专利名称：用于处理基片的基片表面的方法和装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于处理按照权利要求I的前序部分所述的基片表面的方法以及一种适合用于实施该方法的装置。
背景技术：
文献DE10 2005 062 527 Al 和 DE 10 2005 062 528 Al 公开了用于在一侧处理
平面的基片、更确切地说是处理基片下侧面或者说朝下指向的基片侧面的方法。在使用这种方法时，尽管在基片下面进行抽吸，但是能够通过反应气体或者说从过程介质中释放出来的气体、在某种情况下也通过直接的接触引起基片上侧面的轻微侵蚀。此外，根据基片的输送速度、过程介质或者说化学剂的混合以及基片表面的情况会出现过程介质的不期望的 边缘卷边。由此基片上侧面能够被侵蚀，以及在外观上、或者更为严重的是在功能上受到损害。
发明内容
本发明的任务在于，提供一种本文开头所述的方法和一种相应的装置。利用这种方法和装置可消除现有技术的问题，并且尤其提供了这样一种可能性，即能避免基片的朝上指向的基片上侧面受到尤其是以释放气体的形式存在的过程介质的、不期望的和有害的作用。该任务通过一种具有权利要求I的特征的方法和一种具有权利要求16的特征的装置来解决。本发明的有利的和优选的设计方案是其它权利要求的主题，并且在下面进行更加详细的说明。下述特征中的某些特征只是用于描述方法的，有些只是用于描述装置的。然而，它们应该彼此独立地既适用于方法也适用于装置。通过明确地参考说明书的内容形成权利要求的条文。本发明规定，用通常流体的过程介质处理基片表面或者说基片下侧面。过程介质对于基片表面具有一种剥蚀的作用或者说腐蚀的作用，例如用于太阳能电池的硅基片的抛光腐蚀(Poliedtzen)或者边缘绝缘。在此从下面利用过程介质润湿水平放置的基片。这一工序能够以现有技术已公开的、不同的类型和方式进行。根据本发明，利用水或者其它相应的保护液体平面地或者说有利地甚至全表面地润湿或者覆盖向上指向的或者说对准的基片上侧面。这起到保护作用，防止过程介质或者由所述过程介质释放的气体产生作用到或者说到达基片上侧面上，也就是说可以防止这种情况的发生。也就是说水或者保护液体在基片上侧面上形成一个保护层，从而所述基片上侧面就能够不被过程介质损害。将例如像水或者其它的保护液体那样的液体用作保护层或者说保护介质的优点在于，液体易于涂覆，并且又可以容易地清除掉，并且不会对基片上侧面产生机械的破坏作用，也就是不会产生划痕等等。此外，能够如此有利地选择水或者通常的保护液体，从而使得它们绝对不与基片上侧面发生反应，或者产生其它负面损害。最后能够使水或者说保护液体如此与过程介质的选择协调一致，从而从基片上侧面流下来的水或者说相应的保护液体能够到达过程介质中，并且这虽然可能会稀释过程介质。但是由于量小，过程介质的、仅仅影响不大的并且甚至没有负面的损害的作用通常为腐蚀作用。对此下面还将更详细地进行说明。有利地，可在利用过程介质润湿基片或者说基片下侧面之前将保护液体涂覆到基片上侧面上。尤其是甚至在基片移动经过在其中装有过程介质的槽上面之前就涂覆保护液体，也就是说在时间上明显地在移动到输送轨道上之前或者说在移动到输送轨道上大约半米或者更小之前就涂覆保护液体。通过这一措施可以实现向下流的保护液体根本就不能到达在其中装有过程介质的槽中。通常在所述槽上方利用过程介质进行处理的几秒种或者几分钟的持续时间可以足够一次性地将保护液体涂覆到基片上侧面上。在本发明的其它设计方案中，·以连续方法将保护液体涂覆到运动的基片上或者说所述基片的基片上侧面上。这有利地可利用一种喷嘴或者喷嘴管形式的、固定的涂覆装置来完成，然而也有利地利用较小的压力、例如也可借助波峰管来完成。可容易地调节在基片上侧面上的期望的液量或者说液膜厚度。即使在有些情况中仅仅一次地将保护液体涂覆到基片上侧面上可能就足够了，但是也能够有利地规定，多次地或者说具有时间间隔地将保护液体涂覆到基片上侧面上，或者说由此对通过此措施形成的保护膜进行更新。这例如也可以通过下述措施实现在基片在其中装有过程介质的槽上方移动期间将保护液体涂覆到基片上侧面上。或者在此可以非常精确地进行涂覆，从而使到达槽中的保护液体尽可能地少；或者可以设置专门界定的区域，或者使基片再一次地从中输送出来，然而这种做法通常过于昂贵。替代地，仅仅唯一一次地将保护液体涂覆到基片上侧面上、更确切地说，尤其是在基片位于在其中装有过程介质的槽上方之前。其中，可如此控制地将保护液体涂覆到基片上侧面上，即仅仅将保护液体涂覆到基片上侧面上。这能够通过当基片位于涂覆装置的下面时才开始涂覆来实现。以类似的方式当基片仍然位于涂覆装置的下面时停止涂覆。有利地借助基片传感器求得移近的基片的方位或者说位置，并且根据所述方位或者说位置控制涂覆装置。替代地，可以由基片的涂覆计算出所述基片的位置，并且将其输送到用于涂覆喷嘴的设备的控制器中。这样可形成保护液体的层，所述保护液体的层不在基片的边缘上流下，从而就可利用过程介质对这些基片进行处理。在本发明的一种设计方案中利用相应地设计的前述的涂覆装置将保护液体以平面分布的轮廓涂覆到基片上侧面上。为此，可如此设计相应的涂覆装置例如设计为产生平面分布的喷雾的喷嘴，或者设计为产生宽的水幕的波峰管(Schallrohr)。这一方面适合于，在移动经过装有过程介质的槽上面之前利用保护液体覆盖基片上侧面。此外，当这种所述保护液体与过程介质不具有负面的共同作用时，能够更加容易地涂覆保护液体。代替这种将保护液体平面地涂覆到基片上侧面的做法是这种涂覆也可以利用平面分布的轮廓或者说逐点地进行。这就是说，由一个或者少数几个涂覆装置将保护液体相对逐点地喷射或者滴到基片上侧面上，并且然后融化。这样最后能够大面积地或全表面地覆盖基片表面，其中，对于已知的基片上侧面的特性、温度以及保护液体的特性来说就可以如此相对精确地确定所述保护液体的量，从而只有小部分溢出基片，并且向下可到达过程介质中。在本方法中可以规定，在利用过程介质润湿或者处理基片下侧面时发生放热反应，伴随所述放热反应温度升高了至少10°c。然后能够有利地将相对较厚的保护液体层涂覆到基片上侧面上，例如在涂覆水时其厚度大于0. 5mm,或者大于1mm，直到I. 5mm,在涂覆具有更高粘性的保护液体时其厚度更大。由此通过温度的提高大部分的保护液体会蒸发，并且仍然会留下足够有效的保护层。替代地，在利用过程介质处理基片下侧面时可以停止提高温度。那么在基片上侧面上的保护液体的显著更小的、例如小于0. 2_，或者甚至小于0. 05mm的层厚，刚好仅仅是一层薄膜就足够了。但是在这种情况中其也可以具有前述的厚度。在本发明的另一种设计方案中可以规定，在处理时基片下侧面接触槽中的过程介质的液面，而不更深地浸润基片。然后其甚至可以悬浮在过程介质的表面上。在此，在没有保护液体的情况下会出现过程介质附着在基片的边缘上，并且甚至可能到达基片的上侧面，并且引起相应负面的效果的危险。替代地，可利用过程介质喷射基片下侧面，其中在此甚至会出现更大的危险，即向上喷射的过程介质从基片的外边缘旁经过向上，并且然后至少在边缘区域中沉积在基片上侧面上。在这种利用过程介质从下边喷射基片下侧面时，当过多的喷射的保护液体从基片往下滴时情况不会更严重，因为然后保护液体并不强制地与、朝向基片下侧面喷射的过程介质混合。也就是然后虽然保护液体可能到达共同的收集槽，但是在那里可将所述保护液体分开，或者通过相应的处理所述过程介质又以期望的浓度存在。在利用过程介质对基片进行处理之后可对这些基片进行冲刷。在此可以规定，也将保护液体从基片上侧面冲刷掉或者说去除掉。此外，在此根据本发明的另一方面，在对基片的基片下侧面进行腐蚀的过程中，在腐蚀作用到达被穿孔或者说具有缺口(Durchbruch)的基片上侧面之前可以说对这些基片进行保护。这样首先是缺口周围的区域受到损害。也就是说，不仅要能够保护基片防止过程介质的边缘卷边或者防止从上面的沉积，而且也要防止工作介质通过缺口、例如由于毛细管作用而上升。除了水或者说纯净水之外还提供具有更高粘性的液体作为保护液体。在这方面的例子是具有2至大于3的粘度系数的、超过水粘度系数的PEG，或者例如粘度系数直到3. 8的磷酸用作保护液体。磷酸也可专门地防止，由于浓度的下降使具有磷酸和HF的腐蚀液在穿孔的基片中不仅仅通过毛细管作用向上抽吸，而且也由于浓度的下降、如在水中存在的那样向上抽吸。其它的保护液体能够具有对于更加改进的保护作用或者层厚来说的还具有更高的粘性。通过更高的粘性可以说使保护液体更加黏稠，并且不容易从基片上侧面流出。在大约横向于基片的连续轨道的方向上有利地设置多个涂覆装置。能够有利地将基片依次成排地送到连续轨道上，并且分别准确地在涂覆装置的下面通过。在根据本发明的装置中也同样规定，在用于基片的连续轨道上面有利地以喷嘴的形式设置涂覆装置。所述涂覆装置能够或者仅仅布置在其中装有过程介质的槽的前面、或者布置在所述槽上面、或者既布置在槽前面也布置在槽上面。有利地如此设计所述涂覆装置，从而所述涂覆装置能够如此在相互并排的基片的尺寸、数量以及通过速度上进行匹配，从而仅仅以所期望的尺度将保护液体不过多地或者仅仅不显著过多地涂覆到基片上侧面上。至少一个涂覆装置有利地布置在其中装有过程介质的槽的前面，其中尤其有利的是，横向于用于基片的连续轨道设置唯一一排涂覆装置。在此，所述涂覆装置彼此间隔距离地布置，其中所述涂覆装置的间距尤其至少为一个基片宽度，
为了给涂覆装置提供保护液体，所述涂覆装置可以连接到储备箱上。所述储备箱布置得比涂覆装置更高。这样可以简单地只通过重力就使保护液体流入到具有保持相同的压力的涂覆装置。在本发明的方案中，沿着连续轨道看，在涂覆装置的前面设置基片传感器、有利地是光学的传感器来识别移近的基片，以及来识别从旁边移动经过的基片。除了从权利要求中之外也可从说明书和附图中得出这些特征和其它特征，其中，各个特征分别单独地或者以多个子组合的形式在本发明的实施方式中以及在其它领域中实现，并且示出了有利的以及能够自我保护的实施方式，在此为它们提出要求予以保护。本申请划分为各个的段落以及小标题，这些段落以及小标题并不限制在其下所作说明的普遍 有效性。
在附图中示意性地示出了本发明的实施例，并且接下来对这些实施例进行详细解释。在附图中不出
图I是根据本发明的、用于处理基片下侧面、同时将水作为保护膜涂覆在基片上侧面的设备的侧面的剖面 图2是图I的放大示图；并且
图3是具有少数几个涂覆喷嘴以及在前面具基片传感器的、根据本发明的替代的设备的俯视图。
具体实施例方式在图I中以侧面的剖面图示出了具有槽13的设备11作为根据本发明的装置。在所述槽中装有作为过程介质的腐蚀液(Atzl5sung) 15。具有向下指向的基片下侧面21和向上指向的基片上侧面22的基片20在连续轨道上被输送滚轮24从左边输送到右边。然后所述基片到达槽13上方的输送滚轮24上。如从开头描述的文献DE 10 2005 062 527Al和DE 10 2005 062 528 Al中已知的，按照第一可能性借助输送滚轮24将所述腐蚀液15引导到基片下侧面21上，所述输送滚轮利用其下部区域达到腐蚀液15中。通过供给管16将新的或者说准备好的腐蚀液15引导到槽13中。代替地或者除了借助输送滚轮24润湿基片下表面21外还可以设置具有向上指向的喷嘴18的喷嘴管17。由此就可以将腐蚀液15喷射到基片下侧面21上。此外，还能够根据文献DE 10 2005 062 527 Al在腐蚀液的表面的上面和基片的输送平面的下面设置用于抽吸从腐蚀液15中释放出来的气体的装置。明显地，在基片20进入到槽13上方之前，这些基片被布置在其上方的涂覆喷嘴26喷上水。所述水在基片上侧面22上形成保护膜29。在此可有利地平面地喷射水27，或者说涂覆喷嘴26可在基片20的整个宽度上延伸。代替这种涂覆喷嘴也可以使用所谓的、具有孔或者缝隙的波峰管(Schwallrohr)，所述涂覆喷嘴的喷嘴彼此可能具有几厘米的间距。然后，在基片20从涂覆喷嘴26下面经过时，利用水27喷射或者说润湿整个基片上侧面22，并且如此在整个平面上形成保护膜29。喷射、尤其是在整个平面上的喷射在此的优点在于，可以保证整个基片上侧面22由保护膜29覆盖。如果水27仅仅从唯一的位置流出来，那么可能发生如下情况例如在基片上侧面22上的已弄脏的区域或者类似区域没有被润湿或者说被覆盖，进而得不到保护。有利地在涂覆喷嘴26上或者说在波峰管上为每个基片设置三个洞。如果现在以已知的方式和方法在槽13上方将腐蚀液15涂覆到基片下侧面21上，那么基片上侧面22还利用保护膜29进行覆盖，进而受到保护不受腐蚀液15的作用。为了防止基片上侧面22的区域外露，或者说在此不再存在保护膜29，例如因为水27已流过或者在腐蚀时由于高的温度部分地蒸发掉，这时可借助另一个涂覆喷嘴26’再次涂覆水27。一方面该附加的涂覆喷嘴26’能够像槽13前面的涂覆喷嘴26那样构造，更确切地说能够产生平面的、相对较细的喷雾，或者说覆盖基片上侧面22的表面区域。但是如果如此布置涂覆喷嘴26’，从而在有待实施的腐蚀方法中保护膜29有可能在某些位置上较薄但还是存在的，那么当尤其是以任意一种方式补充水27时就足够了。这样就可以避免保护膜29太薄，或者说在某些位置上被省略。这种根据第二可能性的更确切 地说点形地将水27涂覆到基片上侧面22的做法的优点在于，不必进行喷射，因为在这种喷射时有些水27必然从基片20旁经过进入到槽13中。但是不能防止水从基片20的外边缘上滴下。然而，因为只有很少量的水往下滴或者说只有少量的水往下滴是不可避免的，所以这么做几乎不会发生腐蚀液13的稀释，进而几乎不会损害腐蚀作用。首先当利用喷嘴管17连同喷嘴18涂覆腐蚀液15时可如此供给腐蚀液，从而溶液不会被水27冲淡。在图2的放大的示图中一方面可以看出，根据文献DE 10 2005 062 528 Al是如何借助左边的输送滚轮24将腐蚀液15涂覆到基片下侧面21上的。通过这一措施在基片下侧面21上形成一种具有腐蚀液15的层，所述具有腐蚀液的层在那里产生腐蚀过程。在右边示出了具有喷嘴18的喷嘴管17。所述喷嘴将腐蚀液15喷射到基片下侧面21上。在此在右边示出，有些喷射的腐蚀液15是如何喷射经过基片20旁边的，并且可能落到布置在右侧旁边的或者说移动的、邻近的基片的基片上侧面22上。但是也存在于该基片上的、由水构成的保护膜可避免负面的损害。此外示出了，有些水27是如何从基片20的左边和右边往下滴的。这些水27到达槽13中的腐蚀液15中，并且虽然稍微冲淡腐蚀液，但是因为水量尤其是和腐蚀液的量相比可以很少，所以这种情况几乎可以忽略不计，或者说在混合腐蚀液15时相应地予以考虑。此外，从图2还可以看出，即使将相对较多的水27作为保护膜29涂覆到基片上侧面22上也不一定必然是有害的，因为那些涂覆到基片下侧面21的腐蚀液15不会强制地直接和这种水27混合。可能基片20的边缘表面没有保护膜29，或者说当水27没有刚好流过所述边缘表面并且没有盖住所述边缘表面时，所述边缘表面没有得到保护。然而在边缘上的作用，或者说通过腐蚀液15所引起的损失很小，或者说可忽略不计，从而这些边缘表面就不必进行保护。代替水可将另一种液体用作保护膜、例如PEG或者说聚乙烯乙二醇(Polyethylenglykol)。这种液体化学上是惰性的，并且既不以不期望的方式与基片20起反应，也不损害腐蚀液15的作用。也可将磷酸作为保护液体进行涂覆，所述磷酸不会对基片、例如像用于太阳能电池的硅晶片造成负面的损害。当基片具有前面所述的缺口(Durchbruch)或者通孔时，它的更高的粘性尤其是对于这种情况是有利的。准确地构造涂覆喷嘴或者波峰管，尤其是在具有腐蚀液15的槽13的上方是否布置、并且布置多少涂覆喷嘴或者说波峰管，以及它们的准确的位置的布置能够与相应的腐蚀工序或者说处理步骤相匹配。在这方面例如也可以设置可移动的涂覆喷嘴或者说波峰管，或者相应地仅仅使用原则上在结构上设置的多个中的少数几个。在图3中示出了一种替代的设备111的俯视图。其中在具有腐蚀液115的槽113的前面有四排基片120在连续轨道上运行，所述连续轨道由类似于图I所示的、在此未示出的输送滚轮形成。也可设置更少排或者更多排、例如六排基片。在槽113的前面横向于连续轨道设置有喷嘴管125并且具有四个涂覆喷嘴126。这些喷嘴具有各一个磁阀以及喷嘴开口。然而，所述喷嘴开口对于本领域技术人员来说是已知的，并且在此不必进一步示出。涂覆喷嘴126的宽度比基片120的宽度小。涂覆喷嘴126彼此间的间距也是这样，但是也不必非得如此。 喷嘴管125流体导通地连接到储备箱128。在所述储备箱中装有用于涂覆到基片上侧面122的水127。通过将储备箱128在高水平上布置在涂覆喷嘴126上，水127可自动地或者说单独地流出，并且通过打开或者关闭涂覆喷嘴126的磁阀改变水流或者说水量分别相同。也就是说，尤其是当涂覆喷嘴126的磁阀彼此移动地操作时就可以避免压力波动。此外设置了基片传感器131，所述传感器在此示例性地固定在喷嘴管125上，但是也可与所述喷嘴管分开地支承。所述基片传感器131可识别基片120的到来，通过和从旁边经过。其例如可以是光学传感器、尤其也可以是光栅，所述光栅刚好识别基片120的前边缘的靠近，并且也可以识别后边缘从旁边经过。所述设备111的未示出的控制器接收基片传感器131的信号，然后可如此操作涂覆喷嘴126或者说所述涂覆喷嘴的阀门，从而只有当基片上侧面位于它们的下面时才将水127涂覆到基片上侧面122上。这样就可保证水127实际上只涂覆到基片上侧面122上。这样做是有意义的，即然后可对水量进行如此的限制，从而虽然构造成全平面分布的保护膜129，但是没有水溢过侧面的边缘并且往下流。一方面紧接着在槽113的上方腐蚀液115不与水混合或者被稀释。另一方面，由于晶片120的侧边缘是裸露的，所以腐蚀液115也可在那里起作用。然后由于水的表面张力形成已在图I和图2中示出的、由水127构成的垫或者说层。在某些情况下也可以采用具有亲水的基片上侧面122的基片120，通过这一措施还可提高这种效应。但是只能唯一一次地将水127涂覆到基片上侧面122上。在本发明的一个容易想象的设计方案中放弃了基片传感器131，并且所述设备111的控制器可由前置的、用于基片的供给装置的数据进行计算什么时候这些基片分别准确地位于所述涂覆喷嘴126的下面。这样同样能够对准目标地并且精确靠近地将水127涂覆到基片上侧面122上。同样可以将明显更多的涂覆喷嘴126和基片传感器131并排地布置。然后，对于不同地定位的基片来说，所述基片传感器能够借助最好分别在中间定位在其上的涂覆喷嘴将水准确地涂覆到基片上侧面上。
权利要求
1.用于利用过程介质在基片下侧面上处理平坦的基片的基片表面的方法，其中所述过程介质对基片表面具有一种剥蚀的或者说腐蚀的作用，并且其中所述基片水平放置地从下面利用所述过程介质润湿，其特征在于，向上指向的基片上侧面利用水或者相应的保护液体大面积地或者说全表面地润湿或者覆盖，从而起到保护作用防止所述过程介质或者其释放的气体作用到或者到达所述基片上侧面上。
2.按照权利要求I所述的方法，其特征在于，在利用过程介质润湿所述基片或者说基片下侧面之前、尤其是在所述基片运动经过在其中装有过程介质的槽上方之前将所述保护液体涂覆到所述基片上侧面上。
3.按照权利要求I或2所述的方法，其特征在于，优选由固定的涂覆装置或者说喷嘴、或者波峰管以连续方法将所述保护液体涂覆到运动的基片或者说基片上侧面上。
4.按照上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，多次地或者说重新地、尤其是利用时间间隔将所述保护液体涂覆到所述基片上侧面上，尤其是在所述基片位于在其中装有过程介质的槽上方期间。
5.按照权利要求I至3中任一项所述的方法，其特征在于，尤其是在所述基片位于在其中装有过程介质的槽上方之前，唯一一次将所述保护液体涂覆到所述基片上侧面上。
6.按照上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，如此进行控制地将所述保护液体体涂覆到所述基片上侧面上，从而通过当基片位于涂覆装置的下面时才开始涂覆，并且通过当基片仍然位于涂覆装置的下面时停止涂覆，将所述保护液体仅仅涂覆到所述基片上侧面上，其中，优选借助基片传感器求得移近的基片的方位或者说位置，并且根据所述方位或者说位置触发所述涂覆装置。
7.按照上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，利用平面分布的轮廓、尤其是借助喷嘴，将所述保护液体涂覆到所述基片上侧面上，构造所述喷嘴以产生平面分布的喷雾。
8.按照权利要求I至6中任一项所述的方法，其特征在于，逐点地将所述保护液体涂覆到所述基片上侧面上并且随后发生融解，以便大面积地或者全表面地覆盖所述基片表面。
9.按照上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在利用过程介质润湿所述基片下侧面时发生放热反应，伴随所述放热反应温度升高了至少10°C，并且将相对较厚的、优选大约Imm厚或者更厚的保护液体层涂覆到所述基片上侧面上。
10.按照权利要求I至8中任一项所述的方法，其特征在于，在利用过程介质润湿所述基片下侧面时温度没有显著提高，并且在所述基片上侧面上的保护液体层的厚度相对较小、优选大约为50 um到200 u m。
11.按照上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述基片下侧面接触到在其中装有过程介质的槽中的过程介质的液面，而不更深地浸润所述基片。
12.按照上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在利用过程介质处理之后对基片进行冲洗，尤其是也将所述保护液体从基片上侧面冲洗掉或者说去除掉。
13.按照上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述保护液体、尤其是PEG或者磷酸具有比水更高的粘性。
14.按照上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，对被穿孔或者说具有缺口的基片进行处理，其中，优选使用按照权利要求13所述的、具有比水更高的粘性的保护液体。
15.按照上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在大约横向于所述基片的连续轨道方向上并排地设置多个涂覆装置，并且将所述基片依次成排地送到所述连续轨道上，并且分别准确地在涂覆装置的下面通过。
16.用于实施按照上述权利要求中任一项所述的方法的装置，其特征在于，在用于所述基片的连续轨道的上面设置至少一个涂覆装置，以将水或者说保护液体涂覆到朝上指向的基片上侧面上，其中，输送所述基片以利用过程介质在其中装有过程介质的槽的上面对基片下侧面进行处理。
17.按照权利要求16所述的装置，其特征在于，所述涂覆装置布置在其中装有过程介质的槽的前面、优选仅仅布置在其前面。
18.按照权利要求16或17所述的装置，其特征在于，至少一个涂覆装置布置在其中装有过程介质的槽上方、优选另一个涂覆装置布置在所述槽的前面。
19.按照权利要求16或17所述的装置，其特征在于，至少一个涂覆装置布置在其中装有过程介质的槽的前面，其中，优选横向于用于基片的连续轨道设置唯一一排彼此间隔距离的涂覆装置，其中，尤其是所述涂覆装置的间距为至少一个基片宽度，其中，所述涂覆装置连接到储备箱上，所述储备箱布置得比所述涂覆装置更高。
20.按照权利要求16到19中任一项所述的装置，其特征在于，沿着连续轨道看，在所述涂覆装置的前面设置基片传感器、尤其是光学的基片传感器来识别移近的基片，以及来识别从旁边运动经过的基片。
全文摘要
在利用过程介质在基片下侧面上处理平坦的基片的基片表面的方法中，所述过程介质对基片表面具有一种剥蚀的或者说腐蚀的作用。所述基片水平放置地从下面利用所述过程介质润湿。向上指向的基片上侧面利用水或者相应的保护液体大面积地或者说全表面地润湿或者覆盖，从而起到保护作用防止所述过程介质作用到所述基片上侧面上。
文档编号H01L31/18GK102754198SQ201080057916
公开日2012年10月24日 申请日期2010年7月28日 优先权日2009年10月19日
发明者C.施密德 申请人:吉布尔·施密德有限责任公司