专利名称：单基岛埋入单圈引脚静电释放圈球栅阵列封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及ー种单基岛埋入单圈引脚静电释放圈球栅阵列封装结构，属于半导体封装技术领域。
背景技术：
传统的引线框结构主要有两种第一种采用金属基板进行化学蚀刻及电镀后，在金属基板的背面贴上ー层耐高 温的胶膜形成可以进行封装过程的引线框载体(如图3所示)；第二种采用首先在金属基板的背面进行化学半蚀刻，再将前述已经过化学半蚀刻的区域进行塑封料的包封，之后将金属基板的正面进行内引脚的化学蚀刻，完成后再进行引线框内引脚表面的电镀，即完成引线框的制作(如图5所示)。而上述两种引线框在封装过程中存在了以下不足点第一种I、此种的引线框架因背面必须要贴上ー层昂贵可抗高温的胶膜，所以直接増加了高昂的成本；2、也因为此种的引线框架的背面必须要贴上ー层可抗高温的胶膜，所以在封装过程中的装片エ艺只能使用导电或是不导电的粘結物質，而完全不能采用共晶エ艺以及软焊料的エ艺进行装片，所以可选择的产品种类就有较大的局限性；3、又因为此种的引线框架的背面必须要贴上ー层可抗高温的胶膜，而在封装过程中的金属线键合エ艺中，因为此可抗高温的胶膜是软性材质，所以造成了金属线键合參数的不稳定，严重的影响了金属线键合的质量及产品可靠度的稳定性；4、再因为此种的引线框架的背面必须要贴上ー层可抗高温的胶膜，而在封装过程中的塑封エ艺过程，因为塑封时的注胶压カ很容易造成引线框架与胶膜之间渗入塑封料，而将原本应属金属脚是导电的型态因为渗入了塑封料反而变成了绝缘脚(如图4所示)。第二种I、因为分别进行了二次的蚀刻作业，所以多増加了エ序作业的成本；2、引线框的组成是金属物质加环氧树脂物质(塑封料)所以在高温下容易因为不同物质的膨胀与收缩应カ的不相同，产生引线框翘曲问题；3、也因为引线框的翘曲直接影响到封装エ序中的装置芯片的精准度与引线框传送过程的顺畅从而影响生产良率；4、也因为引线框的翘曲直接影响到封装エ序中的金属线键合的对位精度与弓I线框传送过程的顺畅从而影响生产良率；5、因为引线框正面的内引脚是采用蚀刻的技术，所以蚀刻内引脚的脚宽必须大于lOOMffl，而内引脚与内引脚的间隙也必须大于lOOMffl，所以较难做到内引脚的高密度能力。
发明内容[0017]本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种单基岛埋入单圈引脚静电释放圈球栅阵列封装结构，它省去了背面的耐高温胶膜，降低了封装成本，可选择的产品种类广，金属线键合的质量与产品可靠度的稳定性好，塑封体与金属脚的束缚能力大，实现了内引脚的高密度能力。本实用新型的目的是这样实现的一种单基岛埋入单圈引脚静电释放圈球栅阵列封装结构，其特点是它包括外引脚和外静电释放圈，所述外引脚正面通过多层电镀方式形成内引脚，所述外静电释放圈正面通过多层电镀方式形成内静电释放圈，所述外静电释放圈内部设置有芯片，所述芯片正面与内引脚正面之间以及芯片正面与内静电释放圈正面之间用金属线连接，所述内引脚上部以及芯片和金属线外包封有塑封料，所述外引脚外围的区域、外静电释放圈与外引脚之间的区域以及外引脚与外引脚之间的区域均嵌置有填缝齐U，且外引脚和外静电释放圈的背面露出填缝剂外，在露出填缝剂外的外引脚和外静电释放圈的背面设置有锡球。所述外静电释放圈内部正面通过多层电镀方式形成内基岛，所述芯片设置于内基岛正面。所述第一金属层可以采用镍、铜、镍、钯、金五层金属层或镍、铜、银三层金属层，或者其他类似结构。以镍、铜、镍、钯、金五层金属层为例，其中第一层镍层主要起到抗蚀刻阻挡层的作用，而中间的铜层、镍层和钯层主要起结合增高的作用，最外层的金层主要起到与金属线键合的作用。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是I、此种引线框的背面不需贴上一层昂贵的可抗高温的胶膜，所以直接降低了高昂的成本；2、也因为此种引线框的背面不需要贴上ー层可抗高温的胶膜，所以在封装过程中的エ艺除了能使用导电或是不导电的粘结物质外，还能采用共晶エ艺以及软焊料的エ艺进行装片，所以可选择的种类较广；3、又因为此种的引线框的背面不需要贴上ー层可抗高温的胶膜，确保了金属线键合參数的稳定性，保证了金属线键合的质量和产品的可靠度的稳定性；4、再因为此种的引线框的背面不需要贴上ー层可抗高温的胶膜，因而在封装的エ艺过程中完全不会造成引线框与胶膜之间渗入塑封料；5、由于正面采用了细线电镀的方法，所以正面的引脚宽度最小可以达到25Mffl，以及内引脚与内引脚之间的距离最小达到25Mm，充分地体现出引线框内引脚的高密度能力；6、由于应用了正面内引脚的电镀方式与背面蚀刻技术，所以能够将引线框正面的引脚尽可能的延伸到基岛的旁边，促使芯片与引脚距离大幅的缩短，如此金属线的成本也可以大幅的降低(尤其是昂贵的纯金质的金属线);7、也因为金属线的缩短使得芯片的信号输出速度也大幅的增速(尤其存储类的产品以及需要大量数据的计算更为突出)，由于金属线的长度变短了，所以在金属线所存在的寄生电阻、寄生电容与寄生电感对信号的干扰也大幅度的降低；8、因运用了内引脚的电镀延伸技术，所以可以容易的制作出高脚数与高密度的脚与脚之间的距离，使得封装的体积与面积可以大幅度的缩小；9、因为将封装后的体积大幅度的缩小，更直接的体现出材料成本大幅度的下降，由于材料用量的減少，也大幅度地減少了废弃物等环保问题困扰。[0031]10、在塑封体贴片到PCB板上吋，因在塑封体引脚和基岛的部位植入或涂布有锡球，塑封体背面与PCB板之间的间距变大，尤其是塑封体的内圈引脚或是基岛区域不会因热风吹不进去而造成锡熔解困难的问题。11、如果塑封体贴片到PCB板上不是很好时，需要再进行返エ重贴，由于锡膏处有足够的高度，清洁剂容易清洁，焊上锡球后容易维修，如锡球没焊好拿掉锡球后重新再焊ー个球即可。
图I为本实用新型一种单基岛埋入单圈引脚静电释放圈球栅阵列封装结构示意图。图2为图I的俯视图。图3为以往四面无引脚引线框背面贴上耐高温胶膜的示意图。图4为以往背面贴上耐高温胶膜的四面无引脚引线框封装时溢料的示意图。图5为以往预包封双面蚀刻引线框的结构示意图。其中外引脚I外静电释放圈2内基岛3内引脚4内静电释放圈5芯片6金属线7塑封料8导电或不导电粘结物质9锡球10填缝剂11。
具体实施方式
參见图I、图2，本实用新型一种单基岛埋入单圈引脚静电释放圈球栅阵列封装结构，它包括外引脚I和外静电释放圈2，所述外引脚I正面通过多层电镀方式形成内引脚4，所述外静电释放圈2正面通过多层电镀方式形成内静电释放圈5，所述外静电释放圈2内部正面通过多层电镀方式形成内基岛3，所述内基岛3、内引脚4和内静电释放圈5统称为第一金属层，所述内基岛3正面通过导电或不导电粘结物质9设置有芯片6，所述芯片6正面与内引脚4正面之间用金属线7连接，所述内基岛3、内引脚4和内静电释放圈5上部以及芯片6和金属线7外包封有塑封料8，所述外引脚I外围的区域、外静电释放圈2与外引脚I之间的区域以及外引脚I与外引脚I之间的区域均嵌置有填缝剂11，且外引脚I和外静电释放圈2的背面露出填缝剂11タト，在露出填缝剂11外的外引脚I和外静电释放圈2的背面设置有锡球10。[0051]所述外静电释放圈2内部正面可不通过多层电镀方式形成内基岛3，若外 静电释放圈2内部正面不形成内基岛3，此时芯片6直接通过导电或不导电粘结物质9设置于外静电释放圈2内部的填缝剂11正面。
权利要求1.一种单基岛埋入单圈引脚静电释放圈球栅阵列封装结构，其特征在于它包括外引脚(I)和外静电释放圈(2)，所述外引脚(I)正面通过多层电镀方式形成内引脚(4)，所述外静电释放圈(2)正面通过多层电镀方式形成内静电释放圈(5)，所述外静电释放圈(2)内部设置有芯片(6)，所述芯片(6)正面与内引脚(4)正面之间以及芯片(6)正面与内静电释放圈(5)之间用金属线(7)连接，所述内引脚(4)上部以及芯片(6)和金属线(7)外包封有塑封料(8)，所述外引脚(I)外围的区域、外静电释放圈(2)与外引脚(I)之间的区域以及外引脚(I)与外引脚(I)之间的区域均嵌置有填缝剂(11)，且外引脚(I)和外静电释放圈(2)的背面露出填缝剂(11)外，在露出填缝剂(11)外的外引脚(I)和外静电释放圈(2)的背面设置有锡球(10)。
2.根据权利要求I所述的ー种单基岛埋入单圈引脚静电释放圈球栅阵列封装结构，其特征在于所述外静电释放圈(2)内部正面通过多层电镀方式形成内基岛(3)，所述芯片(6)设置于内基岛(3)正面。
专利摘要本实用新型涉及一种单基岛埋入单圈引脚静电释放圈球栅阵列封装结构，它包括外引脚(1)和外静电释放圈(2)，所述外引脚(1)正面通过多层电镀方式形成内引脚(4)，所述外静电释放圈(2)内部设置有芯片(6)，所述芯片(6)正面与内引脚(4)正面之间用金属线(7)连接，所述外引脚(1)外围的区域、外静电释放圈(2)与外引脚(1)之间的区域以及外引脚(1)与外引脚(1)之间的区域均嵌置有填缝剂(11)，所述外引脚(1)和外静电释放圈(2)的背面设置有锡球(10)。本实用新型的有益效果是它省去了背面的耐高温胶膜，降低了封装成本，可选择的产品种类广，金属线键合的质量与产品可靠度的稳定性好，塑封体与金属脚的束缚能力大，实现了内引脚的高密度能力。
文档编号H01L23/495GK202394945SQ20112048629
公开日2012年8月22日 申请日期2011年11月30日 优先权日2011年11月30日
发明者吴昊, 梁志忠, 王新潮, 谢洁人 申请人:江苏长电科技股份有限公司