专利名称：内置式衰减器结构的制作方法
技术领域：
内置式衰减器结构技术领域[0001 ] 本实用新型涉及一种衰减器结构，特别涉及一种内置式的衰减器结构。
技术背景[0002]在通信、科研、电力、汽车等领域内使用的微波射频元器件在工作时需要吸收反向输入的功率，并够抽取部分信号对元器件工作情况进行分析及实施监控。目前微波射频元器件大多使用内置式衰减器作为吸收反向输入功率的器件来完成上述功能，目前的内置式衰减器存在一个普遍的问题，就是其衰减率是固定不变的，即每个内置式衰减器都有一个固定的衰减率，其衰减值一经确定就很难改变，故目前这种内置式衰减器的通用性较差，厂家为了满足生产需要有时需要同时采购多种不同规格的内置式衰减器。实用新型内容[0003]针对上述现有技术的不足，本实用新型要解决的技术问题是提供一种通用性强， 可根据需要搭配出具有不同衰减率的内置式衰减器。[0004]为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案[0005]一种内置式衰减器结构，其包括一金属腔体，所述金属腔体的两端分别设有输入端口和输出端口，所述金属腔体内设有数个衰减器，所述金属腔体内还设有用于连接不同衰减器的连接器。[0006]优选的，所述数个衰减器位于同一基片上，不同衰减器之间结构彼此独立。[0007]优选的，所述基片上设有衰减值为IOdB和20dB的两个衰减器。[0008]优选的，所述20dB的衰减器由两个电阻组成，所述IOdB的衰减器由一个电阻组成。[0009]上述技术方案具有如下有益效果该内置式衰减器结构在金属腔体内同时设置数个衰减器，并设有连接衰减器的连接器，这样在实际应用过程中，就可通过连接器连接不同的衰减器来组合形成不同衰减值的衰减器结构以满足实际需要，因此该衰减器结构具有通行性强的优点。对于客户来说，只需采购一种类型的内置式衰减器，然后根据需要自行搭配即可形成不同衰减值的衰减器结构，因此对客户的实际生产有着非常重要的意义。[0010]上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图对本专利进行详细说明。
[0011]图1为本实用新型实施例的外观结构示意图。[0012]图2为本实用新型实施例基片的结构示意图。
具体实施方式
3[0013]
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细介绍。[0014]如图1、2所示，该内置式衰减器结构包括一金属腔体1，金属腔体1的两端分别设有输入端口 2和输出端口 3，金属腔体1内设有一个IOdB的衰减器5和一个20dB的衰减器4，20dB的衰减器4由两个电阻R组成，IOdB的衰减器5由一个电阻R组成。20dB的衰减器4、10dB的衰减器5位于同一个基片上，两个衰减器之间的结构彼此独立，基片的背面设有背导层，电阻R印刷在基片的正面，基片的正面与背面导通。金属腔体1内还设有用于连接20dB的衰减器4、IOdB的衰减器5的连接器。[0015]该内置式衰减器结构使用过程中，通过连接器按不同的方式连接20dB的衰减器 4、IOdB的衰减器5、输入端口 2和输出端口 3，可组合形成20dB\30dB\40dB (具体怎么连接？ IOdB和IOdB连接成20dB，IOdB和20dB连接成30dB，40dB同理是两个20dB连接，两个衰减器中间通过铍铜薄片做成的连接器直接导通.所以图中3和4不一定是20dB和10dB，是根据需要，可以是2个都是10dB，也可以是两个都是20dB)三种不同衰减值的衰减器结构，以满足不同产品的需要。上述衰减器结构均具有较高的衰减精度，在2G频段以内衰减精度为士0. 7dB，在2G-3G为士 ldB，驻波在3G频段以内输入端为1.2以内，输出端为1.25以内。[0016]该内置式衰减器结构在金属腔体内同时设置数个衰减器，并设有连接衰减器的连接器，这样在实际应用过程中，就可通过连接器连接不同的衰减器来组合形成不同衰减值的衰减器结构以满足实际需要，因此该衰减器结构具有通行性强的优点。对于客户来说，只需采购一种类型的内置式衰减器，然后根据需要自行搭配即可形成不同衰减值的衰减器结构，因此对客户的实际生产有着非常重要的意义。[0017]以上对本实用新型实施例所提供的一种内置式衰减器结构进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型实施例的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制，凡依本实用新型设计思想所做的任何改变都在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种内置式衰减器结构，其包括一金属腔体，所述金属腔体的两端分别设有输入端口和输出端口，其特征在于所述金属腔体内设有数个衰减器，所述金属腔体内还设有用于连接不同衰减器的连接器。
2.根据权利要求1所述的内置式衰减器结构，其特征在于所述数个衰减器位于同一基片上，不同衰减器之间结构彼此独立。
3.根据权利要求2所述的内置式衰减器结构，其特征在于所述基片上设有衰减值为 IOdB和20dB的两个衰减器。
4.根据权利要求3所述的内置式衰减器结构，其特征在于所述20dB的衰减器由两个电阻组成，所述IOdB的衰减器由一个电阻组成。
专利摘要本实用新型公开了一种内置式衰减器结构，其包括一金属腔体，所述金属腔体的两端分别设有输入端口和输出端口，所述金属腔体内设有数个衰减器，所述金属腔体内还设有用于连接不同衰减器的连接器。该内置式衰减器结构在金属腔体内同时设置数个衰减器，并设有连接衰减器的连接器，这样在实际应用过程中，就可通过连接器连接不同的衰减器来组合形成不同衰减值的衰减器结构以满足实际需要，因此该衰减器结构具有通行性强的优点。对于客户来说，只需采购一种类型的内置式衰减器，然后根据需要自行搭配即可形成不同衰减值的衰减器结构，因此对客户的实际生产有着非常重要的意义。
文档编号H01P1/22GK202308247SQ20112038986
公开日2012年7月4日 申请日期2011年10月14日 优先权日2011年10月14日
发明者郝敏 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司