专利名称：一种快恢复二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体器件，尤其是一种快恢复ニ极管。
背景技术：
在诸多的电カ半导体器件中，功率ニ极管相对来说是最简单的ー种器件，但又是电カ电子电路中最常用的基础电子元器件之一，在电路中起着举足轻重的作用。快恢复ニ极管是ー种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体ニ极管，主要应用于开关电源、脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流ニ极管、续流ニ极管或阻尼ニ极管使用。适当选择快恢复ニ极管的特性，尤其是反向恢复特性，如反向恢复时间和反向恢复软度，可显著地减小开关器件、ニ极管和其它许多电路元件中的功率损耗。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是基于上述问题，提供一种可以清楚显示出工作參数的快恢复ニ极管。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种快恢复ニ极管，包括两只ニ极管本体、引脚和封装外壳，所述的两只ニ极管本体位于封装外壳内，ニ极管本体包括一个PN结、一个正极端子和一个负极端子，两只ニ极管本体的正极端子相连接，在两只ニ极管本体的正极端子的连接点处焊接有一根引脚，两只ニ极管本体的负极端子也各焊接有一根引脚，所述的引脚位于封装外壳外，封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出ニ极管本体的工作參数的紫外光固化油墨层。考虑到装配的简便，所述的封装外壳为长方体结构。进ー步地，为了美观，兼具节约成本，所述的封装外壳上设置有エ艺孔。本实用新型的有益效果是本实用新型结构简单，ニ极管本体在封装外壳内确保其电气特性不受影响，封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出ニ极管本体工作參数的涂层，在更换快恢复ニ极管时，就不会出现错将工作參数不符合要求的管子换上，从而避免了快恢复ニ极管击穿损坏。
以下结合附图
和实施例对本实用新型进ー步说明。图I是本实用新型的结构示意图。图2是本实用新型的内部电路符号图。图中1. ニ极管本体，2.引脚，3.封装外壳，4.エ艺孔。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进ー步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。[0013]如图I 2所示的一种硅塑封快恢复ニ极管，包括两只ニ极管本体I、引脚2和封装外壳3，两只ニ极管本体I位于封装外壳3内，ニ极管本体I包括ー个PN结、一个正极端子和一个负极端子，两只ニ极管本体I的正极端子相连接，在两只ニ极管本体I的正极端子的连接点处焊接有一根引脚2，两只ニ极管本体I的负极端子也各焊接有一根引脚2，引脚2位于封装外壳3タト，封装外壳3上涂覆有一层可以清楚显示出ニ极管本体I的工作參数的紫外光固化油墨层。考虑到装配的简便，封装外壳3为长方体结构。进ー步地，为了美观，兼具节约成本，封装外壳3上设置有エ艺孔4。 以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多祥的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求1.一种快恢复ニ极管，其特征在于包括两只ニ极管本体(I)、引脚(2)和封装外壳(3)，所述的两只ニ极管本体⑴位于封装外壳(3)内，ニ极管本体⑴包括ー个PN结、ー个正极端子和一个负极端子，两只ニ极管本体(I)的正极端子相连接，在两只ニ极管本体(I)的正极端子的连接点处焊接有一根引脚(2)，两只ニ极管本体(I)的负极端子也各焊接有一根引脚(2)，所述的引脚⑵位于封装外壳(3)夕卜，封装外壳(3)上涂覆有一层可以清楚显示出ニ极管本体(I)的工作參数的紫外光固化油墨层。
2.根据权利要求I所述的ー种快恢复ニ极管，其特征在于所述的封装外壳(3)为长方体结构。
3.根据权利要求2所述的ー种快恢复ニ极管，其特征在于所述的封装外壳(3)上设置有エ艺孔(4)。
专利摘要本实用新型涉及半导体器件，尤其是一种快恢复二极管，包括两只二极管本体、引脚和封装外壳，两只二极管本体位于封装外壳内，二极管本体包括一个PN结、一个正极端子和一个负极端子，两只二极管本体的正极端子相连接，在两只二极管本体的正极端子的连接点处焊接有一根引脚，两只二极管本体的负极端子也各焊接有一根引脚，引脚位于封装外壳外，封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体的工作参数的紫外光固化油墨层。本实用新型结构简单，封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层，在更换快恢复二极管时，就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上，从而避免了快恢复二极管击穿损坏。
文档编号H01L23/29GK202405247SQ201120549568
公开日2012年8月29日 申请日期2011年12月26日 优先权日2011年12月26日
发明者孔明 申请人:常州福达电子有限公司