专利名称：一种高可靠性封装的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体芯片封装技术领域。
背景技术：
芯片封装技术就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展，电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展，因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。芯片的封装技术多种多样，有DIP、P0FP、TS0P、BGA、QFP、CSP等等，种类不下三十种，经历了从DIP、TSOP到BGA的发展历程。芯片的封装技术已经历了几代的变革，性能日益先进，芯片面积与封装面积之比越来越接近1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便。随着表面贴装技术的广泛应用，一种比较严重的失效模式就是封装体在客户端进行表面贴装SMT时，芯片封装体从界面处开裂，界面处的导线键合受到分离应力作用容易开路而导致产品失效，界面处的芯片建立了与外界的潮气通路，其失效机理就是由于有些工序中温度比较高，界面所吸收的潮气在高温下体积迅速膨胀，产生的应力高于界面的结合力导致的开裂。为此JEDEC固态技术协会公布了针对SMT器件的潮气敏感度的标准，对此给了明确的潮气敏感度定义、实验方法、等级划分。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种高可靠性封装，其能够提高芯片封装中多个关键界面的结合强度，降低潮气等级数；延长产品使用寿命；解决处理后的保存时间问题。为解决上述技术问题，本发明提供了如下技术方案一种高可靠性封装，其中，包括以下步骤，芯片切割、芯片键合在引线框架或者基板上；导线键合，将引线框架放入湿菲林溶液中电镀，所述湿菲林溶液浓度为60% -70%,电镀时间为5-10秒，温度为50-55摄氏度，然后用清水清洗，烘干 后进行等离子清洗处理；然后对待处理材料表面施用助粘剂溶液，常温风干或烘干，然后进行后道工序，环氧树脂包覆芯片，芯片座。作为本发明所述的高可靠性封装的优选方案之一，其中所述湿菲林溶液浓度为65% -68%,电镀时间为5-8秒，温度为50-53摄氏度，然后用清水清洗，烘干后，先使用氩气对待处理材料进行等离子处理，再使用氮气进行等离子处理等离子清洗处理；然后对待处理材料表面施用助粘剂溶液，所述活性成分为3-氨丙基硅三醇与三钛酸异丙酯及乙烯基二甲氧基娃烧的混合体，二者比例为1_2 : 1-2 : 6_8。作为本发明所述的高可靠性封装的优选方案之一，其中所述湿菲林溶液浓度为67%，电镀时间为7秒，温度为50摄氏度，然后用清水清洗，烘干后，先使用氩气对待处理材料进行等离子处理，再使用氮气进行等离子处理等离子清洗处理；然后对待处理材料表面施用3%浓度的助粘剂混合溶液，所述活性成分为3-氨丙基硅三醇与三钛酸异丙酯，两者比例为9 I。作为本发明所述的高可靠性封装的优选方案之一，其中所述湿菲林溶液浓度为68%，电镀时间为6秒，温度为55摄氏度，然后用清水清洗，烘干后，先使用氩气对待处理材料进行等离子处理，再使用氮气进行等离子处理等离子清洗处理；然后对待处理材料表面施用5%浓度的助粘剂混合溶液，所述活性成分为3-氨丙基硅三醇与三钛酸异丙酯，两者比例为8 2。采用本发明有益的技术效果包括能够提高多个关键界面的结合强度，防止分层、开裂的出现，避免工艺过程中不必要的全检和次品；能够降低产品的潮气等级数，消除产品在客户端使用时潜在的缺陷，本身成本很低，降低了封装总体的成本；能够延长产品的使用寿命一倍以上,提高产品的市场竞争力。
具体实施方式
一种实施例，先对芯片切割、芯片键合在引线框架或者基板上；导线键合，将引线框架放入湿菲林溶液中电镀，所述湿菲林溶液浓度为60% _70%，电镀时间为5-10秒，温度为50-55摄氏度，然后用清水清洗，烘干后。将其装入反应腔内，可以多条平铺，自动或手动皆可。将待处理材料的表面暴露在等离子体入射范围内，连接真空泵抽真空，进行等离子处理；然后对待处理材料表面施用助粘剂溶液，常温风干或烘干，然后进行后道工序，环氧树脂包覆芯片，芯片座。
另一种实施方式中，其中所述湿菲林溶液浓度为65% -68%，电镀时间为5-8秒，温度为50-53摄氏度，然后用清水清洗，烘干后，将其装入反应腔内，可以多条平铺，自动或手动皆可。将待处理材料的表面暴露在等离子体入射范围内，连接真空泵抽真空，进行等离子处理。先使用氩气对待处理材料进行等离子处理，再使用氮气进行等离子处理等离子清洗处理；然后对待处理材料表面施用助粘剂溶液，所述活性成分为3-氨丙基硅三醇与三钛酸异丙酯及乙烯基三甲氧基硅烷的混合体，三者比例为1_2 1-2 6-8。另一种实施方式中，所述湿菲林溶液浓度为67%，电镀时间为7秒，温度为50摄氏度，然后用清水清洗，烘干后，将其装入反应腔内，可以多条平铺，自动或手动皆可。将待处理材料的表面暴露在等离子体入射范围内，连接真空泵抽真空，进行等离子处理。先使用氩气对待处理材料进行等离子处理，再使用氮气进行等离子处理等离子清洗处理；然后对待处理材料表面施用3%浓度的助粘剂混合溶液，所述活性成分为3-氨丙基硅三醇与三钛酸异丙酯，两者比例为9 I。应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
权利要求
1.一种高可靠性封装，其特征在于，包括以下步骤，芯片切割、芯片键合在引线框架或者基板上；导线键合，将引线框架放入湿菲林溶液中电镀，所述湿菲林溶液浓度为60% -70%,电镀时间为5-10秒，温度为50-55摄氏度，然后用清水清洗，烘干后进行等离子清洗处理；然后对待处理材料表面施用助粘剂溶液，常温风干或烘干，然后进行后道工序，环氧树脂包覆芯片，芯片座。
2.根据权利要求1所述的高可靠性封装，其特征在于所述湿菲林溶液浓度为65% -68%,电镀时间为5-8秒，温度为50-53摄氏度，然后用清水清洗，烘干后，先使用氩气对待处理材料进行等离子处理，再使用氮气进行等离子处理等离子清洗处理；然后对待处理材料表面施用助粘剂溶液，所述活性成分为3-氨丙基硅三醇与三钛酸异丙酯及乙烯基二甲氧基娃烧的混合体，二者比例为1_2 : 1-2 : 6_8。
3.根据权利要求1所述的高可靠性封装，其特征在于所述湿菲林溶液浓度为67%，电镀时间为7秒，温度为50摄氏度，然后用清水清洗，烘干后，先使用氩气对待处理材料进行等离子处理，再使用氮气进行等离子处理等离子清洗处理；然后对待处理材料表面施用3%浓度的助粘剂混合溶液，所述活性成分为3-氨丙基硅三醇与三钛酸异丙酯，两者比例为 9 I。
4.根据权利要求1所述的高可靠性封装，其特征在于所述湿菲林溶液浓度为68%，电镀时间为6秒，温度为55摄氏度，然后用清水清洗，烘干后，先使用氩气对待处理材料进行等离子处理，再使用氮气进行等离子处理等离子清洗处理；然后对待处理材料表面施用5%浓度的助粘剂混合溶液，所述活性成分为3-氨丙基硅三醇与三钛酸异丙酯，两者比例为 8 : 2。
全文摘要
本发明公开了一种高可靠性封装，其特征在于，包括以下步骤，芯片切割、芯片键合在引线框架或者基板上；导线键合，将引线框架放入湿菲林溶液中电镀，所述湿菲林溶液浓度为60％-70％，电镀时间为5-10秒，温度为50-55摄氏度，然后用清水清洗，烘干后进行等离子清洗处理；然后对待处理材料表面施用助粘剂溶液，常温风干或烘干，然后进行后道工序，环氧树脂包覆芯片，芯片座。能够提高产品有效性，延长产品使用寿命；解决处理后的保存时间问题。
文档编号H01L23/495GK103066030SQ20111032520
公开日2013年4月24日 申请日期2011年10月22日 优先权日2011年10月22日
发明者不公告发明人 申请人:无锡世一电力机械设备有限公司