一种Mg_xZn_1-xO电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法

专利名称：一种Mg_xZn_1-xO电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法
技术领域：
本发明涉及微电子学和光电子学中的材料与器件领域，具体是一种MgxSvxO电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法。
背景技术：
半导体存储器阵列结构可以包括多个互联存储单元。例如，动态随机存取存储器 (DRAM)的单位存储单元可以包括开关和电容器。DRAM可以具有更高的集成度和更快的操作速度。然而，当电源关闭时，会从DRAM中擦除所有已存储的数据，即挥发性，使数据丢失。另一方面，闪速存储器可以作为当电源被关闭时能够保存已存储数据(与挥发性存储器不同)的非挥发性存储器的代表，但集成速度和操作速度比DRAM低。随着传统存储单元的结构发展已逼近尺寸极限，已有大量的学术研究研发多种新型非易失性存储器，其中最有市场潜力的包括可变电阻式(RRAM)存储器、磁存储器(MRAM)、铁电存储器(FRAM) 和相变存储器(PRAM)。MRAM可以利用隧道结极化方向的改变来存储数据，但存取速度较慢。FRAM可以利用铁电体的极化特性来存储数据，操作速度更快，但数据保持能力有待提高。PRAM依赖于特定材料的相变电阻改变来存储数据，存储单元包括电阻器和开关晶体管， 然而，当采用传统的DRAM工艺来制造PRAM时，刻蚀会更加困难，并且会需要更长的时间周期，低的生产率和高的单位成本会降低市场竞争力。自2000年美国休斯顿大学首次报道在锰氧化物薄膜中发现电脉冲触发可逆电阻 (EPIR:Electrical pulse induced resistance-change)效应以来，基于这种效应的新型可变电阻随机存储器(RRAM)的开发受到高度关注。在RRAM中，存储状态通过阻变材料电阻的差异而显现。当等于或大于设置电压(set voltage)的电压施加到阻变材料时，可以降低阻变材料的电阻，这与ON状态对应。当将等于或大于复位电压的电压施加到阻变材料时，可以增加阻变材料的电阻，这与OFF状态对应。这种存储器具有非挥发性、记忆状态的稳定性、操作电压低、成本低、速度快、存储密度高、制造简单且与当前CMOS (互补金属-氧化物-半导体)集成电路工艺兼容性好等优势。因此，近年来国际上很多电子和半导体公司投下了大量的财力与人力致力于RRAM的研究。正在从事开发RRAM技术的公司有Smrp、 Sony、Samsung Electronics、LSI Logic、Matssushita Electric Industrial、Winbond Electronics等。另外专门有一家总部设在加州Petauluma的半导体制造设备供货商Tegal 提供相关的RRAM设备。Siarp与University of shizouka合作，已开发出一个高速RRAM 的原型产品，其数据的读写速度快于NAND型闪存三个数量级。近来，在多种材料体系中均发现了电阻转变及记忆特性，比如稀土锰氧化物材料 (Pr0.7Ca0.3Mn03等)、过渡金属钙钛矿型结构材料(SrZrTi03、SrTiO3等)、二元过渡金属氧化物材料(NiO、TiO2, CuxO, Cu-MoOx, ZnO,Mg-ZnO, Co-ZnO、Mn-ZnO、Fe2O3> ZrO2 等)、有机高分子半导体材料(pentacene等)以及一些硫化物材料。对于电阻式存储器的实用化，提高阻变材料高低阻态的电阻比值及性能稳定性，减小设置电压(Vset)和复位电压(Vreset)J^S材料的制备成本等都是非常必要的。目前，获得具有稳定电阻转变及记忆特性的材料体系是实现RRAM存储进一步发展的关键问题。二元过渡金属氧化物材料不仅具有组分和晶体结构简单、制备温度低、重复性好等优点，而且与半导体CMOS工艺兼容，有利于实现其实用化目标。

发明内容
本发明的目的在于提供一种在镀有透明导电氧化物薄膜的玻璃衬底上制备 MgxZrvxO电致阻变薄膜的溶胶-凝胶(sol-gel)工艺方法和“金属薄膜/%χ&νχ0/透明导电氧化物薄膜”非对称结构异质结的制备方法。本发明提出的一种MgxSvxO电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法，包括如下步骤
(1)以镀有透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底，并对衬底进行表面处理和清洗；
(2)配制M^iZrvxO溶胶；
(3)将配制好的溶胶滴到衬底上，再进行勻胶，制作湿膜；
(4)勻好胶的湿膜在90°C_120°C下进行低温烘干处理，去除湿膜中的碳、氢成分；
(5)将烘干处理过的薄膜在320°C-390°C温度下进行预热处理；
(6)重复上述步骤(3)-(5)，根据所需薄膜的厚度确定重复次数，直至获得所需厚度的 MgxZn1^xO 薄膜；
(7)将MgxSvxO薄膜在空气气氛、400°C-520°C温度下进行30-60分钟的退火处理，使薄膜晶化；
(8)样品自然冷却后即可获得M^iZrvxO电致阻变薄膜；
(9)在MgxSvxO电致阻变薄膜表面上采用直流磁控溅射工艺制备金属上电极薄膜，获得“金属薄膜/MgxSvxO/透明导电氧化物薄膜”非对称结构异质结。其中
步骤(1)所述的透明导电氧化物薄膜可以是氧化铟锡(ITO)、氧化锌铝(AZO)等，而且镀有透明导电氧化物薄膜玻璃衬底的表面处理和清洗工艺要求和步骤是
①用氢氧化钠溶液浸泡M小时，去除残留在表面的附着物；
②丙酮中超声清洗10-15分钟，去除衬底表面有机物；
③乙醇中超声清洗8-15分钟，除掉衬底表面的碳氢化合物；
④最后用去离子水超声清洗10分钟，去除残留的乙醇。步骤(2)所述的配制M^iSvxO溶胶的原料为醋酸锌(Zn (CH3COO) 2 ·2Η20)、四水乙酸镁(Mg (CH3COO)2 ·4Η20)，乙二醇甲醚(CH3OCH2CH2OH),乙醇胺，异丙醇。四水乙酸镁 醋酸锌的摩尔比为0.11-0. 67 1.00，作为溶质；乙醇胺作为稳定剂，且溶质乙醇胺的摩尔比为0.80-1. 10:1.00 ；乙二醇甲醚异丙醇的体积比为0.8-1. 10 1.00，作为溶剂，且 0. 25-0. 55摩尔溶质配1000毫升溶剂；
上述原料的最佳配比为溶质四水乙酸镁醋酸锌的摩尔比为0.25 1.00;溶质乙醇胺的摩尔比为1. 00:1. 00 ；溶剂乙二醇甲醚异丙醇的体积比为1. 00 1. 00 ；0. 30摩尔溶质配1000毫升溶剂；
上述配制MgxSvxO溶胶的制备方法，包括下述步骤①在洗净干燥的容器中加入适量的乙二醇甲醚和异丙醇；
②将称量好的醋酸锌、四水乙酸镁粉末放入容器中；
③将适量的乙醇胺稳定剂倒入容器中；
④恒温磁力搅拌器的温度设置为25°C，将前述溶液置于磁力搅拌器上搅拌12小时， 使之反应均勻充分，得到透明均质的MgxSvxO溶胶。步骤(9)所述的金属上电极薄膜可以是银(Ag)等金属材料，且所述的直流磁控溅射制备金属上电极薄膜的工艺方法和要求是
①用开有很多直径为0.5mm小孔的掩膜覆盖在MgxSvxO电致阻变薄膜上面，镀膜后可获得点状金属薄膜电极；
②已制备MgxSvxO/透明导电氧化物薄膜的样品衬底温度为200-300°C，溅射功率为 70-100W，本底真空为3-5 X10_3Pa，溅射气氛为Ar气，其压强为20_30Pa ；
③金属电极薄膜的厚度约50-60nm；
MgxSvxO电致阻变薄膜及“金属薄膜/MgxSvxO/透明导电氧化物薄膜”结构异质结的制备工艺流程如图1所示。为了对M^iZrvxO电致阻变薄膜及“金属薄膜/%χ&νχ0/透明导电氧化物薄膜”异质结进行电性能测试，需要腐蚀掉一部分MgxSvxO电致阻变薄膜露出透明导电氧化物薄膜底电极。制备出的“金属薄膜/%xavxo/透明导电氧化物薄膜”异质结测试结构如图2所
7J\ O本发明的优点是(1)采用Sol-Gel工艺制备MgxZrvxO电致阻变薄膜，薄膜的组分控制精确，而且易于调整(掺杂)组分，能够大面积制膜，成本低；(2)采用多次勻胶，分层预热的工艺方案，可提高结晶度，减少薄膜内应力，提高薄膜的性能，特别是具有较高的高/ 低电阻比值和较低的设置电压及复位电压；(3)所制备的“金属薄膜/电致阻变薄膜/透明导电氧化物薄膜”为非对称结构异质结，可大大提高电致阻变薄膜的抗疲劳特性，并可应用于透明电子领域。


图1为本发明M^iZrvxO电致阻变薄膜及“金属薄膜/%χ&νχ0/透明导电氧化物薄膜”结构异质结的制备工艺流程图
图2为本发明“金属薄膜/MgxSvxO /透明导电氧化物薄膜”异质结测试结构示意3为实施例1的镀有ITO透明导电氧化物薄膜玻璃衬底上制备的M^l2Zna8O电致阻变薄膜的XRD图
图4为实施例1的“Ag/M&2Zna80 /ΙΤ0”异质结的特征曲线5为采用同样工艺、未进行Mg掺杂的“Ag/aiO /ΙΤ0”异质结的特征I-V曲线6为实施例1 "Agz^fea2Zna8O /ΙΤ0”异质结的开关循环电阻变化图
具体实施例方式MgxSvxO溶胶配方为(a)溶质四水乙酸镁(Mg (CH3COO) 2 · 4H20)和醋酸锌(Zn (CH3COO)2 ·2Η20)的摩尔比为0. 11-0. 67 1. 00 ;(b)乙醇胺作为稳定剂，且溶质乙醇胺的摩尔比为0.80-1. 10:1.00 ； (c)溶剂乙二醇甲醚异丙醇的体积比为0.8-1. 10 1.00，且0. 25-0. 55摩尔的溶质配1000毫升溶剂。实施例1
(1)以镀有ITO透明导电薄膜的玻璃作为衬底，对玻璃衬底进行表面处理和清洗
①用氢氧化钠溶液浸泡M小时，去除残留在表面的附着物；
②丙酮超声清洗10-15分钟，去除衬底表面有机物；
③乙醇超声清洗8-15分钟，除掉玻璃表面的碳氢化合物；
④最后用去离子水超声清洗10分钟，去除残留的乙醇。(2)采用下述原料(其纯度均为分析纯99. 99%)配制M^l2Zna8O溶胶
醋酸锌( (CH3COO) 2 · 2H20)52. 68 克
四水乙酸镁(Mg (CH3COO) 2 · 4H20)12. 867 克
乙醇胺20. 00毫升
乙二醇甲醚500毫升
异丙醇500毫升
其中(a)溶质四水乙酸镁(Mg (CH3COO)2 · ■)醋酸锌的摩尔比为0.25 1.00， 稳定剂乙醇胺为20. 00毫升；(b)0. 30摩尔溶质配1000毫升溶剂(其中含乙二醇甲醚500
毫升、异丙醇500毫升)。(3)将配制好的M^l2Zna8O溶胶滴1_2滴到镀有ITO薄膜的玻璃衬底上，启动勻胶机进行勻胶，形成湿膜；
(4)勻好胶的湿膜在100°C下进行低温烘干处理，去除湿膜中的碳、氢成分；
(5)将烘干过的薄膜在350°C的恒温热盘上进行预热处理；
(6)重复上述步骤(3)-(5)4次，获得Mg。.2Z%80薄膜；
(7)将M^l2Zna8O薄膜在空气环境中进行退火，退火温度为500°C，时间为30分钟，使薄膜晶化；
(8)样品自然冷却后即可获得M^l2Zna8O电致阻变薄膜；
(9)在M^2Zna8O电致阻变薄膜表面上采用直流磁控溅射工艺制备Ag上电极薄膜，获得“Ag/M^^Zr^O/ITO”非对称结构异质结
①用开有很多直径为0.5mm小孔的掩膜覆盖在M^l2Zna8O电致阻变薄膜上面；
②溅射时衬底温度为250°C，溅射功率为80W，本底真空为4X10_3Pa，溅射气氛为Ar 气，其压强为25Pa；
③金属电极薄膜的厚度为50nm。Mg0.2Zn0.80电致阻变薄膜及“Ag/M^2Ζη0.80/ΙΤ0”结构异质结的制备工艺流程如图 1所示。为了对“Ag/M^^ZnuO/ITO”异质结进行电性能测试，需要腐蚀掉一部分 Mg0.2Zn0.80薄膜露出ITO底电极。制备出的Ag/Mg0.2Zn0.80 /ITO异质结测试结构如图2所不。实施例2
(1)以镀有AZO透明导电薄膜的玻璃作为衬底，对玻璃衬底进行表面处理和清洗
①用氢氧化钠溶液浸泡M小时，去除残留在表面的附着物；
②丙酮超声清洗10-15分钟，去除衬底表面有机物；③乙醇超声清洗8-15分钟，除掉玻璃表面的碳氢化合物；
④最后用去离子水超声清洗10分钟，去除残留的乙醇。 (2)采用下述原料(其纯度均为分析纯99. 99%)配制M^l2Zna8O溶胶
其中(a)溶质四水乙酸镁(Mg (CH3COO)2 · ■)醋酸锌的摩尔比0.25 1.00，稳定剂乙醇胺为30. 00毫升；(b) 0. 50摩尔溶质配1000毫升溶剂(其中含乙二醇甲醚500
毫升、异丙醇500毫升)。(3)将配制好的M^l2Zna8O溶胶滴1_2滴到镀有AZO薄膜的玻璃衬底上，启动勻胶机进行勻胶，形成湿膜；
(4)勻好胶的湿膜在100°C下进行低温烘干处理，去除湿膜中的碳、氢成分；
(5)将烘干过的薄膜在380°C的恒温热盘上进行预热处理；
(6)重复上述步骤(3)-(5)5次，获得Mga2Zna8O薄膜；
(7)将M^l2Zna8O薄膜在空气环境中进行退火，退火温度为480°C，时间为40分钟，使薄膜晶化；
(8)样品自然冷却后即可获得M^l2Zna8O电致阻变薄膜；
其余同实施例1。Mg0.2Zn0.80电致阻变薄膜及"Agz^a2Zna80/ΑΖ0”结构异质结的制备工艺流程如图1所示，制备出的Ag/M^2Ζ%80/ΑΖ0异质结测试结构如图2所示。 实施例3
(1)以镀有ITO透明导电薄膜的玻璃作为衬底，对玻璃衬底进行表面处理和清洗
①用氢氧化钠溶液浸泡M小时，去除残留在表面的附着物；
②丙酮超声清洗10-15分钟，去除衬底表面有机物；
③乙醇超震8-15分钟，除掉玻璃表面的碳氢化合物；
④最后用去离子水超震10分钟，去除残留的乙醇。(2)采用下述原料(其纯度均为分析纯99. 99%)配制^na9O溶胶 醋酸锌( (CH3COO) 2 · 2H20)59. 265 克
四水乙酸镁(Mg (CH3COO) 2 · 4H20) 6. 4335 克乙醇胺20. 00毫升
乙二醇甲醚500毫升
异丙醇500毫升
其中(a)溶质四水乙酸镁(Mg (CH3COO)2 · ■)醋酸锌的摩尔比0.11 1.00，稳定剂乙醇胺为20. 00毫升；(b) 0. 30摩尔溶质配1000毫升溶剂(其中含乙二醇甲醚500
毫升、异丙醇500毫升)。(3)将配制好的M^llZna9O溶胶滴1_2滴到镀有ITO薄膜的玻璃衬底上，启动勻胶机进行勻胶，形成湿膜；
醋酸锌(Zn (CH3COO)2 · 2H20)
四水乙酸镁(Mg (CH3COO) 2 · 4H20)
乙醇胺
乙二醇甲醚
异丙醇
87. 80 克 21. 445 克
30. 00毫升 500毫升 500毫升(4)勻好胶的湿膜在100°C下进行低温烘干处理，去除湿膜中的碳、氢成分；
(5)将烘干过的薄膜在350°C的恒温热盘上进行预热处理；
(6)重复上述步骤(3)-(5)5次，获得^^!!。.…薄膜；
(7)将M^1.Zna90薄膜在空气环境中进行退火，退火温度为500°C，时间为30分钟，使薄膜晶化；
(8)样品自然冷却后即可获得M^llZna9O电致阻变薄膜；
(9)在M^1.乂％90电致阻变薄膜表面上采用直流磁控溅射工艺制备Ag上电极薄膜获得 "Ag/Mg0.2Zn0.80/IT0"非对称结构异质结
①用开有很多直径为0.5mm小孔的掩膜覆盖在M^llZna9O电致阻变薄膜上面；
②溅射时衬底温度为300°C，溅射功率为100W，本底真空为5X10_3Pa，溅射气氛为Ar 气，其压强为20Pa；
③金属电极薄膜的厚度约60nm。其余同实施例1。Mg0.!Zn0.90电致阻变薄膜及"AgZ^aiZna9OATO"结构异质结的制备工艺流程如图1所示，制备出的“Ag/M^iZnuO/ITO”异质结测试结构如图2所示。在上述所有实施例中，步骤(1)可以移至步骤( 之后进行。对典型IfexZrvxO电致阻变薄膜和“Ag/%xavx0/ITO”异质结的结构和性能测试如下
在镀有ITO透明导电薄膜的玻璃衬底上，Mg0.2Zn0.80电致阻变薄膜的XRD如图3所示， “Ag/%a2Zna80/IT0”异质结的特征/-K曲线如图4所示，其电阻转变过程可以描述为薄膜初始处于一高阻态，电流值极低，当施加正向电压达到0. 8V时，薄膜转变为低阻态，电流急剧上升，然后，当施加负向电压达到-1. 8V时，薄膜恢复到高阻态，如此一个循环，施加电压时，顶电极Ag为正方向，底电极ITO为负方向，使薄膜变为低阻态时施加的电压称为设置电压，使薄膜恢复到高阻态时所施加的电压称为复位电压。与图5未进行Mg掺杂的“Ag/SiO/ IT0”异质结的特征/-Z曲线相比可以看出，Mg掺杂明显提高TM^l2Zna8O电致阻变薄膜的高低阻态比，同时Mg掺杂后M^2Zna8O薄膜的设置电压由未掺杂时的1. 8V降低到0. 8V、复位电压由2. 5V降低到1. 8V。图6为“Ag/%a2Zna80/IT0”异质结经历160次开关循环的电阻变化图，可见高阻态在250 Ω 1500 Ω，低阻态在40 Ω 60 Ω，高/低阻态之间的切换6 40倍的电阻变化空间，并表现出很好的重复性和稳定性，说明具有良好的抗疲劳特性。虽然本发明已以较佳实施例公开如上，但并非限定本发明。
权利要求
1.一种MgxZrvxO电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法，其特征在于包括如下步骤(1)以镀有ΙΤ0、ΑΖ0等透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底，并对衬底进行表面处理和清洗；(2)配制MgxZn1^xO 溶胶；(3)将配制好的溶胶滴到衬底上，再进行勻胶，制作湿膜；(4)对勻好胶的湿膜进行低温烘干处理，去除湿膜中的碳、氢成分；(5)将烘干处理过的薄膜进行预热处理；(6)重复上述步骤(3)-(5)，根据所需薄膜的厚度确定重复次数，直至获得所需厚度的 MgxZn1^xO 薄膜；(7)对上述MgxSvxO薄膜在空气环境、一定温度下进行退火处理，使薄膜晶化；(8)样品自然冷却后即可获得M^iZrvxO电致阻变薄膜；(9)在MgxSvxO电致阻变薄膜表面上采用直流磁控溅射工艺制备金属上电极薄膜，获得“金属薄膜/MgxSvxO/透明导电氧化物薄膜”非对称结构异质结。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是步骤(1)所述的镀有ITO、AZO等透明导电氧化物薄膜玻璃衬底的表面处理和清洗工艺步骤是①用氢氧化钠溶液浸泡M小时，去除残留在表面的附着物；②丙酮中超声清洗10-15分钟，去除衬底表面有机物；③乙醇中超声清洗8-15分钟，除掉衬底表面的碳氢化合物；④最后用去离子水超震10分钟，去除残留的乙醇。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是步骤(2)所述的配制MgxSvxO溶胶的原料为醋酸锌(Zn(CH3COO)2 · 2H20)，四水乙酸镁(Mg (CH3COO)2 · 4H20),乙二醇甲醚 (CH3OCH2CH2OH),乙醇胺，异丙醇；四水乙酸镁醋酸锌的摩尔比为0. 11-0.67 1.00，作为溶质；乙醇胺作为稳定剂，且溶质乙醇胺的摩尔比为0.80-1.10:1. 00;乙二醇甲醚异丙醇的体积比为0.8-1. 10 1.00，作为溶剂，且0.25-0. 55摩尔溶质配1000毫升溶剂。
4.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征是步骤(2)所述的配制MgxSvxO溶胶的原料最佳配比为溶质四水乙酸镁醋酸锌的摩尔比为0. 25 1. 00 ；溶质乙醇胺的摩尔比为1.00:1.00 ；溶剂乙二醇甲醚异丙醇的体积比为1.00 1.00 ;0. 30摩尔溶质配 1000毫升溶剂。
5.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征是步骤(2)中所述MgxSvxO溶胶的制备方法，包括下述步骤①在洗净干燥的容器中加入适量的乙二醇甲醚和异丙醇；②将称量好的醋酸锌、四水乙酸镁粉末放入容器中；③将适量的乙醇胺溶剂倒入容器中；④恒温磁力搅拌器的温度设置为25°C，将前述溶液置于磁力搅拌器上搅拌12小时， 使之反应均勻充分，得到透明均质的MgxSvxO溶胶。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是步骤(4)、(5)和(7)中MgxSvxO薄膜的热处理条件为先在90-120°C温度下进行烘干， 后在320-390°C温度下进行预热处理，最后在温度为400-520°C、空气环境下退火30-60分钟。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是步骤(9)所述的金属上电极薄膜为银。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是步骤(9)所述的直流磁控溅射制备金属上电极薄膜的工艺方法是①用开有很多直径为0.5mm小孔的掩膜覆盖在MgxSvxO电致阻变薄膜上面，镀膜后可获得点状金属薄膜电极；②已制备MgxSvxO/透明氧化物薄膜的样品衬底温度为200-300°C，溅射功率为 70-100W，本底真空为3-5 X10_3Pa，溅射气氛为Ar气，其压强为20_30Pa ；③金属电极薄膜的厚度约50-60nm。
9.用权利要求1-6之一所述的制备方法制备的一种MgxSvxO电致阻变薄膜。
10.用权利要求1-8之一所述的制备方法制备的一种MgxSvxO电致阻变薄膜非对称结构异质结。
全文摘要
本发明公开了一种MgxZn1-xO电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法，它是以镀有ITO、AZO等透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底；将配制好的MgxZn1-xO溶胶滴到衬底上，再进行匀胶，制作湿膜，并进行低温烘干处理；将烘干处理过的薄膜进行预热处理；直至获得所需厚度的MgxZn1-xO薄膜；对上述MgxZn1-xO薄膜进行退火处理，使薄膜晶化；样品自然冷却后即可获得MgxZn1-xO电致阻变薄膜；再在薄膜表面上采用直流磁控溅射工艺制备金属上电极薄膜，获得“金属薄膜/MgxZn1-xO/透明导电氧化物薄膜”非对称结构异质结。本发明的优点是(1)能够大面积制膜，成本低；(2)具有较高的高/低电阻比值和较低的设置电压及复位电压；(3)可大大提高电致阻变薄膜的抗疲劳特性，并可应用于透明电子领域。
文档编号H01L45/00GK102255045SQ201110224038
公开日2011年11月23日 申请日期2011年9月20日 优先权日2011年9月20日
发明者周尚菊, 杨玲, 王 华, 许积文, 高书明 申请人:桂林电子科技大学