专利名称：冷热板装置及其控温方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种冷热板装置及其控温方法。
背景技术：
随着对超大规模集成电路高集成度和高性能的需求逐渐增加，半导体技术向着32nm甚至更小特征尺寸的技术节点发展，因此对光刻工艺的要求也越来越高。
在集成电路芯片的制造过程中，显影机中的冷热板装置起到了消除驻波效应(standing rave)，稳定关键尺寸(⑶)的图形的重要作用，在DUV光阻曝光中冷热板还为光酸扩散作用提供化学反应所需的能量，起到定义图形的作用。
图1-图2为传统制造流程中冷热板装置的工艺示意图，表I为该流程的工艺参数。如图1所示，涂布有光阻的晶片在曝光机进行曝光后，被送入冷热板装置，先进入其中的热板20，控温加热规定的时间后(如步骤STEP1)，将晶片从热板20中移出，并进入冷板10进行冷却(如步骤STEP2)，冷却规定的时间后，从冷热板装置中移出，如图2所示，进入显影前的冷板(图中未示出)进行下一次冷却已确保达到显影所需的温度，然后进行显影。
表I
权利要求
1.一种冷热板装置，其特征在于，包括:依次设置在工艺腔室内的冷板和热板，以及在冷板和热板之间传递晶片的承载板，所述冷板内设有控温装置。
2.根据权利要求1所述冷热板装置，其特征在于，所述控温装置为PN二极体，位于冷板的晶片承载位置之下。
3.根据权利要求2所述冷热板装置，其特征在于，所述PN二极体设置规定温度，当晶片到达规定温度后，停止冷却。
4.根据权利要求2所述冷热板装置，其特征在于，所述PN二极体设置规定时间，当晶片在冷板内到达规定时间后，停止冷却。
5.根据权利要求1所述冷热板装置，其特征在于，所述冷板内还设有温度检测模块，也位于冷板的晶片承载位置之下。
6.一种如权利要求1-5任一项所述冷热板装置的控温方法，其特征在于，包括以下步骤: 通过冷板的控温装置设定对晶片进行冷却的规定温度和规定时间； 将曝光后的晶片置于冷热板装置的承载板上； 由承载板将所述晶片送入热板中进行加热； 将加热后的承载板及晶片由热板送入冷板进行冷却，冷却到规定温度和规定时间后将晶片移出冷热板装置，送入显影装置。
7.根据权利要求6所述冷热板装置的控温方法，其特征在于，所述规定温度为23摄氏度。
8.根据权利要求7所述冷热板装.置的控温方法，其特征在于，所述规定温度具有报警浮动值。
9.根据权利要求8所述-冷热板装置的控温方法，其特征在于，所述报警浮动值为±3摄氏度
10.根据权利要求6所述冷热板装置的控温方法，其特征在于，所述晶片送入热板加热过程中，热板的工艺腔室处于关闭状态。
全文摘要
本发明提供一种冷热板装置及其控温方法，所述冷热板装置包括依次设置在工艺腔室内的冷板和热板，以及在冷板和热板之间传递晶片的承载板，所述冷板内设有PN二极体。其中，所述PN二极体位于冷板的晶片承载位置之下。所述PN二极体可以设置规定温度，当晶片到达规定温度后，停止冷却。由于在冷板内设置了PN二极体来实现控温式的冷却，能够直接将晶片冷却至规定温度，因此可以省去显影前的冷却步骤(即控温冷板的冷却)，整体上来看，减少了曝光、显影工艺的时间，从而缩短了整个生产流程，有利于提高生产效率。
文档编号H01L21/027GK103137519SQ20111038508
公开日2013年6月5日 申请日期2011年11月28日 优先权日2011年11月28日
发明者史云涛 申请人:和舰科技(苏州)有限公司