专利名称：Cmos图像传感器及其形成方法
技术领域：
本发明涉及半导体领域，特别涉及CMOS图像传感器及其形成方法。
背景技术：
图像传感器的作用是将光学图像转化为相应的电信号。图像传感器分为互补金属氧化物(CM0Q图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器。CCD图像传感器的优点是对图像敏感度较高，噪声小，但是CCD图像传感器与其他器件的集成比较困难，而且CCD图像传感器的功耗较高。相比之下，CMOS图像传感器具有工艺简单、易与其他器件集成、体积小、重量轻、功耗小、成本低等优点。目前CMOS图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、 照相手机、数码摄像机、医疗用摄像装置(例如胃镜)、车用摄像装置等。请参考图1，图1为现有技术的CMOS图像传感器的剖面结构示意图，现有技术的图像传感器包括基底100 ；位于所述基底内的多个感光单元101，所述多个感光单元101呈阵列分布；位于所述感光单元101表面的互连层102 ；位于互连层102内的金属层103 ；位于所述互连层102表面的第一平坦层104 ；位于第一平坦层104表面的彩色滤光片105 ；位于彩色滤光片105表面的第二平坦层106 ；位于第二平坦层106表面的微透镜107。在公开号为CN1875486A的中国专利中，对现有图像传感器的结构，以及工作原理有更多的详细说明。但是，现有技术的CMOS图像传感器成像质量较差。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种提高图像传感器的成像质量的CMOS图像传感器及其形成方法。为解决上述问题，本发明提供一种CMOS图像传感器，包括具有第一掺杂类型的基底；位于所述基底内且与所述基底的表面齐平的第一感光区，所述第一感光区具有第二掺杂类型；位于所述基底表面的绝缘层；位于所述绝缘层内的开口，所述开口暴露出第一感光区；位于所述开口内、与所述第一感光区相连的第二感光区，所述第二感光区具有第二掺杂类型。可选地，所述第二感光区的宽度比第一感光区的宽度小0. 2 0. 3 μ m。可选地，还包括位于所述基底内、与所述基底齐平且环绕所述第一感光区的掺杂阱，所述掺杂阱具有第一掺杂类型。可选地，还包括位于所述开口内、并覆盖所述第二感光区的顶部的隔离层；位于所述绝缘层表面的介质层。可选地，还包括位于所述绝缘层内、与所述掺杂阱电连接的至少一个导电插塞；与所述导电插塞电连接的金属层；位于所述介质层内的末端导电插塞，所述末端导电插塞与所述绝缘层内的金属层电连接。可选地，所述隔离层具有第一掺杂类型，所述隔离层的离子浓度为1E13 5E14/ cm2，所述隔离层的厚度为IOnm 50nm。可选地，所述第一感光区和第二感光区的离子浓度为1E13 5E14/cm2。可选地，所述基底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的外延层。可选地，所述半导体衬底的离子浓度为1E14 lE16/cm2 ；所述外延层的离子浓度为 1E13 5E14/cm2。可选地，当所述第一掺杂类型为P型时，第二掺杂类型为N型；当所述第一掺杂类型为N型时，第二掺杂类型为P型。本发明的实施例还提供了一种CMOS图像传感器的形成方法，包括提供具有第一掺杂类型的基底；形成位于所述基底内且与所述基底的表面齐平的第一感光区，所述第一感光区具有第二掺杂类型；形成位于所述基底表面的绝缘层；形成位于所述绝缘层内的开口，所述开口暴露出第一感光区；形成位于所述开口内、与所述第一感光区相连的第二感光区，所述第二感光区具有第二掺杂类型。可选地，所述第二感光区的形成工艺为选择性外延生长工艺和原位掺杂。可选地，所述第二感光区的形成步骤为在温度为300°C到450°C的腔室内，向所述开口内通入比值为3 1 1 1的SiH2Cl2和HCl的混合气体，所述混合气体中还掺杂有浓度为1E13 5E14/cm2的N型离子，形成硅薄膜作为第二感光区。可选地，还包括形成位于所述基底内、与所述基底齐平且环绕所述第一感光区的掺杂阱，所述掺杂阱具有第一掺杂类型；形成位于所述开口内、并覆盖所述第二感光区的顶部的隔离层；形成位于所述绝缘层表面的介质层。可选地，所述隔离层的形成工艺为离子注入。与现有技术相比，本发明的实施例具有以下优点本发明的实施例的CMOS图像传感器的感光单元包括位于基底内的第一感光区和位于绝缘层内的第二感光区，光线穿过微透镜、第二平坦层、彩色滤光片、第一平坦层后，只需再穿过薄薄的介质层即到达第二感光区。因此，光线从微透镜表面到达感光单元的第二感光区表面的距离减小，使得光线的损失率降低，CMOS图像传感器的成像质量提高。进一步的，本发明的实施例CMOS图像传感器，形成有环绕所述第一感光区的侧壁的掺杂阱，以及位于所述开口内、并覆盖所述第二感光区的顶部的隔离层。所述掺杂阱和隔离层的掺杂类型与第一感光区、第二感光区的掺杂类型相反，可以有效防止所述第一感光区、第二感光区产生的电子溢出，导致漏电，从而进一步提高了 CMOS图像传感器的成像质量。
图1是现有技术的CMOS图像传感器的剖面结构示意图2是本发明的实施例的CMOS图像传感器的剖面结构示意图；图3是本发明的实施例的CMOS图像传感器的形成方法的流程示意图；图4 图9是本发明的实施例的CMOS图像传感器的形成过程的剖面结构示意图。
具体实施例方式正如背景所述，现有技术的CMOS图像传感器的成像质量不够理想。本发明实施例的发明人经过研究后发现，现有技术的CMOS图像传感器，光线依次穿过微透镜、第二平坦层、彩色滤光片、第一平坦层、互连层后到达感光单元，光线的损失较为严重，影响了 CMOS 图像传感器的成像质量。经过研究后，本发明实施例的发明人发现可以通过在互连层内形成第二感光区， 减小光线从微透镜表面到达感光单元的第二感光区表面的距离，降低光线的损失，增加感光灵敏度，从而达到提高CMOS图像传感器的成像质量的目的。为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式
的限制。需要说明的是，在本发明的实施例中，所述互连层包括位于所述基底表面的绝缘层和位于所述绝缘层表面的介质层。其中，所述绝缘层和介质层均可以为单层或多层结构，而所述第二感光区位于所述绝缘层内。下面以绝缘层为多层结构，介质层为单层结构的 CMOS图像传感器为例进行示范性说明。请参考图2，图2是本发明的实施例的CMOS图像传感器的剖面结构示意图。所述 CMOS图像传感器包括具有第一掺杂类型的基底200，所述基底200包括半导体衬底201、位于所述半导体衬底201表面的外延层203，所述外延层203内具有浅沟槽隔离结构206 ；位于所述基底200内且与所述基底200的表面齐平的第一感光区205，所述第一感光区205具有第二掺杂类型；位于所述基底200内、与所述基底200齐平且环绕所述第一感光区205的掺杂阱 207，所述掺杂阱207具有第一掺杂类型；位于所述基底200表面的绝缘层208，所述绝缘层208包括第一绝缘层209、位于所述第一绝缘层209内的与所述掺杂阱207电连接的导电插塞211、位于所述第一绝缘层 209表面的第二绝缘层213、位于所述第二绝缘层213内的与所述导电插塞211电连接的金属层215 ；位于所述绝缘层208内的开口(未标示)，所述开口暴露出第一感光区205 ；位于所述开口内、与所述第一感光区205相连的第二感光区219，所述第二感光区 219具有第二掺杂类型；位于所述开口内、并覆盖所述第二感光区219的顶部的隔离层221 ；位于所述绝缘层208表面的介质层223，所述介质层223内形成有末端导电插塞 225，所述末端导电插塞225与所述金属层215电连接。
在本发明的实施例中，所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型。即所述半导体衬底201、外延层203、掺杂阱207、隔离层221具有P型掺杂，所述第一感光区205、 第二感光区219具有N型掺杂。在本发明的其他实施例中，所述第一掺杂类型可以为N型， 所述第二掺杂类型也可以为P型，所述第一掺杂类型的极性和第二掺杂类型的极性相反。在本发明的实施例中，所述半导体衬底201的离子浓度为1E14 lE16/cm2 ；所述外延层203的离子浓度为1E13 5E14/cm2 ；所述掺杂阱207的浓度大于所述外延层203 的离子浓度；所述隔离层221的离子浓度为1E13 5E14/cm2，为使所述隔离层221的防止漏电的效果好，所述隔离层221的厚度为IOnm 50nm;所述第一感光区205和第二感光区 219的离子浓度为1E13 5E14/cm2，当所述第二感光区219的宽度比第一感光区205的宽度小0. 2 0. 3 μ m，CMOS图像传感器的成像质量好。在本发明的实施例中，所述CMOS图像传感器还包括位于所述介质层223表面的第一平坦层226 ；位于所述第一平坦层2 表面的彩色滤光片227 ；位于所述彩色滤光片 227表面的第二平坦层229 ；位于所述第二平坦层2 表面的微透镜231。本发明实施例的CMOS图像传感器的感光单元包括位于基底内的第一感光区和位于绝缘层内的第二感光区，光线穿过微透镜、第二平坦层、彩色滤光片、第一平坦层后，只需再穿过薄薄的介质层即到达第二感光区。因此，光线从微透镜表面到达感光单元的第二感光区表面的距离减小，使得光线的损失率降低，CMOS图像传感器的成像质量提高。并且本发明实施例的CMOS图像传感器，具有环绕所述第一感光区的掺杂阱，以及位于所述开口内、并覆盖所述第二感光区的顶部的隔离层。所述掺杂阱和隔离层的掺杂类型与第一感光区、第二感光区的掺杂类型相反，可以有效防止所述第一感光区、第二感光区产生的电子溢出，导致漏电，从而进一步提高了 CMOS图像传感器的成像质量。请参考图3，图3为本发明实施例的CMOS图像传感器的形成方法的流程示意图，包括步骤S301，提供具有第一掺杂类型的基底，所述基底内形成有与所述基底表面齐平的第一感光区，所述第一感光区具有第二掺杂类型；步骤S302，形成位于所述基底表面的绝缘层；步骤S303，形成位于所述绝缘层内的开口，所述开口暴露出第一感光区；步骤S304，形成位于所述开口内、与所述第一感光区相连的第二感光区，所述第二感光区具有第二掺杂类型；步骤S305，形成位于所述开口内、并覆盖所述第二感光区的顶部的隔离层；步骤S306，形成位于所述绝缘层表面的介质层。请参考图4 图9，图4 图9示出了本发明的实施例的CMOS图像传感器的形成过程的剖面结构示意图。请参考图4，提供具有第一掺杂类型的基底400，所述基底400内形成有与所述基底400表面齐平的第一感光区405，所述第一感光区405具有第二掺杂类型。在本发明的实施例中，所述基底400包括半导体衬底401、位于所述半导体衬底 401表面的外延层403。其中，所述半导体衬底401的材料为任何可以支持掺杂阱407形成的材料，例如可以为绝缘体上硅衬底(S0I衬底)、石英衬底、陶瓷衬底、玻璃衬底，所述半导体衬底401具有第一类型的掺杂类型，即P型掺杂，离子浓度为1E14 lE16/cm2 ；所述外延层403的材料、 掺杂类型与所述半导体衬底401的材料、掺杂类型相同，所不同的是，所述外延层403的离子浓度低于所述半导体衬底401的离子浓度，为1E13 5E14/cm2。所述第一感光区405具有第二类型掺杂，即N型掺杂，所述第一感光区405为感光单元的一部分，用于接收光线的信号。在本发明的实施例中，所述第一感光区405的形成工艺为离子注入，具体为在所述外延层403表面形成光刻胶层(未图示)，所述光刻胶层具有开口(未图示)，所述开口的位置与所述第一感光区405的位置相对应；以所述光刻胶层为掩膜，向所述外延层403内注入浓度为1E13 5E14/cm2的N型离子。在本发明的实施例中，还包括形成位于所述基底400内、与所述基底400齐平且环绕所述第一感光区405的掺杂阱407，用于防止所述第一感光区405在光线的照射下产生的电子溢出，影响CMOS图像传感器的成像质量。所述掺杂阱407的掺杂类型与所述半导体衬底401、外延层403的掺杂类型相同， 为第一掺杂类型，即P型掺杂。所述掺杂阱407的形成工艺为离子注入，具体为在所述外延层表面形成离子注入窗口，所述窗口的位置与掺杂阱407的位置相对应；通过所述离子注入窗口向所述外延层内注入P型离子，所述P型离子的浓度大于所述外延层的P型离子的浓度。需要说明的是，在本发明的实施例中，所述基底400的外延层403内还形成有浅沟槽隔离结构406，所述406位于所述掺杂阱407内。请参考图5，形成位于所述基底400表面的绝缘层408。在本发明的实施例中，所述绝缘层408包括第一绝缘层409和位于所述第一绝缘层409表面的第二绝缘层413。其中，所述第一绝缘层内形成有至少一个与所述掺杂阱407 电连接的导电插塞411，所述第二绝缘层413内形成有至少一个与所述导电插塞411电连接的金属层415。其中，所述第一绝缘层409、第二绝缘层413的材料为SiO2,用于隔离晶体管等器件。所述导电插塞411用于连接晶体管和绝缘层408内的金属层415，传递信号。需要说明的是，在本发明的其他实施例中，所述绝缘层408还可以为单一覆层，所述导电插塞411和与所述导电插塞411电连接的金属层415均形成在单一覆层内；或者所述绝缘层408为多层堆栈结构，所述绝缘层408内包括多层结构的导电插塞和金属层，所述绝缘层408的具体结构可以依据不同的半导体器件作出适当调整。请参考图6，形成位于所述绝缘层408内的开口 417，所述开口 417暴露出第一感光区405。所述开口 417用于后续形成第二感光区。在本发明的实施例中，所述开口 417的形成工艺为干法刻蚀。由于所述干法刻蚀工艺为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。考虑到所述开口 417的大小与后续形成的第二感光区的大小有关，影响CMOS图像传感器的对光线的灵敏度和成像质量。本发明实施例的发明人经过研究后发现，当所述开口 417的宽度在第一感光区405的宽度的基础上适当微缩0. 2 0. 3 μ m时，即后续形成的第二感光区的宽度比第一感光区405的宽度小0. 2 0. 3 μ m，形成的CMOS图像传感器的灵敏度高、成像质量好。请参考图7，形成位于所述开口(未标识)内、与所述第一感光区405相连的第二感光区419，所述第二感光区419具有第二掺杂类型。所述第二感光区419和所述第一感光区405共同构成感光单元，用于接收光线的信号。本发明实施例的发明人经过研究后发现，现有技术中光线依次穿过微透镜、第二平坦层、彩色滤光片、第一平坦层、绝缘层后到达感光单元(详情见图1)，光线的损失较为严重， 影响了 CMOS图像传感器的成像质量。而在当前的技术条件下，减小上述微透镜、第二平坦层、彩色滤光片、第一平坦层、绝缘层的厚度难以实现，需要采用别的方法减小光线从微透镜表面到达感光单元的表面的距离，从而减小光线的损失，提高CMOS图像传感器的成像质量。经过进一步研究后，本发明实施例的发明人发现，在所述绝缘层408的开口内形成第二感光区419，由于所述第二感光区419位于绝缘层408内，光线从微透镜到达第二感光区419的距离有效减小，降低了光的损失，从而提高了 CMOS图像传感器的成像质量。在本发明的实施例中，所述第二感光区419的形成工艺为选择性外延生长工艺和原位掺杂。具体为在温度为300°C到450°C的腔室内，向所述开口内通入比值为3 1 1 1的SiH2Cl2和HCl的混合气体，所述混合气体中还掺杂有浓度为1E13 5E14/cm2的N 型离子，形成硅薄膜作为第二感光区419。由于混合气体中的HCl能够腐蚀作为绝缘层408 的SiO2，因此形成的硅薄膜不会形成在绝缘层408的表面，仅形成在所述开口内。本发明实施例的形成第二感光区419的形成工艺简单，省去了化学机械抛光等工艺步骤。需要说明的是，在本发明的其他实施例中，所述第二感光区419的形成工艺可以为外延生长工艺和离子注入；或者可以为沉积工艺和离子注入等。请参考图8，形成位于所述开口内、并覆盖所述第二感光区419的顶部的隔离层 421。所述隔离层421用于防止感光单元漏电，即防止所述第二感光区419产生的电子由所述第二感光区419的顶部溢出。在本发明的实施例中，为使所述隔离层421的防止漏电的效果好，所述隔离层421的厚度为IOnm 50nm。在本发明的实施例中，所述隔离层421的形成工艺为离子注入，具体为在所述第二感光区419的顶部形成离子注入窗口，通过所述离子注入窗口向所述第二感光区419的顶部注入浓度为1E13 5E14/cm2的第二类型掺杂的离子，即P型离子。在本发明的其他实施例中，还可以分别在所述第二感光区419的顶部和侧壁、以及第一感光区405的顶部形成离子注入窗口，通过所述离子注入窗口向所述第二感光区 419的顶部和侧壁、以及所述第一感光区405的顶部注入浓度为1E13 5E14/cm2的第二类型掺杂的离子，即P型离子，形成环绕所述第二感光区419的侧壁、并覆盖所述第二感光区 419的顶部和所述第一感光区405的顶部的隔离层421。需要说明的是，在本发明的其他实施例中，所述第二类型掺杂的离子也可以为N 型离子，只要满足第一类型掺杂的离子和第二类型掺杂的离子的极性相反即可。请参考图9，形成位于所述绝缘层408表面的介质层423。所述介质层423中形成有末端导电插塞425，所述末端导电插塞425与所述绝缘层408内的金属层415相连，所述介质层423用于隔离所述第二感光区419。在本发明的实施例中，所述介质层423的厚度为700~900 A。与现有技术的CMOS图像传感器相比，光线穿过所述微透镜、第二平坦层、彩色滤光片、第一平坦层后，只需再穿过薄薄的介质层423即到达第二感光区419，而不必再穿过绝缘层408，光线从微透镜表面到达感光单元的第二感光区419的距离大大减小，降低了光线的损失，提高了 CMOS图像传感器的成像质量。需要说明的是，在本发明的其他实施例中，所述介质层423中也可以为多层堆栈的结构，与现有技术相比，其光线的利用率和成像质量也都可以得到提高。在执行完步骤S301 步骤S306后，本发明实施例的CMOS图像传感器的形成方法还包括形成位于所述介质层423表面的第一平坦层426 ；形成位于所述第一平坦层似6表面的彩色滤光片427 ；形成位于所述彩色滤光片427表面的第二平坦层429 ；形成位于所述第二平坦层4 表面的微透镜431。本发明实施例的CMOS图像传感器的形成方法，形成的CMOS图像传感器的光线信号损失率降低，不易漏电，成像质量高。综上，本发明的实施例的CMOS图像传感器的感光单元包括位于基底内的第一感光区和位于绝缘层内的第二感光区，光线穿过微透镜、第二平坦层、彩色滤光片、第一平坦层后，只需再穿过薄薄的介质层即到达第二感光区。因此，光线从微透镜表面到达感光单元的第二感光区表面的距离减小，使得光线信号损失率降低，CMOS图像传感器的成像质量提
尚ο进一步的，本发明的实施例CMOS图像传感器，具有环绕所述第一感光区的侧壁的掺杂阱，以及位于所述开口内、环绕所述第一感光区和第二感光区的侧壁并覆盖所述第二感光区的顶部的隔离层。所述掺杂阱和隔离层的掺杂类型与第一感光区、第二感光区的掺杂类型相反，可以有效防止所述第一感光区、第二感光区产生的电子溢出，导致漏电，从而进一步提高了 CMOS图像传感器的成像质量。本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
权利要求
1.一种CMOS图像传感器，包括具有第一掺杂类型的基底；位于所述基底内且与所述基底的表面齐平的第一感光区，所述第一感光区具有第二掺杂类型；位于所述基底表面的绝缘层；其特征在于，还包括位于所述绝缘层内的开口，所述开口暴露出第一感光区；位于所述开口内、与所述第一感光区相连的第二感光区，所述第二感光区具有第二掺杂类型。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第二感光区的宽度比第一感光区的宽度小0. 2 0. 3 μ m。
3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括位于所述基底内、与所述基底齐平且环绕所述第一感光区的掺杂阱，所述掺杂阱具有第一掺杂类型。
4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括位于所述开口内、并覆盖所述第二感光区的顶部的隔离层；位于所述绝缘层表面的介质层。
5.如权利要求4所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括位于所述绝缘层内、与所述掺杂阱电连接的至少一个导电插塞；与所述导电插塞电连接的金属层；位于所述介质层内的末端导电插塞，所述末端导电插塞与所述绝缘层内的金属层电连接。
6.如权利要求4所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔离层具有第一掺杂类型， 所述隔离层的离子浓度为1E13 5E14/cm2，所述隔离层的厚度为IOnm 50nm。
7.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一感光区和第二感光区的离子浓度为1E13 5E14/cm2。
8.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述基底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的外延层。
9.如权利要求8所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述半导体衬底的离子浓度为 1E14 lE16/cm2 ；所述外延层的离子浓度为1E13 5E14/cm2。
10.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，当所述第一掺杂类型为P型时，第二掺杂类型为N型；当所述第一掺杂类型为N型，第二掺杂类型为P型。
11.一种如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，包括提供具有第一掺杂类型的基底；形成位于所述基底内且与所述基底的表面齐平的第一感光区，所述第一感光区具有第二掺杂类型；形成位于所述基底表面的绝缘层；其特征在于，还包括形成位于所述绝缘层内的开口，所述开口暴露出第一感光区；形成位于所述开口内、与所述第一感光区相连的第二感光区，所述第二感光区具有第二掺杂类型。
12.如权利要求11所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二感光区的形成工艺为选择性外延生长工艺和原位掺杂。
13.如权利要求12所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二感光区的形成步骤为在温度为300°C到450°C的腔室内，向所述开口内通入比值为3 1 1 1 的SiH2Cl2和HCl的混合气体，所述混合气体中还掺杂有浓度为1E13 5E14/cm2的N型离子，形成硅薄膜作为第二感光区。
14.如权利要求11所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括形成位于所述基底内、与所述基底齐平且环绕所述第一感光区的掺杂阱，所述掺杂阱具有第一掺杂类型；形成位于所述开口内、并覆盖所述第二感光区的顶部的隔离层；形成位于所述绝缘层表面的介质层。
15.如权利要求14所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述隔离层的形成工艺为离子注入。
全文摘要
一种CMOS图像传感器，包括具有第一掺杂类型的基底；位于所述基底内且与所述基底的表面齐平的第一感光区，所述第一感光区具有第二掺杂类型；位于所述基底表面的绝缘层；位于所述绝缘层内的开口，所述开口暴露出第一感光区；位于所述开口内、与所述第一感光区相连的第二感光区，所述第二感光区具有第二掺杂类型。本发明实施例的CMOS图像传感器通过第二感光区的形成，从而提高感光区的整体高度，获得的成像质量好，且形成工艺简单。
文档编号H01L27/146GK102332459SQ201110213090
公开日2012年1月25日 申请日期2011年7月28日 优先权日2011年7月28日
发明者张博 申请人:上海宏力半导体制造有限公司