专利名称：一种单晶硅电池生产中去除单晶硅片上磷硅玻璃的方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池生产领域，具体的说是一种单晶硅电池生产中去除单晶娃片上磷娃玻璃的方法。
背景技术：
我国对太阳能电池的研究开发工作高度重视，早在七五期间，非晶硅半导体的研究工作已经列入国家重大课题；八五和九五期间，我国把研究开发的重点放在大面积太阳能电池等方面。2003年10月，国家发改委、科技部制定出未来5年太阳能资源开发计划，发改委"光明工程"将筹资100亿元用于推进太阳能发电技术的应用，计划到2015年全国太阳能发电系统总装机容量达到300兆瓦。我国已成为全球光伏产品最大制造国，我国即将出台的《新能源振兴规划》，我国光伏发电的装机容量规划为2020年达到20GW，是原来《可 再生能源中长期规划》中I. 8GW的10多倍。太阳能电池的应用已从军事领域、航天领域进入工业、商业、农业、通信、家用电器以及公用设施等部门，尤其可以分散地在边远地区、高山、沙漠、海岛和农村使用，以节省造价很贵的输电线路。目前，由于对不同厂家在生产单晶硅片时使用不同的扩散工艺技术，所以导致在不同的扩散工艺中单晶硅片表面形成的一层磷硅玻璃会有不同的差异性，致使PECVD镀膜后会产生不同几率的白线等缺陷片的发生，影响产品的质量，增大在PECVD工序的返工量，影响生产的正常进行。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述现有技术的不足，提供一种单晶硅太阳能电池片生产去除磷硅玻璃的一种方法，应用该方法不仅能够有效的去除因不同扩散工艺产生的磷硅玻璃，而且还能够保证在PECVD工序进行镀膜过程中避免产生白线等缺陷，能够有效控制
产品质量。本发明的目的是这样实现的，首先在容积为150—160升工艺槽中加入去离子水130—140升，温度控制在18—23 °C之间，一次加入浓度48% 49%的电子级HF酸16升，用PP材质长棒均匀搅拌，得到清洗液备用；然后将规格为125*125单晶硅片放入承载盒中，将多个承载盒依次装入大花蓝中作为一个批次，要求每个批次单晶硅片的数量在300片一400片之间，最后将装有单晶硅片的大花蓝放入配有清洗液的工艺槽中，浸泡10(Γ120秒，上述工艺槽中备用的清洗液可以连续生产4(Γ50批次。本发明的优点是
I、本发明通过控制一定浓度的HF酸(电子级)溶液，与扩散后产生的磷硅玻璃反应，去除含磷的SiO2层，使表面杂质剥离，有效产生钝化。同时容易控制HF酸的过度腐蚀，不破坏硅片Si-Si键，避免了 PECVD成膜过程中产生复合而出现白线等缺陷片的发生。2、本发明方法在生产过程中可以不必补液及其他参数调整，可连续生产多个批次。
具体实施例方式实施例I
在容积为150升工艺槽中加入去离子水130升，温度控制在18°C，一次加入HF酸(电子级，浓度48°/Γ49%)16升，用PP材质长棒均匀搅拌，得到清洗液备用；然后将规格为125*125单晶硅片放入承载盒中，将多个承载盒依次装入大花蓝中作为一个批次，要求每个批次单晶硅片的数量在300片，最后将装有单晶硅片的大花蓝放入配有清洗液的工艺槽中，浸泡100秒，上述工艺槽中备用的清洗液可以连续生产40批次。实施例2
在容积为155升工艺槽中加入去离子水135升，温度控制在20°C，一次加入HF酸(电子 级，浓度48°/Γ49%)16升，用PP材质长棒均匀搅拌，得到清洗液备用；然后将规格为125*125单晶硅片放入承载盒中，将多个承载盒依次装入大花蓝中作为一个批次，要求每个批次单晶硅片的数量在400片，最后将装有单晶硅片的大花蓝放入配有清洗液的工艺槽中，浸泡110秒，上述工艺槽中备用的清洗液可以连续生产45批次。实施例3
在容积为160升工艺槽中加入去离子水140升，温度控制在23°C，一次加入HF酸(电子级，浓度48°/Γ49%)16升，用PP材质长棒均匀搅拌，得到清洗液备用；然后将规格为125*125单晶硅片放入承载盒中，将多个承载盒依次装入大花蓝中作为一个批次，要求每个批次单晶硅片的数量在400片，最后将装有单晶硅片的大花蓝放入配有清洗液的工艺槽中，浸泡120秒，上述工艺槽中备用的清洗液可以连续生产50批次。
权利要求
1. 一种单晶硅电池生产中去除单晶硅片上磷硅玻璃的方法，其特征在于该方法包括以下步骤首先在容积为150—160升工艺槽中加入去离子水130—140升，温度控制在18 — 23°C之间，一次加入浓度48% 49%的电子级HF酸16升，用PP材质长棒均匀搅拌，得到清洗液备用；然后将规格为125*125单晶硅片放入承载盒中，将多个承载盒依次装入大花蓝中作为一个批次，要求每个批次单晶硅片的数量在300片一400片之间，最后将装有单晶硅片的大花蓝放入配有清洗液的工艺槽中，浸泡10(Γ120秒，上述工艺槽中备用的清洗液可以连续生产40 50批次。
全文摘要
本发明涉及太阳能电池生产领域，具体的说是一种单晶硅电池生产中去除单晶硅片上磷硅玻璃的方法，该方法通过控制一定浓度的HF酸(电子级)溶液，与扩散后产生的磷硅玻璃反应，去除含磷的SiO2层，使表面杂质剥离，有效产生钝化。同时容易控制HF酸的过度腐蚀，不破坏硅片Si-Si键，避免了PECVD成膜过程中产生复合而出现白线等缺陷片的发生。
文档编号H01L31/18GK102723398SQ201110077390
公开日2012年10月10日 申请日期2011年3月30日 优先权日2011年3月30日
发明者刘万学, 刘志坚, 吴帅, 杨帅, 程明辉, 韩丽 申请人:吉林庆达新能源电力股份有限公司