专利名称：低电容过电压保护组件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种低电容过电压保护组件，尤指一种可降低崩溃电压，同时适用于高频电路，且可降低导体产生融接现象的低电容过电压保护组件。
背景技术：
一般过电压保护组件的使用，请参阅图8所示，是将一过电压的保护组件60连接于一电流的输入端61及一系统电路62之间，该保护组件60平常为绝缘状态，而当有一突波输入该输入端61时，该保护组件60会立即导通，并使突波的电压或电流经过该保护组件 60导入地端，当该突波的电压或电流导入地端后，保护组件60则再呈绝缘状态，由此，该保护组件60可达到保护该系统电路62维持正常动作的功效。请参阅图9所示，为一既有保护组件的构造示意图，其主要于一第一电极片70与一第二电极片71之间设有复数导体72及高分子介质73，该些导体72为金属材质，该高分子介质73填充于该些导体72之间，使该些导体72彼此之间不互相接触以避免短路；当该保护组件所连接的电路接收到一突波时，该突波的电子会从该第一电极片70沿着由复数导体72所构成的一电子路径700而传至第二电极片71，此时该保护组件显现导通状态，而将突波导入地端；又当突波导入地端后，该保护组件则呈现绝缘状态。再者，请参阅
图10所示，进而有人将该高分子介质73替换成绝缘体74，同样可降低该些导体72的分布密度。前述技术虽可使各导体72分布密度降低，但当突波出现时，因该突波通过保护组件时会产生瞬间高温而逐渐将导体72融化，如图11所示，造成复数个邻近导体72共同融合成一融接块75，导致该保护组件短路而形成永久导通，从而使该保护组件损毁无法再作「绝缘、导通、绝缘」的动作，失去保护系统电路正常运作的功能。请再参阅图12所示，另有人将该导体72外层披覆一厚度较厚的绝缘体层76，以避免融接现象产生，然而，此法却会使得保护组件的崩溃电压较高、电容值较大，故不适用于高频电路，同时也造成其特性曲线不仕，如图13所示，使得过电压的保护效果不彰。由上述说明可知，公知过电压保护组件有导体产生融接现象的缺失，如改进融接现象却又会造成电容值太大及高崩溃电压而无法适用高频电路。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种低电容过电压保护组件，其崩溃电压及电容值较低，故可适用于高频电路，且长时间动作下，相邻导体间小易产生融接现象。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种低电容过电压保护组件， 具有第一电极片和第二电极片。所述的第一电极片和第二电极片之间设置有绝缘介质层， 所述的绝缘介质层内间隔分布设置有多个粉末本体，每一个粉末本体都包括绝缘体和导体层，所述的导体层披覆在绝缘体的外表面。进一步的说，所述的绝缘介质层由高分子材料、绝缘粉末或高分子材料掺入绝缘粉末所构成。所述的高分子材料为聚乙烯、聚丙烯、环氧树脂或硅胶之一。所述的绝缘粉末为陶瓷、玻璃或氧化铝之一。所述的高分了材料为聚乙烯、聚丙烯、环氧树脂或硅胶之一；该绝缘粉末为陶瓷、玻璃、氧化铝之一。所述的粉末本体为陶瓷、玻璃或氧化铝之一材质所构成。所述的导体层是选自于银、钯、钼、金、铝、铁、锌、铜、镍、锡、铬、钨、钦或上述任意组合的其中之一所制成。所述的粉末本体的导体层为一薄导体层。本实用新型主要是令粉末本体包含一绝缘体及一导体层，并令该导体层披覆于绝缘体的外表面上，以供电子传导，并由绝缘介质层可增加各粉末本体的间距，由于该导体层的厚度较公知的过电压保护组件的导电层薄而量少，故当本实用新型低电容过电压保护组件经过过电压脉波冲击后，可减少融接情形，降低保护组件发生永久短路的机会。本实用新型的有益效果是，解决了背景技术中存在的缺陷，1、该导体层的厚度较薄，减少贵金属的使用量；2、低电容；3、因导体量少，故降低短路的机会；4、崩溃中压低，保护电路效果较件，适用于高频电路。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。图1为本实用新型第一较佳实施例的结构示意图。图2为本实用新型的粉末本体结构示意图。图3为本实用新型的导体遇高温融化示意图。图4为本实用新型的特性曲线示意图。图8为公知过电压保护组件应用于系统电路的简易示意图。图9为公知过电压保护组件的结构示意图。图10为另一公知过电压保护组件的结构示意图。图11为公知过电压保护组件的导体融接现象示意图。图12为另一公知过电压保护组件的结构示意图。图13为公知过电压保护组件的特性曲线示意图。图中10、第一电极片；100、路径；20、第二电极片；30、绝缘介质层；31、高分子材料；32、绝缘粉末；40、粉末本体；41、绝缘体；42、导体层；50、基板；60、保护组件；61、输入端；62、系统电路；70、第一电极片；700、电子路径；71、第二电极片；72、导体；73、高分了介质；74、绝缘体；75、融接块；76、绝缘体层。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。请参阅图1所示，描述本实用新型所提供的低电容过电压保护组件具体实施例， 其主要包括一第一电极片10、一第二电极片20、一绝缘介质层30以及复数粉末本体400 ；该第二电极片20是与该第一电极片10间隔开。该绝缘介质层30是设于该第一电极片Ia与该第二电极片20之间，于图1实施例中，该绝缘介质层30是由高分子材料31所构成，该高分子材料31可为聚乙烯、聚丙烯、环氧树脂或硅胶等任一种。该些粉末本体40是彼此间隔布设于该绝缘介质层30中，如图2所示，每一粉末本体40是包括一绝缘体41及一导体层42，其中，该绝缘体41可为陶瓷、玻璃或氧化铝等任一材质所构成，而该导体层42是披覆在该绝缘体41的外表面，该导体层41的厚度较薄，且可选自于银(Ag)，钯(Pd}、钼(Pt)、金(Au)、铝(Al)、铁 0 )、锌(Si)、铜(Cu)，镍(Ni)、锡 (Sn)，铬(Cr)、钨(W)，认(Ti)或上述任意组合的其中之一所制成。由让粉末本体40布设于该绝缘介质层30中，可使该各粉末本体40小互相接触而避免短路；而当突波的电子循着相邻粉末本体40所连成的路径100通过该过电压保护组件而产生高温时，该粉末本体40的导体层42即会融化，如图3所示，由于该导体层42的厚度较薄，即导体量较少，使得该粉末本体40不易与邻近粉末本体40形成融接现象；同时由于该导体层42的厚度较薄且导体量较少，已不易造成融接现象，故可使各粉末本体40之间的间距较为缩短，使该过电压保护组件可降低崩溃电压及电容值，以及避免产生短路的现象。 请再参阅图4所示，其为本实用新型的V —工特性曲线示意图，当电压上升且未达崩溃电压(Vt)时，该过电压保护组件不导通，当电压到达崩溃电压(Vt)时，则该保护组件立即导通并允许突波电流通过，而当该突波电流通过后，该保护组件即刻回复绝缘状态，其为非线性电阻特性。前述绝缘介质层除可由高分子材料构成之外，亦可由绝缘粉末所构成，该绝缘粉末可为陶瓷、玻璃或氧化铝等任一种。或者，前述绝缘介质层亦可由高分子材料掺入绝缘粉末所构成。该些材质皆是为了使各粉末本体40不互相接触，进而降低相邻粉末本体40之间短路的机会。本实用新型可进一步包含一基板，令前述第一电极片10与第二电极片20间隔设置于该基板上，而该绝缘介质层则置设于该第一电极片10与第二电极片20之间及基板上， 亦可达到降低粉末本体40的导体层42短路的效果。以上说明书中描述的只是本实用新型的具体实施方式
，各种举例说明不对本实用新型的实质内容构成限制，所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的具体实施方式
做修改或变形，而不背离实用新型的实质和范围。
权利要求1. 一种低电容过电压保护组件，其特征在于具有第一电极片和第二电极片。所述的第一电极片和第二电极片之间设置有绝缘介质层，所述的绝缘介质层内间隔分布设置有多个粉末本体，每一个粉末本体都包括绝缘体和导体层，所述的导体层披覆在绝缘体的外表
2.如权利要求1所述的低电容过电压保护组件，其特征在于所述的绝缘介质层由高分子材料所构成。
3.如权利要求1所述的低电容过电压保护组件，其特征在于所述的绝缘介质层由绝缘粉末所构成。
4.如权利要求2所述的低电容过电压保护组件，其特征在于所述的高分子材料为聚乙烯、聚丙烯、环氧树脂或硅胶之一。
5.如权利要求3所述的低电容过电压保护组件，其特征在于所述的绝缘粉末为陶瓷、玻璃或氧化铝之一。
6.如权利要求4所述的低电容过电压保护组件，其特征在于所述的高分了材料为聚乙烯、聚丙烯、环氧树脂或硅胶之一；该绝缘粉末为陶瓷、玻璃、氧化铝之一。
7.如权利要求1至6中任一项所述的低电容过电压保护组件，其特征在于所述的粉末本体为陶瓷、玻璃或氧化铝之一材质所构成。
8.如权利要求1至6中任一项所述的低电容过电压保护组件，其特征在于所述的导体层是选自于银、钯、钼、金、铝、铁、锌、铜、镍、锡、铬、钨、钦或上述任意组合的其中之一所制成。
9.如权利要求9所述的低电容过电压保护组件，其特征在于所述的粉末本体的导体层为一薄导体层。
专利摘要本实用新型涉及一种低电容过电压保护组件，具有第一电极片和第二电极片。所述的第一电极片和第二电极片之间设置有绝缘介质层，所述的绝缘介质层内间隔分布设置有多个粉末本体，每一个粉末本体都包括绝缘体和导体层，所述的导体层披覆在绝缘体的外表面。本实用新型的有益效果是，1、导体层的厚度较薄，减少贵金属的使用量；2、低电容；3、因导体量少，故降低短路的机会；4、崩溃中压低，保护电路效果较件，适用于高频电路。
文档编号H01C7/12GK202205527SQ20112022890
公开日2012年4月25日 申请日期2011年6月30日 优先权日2011年6月30日
发明者屠克俭 申请人:兴勤(常州)电子有限公司