专利名称：低插损铁氧体微波器件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及微波器件技术，特别是涉及一种低插损铁氧体微波器件的结构改进。
背景技术：
铁氧体微波器件(如环行器、隔离器)在微波电路中起到环行、隔离、调幅等作用， 主要用于军事雷达系统、通信领域。现有铁氧体微波器件主要由铁氧体制作而成，铁氧体是一种磁性陶瓷材料，由!^e2O3 (三氧化二铁)和其它金属氧化物烧结而成。铁氧体的特殊性能一方面是电磁波通过铁氧体时，损耗很小；另一方面当有外加恒定磁场时，铁氧体显现各项异性，正因为铁氧体对微波信号产生相移及衰减的不可逆效应(即非互易性)，因此被用于制作铁氧体微波器件。但是现有铁氧体微波器件的插损(即插入损耗，相当于我们常说的衰减)值都较高，通常在0. 5dB左右。插损是环行器/隔离器的最主要性能指标之一，随着技术和市场的飞速发展，这个指标已不能满足需求，降低插损是铁氧体微波器件设计和生产中的一大难题，业界同行试图用铁氧体表面处理的方法来降低插损，但是少见文献报道，降低插损的效果不佳。
发明内容针对上述现有技术中存在的缺陷，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种插损值低的低插损铁氧体微波器件。为了解决上述技术问题，本实用新型所提供的一种低插损铁氧体微波器件，包括铁氧体器件本体，其特征在于所述铁氧体器件本体的一个侧面上涂有一层金属银涂层。进一步的，所述金属银涂层的厚度为0. 002士0. 0005mm。本实用新型提供的低插损铁氧体微波器件，在微波器件的铁氧体一侧面上涂有薄薄的一层金属银涂层，由于金属银具有良好的导电性，微波器件的铁氧体将会更好地改善性能，将插损降至0. 2dB以下，远低于现有的铁氧体微波器件。
图1是本实用新型实施例的低插损铁氧体微波器件的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图说明对本实用新型的实施例作进一步详细描述，但本实施例并不用于限制本实用新型，凡是采用本实用新型的相似结构及其相似变化，均应列入本实用新型的保护范围。如图1所示，本实用新型实施例所提供的一种低插损铁氧体微波器件，包括器件本体1，其特征在于所述器件本体1的一侧面上涂覆有金属银涂层2。[0011]进一步的，所述金属银涂层的厚度为0. 002士0. 0005mm。本实用新型提供的低插损铁氧体微波器件的铁氧体加工方法，步骤如下1)将铁氧体待涂银层的侧面朝向上方，用丝网平贴所述铁氧体表面；2)将由银粉和环氧树脂组成的含银浆料涂覆在所述铁氧体表面上，构成均勻的厚度为0. 002 士0. 0005mm金属银涂层；3) 150°C焙烘0. 5 1小时后，再高温800°C烧结使金属银涂层固化。其中，步骤1)所述丝网为250目。其中，步骤2 )所述含银浆料中，银粉颗粒的直径为3 5 μ m，重量百分数60 % 80%。本实用新型实施例中，所述金属银涂层2的厚度为0.002士0.0005mm，插损降至 0. 2dB以下，远低于现有铁氧体微波器件。本实用新型实施例适用于环行器/隔离器等铁氧体微波器件。
权利要求1.一种低插损铁氧体微波器件，包括铁氧体器件本体，其特征在于所述铁氧体器件本体的一个侧面上涂有一层金属银涂层。
2.根据权利要求1所述的低插损铁氧体微波器件，其特征在于所述金属银涂层的厚度为 0. 002 + 0. 0005mm。
专利摘要一种低插损铁氧体微波器件，涉及微波器件技术领域，所解决的技术问题是降低插损。该低插损铁氧体微波器件，包括铁氧体器件本体，其特征在于所述铁氧体器件本体的一个侧面上涂有一层金属银涂层，金属银涂层的厚度为0.002±0.0005mm。本实用新型的积极效果是在铁氧体表面薄薄涂覆一层厚度为0.002±0.0005mm金属银涂层，能将插损降至0.2dB以下，远低于现有铁氧体微波器件。
文档编号H01P1/36GK202333101SQ201120510859
公开日2012年7月11日 申请日期2011年12月9日 优先权日2011年12月9日
发明者朱洁文, 黄宁 申请人:捷考奥电子(上海)有限公司