晶圆测试方法及装置的制作方法

文档序号:7005184阅读:152来源:国知局
专利名称:晶圆测试方法及装置的制作方法
技术领域
本发明涉及一种半导体产品测试技术,尤其涉及一种晶圆测试方法及装置。
背景技术
近年来半导体产业飞速发展,大量产品投入市场,不仅刺激了半导体设计产业的进步,芯片的封装测试领域也随之不断进行技术革新。半导体测试包括CP(Circuit Probe) 测试和FT (Final Test), CP (Circuit Probe)测试也称晶圆测试(wafer test),是半导体产品后道封装测试的第一步,目的是将硅片中的不良芯片挑选出来。晶圆通常指制作集成电路所用的硅片,在晶圆上的集成电路全部制作完成之后, 晶圆上包含若干个芯片(Die)。如图1所示是已经完成集成电路制作的晶圆的锡球面,晶圆上有序排列着芯片, 以CSP封装为例,芯片分为管脚垫(pad)面和锡球面,在锡球面上每个芯片上有圆形的凸起锡球。每个芯片中都包含一个独立的能够实现预定功能的集成电路,芯片是进行封装和测试的基本单元。晶圆测试需要用到的设备包括测试机、探针等。

现有技术中通过将待测晶圆固定在测试机承片台上,管脚垫(pad)面向上,承片台向上移动使得承片台上的芯片接触探针,探针附着在芯片管脚垫上对芯片进行测试。该方法能够适用于近年来多数主流封装格式的半导体芯片。上述现有技术至少存在以下缺点因为对晶圆进行加盖玻璃处理后,探针就无法接触到管脚垫,因此该方法仅能够对完成整体封装前的晶圆进行测试,即在晶圆加盖玻璃和划片前测试。这就导致其测试结果具有不确定性,通过测试的芯片在加盖玻璃后可能由于其他因素的影响成为不良品,降低晶圆测试的准确率和效率;许多以芯片在完成电学测试之后还需进行光学测试,但是现有晶圆测试设备不能够同时完成电学测试和光学测试,需要在完成电学测试后将晶圆从承片台取下,更换仪器以完成光学测试,降低测试效率。

发明内容
本发明的目的是提供一种准确率高、效率高的晶圆测试方法及装置。本发明的目的是通过以下技术方案实现的本发明的晶圆测试方法,包括以下步骤步骤Ajf晶圆锡球面向上放置在测试机承片台上;步骤B、承片台固定装置将晶圆固定;步骤C、对该晶圆上待测芯片进行测试;步骤D、该待测芯片测试完成,对该晶圆中的下一芯片测试;所述步骤C具体包括步骤Cl、对晶圆进行电学测试;
步骤C2、对晶圆进行光学测试;所述步骤Cl和步骤Cl同时或顺序进行。本发明的晶圆测试装置,包括测试机承片台,所述承片台的上方设有测试机探针卡和探针,所述承片台的下方设有光源模块。由上述本发明提供的技术方案可以看出,本发明提供的晶圆测试方法及装置。由于将晶圆锡球面向上进行测试,并能够同时对晶圆进行电学测试和光学测试,准确率高、效率高。


图1为现有技术中CSP封装晶圆的平面示意图;图2为本发明实施例提供的晶圆测试方法的流程图; 图3为本发明晶圆测试装置的结构示意图。图中1、晶圆,2、承片台,3、光源,4、探针,5、锡球。
具体实施例方式下面将结合附图对本发明实施例作进一步地详细描述。本发明的晶圆测试方法,其较佳的具体实施方式
包括以下步骤步骤Ajf晶圆锡球面向上放置在测试机承片台上;步骤B、承片台固定装置将晶圆固定;步骤C、对该晶圆上待测芯片进行测试;步骤D、该待测芯片测试完成,对该晶圆中的下一芯片测试;所述步骤C具体包括步骤Cl、对晶圆进行电学测试;步骤C2、对晶圆进行光学测试;所述步骤Cl和步骤Cl同时或顺序进行。该测试方法在晶圆加盖玻璃和划片后进行。所述步骤Cl具体包括步骤C11、承片台带动晶圆向上移动,使待测芯片的锡球接触探针;步骤C12、对该晶圆中待测芯片进行电学测试;步骤C13、该待测芯片电学测试完成。所述步骤C2具体包括步骤C21、光线从测试机承片台下方入射到晶圆待测芯片上;步骤C22、对该晶圆中待测芯片进行光学测试;步骤C23、该待测芯片光学测试完成。本发明的晶圆测试装置,其较佳的具体实施方式
是包括测试机承片台,所述承片台的上方设有测试机探针卡和探针,所述承片台的下方设有光源模块。下面将通过实施例并结合附图对本发明作进一步地详细描述如图2所示,晶圆测试方法包括以下步骤
步骤A将晶圆锡球面向上放置在测试机承片台上,加盖玻璃后的管脚垫面向下, 封装后的管脚垫由于玻璃的阻隔不能接触到测试机探针,因此无法完成晶圆测试。裸露的锡球在与探针接触后可以完成与管脚垫相同的功能。步骤B承片台通过固定装置将晶圆固定在承片台上,现有技术中的固定方式包括使用真空吸附的方式对晶圆进行固定,加盖玻璃后的管脚垫面光滑平整,易于吸附。步骤C如图3所示,测试机对该晶圆上一个或者多个待测芯片进行测试,该测试包括电学测试和光学测试。其中,电学测试步骤包括步骤1承片台带动晶圆移动到探针下面,将待测芯片对准探针;步骤2承片台上升,使得探针与待测芯片锡球接触;步骤3测试机开始进行测试;步骤4承片台下移并移动一下待测芯片到探针下面,使探针与该待测芯片锡球接触;步骤5如果探针超出晶圆边缘,换该晶圆的下一行待测芯片到探针下面;步骤6重复上述过程直到整个晶圆上的芯片都被测试完毕为止,电学测试完成。其中,光学测试包括位于承片台下方的光源向承片台方向出射光线,测试机对该芯片开始光学测试。电学测试和光学测试可以同时进行,也可以分步进行,现进行电学测试再进行光学测试,但同一代测芯片的两种测试在同一工序内完成,不必更换测试机来完成不同的测试,节省了移动时间,提高效率和准确率。以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式
,但本发明的保护范围并不局限于此, 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换, 都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
权利要求
1.一种晶圆测试方法,其特征在于,包括以下步骤 步骤A、将晶圆锡球面向上放置在测试机承片台上; 步骤B、承片台固定装置将晶圆固定;步骤C、对该晶圆上待测芯片进行测试;步骤D、该待测芯片测试完成,对该晶圆中的下一芯片测试;所述步骤C具体包括步骤Cl、对晶圆进行电学测试;步骤C2、对晶圆进行光学测试;所述步骤Cl和步骤Cl同时或顺序进行。
2.根据权利要求1所述的晶圆测试方法,其特征在于,该测试方法在晶圆加盖玻璃和划片后进行。
3.根据权利要求2所述的晶圆测试方法,其特征在于,所述步骤Cl具体包括 步骤Cl 1、承片台带动晶圆向上移动,使待测芯片的锡球接触探针;步骤C12、对该晶圆中待测芯片进行电学测试; 步骤C13、该待测芯片电学测试完成。
4.根据权利要求2所述的晶圆测试方法,其特征在于,所述步骤C2具体包括 步骤C21、光线从测试机承片台下方入射到晶圆待测芯片上;步骤C22、对该晶圆中待测芯片进行光学测试; 步骤C23、该待测芯片光学测试完成。
5.一种晶圆测试装置,其特征在于,包括测试机承片台,所述承片台的上方设有测试机探针卡和探针,所述承片台的下方设有光源模块。
全文摘要
本发明公开了一种晶圆测试方法及装置,属于半导体产品测试领域,包括以下步骤将晶圆锡球面向上放置在测试机承片台上;承片台固定装置将晶圆固定;对该晶圆上待测芯片进行测试;该待测芯片测试完成,进行下一芯片测试。本发明能够实现在晶圆加盖玻璃后对其进行测试,提高测试准确率,并在同一工序内完成晶圆的光学测试,解决现有技术的测试机不能同时完成晶圆测试和光学测试,调高测试效率。
文档编号H01L21/66GK102222632SQ20111018999
公开日2011年10月19日 申请日期2011年7月7日 优先权日2011年7月7日
发明者冯建中, 唐冕 申请人:北京思比科微电子技术股份有限公司
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