专利名称：温度调变制作高效率三结基材型硅薄膜太阳能电池的制作方法
温度调变制作高效率三结基材型硅薄膜太阳能电池技术领域
本发明关於一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，其目的 系将此设计充分吸收太阳光频谱，以提升硅薄膜太阳能电池效率。
背景技术：
目前，在所有薄膜太阳能电池的开发中皆致力於提升太阳能电池的效率，以藉此降低薄膜太阳能电池的成本。业界关於硅薄膜太阳能电池的开发多为非晶硅薄膜，或是双结串联硅薄膜。其中非晶硅薄膜能隙为1.8电子伏特，双结串联硅薄膜则为能隙1.8电子伏特的非晶硅薄膜与能隙1.1电子伏特的微晶硅薄膜的串联组合，但此两者皆无法充份完全吸收太阳光频谱。发明内容·
本发明提供一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜、高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜、低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜、第三透明导电层、 金属电极。本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
兹将本发明配合附图，详细说明如下请参阅第一图，为本发明之动作流程方块示意图。由图中可知，首先在玻璃上沉积第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层，接著沉积高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜，再接著高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜，再接著沉积低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜，最后为沉积透明导电层三、金属电极。
请参阅第二图，第二图是在玻璃上沉积第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层之示意图。在玻璃11上依续沉积第一透明导电层12、金属背电极13与第二透明导电层14。
请参阅第三图，第三图是沉积高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P 型微晶硅薄膜之示意图。在第二透明导电层14上依续沉积高温N型微晶硅薄膜21、高温I 型微晶硅薄膜22、高温P型微晶硅薄膜23。
请参阅第四图，第四图是沉积高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P 型非晶硅薄膜之示意图。在高温P型微晶硅薄膜23上依续沉积高温N型非晶硅薄膜31、高温I型非晶硅薄膜32、高温P型非晶硅薄膜33。
请参阅第五图，第五图是沉积低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P 型非晶硅薄膜之示意图。在高温P型非晶硅薄膜33上依续沉积低温N型非晶硅薄膜41、低温I型非晶硅薄膜42、低温P型非晶硅薄膜43。
请参阅第六图，第六图是沉积第三透明导电层、金属电极之示意图。在低温P型非晶硅薄膜43上依续沉积第三透明导电层51、金属电极52。
下面结合附图与实施例对本发明进一步说明；第一图是本发明之动作流程方块示意图；第二图是在玻璃上沉积第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层之示意图； 第三图是沉积高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜之示意图； 第四图是沉积高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜之示意图； 第五图是沉积低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜之示意图； 第六图是沉积第三透明导电层、金属电极之示意图。
主要兀件符号说明11…玻璃12…第一透明导电层13…金属背电极14… 第二透明导电层21…高温N型微晶硅薄膜22…高温I型微晶硅薄膜23…高温P型微晶硅薄膜31…高温N型非晶硅薄膜 32…高温I型非晶硅薄膜33…高温P型非晶硅薄膜41…低温N型非晶硅薄膜42…低温I型非晶硅薄膜43…低温P型非晶硅薄膜51…第三透明导电层52…金属电极。
权利要求
1.一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜、高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜、低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极，本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
2.根据权利要求1所述的一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，其中该第一透明导电层薄膜、第二透明导电层薄膜與第三透明导电层薄膜，薄膜材料涵盖铟锡氧化物(Indium Tim Oxide)、招锋氧化物(Aluminum Zinc Oxide)、二氧化锡(Sn02:F)与嫁锋氧化物(Gallium Zinc Oxide)。
3.根据权利要求1所述的一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，其中高温I型微晶硅薄膜的能隙为1.1电子伏特。
4.根据权利要求1所述的一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，其中高温I型非晶硅薄膜的能隙为1. 6电子伏特。
5.根据权利要求1所述的一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，其中低温I型非晶硅薄膜的能隙为1. 8电子伏特。
全文摘要
本发明提供一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜、高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜、低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极，本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
文档编号H01L27/142GK103022061SQ20111029534
公开日2013年4月3日 申请日期2011年9月27日 优先权日2011年9月27日
发明者陈宏昌, 刘幼海, 刘吉人 申请人:吉富新能源科技(上海)有限公司