光半导体装置用密封剂及光半导体装置的制作方法

文档序号:7153119阅读:290来源:国知局
专利名称:光半导体装置用密封剂及光半导体装置的制作方法
技术领域
本发明涉及用于在光半导体装置中密封光半导体元件的光半导体装置用密封剂、以及使用了该光半导体装置用密封剂的光半导体装置。
背景技术
发光二极管(LED)装置等光半导体装置的消耗电カ低,并且寿命长。此外,光半导体装置在苛刻的环境下也可以使用。因此,光半导体装置已被广泛用于移动电话用背光灯、液晶电视用背光灯、汽车用灯、照明器具及看板等。
当作为用于光半导体装置中的发光元件的光半导体元件(例如LED)与大气直接接触时,大气中的水分或悬浮的灰尘等会导致光半导体元件的发光特性急剧下降。因此,通常利用光半导体装置用密封剂对上述光半导体元件进行密封。在下述专利文献I中,作为光半导体装置用密封剂,公开了含有氢化双酚A缩水甘油醚、脂环式环氧单体、以及潜在催化剂的环氧树脂材料。该环氧树脂材料通过热阳离子聚合而固化。在下述专利文献2中,作为光半导体装置用密封剂,公开了含有环氧树脂、特定的环氧改性有机聚硅氧烷、固化剂、以及体积平均粒径为Γ ΟΟηπι的无机氧化物粒子的环氧树脂组合物。其中,作为上述无机氧化物粒子,列举了ニ氧化硅粒子。此外,不只是包含环氧树脂的光半导体装置用密封剂,包含有机硅树脂的光半导体装置用密封剂也得到了广泛使用。上述有机硅树脂对蓝色 紫外区的短波长的光的透过性高、耐热性及耐光性优异。但是,在使用上述包含有机硅树脂的密封剂的情况下,由于密封剂固化物的表面会产生发粘,因此存在表面上容易附着灰尘等杂质的问题。此外,如果固化物的表面发粘,还会引发下述问题组件之间粘附、以及在实际安装时在吸嘴(Pick up nozzle)上产生附着,从而导致光半导体装置的生产性大幅降低。另ー方面,如下述专利文献3所述,已知有含有交联密度得到提高的有机硅树脂的密封剂。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2003-73452号公报专利文献2 :日本特开2009-227849号公报专利文献3 :日本特开2002-314142号公报

发明内容
发明要解决的问题对于专利文献I中公开的传统光半导体装置用密封剂而言,如果在经受重复加热和冷却的苛刻环境下使用,则可能会导致密封剂上产生裂纹、或者密封剂从外罩材料等上剥离。此外,为了使到达发光元件背面侧的光反射,有时在发光元件的背面形成镀银的电极。如果在密封剂上产生裂纹、或者密封剂从外罩材料上剥离,则镀银的电极将暴露于大气中。此时,在大气中存在的硫化氢气体或ニ氧化硫气体等腐蚀性气体的作用下,可能会导致银镀层变色。电极变色则反射率降低,因此存在发光元件所发出的光的亮度降低这样的问题。就专利文献2所述的传统光半导体装置用密封剂而言,有时ニ氧化硅粒子等无机氧化物粒子的分散性低。因此,在密封剂中添加有荧光体的情况下、或密封剂含有荧光体的情况下,由于荧光体的比重大等,可能会导致荧光体发生沉降。这样ー来,可能会导致从光半导体装置中导出的光的亮度低。此外,如果使用荧光体发生沉降的光半导体装置用密封剂来制作光半导体装置,则有时会导致从得到的多个光半导体装置发出的光的顔色不同。此外,就为了防止荧光体 的沉降而提高了密封剂的粘度的传统光半导体装置用密封剂而言,还存在粘度过高,分散性低这样的问题。另外,就专利文献3记载的密封剂而言,由于该密封剂中含有的有机硅树脂的交联密度高,因此固化物表面的发粘较少。但是仍強烈需要能够进一歩抑制固化物表面发粘的密封剂。此外,就专利文献3所述的密封剂而言,机械强度及粘接性可能相当低。这样一来,如果重复接受热循环,则可能会导致密封剂上产生裂纹、或密封剂从外罩材料等上剥离。另外,对于使用了传统的光半导体装置用密封剂的光半导体装置而言,其耐湿性可能较低。即,将使用了传统的光半导体装置用密封剂的光半导体装置用于高温多湿的苛刻环境下时,存在发光时的亮度缓慢降低的问题。本发明的目的在于提供ー种光半导体装置用密封剂、以及使用了该光半导体装置用密封剂的光半导体装置,该光半导体装置用密封剂对于腐蚀性气体具有高阻气性,即使在苛刻环境下使用也不易发生裂纹或剥离。本发明特定的目的在于提供ー种光半导体装置用密封剂、以及使用了该光半导体装置用密封剂的光半导体装置,该光半导体装置用密封剂在添加了荧光体、或含有荧光体的情况下,可以抑制该荧光体的沉降,并且分散性良好,进而,在制作多个光半导体装置吋,从得到的光半导体装置中导出的光的亮度高,并且不易发生从得到的多个光半导体装置发出的光的颜色不均的问题。本发明的另ー特定目的在于提供一种可以抑制表面发粘的光半导体装置用密封齐U、以及使用了该光半导体装置用密封剂的光半导体装置。本发明的其它的特定目的在于提供ー种耐湿可靠性高的光半导体装置用密封剂、以及使用了该光半导体装置用密封剂的光半导体装置。解决问题的方法从大的方面上把握本发明,本发明提供ー种光半导体装置用密封剂,其包含第I有机硅树脂成分,其是第I有机硅树脂A和第I有机硅树脂B中的至少ー种成分,所述第I有机硅树脂A由下述式(IA)表示,不含与硅原子键合的氢原子,并且具有芳基和烯基,所述第I有机硅树脂B由下述式(IB)表示,不含与硅原子键合的氢原子,并且具有芳基和稀基;第2有机硅树脂成分,其是第2有机硅树脂A和第2有机硅树脂B中的至少ー种成分,所述第2有机硅树脂A由下述式(51A)表示,并且具有芳基和与硅原子直接键合的氢原子,所述第2有机硅树脂B由下述式(51B)表示,并且具有芳基和与硅原子直接键合的氢原子;以及硅氢化(ヒドロシリル化)反 应用催化剂,其中,通过下述式(al)求出的、上述第I有机硅树脂A中芳基的含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下,通过下述式(bl)求出的、上述第I有机硅树脂B中芳基和亚苯基的总含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下,通过下述式(a51)求出的、上述第2有机硅树脂A中芳基的含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下,通过下述式(bl)求出的、上述第2有机硅树脂B中芳基和亚苯基的总含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下。[化学式I](RlR2R3Si01/2)a(R4R5Si02/2)b(R6Si03/上…式(IA)上述式(IA)中,a、b及 c 满足:a/ (a+b+c) =0 O. 50、b/ (a+b+c) =0. 40 I. O 以及 c/(a+b+c) =0^0. 50,R1 R6中的至少ー个表示相当于芳基的苯基,R1 R6中的至少ー个表示烯基,除苯基及烯基之外的Rf R6表示碳原子数f 8的烃基。[化学式2](RlR2R3Si01/2) a (R4R5Si02/2) b (R6Si03/2) c (R7R8R9R10Si2Rl 102/2) d...式(IB)上述式(IB)中,a、b、c及 d 满足a/ (a+b+c+d) =0 0. 40、b/ (a+b+c+d) =0. 40 0. 99、c/ (a+b+c+d) =0 0. 50、以及d/ (a+b+c+d) =0. 01 0. 40, Rl R6中的至少一个表不相当于芳基的苯基,Rf R6中的至少ー个表示烯基,除苯基及烯基之外的Rf R6表示碳原子数f 8的烃基,R7^R10分别表示碳原子数f 8的烃基,Rll表示碳原子数f 8的2价烃基。[化学式3](RSlRSSRSSSiCVJpa^dRSSSiCVJjRSeSiOw)/..式(51A)上述式(51A)中、P、q及 r 满足p/(p+q+r) =0. 05 O. 50、q/(p+q+r) =0. 05 O. 50、以及iy(p+q+r)=0. 2(Γ0. 80,R51 R56中的至少ー个表示相当于芳基的苯基,R51 R56中的至少ー个表不与娃原子直接键合的氢原子,除苯基及与娃原子直接键合的氢原子之外的R5fR56表示碳原子数f8的烃基。[化学式4](R51R52R53Si01/2) p (R54R55Si02/2) q (R56Si03/2) r (R57R58R59R60Si2R6102/2) s...式(51B)上述式(51B)中,p、q、r及 s 满足p/(p+q+r+s) =0. 05 O. 50、q/(p+q+r+s) =0. 05 0· 50、r/ (p+q+r+s) =0. 20 0· 80、以及 s/ (p+q+r+s) =0. θΓθ. 40,R51 R56
中的至少ー个表不相当于芳基的苯基,R51^R56中的至少ー个表不表不与娃原子直接键合的氢原子,除苯基及与硅原子直接键合的氢原子之外的R5f R56表示碳原子数f 8的烃基,R57飞O分别表示碳原子数f 8的烃基,R61表示碳原子数f 8的2价烃基。芳基的含有比例(摩尔%)=(上述第I有机硅树脂A的每ー个分子中含有的芳基的平均个数X芳基的分子量/上述第I有机硅树脂A的数均分子量)X 10(l···式(al);
芳基和亚苯基的总含有比例(摩尔%)={(上述第I有机硅树脂B的每ー个分子中含有的芳基的平均个数X芳基的分子量+上述第I有机硅树脂B的每ー个分子中含有的亚苯基的平均个数X亚苯基的分子量)/上述第I有机硅树脂B的数均分子量} X 100…式(bl)芳基的含有比例(摩尔%)=(上述第2有机硅树脂A的每ー个分子中含有的芳基的平均个数X芳基的分子量/上述第2有机硅树脂A的数均分子量)X 100···式(a51)芳基和亚苯基的总含有比例(摩尔%)={(上述第2有机硅树脂B的每ー个分子中含有的芳基的平均个数X芳基的分子量+上述第2有机硅树脂B的每ー个分子中含有的亚苯基的平均个数X亚苯基的分子量)/上述第2有机硅树脂B的数均分子量} X 100…式(b51)在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的某一特定方面中,该光半导体装置用密封剂含有上述第I有机硅树脂B及上述第2有机硅树脂B中的至少ー种。在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的其它特定方面中,上述第I有机硅树脂成分为上述第I有机硅树脂A,上述第I有机硅树脂A包含第I有机硅树脂A-I,该第I有机硅树脂A-I由下述式(1A-1)表示,不含与硅原子键合的氢原子,并且具有芳基和烯基,通过下述式(al-Ι)求出的、上述第I有机硅树脂A-I中芳基的含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下。[化学式5](RlR2R3Si01/2)a(R4R5Si02/2)b...式(1A-1)在上述式(1A-1)中,a及 b 满足a/(a+b) =0. 05 O. 50 以及 b/(a+b) =0. 50 0· 95,RfR5中的至少ー个表示相当于芳基的苯基,RfR5中的至少ー个表示烯基,除苯基及烯基之外的RfR5表示碳原子数f8的烃基,并且,上述式(IB)中(RlR2R3Si01/2)所示的结构单元包含Rl表示烯基、R2及R3表示烯基、芳基或碳原子数I、的烃基的结构单元。芳基的含有比例(摩尔%)=(上述第I有机硅树脂A-I的每ー个分子中含有的芳基的平均个数X芳基的分子量/上述第I有机硅树脂A-I的数均分子量)X 10(l···式(al-1)在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的另一特定方面中,上述第I有机硅树脂A包含上述第I有机娃树脂A-1,并且含有或不含第I有机娃树脂A-2,该第I有机娃树脂A-2由下述式(1A-2)表示,其不相当于上述第I有机硅树脂A-I,不具有与硅原子键合的氢 原子,并且具有芳基和烯基;上述第I有机硅树脂A-I含有上述第I有机硅树脂A-2时,通过下述式(al-2)求出的、上述第I有机硅树脂A-2中芳基的含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下,在总计100重量%的上述第I有机硅树脂A-I和上述第I有机硅树脂A-2中,上述第I有机硅树脂A-I的含量高于50重量%且为100重量%以下。[化学式6](RlR2R3Si01/2)a(R4R5Si02/2)b(R6Si03/上…式(1A-2)在上述式(1A-2)中,a、b及 c 满足:a/ (a+b+c) =0 O. 50、b/ (a+b+c) =0. 40 I. O、以及cバa+b+c) =(T0. 50,R1 R6中的至少ー个表示相当于芳基的苯基,R4 R6中的至少ー个表示烯基,除苯基及烯基之外的Rf R6表示碳原子数f 8的烃基。
芳基的含有比例(摩尔%)=(上述第I有机硅树脂A-2的每ー个分子中含有的芳基的平均个数X芳基的分子量/上述第I有机硅树脂A-2的数均分子量)X 100…式(al-2)在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的另外的特定方面中,上述第I有机硅树脂A包含上述第I有机硅树脂A-I,并且含有第I有机硅树脂A-2,第I有机硅树脂A-2由上述式(1A-2)表示,其不相当于上述第I有机硅树脂A-1,不含有与硅原子键合的氢原子,并且具有芳基和烯基,通过上述式(al-2)求出的、上述第I有机硅树脂A-2中芳基的含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下。在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的另一特定的方面中,上述第I有机硅树脂A包含上述第I有机硅树脂A-I和上述第I有机硅树脂A-2这两者,相对于100重量份的上述第I有机硅树脂A-2,上述第I有机硅树脂A-I的含量为5重量份以上且100重量份以下。在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的其它特定方面中,上述第2有机硅树脂成分为上述第2有机娃树脂A。在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的另一特定方面中,上述式(51A)中(R51R52R53Si01/2)所示的结构单元包含R51表示与硅原子键合的氢原子、R52及R53表示氢原子、苯基或碳原子数Γ8的烃基的结构单元。在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的其它特定方面中,上述第I有机硅树脂A及上述第2有机硅树脂B分别包含ニ苯基硅氧烷结构单元,该ニ苯基硅氧烷结构单元中,在I个硅原子上键合有2个苯基,在上述第I有机硅树脂A及上述第2有机硅树脂B的全部硅氧烷结构单元100摩尔%中,ニ苯基硅氧烷结构单元的比例为30摩尔%以上,该ニ苯基硅氧烷结构单元中,在I个硅原子上键合有2个苯基。在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的其它特定方面中,上述第2有机硅树脂A及上述第2有机硅树脂B分别包含下述式(51-a)表示的结构单元,在上述第2有机硅树脂A及上述第2有机硅树脂B的全部硅氧烷结构单元100摩尔%中,下述式(51-a)表示的结构单元的比例为5摩尔%以上。[化学式7]
权利要求
1.一种光半导体装置用密封剂,其包含 第I有机硅树脂,其是第I有机硅树脂A和第I有机硅树脂B中的至少一种成分,所述第I有机硅树脂A由下述式(IA)表示,不含与硅原子键合的氢原子,并且具有芳基和烯基,所述第I有机硅树脂B由下述式(IB)表示,不含与硅原子键合的氢原子,并且具有芳基和稀基; 第2有机硅树脂,其是第2有机硅树脂A和第2有机硅树脂B中的至少一种成分,所述第2有机硅树脂A由下述式(51A)表示,并且具有芳基和与硅原子直接键合的氢原子,所述第2有机硅树脂B由下述式(51B)表示,并且具有芳基和与硅原子直接键合的氢原子;以及硅氢化反应用催化剂, 其中, 通过下述式(al)求出的、所述第I有机硅树脂A中芳基的含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下,通过下述式(bl)求出的、所述第I有机硅树脂B中芳基和亚苯基的总含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下, 通过下述式(a51)求出的、所述第2有机硅树脂A中芳基的含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下,通过下述式(bl)求出的、所述第2有机硅树脂B中芳基和亚苯基的总含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下,(RlR2R3Si01/2) a (R4R5Si02/2)b (R6Si03/2) c…式(IA) 上述式(IA)中,a、b 及 c 满足a/ (a+b+c) =0 0· 50、b/ (a+b+c) =0. 40 I. O、以及 c/(a+b+c) =0^0. 50,R1 R6中的至少一个表示相当于芳基的苯基,R1 R6中的至少一个表示烯基,除苯基及烯基之外的Rf R6表示碳原子数广8的烃基; (RlR2R3Si01/2) a (R4R5Si02/2)b (R6Si03/2) c (R7R8R9R10Si2Rl 102/2) d…式(IB)上述式(IB)中,a、b、c 及 d 满足a/ (a+b+c+d) =0 0. 40、b/ (a+b+c+d) =0. 40 0. 99、c/(a+b+c+d) =0 0. 50、以及d/ (a+b+c+d) =0. 01 0. 40, Rl R6中的至少一个表不相当于芳基的苯基,Rf R6中的至少一个表示烯基,除苯基及烯基之外的Rf R6表示碳原子数f 8的烃基,R7^R10分别表示碳原子数Γ8的烃基,Rll表示碳原子数Γ8的2价烃基;(R51R52R53Si01/2)p (R54R55Si02/2) q (R56Si03/2) r…式(51A)上述式(51A)中,p、q 及 r 满足p/ (p+q+r) =0. 05 O. 50、q/ (p+q+r) =0. 05 0· 50、以及 r/(p+q+r) =0. 2(Γθ. 80,R51 R56中的至少一个表示相当于芳基的苯基,R51 R56中的至少一个表不与娃原子直接键合的氢原子,除苯基及与娃原子直接键合的氢原子之外的R51 R56表示碳原子数Γ8的烃基;(R51R52R53Si01/2)p (R54R55Si02/2) q (R56Si03/2) r (R57R58R59R60Si2R6102/2) s…式(51B)上述式(51B)中,p、q、r 及 s 满足p/ (p+q+r+s) =0. 05 0. 50、q/ (p+q+r+s) =0. 05 0· 50、r/ (p+q+r+s) =0. 20 O. 80、以及 s/ (p+q+r+s) =0. OI O. 40, R51 R56 中的至少一个表不相当于芳基的苯基,R51 R56中的至少一个表不与娃原子直接键合的氢原子,除苯基及与娃原子直接键合的氢原子之外的R5f R56表示碳原子数f 8的烃基,R57^R60分别表示碳原子数Γ8的烃基,R61表示碳原子数I 8的2价烃基; 芳基的含有比例(摩尔%)= (所述第I有机硅树脂A的每一个分子中含有的芳基的平均个数X芳基的分子量/所述第I有机硅树脂A的数均分子量)X 100…式(al);芳基和亚苯基的总含有比例(摩尔%)= {(所述第I有机硅树脂B的每一个分子中含有的芳基的平均个数X芳基的分子量+所述第I有机硅树脂B的每一个分子中含有的亚苯基的平均个数X亚苯基的分子量)/所述第I有机硅树脂B的数均分子量} X 100…式(bl); 芳基的含有比例(摩尔%)= (所述第2有机硅树脂A的每一个分子中含有的芳基的平均个数X芳基的分子量/所述第2有机硅树脂A的数均分子量)X 100···式(a51); 芳基和亚苯基的总含有比例(摩尔%)= {(所述第2有机硅树脂B的每一个分子中含有的芳基的平均个数X芳基的分子量+所述第2有机硅树脂B的每一个分子中含有的亚苯基的平均个数X亚苯基的分子量)/所述第2有机硅树脂B的数均分子量} X 100…式(b51)。
2.根据权利要求I所述的光半导体装置用密封剂,其含有所述第I有机硅树脂B及所述第2有机硅树脂B中的至少一种。
3.根据权利要求I所述的光半导体装置用密封剂,其中, 所述第I有机硅树脂成分为所述第I有机硅树脂A, 所述第I有机硅树脂A包含第I有机硅树脂A-I,所述第I有机硅树脂A-I由下述式(1A-1)表示,不含与硅原子键合的氢原子,并且具有芳基和烯基, 通过下述式(al-Ι)求出的、所述第I有机硅树脂A-I中芳基的含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下,(RlR2R3Si01/2) a (R4R5Si02/2)b…式(1A-1) 上述式(1A-1)中,& 及13满足&/(&+13)=0.05 0.50 以及 b/(a+b) =0. 50 0· 95,Rl R5中的至少一个表示相当于芳基的苯基,Rf R5中的至少一个表示烯基,除苯基及烯基之外的Rf R5表示碳原子数广8的烃基,并且,所述式(IB)中(RlR2R3Si01/2)所示的结构单元包含Rl表示烯基、R2及R3表示烯基、芳基或碳原子数I、的烃基的结构单元, 芳基的含有比例(摩尔%)= (所述第I有机硅树脂A-I的每一个分子中含有的芳基的平均个数X芳基的分子量/所述第I有机硅树脂A-I的数均分子量)X 100···式(al-Ι)。
4.根据权利要求3所述的光半导体装置用密封剂,其中, 所述第I有机硅树脂A包含所述第I有机硅树脂A-I,并且含有或不含第I有机硅树脂A-2,所述第I有机硅树脂A-2由下述式(1A-2)表示,其不同于所述第I有机硅树脂A-1,不具有与硅原子键合的氢原子,并且具有芳基和烯基; 所述第I有机硅树脂A中含有所述第I有机硅树脂A-2时,通过下述式(al-2)求出的、所述第I有机硅树脂A-2中芳基的含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下, 在总计100重量%的所述第I有机硅树脂A-I和所述第I有机硅树脂A-2中,所述第I有机硅树脂A-I的含量高于50重量%且为100重量%以下,(RlR2R3Si01/2) a (R4R5Si02/2)b (R6Si03/2) c…式(1A-2) 上述式(1A-2)中,a、b 及 c 满足a/(a+b+c) =0 0. 50、b/(a+b+c) =0. 40 I. 0、以及 c/(a+b+c) =(Γθ. 50, Rl R6中的至少一个表示相当于芳基的苯基,R4 R6中的至少一个表示烯基,除苯基及烯基之外的Rf R6表示碳原子数f 8的烃基;芳基的含有比例(摩尔%)= (所述第I有机硅树脂A-2的每一个分子中含有的芳基的平均个数X芳基的分子量/所述第I有机硅树脂A-2的数均分子量)X 100…式(al-2)。
5.根据权利要求3或4所述的光半导体装置用密封剂,其中, 所述第I有机硅树脂A包含所述第I有机硅树脂A-1,并且含有第I有机硅树脂A-2,所述第I有机硅树脂A-2由下述式(1A-2)表示,其不同于所述第I有机硅树脂A-1,不含有与硅原子键合的氢原子,并且具有芳基和烯基, 通过下述式(al-2)求出的、所述第I有机硅树脂A-2中芳基的含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下,(RlR2R3Si01/2) a (R4R5Si02/2)b (R6Si03/2) c…式(1A-2) 上述式(1A-2)中,a、b 及 c 满足a/(a+b+c) =0 0. 50、b/(a+b+c) =0. 40 I. 0、以及 c/(a+b+c) =0" . 50, Rl R6中的至少一个表示相当于芳基的苯基,R4 R6中的至少一个表示烯基,除苯基及烯基之外的Rf R6表示碳原子数f 8的烃基; 芳基的含有比例(摩尔%)= (所述第I有机硅树脂A-2的每一个分子中含有的芳基的平均个数X芳基的分子量/所述第I有机硅树脂A-2的数均分子量)X 100…式(al-2)。
6.根据权利要求4或5所述的光半导体装置用密封剂,其中,所述第I有机硅树脂A包含所述第I有机硅树脂A-I和所述第I有机硅树脂A-2这两者, 相对于100重量份的所述第I有机娃树脂A-2,所述第I有机娃树脂A-I的含量为5重量份以上且100重量份以下。
7.根据权利要求f6中任一项所述的光半导体装置用密封剂,其中,所述第2有机硅树脂成分为所述第2有机硅树脂A。
8.根据权利要求广7中任一项所述的光半导体装置用密封剂,其中,所述式(51A)中(R51R52R53Si01/2)所示的结构单元包含R51表示与硅原子键合的氢原子、R52及R53表示氢原子、苯基或碳原子数f 8的烃基的结构单元。
9.根据权利要求f8中任一项所述的光半导体装置用密封剂,其中,所述第I有机硅树脂A及所述第2有机硅树脂B分别包含二苯基硅氧烷结构单元,所述二苯基硅氧烷结构单元中,在I个硅原子上键合有2个苯基, 在所述第I有机硅树脂A及所述第2有机硅树脂B的全部硅氧烷结构单元100摩尔%中,二苯基硅氧烷结构单元的比例为30摩尔%以上,所述二苯基硅氧烷结构单元中,在I个硅原子上键合有2个苯基。
10.根据权利要求I、中任一项所述的光半导体装置用密封剂,其中,所述第2有机硅树脂A及所述第2有机硅树脂B分别包含下述式(51-a)所表示的结构单元, 在所述第2有机硅树脂A及所述第2有机硅树脂B的全部硅氧烷结构单元100摩尔%中,下述式(51-a)表示的结构单元的比例为5摩尔%以上,
11.根据权利要求广10中任一项所述的光半导体装置用密封剂,其还包含氧化硅粒子。
12.根据权利要求11所述的光半导体装置用密封剂,其中,所述氧化硅粒子通过有机硅化合物进行了表面处理。
13.根据权利要求12所述的光半导体装置用密封剂,其中,所述有机硅化合物为选自下组中的至少一种具有_■甲基甲娃烧基的有机娃化合物、具有二甲基甲娃烧基的有机娃化合物、及具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物。
14.根据权利要求f13中任一项所述的光半导体装置用密封剂,其中,使用E型粘度计测定的、所述第I有机硅树脂A及所述第I有机硅树脂B在25°C、5rpm条件下的各粘度为500mPa · s 以上且 20000mPa · s 以下, 使用E型粘度计测定的、所述第2有机硅树脂A及所述第2有机硅树脂B在25°C、5rpm条件下的各粘度为500mPa · s以上且5000mPa · s以下。
15.根据权利要求f14中任一项所述的光半导体装置用密封剂,其中,使用E型粘度计测定的、该密封剂在25°C、5rpm条件下的粘度为IOOOmPa · s以上且IOOOOmPa · s以下。
16.根据权利要求f15中任一项所述的光半导体装置用密封剂,其中,使用平行板型流变仪从25°C起以20°C /分钟的升温速度进行加热时,在从25°C至固化温度的温度范围内,剪切速度Is—1时的最低粘度为200mPa · s以上。
17.根据权利要求f16中任一项所述的光半导体装置用密封剂,其中,使用E型粘度计测定的该密封剂在25°C、lrpm条件下的粘度与使用E型粘度计测定的该密封剂在25°C、IOrpm条件下的粘度之比为I. 2以上且2. 5以下。
18.根据权利要求f17中任一项所述的光半导体装置用密封剂,其还包含荧光体。
19.一种光半导体装置,其具有 光半导体元件,以及 权利要求广18中任一项所述的光半导体装置用密封剂,设置该光半导体装置用密封剂用来密封所述光半导体元件。
全文摘要
本发明提供一种对于腐蚀性气体具有高阻气性,即使在苛刻的环境下使用也不易产生裂纹或剥离的光半导体装置用密封剂。本发明涉及的光半导体装置用密封剂包含第1有机硅树脂,第2有机硅树脂,以及硅氢化反应用催化剂,所述第1有机硅树脂是第1有机硅树脂A和第1有机硅树脂B中的至少一种,所述第1有机硅树脂A由下述式(1A)表示,不含与硅原子键合的氢原子,并且具有芳基和烯基,所述第1有机硅树脂B由下述式(1B)表示,不含与硅原子键合的氢原子,并且具有芳基和烯基;所述第2有机硅树脂是第2有机硅树脂A和第2有机硅树脂B中的至少一种,所述第2有机硅树脂A由下述式(51A)表示,并且具有芳基和与硅原子直接键合的氢原子,所述第2有机硅树脂B由下述式(51B)表示,并且具有芳基和与硅原子直接键合的氢原子。
文档编号H01L33/56GK102639643SQ201180004570
公开日2012年8月15日 申请日期2011年3月18日 优先权日2010年3月31日
发明者乾靖, 国广良隆, 家田泰享, 小林佑辅, 山崎亮介, 森口慎太郎, 沖阿由子, 渡边贵志, 谷川满, 金千鹤 申请人:积水化学工业株式会社
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