层叠陶瓷电子部件的制作方法

文档序号:7160315阅读:187来源:国知局
专利名称:层叠陶瓷电子部件的制作方法
技术领域
本发明涉及层叠陶瓷电子部件,特别是涉及具有适于陶瓷层的薄层化以及多层化的构造的层叠陶瓷电子部件。
背景技术
近年来,便携式电话、笔记本电脑、数码照相机、数字视频设备等的小型便携式电子设备的市场不断扩大。在这些便携式电子设备中,小型化不断进展,另一方面,同时高性能化也在不断进展。这些便携式电子设备中搭载了大量的层叠陶瓷电子部件,并对这些层叠陶瓷电子部件要求高性能化,例如,对层叠陶瓷电容器要求大容量化。对应该要求,在层叠陶瓷电容器中,陶瓷层的薄型化不断进展,由此陶瓷层的层叠片数也有增加的倾向。通常,在制造层叠陶瓷电子部件时,在烧制后,在成为陶瓷层的陶瓷生片上印刷内部电极图案,层叠陶瓷生片以使得内部电极图案在规定的方向上错开,并层叠主组件(mother block),将主组件切割成规定尺寸,由此切割出生芯片(green chip)。在该制造方法中,为了不因层叠错位或切割错位而导致在生芯片侧面露出内部电极图案,需要在生芯片侧面和内部电极图案的侧边之间确保侧隙(side gap)区域的裕量。但是,在发展层叠陶瓷电子部件的小型化的情况下,侧隙区域的面积相对于内部电极的面积的比例变大,则该变大的部分就不得不降低层叠陶瓷电容器的容量。针对该问题,在专利文献1中,记载了如下技术准备内部电极的两侧端缘在层叠体侧面露出的层叠体,通过在该层叠体侧面粘贴陶瓷生片来形成侧隙区域,能实现层叠电容器的小型化以及大容量化。但是,在专利文献1所记载的技术中,在粘贴陶瓷生片前的层叠体中,由于没有侧隙区域,因此在层叠方向上陶瓷层彼此密切接触的部位变少,由此,容易产生分层(delamination)。并且,本发明的发明者发现特别是在外层(未形成内部电极的上下的陶瓷层)附近的内部电极引出部的拐角(切割后在生芯片的拐角部露出的部分)中,变得容易产生分层。推测这是因为在将主组件切断为规定的尺寸时应力容易集中,粘结面积较小的拐角部容易成为产生分层的起点。另外,同样的问题并不限于层叠陶瓷电容器,在层叠陶瓷电容器以外的层叠陶瓷电子部件中也会遇到。专利文献专利文献1 JP特开平6-;349669号公报

发明内容
因此,本发明的目的在于要提供一种能解决上述的问题的层叠陶瓷电子部件。本发明面向层叠陶瓷电子部件,该层叠陶瓷电子部件具备部件主体,其具有彼此对置的1对主面、彼此对置的1对侧面、彼此对置的1对端面,且沿着侧面和端面之间的棱线形成带有圆形的倒棱部,并且部件主体具有多个陶瓷层和多对内部电极,其中,多个陶瓷层在主面方向上延伸且在和主面正交的方向上层叠,多对内部电极沿着陶瓷层间的界面形成且具有在1对端面中的任一端面露出的露出端,并不在侧面露出;和外部电极,其形成在部件主体的至少1对端面上,以和内部电极的各露出端电连接。上述内部电极具有对置部,其具有与侧面平行的1对侧边,并且隔着陶瓷层和其它的内部电极对置;和引出部,其从对置部被引出到端面,在其端部形成露出端。本发明为了解决前述的技术课题,特征在于,从连接侧面间的宽度方向观察,上述引出部的露出端的宽度比上述对置部的宽度形成得窄,由此,在引出部的两侧并且在引出部的侧边和侧面之间,形成裕量区域,在该各裕量区域形成伪电极,在对置部的与侧面对置的侧边的延长线和引出部的和侧面对置的侧边之间所夹持的区域中,伪电极被配置为不碰到与侧面对置的侧边的延长线上。优选的是,伪电极的侧面侧的侧边和与该侧边对置的侧面之间的间隔,比伪电极的引出部侧的侧边和与该侧边对置的引出部的侧边之间的间隔要宽。另外,优选的是,各伪电极由在与侧面平行的方向上线状延伸的多个电极片构成。发明效果根据本发明,通过使内部电极的引出部的宽度比对置部的宽度窄,能使内部电极的引出部的拐角(切割后露出生芯片的拐角部的部分)向内侧退避。因此,能抑制切断时应力集中的影响所引起的分层。另外,在形成于内部电极的引出部的两侧的裕量区域中,由于陶瓷层彼此密切接触,因此这样也能贡献于分层的抑制。另一方面,上述裕量区域成为未形成内部电极的区域,再次直面高低差的问题。但是,根据本发明,由于在裕量区域形成伪电极,因此能通过伪电极消除或减轻上述高低差问题。在本发明中,伪电极的侧面侧的侧边和与该侧边对置的侧面之间的间隔,比伪电极的引出部侧的侧边和与该侧边对置的引出部的侧边之间的间隔宽,或者,各伪电极由在与侧面平行的方向上线状延伸的多个电极片构成,上述方式在平衡性良好地实现高低差抑制和分层抑制的两者中,有效地发挥了作用。


图1是表示作为本发明的第1实施方式的层叠陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器1的外观的立体图。图2是沿着线A-A的剖面图。图3是表示图1所示的层叠陶瓷电容器1所具有的部件主体2的内部构造的俯视图。图4是图3的左上部分的放大图。图5是在图1所示的层叠陶瓷电容器1所具有的部件主体2的端面图。图6是表示为了制造图1所示的层叠陶瓷电容器1而准备的形成了内部电极图案42的陶瓷生片41的俯视图。图7将图6所示陶瓷生片41层叠的状态放大来表示的俯视图。
图8是表示切断层叠图6以及图7所示的陶瓷生片41而成的主组件48而获得的生芯片49的外观的立体图。图9是表示在图8所示的生芯片49上形成陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14的状态的立体图。图10表示作为本发明的第2实施方式的层叠陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器所具备的部件主体2的内部构造,是与图3对应的俯视图。图11表示作为本发明的第3实施方式的层叠陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器所具备的部件主体2的内部构造,是与图3对应的俯视图。符号的说明1层叠陶瓷电容器2部件主体3、4 主面5、6 侧面7、8 端面9 陶瓷层10、11 内部电极12 层叠部13、14 陶瓷侧面层15、16 露出端17、18 外部电极19 21 倒棱部22、23、26、27 对置部的侧边24,28 对置部25,29 引出部33 裕量区域34、35 伪电极36对置部的侧边的延长线37 引出部的侧边38、39伪电极的侧边40 电极片
具体实施例方式下面,在说明用于实施本发明的实施方式时,例示了层叠陶瓷电容器作为层叠陶瓷电子部件。图1到图9是用于说明本发明的第1实施方式的附图。首先,如图1到图5所示,层叠陶瓷电容器1具备部件主体2。部件主体2是大致长方体,具有彼此对置的1对主面3以及主面4,彼此对置的1对侧面5以及侧面6,彼此对置的1对端面7以及端面8。如图2以及图5所示,部件主体2具有层叠部12,该层叠部12具有的层叠构造由在主面3以及主面4的方向上延伸且在与主面3以及主面4正交的方向上层叠的多个陶瓷层9、沿着陶瓷层9间的界面而形成的多对第1内部电极10以及第2内部电极11构成。另外,如图5所示,部件主体2具有在层叠部12的各侧面上配置的1对陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14,以构成前述的1对侧面5以及侧面6。陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14优选彼此厚度相同。另外,图2以及图5中,和其它的附图相比,厚度方向的尺寸被夸张。关于内部电极10以及内部电极11的形状的详细在后面进行叙述,第1内部电极10具有在第1端面7露出的露出端15,第2内部电极11具有在第2端面8露出的露出端16。但是,前述的陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14为了构成侧隙区域,内部电极10以及内部电极11不从部件主体2的侧面5以及侧面6露出。层叠陶瓷电容器1还具备分别形成于部件主体2的至少1对端面7以及端面8上的外部电极17以及外部电极18,用来分别与内部电极10以及内部电极11的各露出端15以及露出端16电连接。如图3以及图4所示,在部件主体2,沿着侧面5以及侧面6的每一个面和端面7以及端面8的每一个面之间的棱线,形成具有圆形的倒棱部19,另外,如图5所示,沿着主面3以及主面4的每一个面和侧面5以及侧面6的每一个面之间的棱线,形成具有圆形的倒棱部20,进而,如图2所示,在主面3以及主面4的每一个面和端面7以及端面8的每一个面之间,形成具有圆形的倒棱部21。如图3所示,第1内部电极10具有对置部M和引出部25,其中对置部M具有与侧面5以及侧面6平行的1对侧边22以及侧边23,并且隔着陶瓷层9和第2内部电极11对置;引出部25从对置部对引出到第1端面7,在其端部形成前述的露出端15。在图5中,图示了在第1端面7露出的第1内部电极10的露出端15。关于第1内部电极10的平面形状,在连接侧面5以及侧面6之间的宽度方向上来观察,引出部25的露出端15的宽度比对置部M的宽度要窄。特别是,在本实施方式中,引出部25为长方形,引出部25整体的宽度比对置部M的宽度要窄,在对置部M的与引出部25相连的区域中,宽度逐渐变窄,以使得和引出部25的宽度相等。另外,引出部25也可以是具有朝向端面7依次变窄的宽度尺寸的梯形。关于图3中虚线所示的第2内部电极11,也同样地具有对置部观和引出部四,其中对置部观具有与侧面5以及侧面6平行的1对侧边沈以及27,并且隔着陶瓷层9和第1内部电极10对置;引出部四从对置部观引出到第2端面8,在其端部形成前述的露出端16。第2内部电极11具有和上述第1内部电极10对称的平面形状。如上所述,第1内部电极10的对置部M和第2内部电极11的对置部28隔着陶瓷层9彼此对置,由此在这些对置部M以及对置部28之间发现电特性。即,在该层叠陶瓷电容器1的情况下,形成静电电容。第1内部电极10的对置部M在连接侧边22以及侧边23的方向上观察为实质平坦。即,对置部M不会在侧边22以及侧边23附近变薄或在层叠方向上弯曲。关于第2内部电极11的对置部28也是相同。第1内部电极10以及第2内部电极11的各个引出部25以及引出部四分别被引出到端面7以及端面8。此时,露出端15以及露出端16形成为不在前述的倒棱部19的曲面形成范围内。即,如图4所示,在设从对置部M的侧边22到部件主体2的侧面5为止的间隙尺寸为Wg,倒棱部19的曲面的曲率半径为Rd,从对置部M的侧边22到露出端15的端部为止的距离为D时,满足Rd < Wg+D。若露出端15以及露出端16在倒棱部19的曲面形成范围内,则会削掉内部电极10以及内部电极11的拐角部,有可能会以该部分为起点,
容易产生剥离。作为用于内部电极10以及内部电极11的导电材料,例如能使用Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。内部电极10以及内部电极11的各厚度优选为0.3 2.0 μ m。另外,引出部25以及引出部四的各厚度也可以比对置部M以及对置部25的各厚度要厚。由此,能减少由于引出部25以及引出部四而易于产生的层叠部12的高低差。如前所述,内部电极10以及内部电极11从连接侧面5以及侧面6之间的宽度方向观察,引出部25以及引出部四的露出端15以及露出端16的各宽度比对置部M以及对置部观的各宽度要窄,由此,在引出部25以及引出部四的各自的两侧,在引出部25以及引出部四的各侧边和侧面5以及侧面6之间,分别形成有裕量区域33。在各裕量区域33形成有在端面7或端面8露出的伪电极34以及伪电极35。伪电极34位于和第1内部电极10相同面上,伪电极35位于和第2内部电极11相同的面上。另外,伪电极34以及伪电极35并非一定要在端面7或端面8露出,通过露出,能提高相对于外部电极17以及外部电极18的部件主体2的粘接强度。对图4所示的伪电极34进行说明,伪电极34在对置部M的与侧面5对置的侧边22的延长线36、和引出部25的和侧面5对置的侧边37之间所夹持的区域中,按照不碰到和侧面5对置的侧边22的延长线36上的方式来配置。即,在设伪电极34的侧面5侧的侧边38和与其对置的侧面5的间隔为E,从内部电极10以及内部电极11的对置部M以及对置部28的各个侧边22以及侧边沈到部件主体2的侧面5为止的间隙尺寸为Wg时,满足E > Wg。另外,延长线36位于后述的层叠部12和陶瓷侧面层13的界面30上。优选,伪电极34的侧面5侧的侧边38和与其对置的侧面5的间隔E比伪电极34的引出部25侧的侧边39和与其对置的引出部25的侧边37的间隔F要宽。另外,优选,伪电极34由在与侧面5平行的方向上线状延伸的多个电极片40构成。在该实施方式中,电极片40在引出部25的两边各3个地配置,也可以各1个地配置、各2个地配置或各4个以上地配置。考虑到电极片40的印刷性,优选各2 3个地配置电极片40。另外,在伪电极34在端面7露出的情况下,优选Rd < E。这是由于若伪电极34在倒棱部19的曲面形成范围内,则会削掉伪电极34的拐角部,有可能会以该部分为起点易于产生剥离。关于图4中图示的伪电极34以外的伪电极34以及伪电极35,也具有相同的构成。伪电极34以及伪电极35实际并不对电容的形成起到作用。但是,存在与不同电位的内部电极稍微对置的情况,这种情况下,也会形成微小电容。因此,并不想要排出伪电极;34以及伪电极35形成电容的情况。优选伪电极34以及伪电极35用和内部电极10以及内部电极11相同的材料构成。另外,关于伪电极;34以及伪电极35的构成材料、厚度等的条件,和内部电极10以及内部电极11的情况相同。作为构成陶瓷层9、陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14的陶瓷材料,能使用例如以BaTi03、CaTi03、SrTi03、Ca&03等为主成份的电介质陶瓷。也可以根据需要在电介质陶瓷中添加Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、M化合物、稀土类元素化合物等副成份。构成陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14的陶瓷材料优选和构成陶瓷层9的陶瓷材料至少主成份相同。这种情况下,最优选在陶瓷层9、陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14两者中使用相同组成的陶瓷材料。另外,本发明也可以应用于层叠陶瓷电容器以外的层叠陶瓷电子部件中。层叠陶瓷电子部件例如在压电部件的情况下使用PZT系陶瓷等的压电陶瓷,在热敏电阻的情况下使用尖晶石系陶瓷等的半导体陶瓷。如前所述,外部电极17以及外部电极18分别形成于部件主体2的至少1对的端面7以及端面8上,在本实施方式中,具有绕到主面3以及主面4、侧面5以及侧面6的各一部的部分。外部电极17以及外部电极18虽未图示,但优选由基底层和形成于基底层上的镀层来构成。作为用于基底层的导电材料,能使用例如Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。基底层既可以应用共烧(co-fire)法来形成,也可以应用后焙烧(postfire)法来形成,其中共烧法是将导电性膏涂敷在未烧制的部件主体2上,并将其和部件主体2同时烧制的方法,后焙烧法是将导电性膏涂敷到烧制后的部件主体2上并烘干的方法。或者,基底层既可以通过直接镀来形成,也可以通过使包含热硬化性树脂的导电性树脂硬化来形成。基底层的厚度优选最厚的部分为10 150 μ m。作为构成形成于基底层上的镀层的金属,能使用从Cu、Ni、Sn、Pb、Au、Ag、Pd、Bi以及ai构成的组中选出的ι种金属或包含该金属的合金。镀层也可以由多层来构成。在如此有多层来构成镀层的情况下,优选Ni镀以及该Ni镀之上的Sn镀的2层构造。另外,镀层的厚度优选每一层为1 15 μ m。在基底层和镀层之间,也可以形成用于缓和应力的导电性树脂层。如图4清楚所示,内部电极10的对置部M的侧边22位于层叠部12和陶瓷侧面层13的界面30上。同时,内部电极11的对置部28的侧边沈也位于层叠部12和陶瓷侧面层13的界面30上。因此,从内部电极10以及内部电极11的对置部M以及对置部28的各个侧边22以及侧边沈到部件主体2的侧面5为止的间隙尺寸Wg相当于陶瓷侧面层13的厚度。上述间隙尺寸Wg和倒棱部19的曲面的曲率半径Rd的关系优选满足Wg < Rd0即,曲率半径Rd比间隙尺寸Wg大,因此,层叠部12和陶瓷侧面层13的界面30、与部件主体2的外表面的交线32优选位于倒棱部19的曲面形成范围内。虽然相同的状况为在图4中示出,但优选在部件主体2的图3中的右上、左下以及右下的各倒棱部19也实现。如上所述,若满足Wg < Rd,则能充分防止陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14从层叠部12剥离的情况。关于间隙尺寸Wg优选满足15 μ m彡Wg。若Wg为15 μ m以上,则能防止会在间隙部分产生的龟裂(构成间隙部分的陶瓷生片破裂引起的线状的伤痕)。另外,为了能够响应层叠陶瓷电容器的小型化、大容量化,优选满足Wg < 35 μ m。关于倒棱部19曲面的曲率半径Rd,优选满足55 μ m彡Rd。若Rd为55 μ m以上,则对于部件主体2,能防止产生破裂和缺损。另外,为了能更确实地防止形成于倒棱部19上的外部电极17以及外部电极18的基底层在局部变薄的情况,优选Rd < 95 μ m。由此,能防止耐湿性降低。关于从对置部M的侧边22到露出端15的端部为止的距离D,优选满足90 μ m < D。若D为90 μ m以上,则能从外部电极17的端部和部件主体2之间浸入的水分就难以到达露出端15,因此能防止耐湿性降低。关于伪电极34的侧面5侧的侧边38和与该侧边38对置的侧面5的间隔E,优选满足100 μ m < E。若E为100 μ m以上,则即使在产生切割错位的情况下,也能使伪电极34确实地不碰到延长线36上。关于伪电极34的引出部25侧的侧边39和与该侧边39对置的引出部25的侧边37的间隔F,优选满足50 μ m彡F。若F为50 μ m以上,则能防止由于印刷时的浸渗或压模时的形变的影响而导致的伪电极34和引出部25连接起来的情况。在从作为制成品的层叠陶瓷电容器1来测定Wg、Rd、D、E以及F时,在高度尺寸的1/2程度切断部件主体2时所呈现的与主面3以及主面4平行的面中,来测定4个拐角部的曲率半径Rd、针对2个间隙区域的间隙尺寸Wg、从内部电极的对置部的侧边到露出端的端部为止的距离D即可。并且,在各拐角部中,只要确认满SE > Wg或各种尺寸关系即可。接下来,参照图6到图9来说明上述的层叠陶瓷电容器1的制造方法。首先,分别准备将成为陶瓷层9的陶瓷生片、用于内部电极10以及内部电极11和伪电极34以及伪电极35的导电性膏、用于陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14的陶瓷生片、和用于外部电极17以及外部电极18的导电性膏。在这些陶瓷生片以及导电性膏中,含有粘合剂以及溶剂,作为这些粘合剂以及溶剂分别能使用公知的有机粘合剂以及有机溶剂。接下来,如图6所示,例如在陶瓷生片41上,用丝网印刷法以规定的图案来印刷导电性膏。由此,获得形成有将成为各内部电极10以及内部电极11的内部电极图案42的陶瓷生片41。在该实施方式中,在陶瓷生片41上,形成多列带状的内部电极图案42。在图6中,图示了带状的内部电极图案42延长的纵长方向(图6中的上下方向)的假想切断线43以及与该假想切断线43正交的宽度方向(图6中的左右方向)的假想切断线44。带状的内部电极图案42具有如下形状2个内部电极10以及内部电极11构成在各自的引出部25以及引出部四彼此连接形状,上述的形状沿着纵长方向相连。带状的内部电极图案42具有沿着上述纵长方向而直线状延伸的1对侧边45以及侧边46。另外,在各带状的内部电极图案42中,在其宽度方向中央,未形成内部电极图案的纵长六角形的开孔部47沿着纵长方向以规定的间距分布。这源于前述的引出部25以及引出部四的形态。进而,在开孔部47中,形成多个线状的伪电极图案52。这是应形成伪电极34以及伪电极35的图案,和内部电极图案42同时印刷。接下来,如上所述,按照规定的顺序来层叠规定的片数的形成有内部电极图案42以及伪电极图案52的陶瓷生片41,在其上下层叠规定的片数的未印刷有导电性膏的外层用陶瓷生片,由此,制作了在图7示出其一部分的主组件48。在图7中,图示了主组件48处于除去了位于形成有内部电极图案42以及伪电极图案52的陶瓷生片41上的外层用陶瓷生片的状态。在上述的层叠工序中,如图6(A)和(B)所示,沿着带状内部电极图案42的宽度方向,一边彼此错开规定间隔即错开内部电极图案42的宽度方向尺寸的一半,一边来层叠陶瓷生片41。接下来,根据需要,通过静水压压力机等手段在层叠方向上来施压于主组件48。接下来,沿着图6所示的纵长方向的假想切断线43以及宽度方向的假想切断线44切断主组件48,获得图8所示的生芯片49。在图7中,主组件48中的将成为生芯片49的地方被虚线围起来进行表示。如图6以及图7所示,纵长方向的假想切断线43,一方面按照在宽度方向上2等分带状的内部电极图案42,即在宽度方向上2等分开孔部47的方式来配置位置,另一方面,按照在宽度方向上2等分相邻的内部电极图案42的侧边45以及侧边46间的方式来配置位置。如图8所示,生芯片49位于部件主体2的侧面5以及侧面6的各自的内侧,且具有和侧面5以及侧面6平行的面即平行侧面50以及平行侧面51。这些平行侧面50以及平行侧面51通过沿着上述宽度方向的假想切断线44的切断面而形成。生芯片49相当于处于前述的层叠部12的未烧制阶段的情况,具有层叠构造,该层叠构造由未烧制的多个陶瓷层9和未烧制的多对内部电极10以及内部电极11构成。如前述,使露出端15以及露出端16的宽度比对置部M以及对置部观的宽度窄,形成裕量区域33,由此能使内部电极10以及内部电极11的引出部25以及引出部四的拐角部向内侧退避,并且能在裕量区域33使陶瓷层彼此紧密接触。因此,能使得不易产生分层。接下来,如图9所示,在生芯片49的平行侧面50以及平行侧面51上,形成有要构成部件主体2的侧面5以及侧面6的未烧制的陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14,由此获得研磨前的未烧制的部件主体2。因此,在生芯片40的平行侧面50以及平行侧面51上赋予未烧制的陶瓷材料。为了进行该未烧制的陶瓷材料的赋予,使用前述的陶瓷生片,在生芯片49的平行侧面50以及平行侧面51上赋予该陶瓷生片。此外,例如也可以通过丝网印刷法等的印刷法、喷墨法、凹版涂敷法等涂敷法、喷雾法等,来在生芯片40的平行侧面50以及平行侧面51上赋予陶瓷膏。在该赋予方法中,粘帖陶瓷生片的方法由于以另外的物体粘接独立的物体会导致和其它的赋予方法相比粘接力变弱,因此,特别期待设为Wg < Rd的效果。通过形成这些陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14,能覆盖在平行侧面50以及平行侧面51露出的未烧制的内部电极10以及内部电极11。接下来,对未烧制的部件主体2实施研磨工序。作为研磨工序,能使用滚筒研磨等。通过该研磨,形成前述的倒棱部19 21。在该研磨工序中,生芯片49和未烧制的陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14的各个界面(相当于层叠部12和陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14的各个界面30以及31,参照图3 图5)、和未烧制的部件主体2的外表面的交线32优选位于倒棱部19的曲面形成范围内。换言之,通过未烧制的陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14而形成的间隙区域的尺寸(相当于前述的间隙尺寸Wg)优选设为比倒棱部19的曲面的曲率半径Rd要小。通过按照满足上述的条件的方式来实施研磨工序,构成生芯片49和/或陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14的未烧制的陶瓷材料按照填入生芯片49和陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14的各自的界面的方式伸展,其结果,该未烧制的陶瓷材料起到了所谓的“油灰(putty),,的作用,提高了生芯片49和陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14之间的粘接力。在该研磨工序中,露出了未烧制的部件主体2的端面7以及端面8的未烧制的内部电极10以及内部电极11的露出端15以及露出端16如前所述,不形成在倒棱部19的曲面形成范围内。接下来,对未烧制的部件主体2进行烧制。烧制温度虽然也取决于包含于陶瓷生片41和陶瓷侧面层13以及陶瓷侧面层14中的陶瓷材料和包含于内部电极10以及内部电极11中的金属材料,但优选例如900 1300°C的范围。接下来,在烧制后的部件主体2的两端面7以及端面8涂敷导电性膏,通过烘干,形成外部电极17以及外部电极18的基底层。烘干温度优选为700 900°C。然后,根据需要,在外部电极17以及外部电极18的上述基底层表面实施镀处理,完成图1所示的层叠陶瓷电容器1。在上述的第1实施方式中,通过变更开孔部47的形状,能对内部电极10以及内部电极11的引出部25以及引出部四的形状进行各种变更。接下来,参照图10来说明本发明的第2实施方式。另外,图10与图3对应。在图10中,对于相当于图3所示要素的要素,赋予相同符号,省略重复说明。在第2实施方式中,和第1实施方式的情况相同,内部电极10以及内部电极11的引出部25以及引出部四具有比对置部M以及对置部观窄的宽度,且以一定的宽度延伸。但是,不采用在对置部M以及对置部28的、和引出部25以及引出部四相连的区域而宽度逐渐变窄的构成。接下来,参照图11来说明本发明的第3实施方式。另外,图11和图3对应。在图11中,对于相当于图3所示要素的要素,赋予相同符号,省略重复说明。在第3实施方式中,如图11所示,内部电极10以及内部电极11具有和第1实施方式的情况实质相同的形态。第3实施方式的特征之处在于,第2伪电极69以及伪电极70分别按照在端面8以及端面7露出的方式形成。伪电极69和第1内部电极10位于相同面上,伪电极70和第2内部电极11位于相同面上。这些第2伪电极69以及70也是实际不对电容形成起到作用。另外,伪电极69以及伪电极70优选用和内部电极10以及内部电极11相同的材料构成。另外,关于伪电极69以及伪电极70的构成材料、厚度等的条件,和内部电极10以及内部电极11的情况相同。如该实施方式所示那样,通过形成第2伪电极69以及伪电极70,能进一步减少由于引出部25以及引出部四而易于产生的层叠部12或生芯片49的高低差,并且能提高相对于外部电极17以及外部电极18的部件主体2的粘合强度。
权利要求
1.一种层叠陶瓷电子部件,其特征在于,具备部件主体,其具有彼此对置的1对主面、彼此对置的1对侧面、彼此对置的1对端面,且沿着所述侧面和所述端面之间的棱线形成带有圆形的倒棱部,并且所述部件主体具有多个陶瓷层和多对内部电极,其中,所述多个陶瓷层在所述主面方向上延伸且在和所述主面正交的方向上层叠,所述多对内部电极沿着所述陶瓷层间的界面形成且具有在所述1对端面中的任一端面露出的露出端,并不在所述侧面露出;和外部电极,其形成在所述部件主体的至少所述1对端面上,以和所述内部电极的各所述露出端电连接,所述内部电极具有对置部,其具有与所述侧面平行的1对侧边,并且隔着所述陶瓷层和其它的所述内部电极对置;和引出部,其从所述对置部被引出到所述端面,在其端部形成所述露出端,从连接所述侧面间的宽度方向观察,所述引出部的所述露出端的宽度比所述对置部的宽度形成得窄,由此,在所述引出部的两侧并且在所述引出部的侧边和所述侧面之间,形成裕量区域,在各所述裕量区域形成伪电极,在所述对置部的与所述侧面对置的侧边的延长线和所述引出部的和所述侧面对置的侧边之间所夹持的区域中,所述伪电极被配置为不碰到与所述侧面对置的侧边的延长线上。
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件,其特征在于,所述伪电极的所述侧面侧的侧边和与该侧边对置的所述侧面之间的间隔,比所述伪电极的所述引出部侧的侧边和与该侧边对置的所述引出部的侧边之间的间隔要宽。
3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子部件,其特征在于,各所述伪电极由在与所述侧面平行的方向上线状延伸的多个电极片构成。
全文摘要
在层叠陶瓷电容器中,内部电极的引出部的露出端的宽度比内部电极的对置部的宽度形成得窄,因此,在引出部两侧的、引出部的侧边和部件主体的侧面之间,在形成裕量区域时,易于产生分层。在裕量区域(33)形成伪电极(34)。伪电极(34)在内部电极(10)的对置部(24)的和部件主体(2)的侧面(5)对置的侧边(22)的延长线(36)、与内部电极(10)的引出部(25)的和侧面(5)对置的侧边37之间所夹持的区域中,按照不碰到和侧面(5)对置的侧边(22)的延长线(36)的方式配置。伪电极(34)优选由在与侧面(5)平行的方向上线状延伸的多个电极片(40)构成。
文档编号H01G4/005GK102568824SQ20111028684
公开日2012年7月11日 申请日期2011年9月23日 优先权日2010年9月28日
发明者村木智则, 西冈正统, 阿部智吕 申请人:株式会社村田制作所
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