻以增加相应的连接构件的电感。该磁性底部填充物可包括与磁性材料混合的树脂。该树脂可包括环氧树脂，并且该磁性材料可包括铁氧体粉末和/或铁磁材料。可基于期望的磁导率来选择混合物。可基于球栅阵列在坍缩之后的高度来施加磁性底部填充物。树脂可具有高于球栅阵列的回流温度的玻璃化温度，因此树脂的流动在回流期间能够得到控制。该系统可包括树脂和/或与介电常数材料混合的树脂，其定位在不期望磁性底部填充物的地方。球栅阵列可由无核封装承载。另ー个方面是用以改进核封装连接的方法。该方法可包括将磁性底部填充物定位成与球栅阵列的连接构件中的至少ー些和相应的球栅阵列焊盘相邻以增加所述连接构件的电感。该方法还可包括将球栅阵列的连接构件导电连接到相应的球栅阵列焊盘。该方法可进ー步包括基于球栅阵列在坍缩之后的高度来施加磁性底部填充物。该方法另外可包括基于期望的磁导率将树脂与磁性材料混合以产生磁性底部填充物。该方法还可包括选择铁氧体粉末和铁磁材料中的至少ー种作为磁性材料。该方法可进ー步包括通过为树脂选择高于球栅阵列的回流温度的玻璃化温度来控制树脂在回流期间的流动。该方法还可包括将树脂和与介电常数材料混合的树脂中的至少ー种定位在不期望磁性底部填充物的地方。该方法可进ー步包括使用热固化、红外线固化和紫外线固化中的至少ー种来固化磁性底部填充物。该方法另外可包括在导电连接之后从球栅阵列的裸露表面清除任何残留物。在一个实施例中，该系统可包括球栅阵列焊盘、无核封装和由该无核封装承载的球栅阵列。该系统还可包括该球栅阵列的连接构件，所述连接构件导电连接到相应的球栅阵列焊盘。该系统可进ー步包括磁性底部填充物，该磁性底部填充物定位成与所述连接构件中的至少ー些和相应的球栅阵列焊盘相邻以增加相应的连接构件的电感，并且基于球栅阵列在坍缩之后的高度来施加磁性底部填充物。在另ー个实施例中，该系统可包括球栅阵列焊盘、无核封装和由该无核封装承载的球栅阵列。该系统还可包括该球栅阵列的连接构件，所述连接构件导电连接到相应的球栅阵列焊盘。该系统可进ー步包括磁性底部填充物，该磁性底部填充物定位成与所述连接构件中的至少ー些和相应的球栅阵列焊盘相邻以增加相应的连接构件的电感。该系统另外可包括树脂和/或与介电常数材料混合的树脂，其定位在不期望磁性底部填充物的地方。
图I是连接到芯片封装的现有技术BGA焊盘的示意框图。图2是现有技术时域反射计图形。图3是现有技术封装基板。图4是现有技术封装基板的另一个实施例。图5是用以改进核封装连接的系统的示意框图。图6是图5的系统的另一个实施例的示意框图。图7是图5的系统的另一个实施例的示意框图。图8是示出了根据本发明的实施例的方法方面的流程图。图9是示出了根据图8的方法的方法方面的流程图。图10是示出了根据图8的方法的方法方面的流程图。图11是示出了根据图6的方法的方法方面的流程图。图12是示出了根据图10的方法的方法方面的流程图。图13是示出了根据图10的方法的方法方面的流程图。图14是示出了根据图10的方法的方法方面的流程图。
图15是示出了根据图10的方法的方法方面的流程图。
具体实施例方式现在将在下文中參考附图对实施例进行更全面的描述。相似的标记自始至终表示相似的元件，带有字母后缀的相似的标记用来标识单个实施例中类似的部分，字母后缀小写n表示任何未使用的字母，并且撇号用来表示替代实施例中类似的元件。应注意，在ー些替代实施方式中，在流程图框中标注的功能可以不按图中标注的顺序发生。例如，连续示出的两个框事实上可以基本上同时发生，或取决于所涉及的功能所述框有时可以按相反的顺序执行。现在參考图I和图2，在现有技术中，附加电容13a_13b可与BGA焊盘11相关联，该BGA焊盘可能引入阻抗不连续性15，该阻抗不连续性引起有害信号效应。阻抗不连续性15通过有害信号效应的时域反射计图形示出。另外參考图3，示出了ー现有技术封装，其中BGA焊盘11的一部分被电源17和/或接地19重叠。因此，在现有技术封装中会存在显著的阻抗不连续性，并且该问题随着信号速度的増加而变得更严重。在图4中示出的对上述问题的一个现有技术解决方案是除去BGA焊盘11和电源17和/或接地19之间的重叠。但是，除去重叠可能使封装的机械强度变弱，并且它可能影响封装的布线能力和功率完整性。另外，前述设计将不能与无核封装一起工作，因为无核封装缺少能够减小BGA焊盘电容的厚核。供在半导体封装中使用的无核基板可以不包含由相对刚性的玻璃环氧树脂制成的核。无核基板可包括积层基板(build-up substrate),例如由交替堆叠的绝缘层和构图导体层构成的表面层状电路基板。通过将半导体芯片安装在无核基板上所获得的封装一般被称作无核芯片封装。常规无核封装可具有安装的半导体芯片，该半导体芯片与基板的表面上的电极焊盘电连接。基板的表面和半导体芯片之间的间距通常用由树脂材料制成的底部填充物填充。由树脂材料制成的加强件(stiffener)可环绕基板上的半导体芯片布置。不具有硬核的无核基板在刚度上比具有核的基板低。出于补偿基板的这样的低刚度的目的而提供树脂加强件。球栅阵列(BGA)可用于将该基板电连接到另一基板。在任何配置中，BGA及其相应的BGA焊盘必须在彼此的联结距离内。为了解决上述问题，首先描述用以改进有核和无核封装连接的系统10，该系统将通过最小化来自BGA和BGA焊盘等的阻抗不连续性来改进高速信号的信号完整性。另外參考图5和图6,根据一个实施例，系统10包括球栅阵列焊盘12a_12n和球栅阵列14。在一个实施例中，系统10包括球栅阵列14的连接构件16a-16n，所述连接构件导电连接到相应的球栅阵列焊盘12a-12n。在另ー个实施例中，系统10包括磁性底部填充物18a-18n，该磁性底部填充物定位成与连接构件16a_16n中的至少ー些和相应的球栅阵列焊盘12a-12n相邻以增加相应的连接构件的电感。在一个实施例中，磁性底部填充物18a_18n包括与磁性材料混合的树脂。在另ー个实施例中，树脂包括环氧树脂，并且磁性材料包括铁氧体粉末和/或铁磁材料。在ー个实施例中，基于磁性底部填充物18a-18n的期望的磁导率来选择混合物。在一个实施例中，系统10增加电感以平衡电容，因而阻抗不连续性将減少。例如，电感与其环境的磁导率成比例，并且系统10控制底部填充物的磁导率以实现优化性能。在另ー个实施例中，基于球栅阵列14在坍缩之后的高度来施加磁性底部填充物18a-18n。例如，坍缩意指例如焊接剂的连接介质被熔化从而形成与BGA焊盘的BGA连接。此外，通过选择适当的连接介质和通过操纵热量的施加，BGA的坍缩能够得到控制。在一个实施例中，树脂具有高于球栅阵列14的回流温度的例如熔点的玻璃化温度，因此树脂的流动在回流期间能够得到控制。例如，“回流”通常意指在最低限度地影响BGA连接介质连接的同时熔化树脂从而形成连接。在一个实施例中，当树脂被熔化吋，回流温度具有重要性，并且系统10控制磁性底部填充物的位置。另外參考图7，在另ー个实施例中，系统10"包括树脂和/或与介电常数材料混合的树脂21a" -2In"，其定位在不期望磁性底部填充物18a" _18n"的地方，诸如定位在电源区域中用以为电源提供増加的电容。在一个实施例中，球栅阵列14"由无核封装20"承载。另ー个实施例是用以改进核封装连接的方法，现在參考图8的流程图22来描述该方法。该方法开始于框24，并且可包括在框26处将磁性底部填充物定位成与球栅阵列的连接构件中的至少ー些和相应的球栅阵列焊盘相邻以增加连接构件的电感。该方法还可包括在框28处将球栅阵列的连接构件导电连接到相应的球栅阵列焊盘。该方法在框30处结束。在一个实施例中，高速信号可受到来自BGA焊盘的附加电容的有害影响，因此系 统10在具有高速信号(例如，千兆赫频率范围内的信号)的区域中将具有磁性底部填充物。在另ー个实施例中，增加附加电感对ー些信号或功率BGA来说可能是不期望的，但是，如果磁性底部填充物被视为较容易构造并且对ー些信号/功率线的不利之处是可以容忍的，则系统10将针对所有区域具有磁性底部填充物。在现在參考图9的流程图32来描述的另一方法实施例中，该方法开始于框34。该方法可包括在框26和28处的图4的步骤。该方法另外可包括在框36处基于球栅阵列在坍缩之后的高度来施加磁性底部填充物。该方法在框38处结束。例如，电感和附加电感与高度相关，并且为了实现最好的性能，需要考虑这些參数。在现在參考图10的流程图40来描述的另一方法实施例中，该方法开始于框42。该方法可包括在框26和28处的图4的步骤。该方法另外可包括在框44处基于期望的磁
导率将树脂与磁性材料混合以产生磁性底部填充物。该方法在框46处结束。在现在參考图11的流程图48来描述的另一方法实施例中，该方法开始于框50。该方法可包括在框26、框28和框44处的图6的步骤。该方法另外可包括在框52处选择铁氧体粉末和铁磁材料中的至少ー种作为磁性材料。该方法在框54处结束。在现在參考图12的流程图56来描述的另一方法实施例中，该方法开始于框58。该方法可包括在框26、框28和框44处的图6的步骤。该方法另外可包括在框60处通过为树脂选择高于球栅阵列的回流温度的玻璃化温度来控制树脂在回流期间的流动。该方法在框62处结束。在现在參考图13的流程图64来描述的另一方法实施例中，该方法开始于框66。该方法可包括在框26和28处的图4的步骤。该方法另外可包括在框68处将树脂和与介电常数材料混合的树脂中的至少ー种定位在不期望磁性底部填充物的地方。该方法在框70处结束。在现在參考图14的流程图72来描述的另一方法实施例中，该方法开始于框74。该方法可包括在框26和28处的图4的步骤。该方法另外可包括在框76处使用热固化、红外线固化和紫外线固化中的至少ー种来固化磁性底部填充物。该方法在框78处结束。在现在參考图15的流程图80来描述的另一方法实施例中，该方法开始于框82。该方法可包括在框26和28处的图4的步骤。该方法另外可包括在框84处在导电连接之后从球栅阵列的裸露表面清除任何残留物。该方法在框86处结束。在一个实施例中，系统10包括球栅阵列焊盘12a_12n、无核封装20和由该无核封装承载的球栅阵列14。在另ー个实施例中，系统10包括球栅阵列14的连接构件16a-16n，所述连接构件导电连接到相应的球栅阵列焊盘12a-12n。在一个实施例中，系统10包括磁性底部填充物18a-18n，该磁性底部填充物定位成与连接构件16a_16n中的至少ー些和相应的球栅阵列焊盘12a-12n相邻以增加相应的连接构件的电感，并且基于球栅阵列14在坍缩之后的高度来施加磁性底部填充物。在另ー个实施例中，系统10包括球栅阵列焊盘12a_12n、无核封装20和由该无核封装承载的球栅阵列14。在一个实施例中，系统10包括球栅阵列14的连接构件16a-16n，所述连接构件导电连接到相应的球栅阵列焊盘12a-12n。在另ー个实施例中，系统10包括磁性底部填充物18a-18n，该磁性底部填充物定位成与连接构件16a_16n中的至少ー些和相应的球栅阵列焊盘12a-12n相邻以增加相应的连接构件的电感。在一个实施例中，系统10包括树脂和/或与介电常数材料混合的树脂21a" -2In"，其定位在不期望磁性底部填充物18a-18n的地方。综上所述，系统10改进了核封装连接。因此，例如，系统10通过降低球栅阵列14和球栅阵列焊盘12a-12n之间的阻抗不连续性而改进了高速信号的信号完整性。例如，与球栅阵列相关联的附加电容可引入阻抗不连续性并且引起对经由其传输的信号的有害影响。此外，无核封装不具有能够用来减 小球栅阵列焊盘的电容的厚核。然而，系统10解决了这些问题。在一个实施例中，铁氧体粉体与环氧树脂材料混合从而形成具有期望的磁导率的混合物。在另ー个实施例中，混合物的磁导率取决于铁氧体材料及其量。例如，掺杂钇-铁-石榴石(HG)材料具有可挑选的磁导率范围。在一个实施例中，当需要光磁掺杂吋，使用铁磁材料。在一个实施例中，在对芯片进行封装并且添加了球栅阵列14之后，在球栅阵列14的连接构件16a-16n之间施加一定量的该混合物。在另ー个实施例中，根据球栅阵列14在坍缩之后的高度等来确定所施加的混合物的量。在一个实施例中，具有球栅阵列14底部填充物的封装芯片回流到系统板。在一个实施例中，磁性底部填充物18a_18n将使球栅阵列14的电感增加m倍，其中m是混合物材料的有效磁导率。在另ー个实施例中，能够容易地将m调整到覆盖宽范围的磁导率。在一个实施例中，増加的电感将抵消来自球栅阵列14和球栅阵列焊盘12a_12n的附加电容，因此，它将减小阻抗不连续性。在另ー个实施例中，由于混合物的磁导率能够通过改变铁氧体材料或其量而改变，所以能够实现基本上补偿附加电容的最优情況。在一个实施例中，系统10可用无核封装实现。在另ー个实施例中，如果需要较高的电感，则可以使用更多的铁氧体粉末或具有较高磁导率的粉末。在一个实施例中，能够用标准筛选过程来完成对基于环氧树脂的材料的筛选，并且其它制造步骤与标准程序相同。在另ー个实施例中，继球栅阵列14球的放置和回流之后，对封装的底侧上的低粘性填充材料进行筛选。在一个实施例中，由于对材料的施加不必非常均匀，所以来自挤压的低压到中压是可接受的。在另ー个实施例中，并且取决于材料，可利用例如热固化、IR固化、UV固化的快速固化步骤来改进材料的设置。在一个实施例中，在组件的最終测试和装运之前，可利用等离子清洗或冲洗来从球栅阵列14球的裸露表面除去任何残留物。在一个实施例中，系统10将需要在球栅阵列的电源和接地通常位于的球栅阵列14区域的中心处带有开ロ的筛子设计。在另ー个实施例中，系统10将需要针对前述实施例所概述的筛选过程以及如下第二筛选过程，在该第二筛选过程中，无磁性填料的材料(例如与介电常数材料混合的树脂21a" -2In")将在中心部分和球栅阵列14的电源和接地的周围进行筛选。在中心材料中的填料可包括诸如钛酸钡("BaTi03")的高电介质，用于封装中电源和接地分布中的改进的去耦。在一个实施例中，在整个球栅阵列14区域施加磁性底部填充物18a_18n。这可以是ー步筛选过程。在另ー个实施例中，在某些区域中施加磁性底部填充物18a-18n，所述区域例如高速信号区域，而非例如电源的其它区域。这可以是ー步筛选过程。在一个实施例中，将要求环氧树脂具有高于球栅阵列14的回流温度的玻璃化温度，以使得混合物材料在回流期间将不会扩散。在一个实施例中，在某些区域中施加磁性底部填充物18a_18n，例如高速信号区域。在其它区域中，“原样”的环氧树脂或与高介电常数材料混合的环氧树脂21a" -2In"被施加于诸如电源区域的区域。前述过程可以是两步(或多歩)过程。在另ー个实施例中，当使用与高介电常数材料混合的环氧树脂21a" -2 In"时，能够实现来自电源的増加电容的额外益处。在一个实施例中，没必要要求环氧树脂具有高于球栅阵列14的回流温度的玻璃化温度。如本领域的技术人员将理解的，本发明的方面可以体现为系统、方法或计算机程序产品。因此，本发明的方面可采取如下形式完全硬件实施例、完全软件实施例(包括固件、常驻软件、微码等)或结合软件和硬件方面的所有一般在此处可被称为“电路”、“模块”或“系统”的实施例。此外，本发明的方面可采取如下形式在一个或多个计算机可读介质中体现的计算机程序产品，所述计算机可读介质具有在其上体现的计算机可读程序代码。可利用一个或多个计算机可读介质的任何组合。计算机可读介质可以是计算机 可读信号介质或计算机可读存储介质。计算机可读存储介质可以是例如但不限于电子的，磁的，光学的，电磁的，红外线的，或半导体系统、设备、或装置，或前述介质的任何适当的组合。计算机可读存储介质的更具体实例(非穷尽列表)将包括下列具有一根或多根导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPR0M或闪存)、光纤、便携式光盘只读存储器(CD-ROM)、光学存储设备、磁存储设备、或前述实例的任何适当的组合。在本文件的上下文中，计算机可读存储介质可以是如下任何有形介质该有形介质可包含或存储供指令执行系统、设备、或装置使用的或结合它们使用的程序。计算机可读信号介质可包括例如在基带中的或作为载波的一部分的传播数据信号，该数据信号具有在其中体现的计算机可读程序代码。这样的传播信号可采取各种形式，包括但不限于电磁形式、光学形式或其任何适当的组合。计算机可读信号介质可以是如下任何计算机可读介质所述计算机可读介质不属于计算机可读存储介质，并且能够通信、传播或传送供指令执行系统、设备或装置使用的或结合它们使用的程序。在计算机可读介质上体现的程序代码可使用任何适当的介质传输，所述适当的介质包括但不限于无线介质、有线介质、光纤电缆介质、RF介质等或前述介质的任何适当的组
ム
ロ o用于执行本发明的方面的操作的计算机程序代码可以一种或多种编程语言的任何组合编写，所述语言包括诸如Java、Smalltalk、C++等的面向对象编程语言和诸如“C”编程语言或类似编程语言的传统过程编程语言。程序代码可以完全在用户的计算机上执行，部分在用户的计算机上执行，作为单独软件包，部分在用户的计算机上并且部分在远程计算机上或完全在远程计算机或服务器上执行。在后一种情形下，远程计算机可通过任何类型的网络连接到用户的计算机，所述网络包括局域网(LAN)或广域网(WAN)，或可(例如通过使用因特网服务提供商的因特网)连接到外部计算机。下面參考根据本发明的实施例的方法、设备(系统)和计算机程序产品的流程图和/或框图来描述发明的方面。应理解，流程图和/或框图的每个框以及流程图和/或框图中的框的组合，能够通过计算机程序指令来实现。这些计算机程序指令可以提供到通用计算机、专用计算机、或其它可编程数据处理设备的处理器以产生机器，从而经由计算机或其它可编程数据处理设备的处理器执行的指令创建用于实现流程图和/或ー个或多个框图框中所指定的功能/动作的装置。 这些计算机程序指令也可以存储在计算机可读介质内，计算机可读介质能够引导计算机、其它可编程数据处理设备、或其它装置以特定的方式运行，使得储在该计算机可读介质中的指令产生包括如下指令的制品所述指令实现流程图和/或ー个或多个框图框中所指定的功能/动作。计算机程序指令也可以加载到计算机、其它可编程数据处理设备、或其它装置上，用以引起将在计算机、其它可编程设备或其它装置上执行的一系列的操作步骤从而产生计算机实现的过程，使得在计算机或其它可编程设备上执行的指令提供用于实现流程图和/或一个或多个框图框中所指定的功能/动作。
图中的流程图和框图示出了根据本发明的各实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能的实施方式的架构、功能与操作。就这点而言，流程图或框图中的每个框可代表代码的模块、段或部分，其包括ー个或多个用于实现指定的一个或多个逻辑功能的可执行指令。还应注意，在ー些替代实施方式中，在框中标注的功能可以不按图中标注的顺序发生。例如，连续示出的两个框事实上可以基本上同时发生，或取决于所涉及的功能所述框有时可以按相反的顺序执行。还应注意的是，框图和/或流程示中的每个框以及框图和/或流程示中的框的组合，能够通过执行指定的功能或动作专用的基于硬件的系统或专用硬件和计算机指令的组合来实现。此处所使用的术语仅出于描述具体实施方式
的目的，并且不g在限制本发明。如本文所使用的，単数形式“一” “ー种”和“所述”也g在包括复数形式，除上下文清楚地表明之外。应进一歩理解，当在该说明书中使用术语“包含”、“包括”时，其指定陈述特征、完整物、步骤、操作、元件、和/或组件的存在，而不排除ー个或多个其它特征、完整物、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合的存在或增加。所有装置或步骤的对应的结构、材料、动作、和等同物加上下列权利要求中的功能元件g在包括用于结合如特别要求保护的其它要求保护的元件组合执行功能的任何结构、材料、或动作。本发明的描述已经提供用于说明和描述目的，但其用意不是穷尽的或将本发明限制于公开的形式。在不脱离本发明的范围和精神的情况下，许多修改和变型对本领域普通技术人员来说将是明显的。对实施例的挑选和描述是为了最佳地解释本发明的原理和实际应用，并且对于具有如适合于预期的特定用途的各种修改的各实施例，使得本领域的其他普通技术人员能够理解本发明。虽然已经描述了本发明的优选实施例，但是应理解，本领域的技术人员在现在和将来可作出落入下列权利要求的范围内的各种改进和增强。这些权利要求应被解释为维持对最初描述的本发明的适当的保护。
权利要求
1.一种系统，包括 球栅阵列焊盘； 球栅阵列，所述球栅阵列具有多个连接构件； 所述球栅阵列的所述连接构件导电连接到相应的球栅阵列焊盘；以及 磁性底部填充物，其定位成与所述连接构件中的至少ー些和相应的球栅阵列焊盘相邻以增加相应的连接构件的电感。
2.根据权利要求I所述的系统,其中所述磁性底部填充物包括与磁性材料混合的树 脂。
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述树脂包括环氧树脂，并且所述磁性材料包括铁氧体粉末和铁磁材料中的至少ー种。
4.根据权利要求2所述的系统，其中基于期望的磁导率来选择所述混合物。
5.根据权利要求I所述的系统，其中基于所述球栅阵列在坍缩之后的高度来施加所述磁性底部填充物。
6.根据权利要求2所述的系统，其中所述树脂具有高于所述球栅阵列的回流温度的玻璃化温度，因此所述树脂的流动在回流期间能够得到控制。
7.根据权利要求I所述的系统，进一歩包括树脂和与介电常数材料混合的树脂中的至少ー种，其定位在不期望所述磁性底部填充物的地方。
8.根据权利要求I所述的系统，其中所述球栅阵列由无核封装承载。
9.ー种方法，包括 将磁性底部填充物定位成与球栅阵列的连接构件中的至少ー些和相应的球栅阵列焊盘相邻以增加所述连接构件的电感；以及 将所述球栅阵列的所述连接构件导电连接到相应的球栅阵列焊盘。
10.根据权利要求9所述的方法，进ー步包括基于所述球栅阵列在坍缩之后的高度来施加所述磁性底部填充物。
11.根据权利要求9所述的方法，进ー步包括基于期望的磁导率将树脂与磁性材料混合以产生所述磁性底部填充物。
12.根据权利要求11所述的方法，进ー步包括选择铁氧体粉末和铁磁材料中的至少ー种作为所述磁性材料。
13.根据权利要求11所述的方法，进ー步包括通过为树脂选择高于所述球栅阵列的回流温度的玻璃化温度来控制所述树脂在回流期间的流动。
14.根据权利要求9所述的方法，进ー步包括将树脂和与介电常数材料混合的树脂中的至少ー种定位在不期望所述磁性底部填充物的地方。
15.根据权利要求9所述的方法，进ー步包括使用热固化、红外线固化和紫外线固化中的至少ー种来固化所述磁性底部填充物。
16.根据权利要求9所述的方法，进ー步包括在所述导电连接之后从所述球栅阵列的裸露表面清除任何残留物。
17.—种系统,包括 球栅阵列焊盘； 无核封装；球栅阵列，其由所述无核封装承载； 所述球栅阵列的连接构件，其导电连接到相应的球栅阵列焊盘；以及磁性底部填充物，其定位成与所述连接构件中的至少ー些和相应的球栅阵列焊盘相邻以增加相应的连接构件的电感，并且基于所述球栅阵列在坍缩之后的高度来施加所述磁性底部填充物。
18.根据权利要求17所述的系统，其中所述磁性底部填充物包括与磁性材料混合的树脂。
19.根据权利要求18所述的系统，其中所述树脂包括环氧树脂，并且所述磁性材料包括铁氧体粉末和铁磁材料中的至少ー种。
20.根据权利要求18所述的系统，其中基于期望的磁导率来选择所述混合物。
21.根据权利要求18所述的系统，其中所述树脂具有高于所述球栅阵列的回流温度的玻璃化温度，因此所述树脂的流动在回流期间能够得到控制。
22.根据权利要求17所述的系统，进一歩包括树脂和与介电常数材料混合的树脂中的至少ー种，其定位在不期望所述磁性底部填充物的地方。
23.—种系统,包括 球栅阵列焊盘； 无核封装； 球栅阵列，其由所述无核封装承载； 所述球栅阵列的连接构件，其导电连接到相应的球栅阵列焊盘； 磁性底部填充物，其定位成与所述连接构件中的至少ー些和相应的球栅阵列焊盘相邻以增加相应的连接构件的电感；以及 树脂和与介电常数材料混合的树脂中的至少ー种，其定位在不期望所述磁性底部填充物的地方。
24.根据权利要求23所述的系统，其中所述磁性底部填充物包括与磁性材料混合的树脂。
25.根据权利要求24所述的系统，其中基于期望的磁导率来选择所述混合物。
全文摘要
一种用以改进核封装连接的系统，该系统可包括球栅阵列焊盘和球栅阵列。该系统还可包括该球栅阵列的连接构件，所述连接构件导电连接到相应的球栅阵列焊盘。该系统可进一步包括磁性底部填充物，该磁性底部填充物定位成与所述连接构件中的至少一些和相应的球栅阵列焊盘相邻以增加相应的连接构件电感。
文档编号H01L23/64GK102668073SQ201080057346
公开日2012年9月12日 申请日期2010年12月7日 优先权日2009年12月19日
发明者C·B·奥雷利, P·M·哈维, S·W·杨, 周亚平 申请人:国际商业机器公司