专利名称：含苯并三唑基的有机半导体材料、其制备方法和有机太阳能电池的制作方法
技术领域：
本发明属于光电材料领域，具体的说是涉及一种含苯并三唑基的有机半导体材料。本发明还涉及该含苯并三唑基的有机半导体材料的制备方法和应用该含苯并三唑基的有机半导体材料的有机太阳能电池。
背景技术：
太阳能是未来人类最理想的替代能源，将太阳能转换为电能的太阳能电池也是研究的热点；近年来兴起的共轭聚合物薄膜太阳能电池具有成本低、重量轻、制作エ艺简単、可制备成柔性器件等突出优点。此外，有机材料种类繁多、可设计性强，有希望通过材料的设计和优化来提高太阳能电池的性能。聚咔唑衍生物是ー种可用于聚合物发光二极管(PLED)和聚合物太阳能电池的经典材料。从吸收光谱上来看，它们最大吸收波长在500nm，与太阳光谱相对照可以看出该材料对太阳光的吸收明显不足，太阳光利用率低；因此，设计合成窄带隙聚咔唑成为重要的研究方向。
发明内容
本发明的目的在于提供ー种可以提高太阳光利用率的含苯并三唑基的有机半导体材料。ー种具有下述结构通式的含苯并三唑基的有机半导体材料
权利要求
1.一种含苯并三唑基的有机半导体材料，具有下述结构通式
2.一种含苯并三唑基的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤 51、分别提供下述结构式的化合物A和化合物B
3.根据权利要求2所述的含苯并三唑基的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括对步骤S2制得的所述含苯并三唑基的有机半导体材料的提纯步骤 53、步骤S2反应结束后，向步骤S2中滴加甲醇，沉析所述含苯并三唑基的有机半导体材料；其次过滤，并将滤物依次用甲醇和正己烷抽提24h ;接着以氯仿为溶剂进行抽提处理，获得纯化的所述含苯并三唑基的有机半导体材料。
4.根据权利要求2或3所述的含苯并三唑基的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤SI中，所述化合物B是采用如下步骤制得
5.根据权利要求4所述的含苯并三唑基的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述化合物B的制备步骤中，还包括对所述化合物B的纯化步骤 将含所述化合物B的反应混合液用二氯甲烷萃取后再用水洗；接着用无水硫酸镁干燥后旋蒸去除溶剂，获得纯化的所述化合物B。
6.根据权利要求2或3所述的含苯并三唑基的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述催化剂为四三苯基膦钯、双三苯基磷二氯化钯、醋酸钯与三(邻甲基)苯基膦的混合物中的一种。
7.根据权利要求6所述的含苯并三唑基的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述催化剂的摩尔用量为所述化合物A的摩尔用量的05% 10%。
8.根据权利要求6所述的含苯并三唑基的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述醋酸钯与三(邻甲基)苯基膦的混合物中，所述醋酸钯的摩尔量为所述化合物A的O.5% 10%，所述三(邻甲基)苯基膦的摩尔量为所述醋酸钯的摩尔量的4 10倍。
9.根据权利要求2或3所述的含苯并三唑基的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述有机溶剂为甲苯、氯苯、四氢呋喃或N，N-二甲基甲酰胺。
10.一种有机太阳能电池，包括依次层叠的玻璃基层、透明阳极、活性层以及阴极，所述中间辅助层采用聚3，4-亚乙二氧基噻吩与聚苯乙烯-磺酸复合材料，所述活性层包括电子给体材料和电子受体材料，且所述电子受体材料采用[6，6]苯基-C61-丁酸甲酯；其特征在于，所述活性层的电子受体材料为如权利要求I所述的含苯并三唑基的有机半导体材料。
全文摘要
本发明属于光电材料领域，其公开了一种含苯并三唑基的有机半导体材料、其制备方法和有机太阳能电池；该含苯并三唑基的有机半导体材料具有下述结构通式上述式中，R1、R2为C1～C20的烷基；n为10～50的整数。本发明的含苯并三唑基的有机半导体材料，将二噻吩苯并三氮唑与咔唑双烯通过Heck偶联聚合，拓宽了聚咔唑的吸收谱带，提高了其对太阳光的利用率，获得了更好的光伏性能。
文档编号H01L51/46GK102850525SQ20111018238
公开日2013年1月2日 申请日期2011年6月30日 优先权日2011年6月30日
发明者周明杰, 王平, 张振华, 黄辉 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司