发光装置的制作方法

专利名称：发光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及发光装置，尤其涉及能够容易地调整发光光谱且发光效率更高的发光
>J-U ρ α装直。
背景技术：
使用了半导体发光元件的发光装置比荧光灯贵，像在冬夏更换荧光灯那样，根据环境或季节改变所述发光装置的发光色的色温在经济上并不容易。期望能够在单一的发光装置中根据需要变更色温。为了应对该要求，在专利文献I中公开了如下这样的发光装置该发光装置在透 明的圆盘上涂布中央部与外周部具有不同发光色的荧光体，通过变更半导体发光元件与荧光体涂布部之间的距离，能够变更照射角度，通过变更照射部分的大小，能够调节色温。但是，该发光装置是利用从发光元件发出的蓝色光和受到从所述发光元件发出的光的激发而从荧光体发出的黄色光来形成白色光，显色性较低。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2009 - 245712号公报

发明内容
发明所要解决的课题但是，在专利文献I所记载的发光装置中，在为了提高显色性而在荧光体层中混合地含有发光色不同的多种荧光体的情况下，会产生某一种荧光体发出的荧光被其他种类的荧光体吸收的现象、即所谓的级联激发，从而存在荧光体层的发光效率变低的课题(第I课题)。并且，在专利文献I所记载的发光装置中，关于怎样设定荧光体层与半导体发光装置之间的距离，没有进行规定，在没有充分隔开荧光体层与半导体发光元件之间的距离而构成时，随着发光兀件的光输出变高，不仅发光兀件的温度上升，而且由于突光体的颜色转换时的损失所产生的热量，荧光体的温度也上升，其结果，存在半导体发光元件和荧光体层的发光效率变低的课题(第2课题)。此外，在使用发出紫外光到近紫外光的半导体发光元件和能够被来自上述半导体发光元件的光激发而发出可见光的荧光体来构成发光装置的情况下，当来自上述半导体发光元件的光中、未被荧光体层转换为可见光而直接射出的光的比例变多时，存在荧光体层的发光效率变低的课题(第3课题)。并且，在使用发出紫外光到近紫外光的半导体发光元件和能够被来自上述半导体发光元件的光激发而发出可见光的荧光体来构成发光装置的情况下，当从荧光体层发出的可见光中朝向半导体发光兀件侧射出的光的比例变多时，存在发光装置的发光效率变低的课题(第4课题)。
用于解决课题的手段本发明人为了解决上述第I课题而反复进行了深刻研究，发现通过如下结构的发光装置能够解决其课题，从而完成了本发明该发光装置构成为具有将多个荧光体部配置成平面状的荧光体层，并且该荧光体层至少具备发光光谱不同的A区域和B区域，其中，能够调整从半导体发光装置照射到A区域和B区域的光的比例。本发明是一种发光装置，其构成为具有半导体发光元件和荧光体层，该荧光体层具备发光光谱不同的A区域和B区域，该发光装置的特征在于，该发光装置构成为(i)所述半导体发光兀件发出具有350nm以上520nm以下的波长的光，(ii)所述A区域包含两个以上的第IA荧光体部和两个以上的第2A荧光体部，并且所述B区域包含两个以上的第IB荧光体部和两个以上的第2B荧光体部， (iii)所述A区域中相邻的第IA荧光体部和第2A荧光体部在其边界面处沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向配置，所述B区域中相邻的第IB荧光体部和第2B荧光体部在其边界面处沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向配置，(iv)所述第IA突光体部含有第IA突光体,该第IA突光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述半导体发光元件发出的光更长的光的光，(V)所述第2A突光体部含有第2A突光体,该第2A突光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述第IA荧光体发出的光更长的光的光，(vi)所述第IB荧光体部含有第IB荧光体，该第IB荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述半导体发光元件发出的光更长的光的光，(vii)所述第2B荧光体部含有第2B荧光体，该第2B荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述第IB荧光体发出的光更长的光的光，(viii)能够调整从所述半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例。此外，优选的方式为，该发光装置构成为通过使所述荧光体层或所述半导体发光元件以改变所述荧光体层与所述半导体发光元件的相对位置的方式进行移动，能够调整从半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例。此外，优选的是，关于所述荧光体层，在位于发光装置的光的射出侧的面中，设所述A区域中的所述第IA荧光体部所占面积的总和为Sai、所述A区域中的所述第2A荧光体部所占面积的总和为Sa2、所述B区域中的所述第IB荧光体部所占面积的总和为Sbi、所述B区域中的所述第2B荧光体部所占面积的总和为Sb2时，满足下式[I]的条件SA2/SA1 ^ SB2/SB1 · · · [I] ο此外，优选的是，关于所述荧光体层，在设所述A区域中的所述第IA荧光体部的厚度的总和为Tai、所述A区域中的所述第2A荧光体部的厚度的总和为Ta2、所述B区域中的所述第IB荧光体部的厚度的总和为TB1、所述B区域中的所述第IB荧光体部的厚度的总和为Tb2时，满足下式[2]的条件ΤΑ2/ΤΑ1 Φ ΤΒ2/ΤΒ1 · · · [2]。优选的是，在所述荧光体层中，第IA荧光体与第IB荧光体的种类不同，并且/或者，第2A荧光体与第2B荧光体的种类不同。优选的是,关于所述突光体层，在突光体层的厚度方向上存在多种突光体的部分的面积相对于发光装置的光射出面积的比例为0%以上20%以下。优选的是，所述荧光体层具有遮光部，所述遮光部以防止从第IA荧光体部发出的光入射到第2A荧光体部的方式配置在所述第IA荧光体部与第2A荧光体部之间，并且/或者，所述遮光部以防止从第IB荧光体部发出的光入射到第2B荧光体部的方式配置在所述第IB荧光体部与第2B荧光体部之间。优选的是，在所述A区域与B区域之间还具有X区域，(i)所述X区域包含两个以上的第IX荧光体部和两个以上的第2X荧光体部，( ii )在所述X区域中，相邻的第IX荧光体部和第2X荧光体部在其边界面处，沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向配置，(iii)所述第IX荧光体部含有第IX荧光体，该第IX荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述半导体发光元件发出的光更长的成分的光， (iv)所述第2X荧光体部含有第2X荧光体，该第2X荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述第IX荧光体发出的光更长的成分的光，(V)在设所述X区域中的所述第IX荧光体部所占面积的总和为Sxi、所述X区域中的所述第2X荧光体部所占面积的总和为Sx2时，满足下式[3]和[4]的条件SA2/SA1 Φ SX2/SX1 · · · [3]SB2/SB1 关 SX2/SX1 · · · [4]。优选的是，在所述发光装置中，荧光体层被配置成，通过调整从半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例，能够将该发光装置发出的光调整为色度图中位于以下直线上的任意色度，所述直线是连接从A区域发出的光的色度A (xA, yA)和从X区域发出的光的色度X (Χχ, yx)的直线，或者是连接从B区域发出的光的色度B (xB，yB)和从X区域发出的光的色度X (xx，yx)的直线。优选的是,所述色度X (xx，yx)位于连接所述色度A (xA，yA)和所述色度B (xB,yB)的直线上。此外，优选的是，所述色度X (xx, yx)不位于连接所述色度A (xA, yA)和所述色度B (XB, yB)的直线上。优选的是，在所述发光装置中，荧光体被配置成，通过调整从半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例，能够将该发光装置发出的光调整为色度图中位于以下曲线上的任意色度，所述曲线是连接从A区域发出的光的色度A (xA，yA)、从X区域发出的光的色度X(xx, yx)和从B区域发出的光的色度B (xB, yB)的任意曲线。优选的是，所述发光装置通过调整从半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例，能够在与黑体辐射曲线之间的偏差duv为一 O. 02 ^ duv ^ O. 02的范围内，连续地调整发光装置发出的光的色度。优选的是，通过使所述荧光体层或所述半导体发光元件在与所述荧光体层的厚度方向垂直的方向上移动，能够沿着黑体辐射曲线连续地调整发光装置发出的光的色度。优选的是，所述发光装置通过调整从半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例，能够在2800K到6500K的范围内调整发光装置发出的颜色的色温。
此外，为了解决第2课题，优选的方式为，关于所述发光装置，所述半导体发光元件与所述荧光体层之间的距离为Imm以上500mm以下。此外，为了解决第3课题，优选的是，关于所述发光装置，在所述荧光体层的靠发光装置的光射出面的一侧具有带通滤光器，该带通滤光器对所述半导体发光元件发出的光的至少一部分进行反射，并且使所述荧光体发出的光的至少一部分透过。此外，为了解决第4课题，优选的是，关于所述发光装置，在所述荧光体层的靠所述半导体发光元件的一侧具有带通滤光器，该带通滤光器使所述半导体发光元件发出的光的至少一部分透过，并且对所述荧光体发出的光的至少一部分进行反射。优选的是，该发光装置具有 配置所述半导体发光元件的基板；以及收纳所述基板的筒状的外壳部件，在所述外壳部件的至少一部分中配置有所述荧光体层，所述外壳部件被设置成，在使所述基板不动的状态下，该外壳部件绕其中心轴转动自如，在所述荧光体层中，所述A区域和所述B区域被配置在所述外壳部件的周向上不同的位置处，通过调节所述外壳部件相对于所述基板的相对转动位置，能够调整从半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例。优选的是，所述A区域和B区域被配置为在周向上对所述荧光体层进行分割并且沿着该外壳部件的中心轴方向的区域。优选的是，所述荧光体层被配置于所述外壳部件的整周。优选的是，所述半导体发光元件隔着所述基板而配置在该基板的双面上，在所述荧光体层中的隔着所述外壳部件的中心轴而对称的区域中，配置有发光光谱彼此相同的荧光体层。优选的是，在所述外壳部件的外部设置有反射部件，该反射部件将与配置在所述基板的一面上的半导体发光元件对应的来自该外壳部件的射出光朝向与配置在另一面上的半导体发光元件对应的射出光的射出区域进行反射。优选的是，所述半导体发光元件仅配置在所述基板的任意一面上，在所述外壳部件的收纳空间内的面向所述基板的另一面的空间中，以与该基板的另一面热接触的方式配置有用于释放所述半导体发光元件的热量的散热部件。优选的是，所述外壳部件具有圆筒形状，配置于所述基板的半导体发光元件被设置成在该半导体发光元件相对于所述外壳部件的中心轴偏心地配置的情况下，法线方向与该半导体发光元件发出的光的照射中心方向所成的角度变得更小，所述法线方向是该照射中心方向与所述荧光体层的交点处的假想切平面的法线方向。优选的是，在所述基板中，与所述外壳部件的中心轴垂直的截面具有弯折板形状或圆弧形状。发明效果根据本发明，能够提供一种能够容易地调整发光光谱的发光装置，该发光装置的发光效率更高。此外，能够提供一种不需要复杂的电力控制而能够容易地调整色温的发光
>J-U ρ α装直。


图I 一 I是表示本发明的发光装置的一个实施方式的概念图。图I 一 2是表示本发明的发光装置的一个实施方式的概念图。图I 一 3是表示本发明的发光装置的一个实施方式的概念图。图I 一 4是表示本发明的发光装置的一个实施方式的概念图。 图1-5是表示本发明的发光装置的一个实施方式的概念图。图2是表示本发明的荧光体层的概念图。图3是表示本发明的发光装置的一个实施方式的概念图。图4是表示本发明的发光装置的多个实施方式的概念图。图5 — I是本发明的发光装置的荧光体层中存在的荧光体部彼此之间的界面的放大图。图5 — 2是本发明的发光装置的荧光体层中存在的荧光体部彼此之间的界面的放大图。图5 — 3是本发明的发光装置的荧光体层中存在的荧光体部彼此之间的界面的放大图。图6是示出本发明的发光装置中使用的荧光体层的图案的多个例子的图。图7是示出本发明的发光装置中使用的荧光体层的图案的多个例子的图。图8是示出本发明的发光装置中使用的荧光体层的图案的多个例子的图。图9是示出本发明的发光装置中使用的荧光体层的图案的多个例子的图。图10是示出本发明的发光装置中使用的荧光体层的图案的一个例子的图。图11是示出本发明的发光装置中使用的荧光体层的图案的多个例子的图。图12是示出本发明的发光装置中使用的荧光体层的图案的多个例子的图。图13 — I是表示本发明的发光装置的一个实施方式的概念图。图13 — 2是示出本发明的发光装置中使用的荧光体层的图案的多个例子的图。图14是示出本发明的发光装置发出的光的色度的色度图。图15是示出本发明的发光装置中使用的荧光体层的图案的多个例子的图，并且是示出可用该荧光体层的图案表现的色度的色度图。图16是示意性示出第一实施方式的发光装置的概略结构的立体图。图17是示意性示出图16所示的轴垂直截面的图。图18是第一实施方式的外壳部件的展开图。图19是说明第一实施方式的外壳部件的动作状况的图。图20是说明第一实施方式的外壳部件的变形例的展开图。图21 — I是说明第一实施方式的外壳部件的变形例的图。图21 — 2是说明第一实施方式的外壳部件的变形例的图。图21-3是说明第一实施方式的外壳部件的变形例的图。图21-4是说明第一实施方式的外壳部件的变形例的图。
图21 — 5是说明第一实施方式的外壳部件的变形例的图。图22是说明第一实施方式的发光装置的其他变形例的图。图23是示意性示出第二实施方式的发光装置的轴垂直截面的图。图24是说明第二实施方式的发光装置的变形例的图。图25 — I是示意性示出第三实施方式的发光装置的轴垂直截面的图。
图25 — 2是示意性示出第三实施方式的发光装置的轴垂直截面的图。图26是示意性示出第四实施方式的发光装置的轴垂直截面的图。图27是说明第四实施方式的发光装置的变形例的图。图28是示意性示出第五实施方式的发光装置的轴垂直截面的图。图29是示意性示出第五实施方式的发光装置的轴垂直截面的图。图30是关于实施例的发光装置I 9，示出了所测定的相关色温和色度坐标的结果的图。
具体实施例方式本发明的发光装置是具有半导体发光元件和荧光体层的发光装置，所述荧光体层具备发光光谱不同的A区域和B区域。此外，该A区域包含两个以上的第IA荧光体部和两个以上的第2A荧光体部，该B区域包含两个以上的第IB荧光体部和两个以上的第2B荧光体部。该第IA荧光体部包含第IA荧光体，该第2A荧光体部包含第2A荧光体，该第IB荧光体部包含第IB荧光体，该第2B荧光体部包含第2B荧光体。此外，通常发光装置具有用于保持半导体发光元件的封装或基板。〈I - I.荧光体层的结构>本发明的荧光体层具有发光光谱不同的A区域和B区域，各区域包含两个以上的第I荧光体部和第2荧光体部。具体而言，该A区域包含两个以上的第IA荧光体部和两个以上的第2A荧光体部，该B区域包含两个以上的第IB荧光体部和两个以上的第2B荧光体部。第IA荧光体部含有第IA荧光体，第IA荧光体能够被半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比半导体发光元件发出的光更长的光的光。第IB荧光体部含有第IB荧光体，第IB荧光体能够被半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比半导体发光元件发出的光更长的光的光。此外，第2A荧光体部含有第2A荧光体。第2A荧光体能够被半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比上述第IA荧光体发出的光更长的光的光。第2B荧光体部含有第2B荧光体，第2B荧光体能够被半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比上述第IB突光体发出的光更长的光的光。并且，A区域和/或B区域可以具有含有第3荧光体的第3荧光体部和含有第4荧光体的第4荧光体部，第3荧光体和第4荧光体能够发出包含波长与第IA荧光体、第IB荧光体、第2A突光体以及第2B突光体不同的光的光。另外，第IA荧光体部所包含的第IA荧光体与第IB荧光体部所包含的第IB荧光体可以是相同种类的荧光体也可以是不同种类的荧光体。此外，同样,第2A荧光体部所包含的第2A荧光体与第2B荧光体部所包含的第2B荧光体可以是相同种类的荧光体也可以是不同种类的突光体。以下，有时将第IA突光体部和第IB突光体部总称作第I突光体部，有时将第2A荧光体部和第2B荧光体部总称作第2荧光体部。此外，有时将第IA荧光体和第IB荧光体总称作第I荧光体，有时将第2A荧光体和第2B荧光体总称作第2荧光体。另外，第I荧光体部在起到本发明的效果的范围内，可以含有第2荧光体，但是优选在第I荧光体部中不含有第2荧光体。同样，第2荧光体部在起到本发明的效果的范围内，可以含有第I荧光体，但是优选在第2荧光体部中不含有第I荧光体。本发明的发光装置中使用的荧光体层在各区域中，上述相邻的第I荧光体部和第2荧光体部在其边界面处，沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向分别作为独立的部件而形成。具体而言，在A区域中，相邻的第IA荧光体部和第2A荧光体部在其边界面处沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向分别作为独立的部件而形成。另外，“相邻”是指荧光体部彼此之间的位置关系，即使在第IA荧光体部与第2A荧光体部之间配置了后述的遮光部等的情况下，也看作荧光体部彼此“相邻”。此外，在配置荧光体层的部件为曲面的情况下，在荧光体部中的边界面以外的部位，还存在不是沿着垂直方向配置的部分，不过，只要在边界面处是垂直的，即可视为“在边界面处沿着垂直的方向”进行了配置。另外，在荧光体部之 间配置有遮光部等、并且配置荧光体层的部件为曲面的情况下，荧光体部彼此之间的边界面存在距离，因此在边界面处是大致垂直的，但是在该情况下，也视为“在边界面处沿着垂直的方向”进行了配置。本发明的荧光体层例如可以通过如下方式来制作在能透过近紫外光和可见光的透射性基板上，相邻地配置多个上述包含第IA和第IB荧光体的第I荧光体部、以及上述包含第2A和第2B荧光体的第2荧光体部。所谓“作为独立的部件”，是指如下状态如果是在上述透射性基板上配置第I荧光体部和第2荧光体部的情况，则分别单独地形成了独立的层。即，第I荧光体部和第2荧光体部所包含的第IA和第IB荧光体以及第2A和第2B荧光体存在于独立的空间区域中。〈I 一 2.荧光体〉可以根据半导体发光元件发出的光的波长来适当选择上述第IA和第IB荧光体(以下也统称作第I荧光体。)、第2A和第2B荧光体(以下也统称作第2荧光体。)以及第3荧光体。例如，在半导体发光元件的激发光的波长处于近紫外区域或紫区域的情况下，即波长为350nm 430nm左右的情况下，可以根据作为目标的发光光谱来选择蓝、绿、红等的荧光体。此外，可以根据需要使用蓝绿、黄、橙等中间色的荧光体。具体而言，可例示出如下方式设第I荧光体为蓝色、第2荧光体为黄色；设第I荧光体为绿色、第2荧光体为红色，且设第3荧光体为蓝色；设第I荧光体为蓝色、第2荧光体为绿色、第3荧光体为红色；设第I荧光体为蓝色、第2荧光体为红色、第3荧光体为绿色。此外，在半导体发光元件的激发光的波长处于蓝色区域的情况下，即波长为430nm 480nm左右的情况下，通常蓝色的光直接使用半导体发光元件发出的光，因此，可例示出第I荧光体为绿色、第2荧光体为红色的方式。荧光体的粒径可以通过涂布荧光体的方法等适当地进行选择，通常优选使用体积基准的中位直径为2 μ m 30 μ m的荧光体。这里，体积基准的中位直径被定义为这样的粒径该粒径是使用以激光衍射/散射法为测定原理的粒度分布测定装置来测定试样而求出粒度分布(累计分布)时的体积基准的相对粒子量为50%的粒径。
本发明中使用的第I荧光体、第2荧光体和第3荧光体是能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出波长比所述半导体发光元件发出的光更长的光的荧光体。此外，大多情况下，本发明中使用的第I突光体、第2突光体和第3突光体在发光光谱的发光波长区域与激发光谱的激发波长区域中波长范围重叠。该情况下，有时会引起所谓的自吸收现象，即某个荧光体粒子发出的光被同一种类的其他荧光体粒子吸收，该其他荧光体粒子被所吸收的光激发而发出荧光。另外，也可以是，第I荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出波长比所述半导体发光元件发出的光更长的第I光，第2荧光体被所述第I光激发而发出波长比所述第I光更长的第2光。此外，在含有第3荧光体的情况下，第3荧光体能够被所述第I光和/或第2光激发而发出波长比所述第I光和/或第2光更长的第3光。本发明中使用的荧光体的种类可以适当地进行选择，以下列举红色、绿色、蓝色、黄色的荧光体作为代表性的荧光体。〈1 — 3.红色荧光体〉 作为红色荧光体，例如是如下荧光体由具有红色断裂面的断裂粒子构成、进行红色区域的发光的用(Mg、Ca、Sr、Ba) 2Si5N8 Eu表示的铕活化碱土类氮化硅系荧光体；由具有作为规则的结晶成长形状的大致球形的成长粒子构成、进行红色区域的发光的用(Y、La、Gd、Lu) 202S Eu表示的铕活化稀土类氧硫族元素化物系突光体；含有包含从由Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、W和Mo组成的组中选择的至少I种元素的氮氧化物和/或硫氧化物的荧光体，其中，可以使用含有具有用Ga元素置换了 Al元素的一部分或全部的α赛隆(α — SiAlON)结构的氮氧化物的荧光体，M2XF6 =Mn (这里，M含有从由Li、Na、K、Rb、Cs和NH4组成的组中选择的一种以上，X含有从由Ge、Si、Sn、Ti、Na、Al和Zr组成的组中选择的I种以上)等Mn4+活化氟化络合物荧光体等。并且，除此以外，还可以使用如下荧光体(La、Y)202S Eu等Eu活化硫氧化物荧光体；Y (V、P)04 =Eu7Y2O3 :Eu 等 Eu 活化氧化物荧光体；(Ba、Sr、Ca、Mg)2Si04 :Eu、Mn, (Ba,Mg)2Si04 :Eu、Mn等Eu、Mn活化硅酸盐荧光体；(Ca、Sr) S Eu等Eu活化硫化物荧光体；YA103 Eu 等 Eu 活化铝酸盐荧光体；LiY9 (SiO4)6O2 =Eu7Ca2Y8 (SiO4)6O2 Eu, (Sr^BaXa)3SiO5 Eu,Sr2BaSiO5 Eu 等 Eu 活化娃酸盐突光体；(Y、Gd) 3A15012 Ce, (Tb、Gd) 3A15012 Ce 等 Ce 活化铝酸盐荧光体；(Ca、Sr、Ba) 2Si5N8 Eu, (Mg、Ca、Sr、Ba) SiN2 Eu, (Mg、Ca、Sr、Ba) AlSiN3 Eu等Eu活化氮化物突光体；(Mg、Ca、Sr、Ba) AlSiN3 Ce等Ce活化氮化物突光体；(Sr、Ca、Ba、Mg) 10 (PO4) 6C12 :Eu、Mn 等 Eu、Mn 活化齒磷酸盐突光体；Ba3MgSi208 :Eu、Mn, (Ba、Sr、Ca、Mg) 3 (Zn、Mg) Si2O8 :Eu、Mn 等 Eu、Mn 活化娃酸盐突光体；3. 5Mg0 · O. 5MgF2 · GeO2 Mn 等 Mn活化锗酸盐荧光体；Eu活化α赛隆(SiAlON)等Eu活化氮氧化物荧光体；(Gd、Y、Lu、La)203 :Eu、Bi等Eu、Bi活化氧化物突光体；(Gd、Y、Lu、La) 202S :Eu、Bi等Eu、Bi活化硫氧化物突光体；(Gd、Y、Lu、La) VO4 :Eu、Bi 等 Eu、Bi 活化I凡酸盐突光体；SrY2S4 :Eu、Ce 等 Eu、Ce活化硫化物突光体；CaLa2S4 Ce等Ce活化硫化物突光体；(Ba、Sr、Ca) MgP2O7 :Eu、Mn, (Sr、Ca、Ba、Mg、Zn) 2P207 :Eu、Mn 等 Eu、Mn 活化磷酸盐突光体；(Y、Lu) 2W06 :Eu、Mo 等 Eu、Mo 活化钨酸盐荧光体；(8&、51^&)!^具疋11、(^ (其中；x、y、z是I以上的整数)等Eu、Ce活化氮化物荧光体；(Ca、Sr、Ba、Mg) 10 (PO4)6 (F、Cl、Br、OH) 2 :Eu、Mn 等 Eu、Mn 活化卤磷酸盐荧光体；((Y、Lu、Gd、Tb)hScxCey)2 (Ca,Mg) (Mg, Zn) 2+rSiz _ qGeq012+δ 等 Ce 活化硅酸盐荧光体等。此外，还可以使用国际公开第2009/072043中记载的SrAlSi4N7、或美国专利第7524437号说明书中记载的Sr2Al2Si9O2N14 =Eu0其中，优选使用(Mg、Ca、Sr、Ba) AlSiN3 =Eu等Eu活化氮化物荧光体、CaAlSi (N、0)3 :Eu (简称=CASON)ο〈1 — 4.绿色荧光体>作为绿色荧光体，例如可列举出以下荧光体等由具有断裂面的断裂粒子构成、进行绿色区域的发光的用(Mg、Ca、Sr、Ba) Si2O2N2 Eu表示的铕活化碱土类氮氧化硅系荧光体；由具有断裂面的断裂粒子构成、进行绿色区域的发光的用(Ba、Ca、Sr、Mg) 2Si04 Eu表示的铕活化碱土类硅酸盐系荧光体；国际公开公报W02007 - 088966号公报所记载的M3Si6O12N2 =Eu (其中，M表示碱土类金属元素)等Eu活化氮氧化物荧光体。并且，除此以外,还可以使用以下突光体Sr4Al14025 Eu, (Ba、Sr、Ca) Al2O4 :E u等Eu 活化铝酸盐荧光体；(Sr、Ba) Al2Si2O8 Eu, (Ba^Mg)2SiO4 Eu, (Ba、Sr、Ca、Mg) 2Si04 Eu,(Ba、Sr、Ca) 2 (Mg、Zn) Si2O7 Eu 等 Eu 活化娃酸盐突光体；Y2SiO5 :Ce、Tb 等 Ce、Tb 活化娃酸盐突光体；Sr2P207 — Sr2B2O5 Eu等Eu活化硼磷酸盐突光体；Sr2Si308 — 2SrCl2 Eu等Eu活化卤硅酸盐荧光体；Zn2Si04 Mn等Mn活化硅酸盐荧光体；CeMgAln019 =Tb7Y3Al5O12 Tb等Tb活化铝酸盐荧光体；Ca2Y8 (SiO4) 602 :Tb,La3Ga5SiO14 =Tb等Tb活化硅酸盐荧光体；(Sr、Ba、Ca) Ga2S4 :Eu、Tb、Sm 等 Eu、Tb、Sm 活化硫代镓酸盐荧光体；Y3 (AUGa)5O12 Ce, (Y、Ga、Tb、La、Sm、Pr、Lu)3 (AUGa)5O12 Ce 等 Ce 活化铝酸盐荧光体；Ca3Sc2Si3012 Ce,Ca3 (Sc,Mg,Na,Li)2Si3012 :Ce等Ce活化娃酸盐突光体；CaSc204 :Ce等Ce活化氧化物突光体；SrSi202N2 Eu,(Sr、Ba、Ca) Si2O2N2 Eu,Eu 活化 β 赛隆(SiAlON)等 Eu 活化氮氧化物突光体；BaMgAl10017 Eu,Mn等Eu、Mn活化铝酸盐荧光体；SrAl204 Eu等Eu活化铝酸盐荧光体；(La、Gd、Y) 202S Tb等Tb活化硫氧化物荧光体；LaP04 :Ce、Tb等Ce、Tb活化磷酸盐荧光体；ZnS :Cu、Al，ZnS Cu、Au、Al 等硫化物荧光体；(Y、Ga、Lu、Sc、La) BO3 :Ce、Tb, Na2Gd2B2O7 :Ce、Tb, (Ba、Sr) 2(Ca、Mg、Zn) B2O6 :K、Ce、Tb 等 Ce、Tb 活化硼酸盐荧光体；Ca8Mg (SiO4) 4C12 :Eu、Mn 等 Eu、Mn活化卤硅酸盐荧光体；(Sr、Ca、Ba) (Al、Ga、In) 2S4 Eu等Eu活化硫代铝酸盐荧光体或硫代镓酸盐荧光体；(Ca、Sr)8 (Mg、Zn) (SiO4) 4C12 :Eu、Mn等Eu、Mn活化卤硅酸盐荧光体。此外，还可以使用国际公开第2009/072043中记载的Sr5Al5Si21O2N35 :Eu、或国际公开第2007 — 105631 中记载的 Sr3Si13Al3N21O2 :Eu。其中，可优选使用(Ba、Ca、Sr、Mg)2Si04 Eu, BaMgAl10O17 :Eu、Mn, Eu 活化 β 赛隆(SiAlON)7M3Si6O12N2 Eu (其中，M表示碱土类金属元素)等。〈1 — 5.蓝色荧光体〉作为蓝色荧光体；可列举出如下荧光体等由具有作为规则的结晶成长形状的大致六边形的成长粒子构成、进行蓝色区域的发光的用BaMgAlltlO17 =Eu表示的铕活化钡镁铝酸盐系荧光体；由具有作为规则的结晶成长形状的大致球形的成长粒子构成、进行蓝色区域的发光的用(Ca、Sr、Ba) 5 (PO4) 3C1 Eu表示的铕活化卤磷酸钙系荧光体；由具有作为规则的结晶成长形状的大致立方体形状的成长粒子构成、进行蓝色区域的发光的用(Ca、Sr、Ba) AO9Cl =Eu表示的铕活化碱土类氯硼酸盐系荧光体；由具有断裂面的断裂粒子构成、进行蓝绿色区域的发光的用(Sr、Ca、Ba) Al2O4 Eu或(Sr、Ca、Ba) 4A114025 Eu表示的铕活化碱土类铝酸盐系荧光体。
并且，除此以外，还可以使用如下荧光体等作为蓝色荧光体=Sr2P2O7 =Sn等Sn活化磷酸盐荧光体；Sr4Al14O25 Eu, BaMgAl10O17 Eu, BaAl8O13 :Eu等Eu活化铝酸盐荧光体；SrGa2S4 Ce, CaGa2S4 Ce 等 Ce 活化硫代镓酸盐荧光体；(Ba、Sr、Ca) MgAl10O17 Eu,BaMgAl10O17 :Eu、Tb、Sm 等 Eu、Tb、Sm 活化招酸盐突光体；(Ba、Sr、Ca)MgAl1Q017 :Eu、Mn 等 Eu、Mn 活化铝酸盐荧光体；(Sr、Ca、Ba、Mg) 1Q (PO4)6Cl2 :Eu, (Ba、Sr、Ca) 5 (PO4)3 (Cl、F、fc、OH) :Eu、Mn、Sb 等 Eu、Tb、Sm 活化齒磷酸盐突光体；BaAl2Si208 Eu, (Sr、Ba) 3MgSi208 Eu 等Eu活化硅酸盐荧光体；Sr2P207 Eu等Eu活化磷酸盐荧光体；ZnS Ag, ZnS :Ag、Al等硫化物荧光体J2SiO5 =Ce等Ce活化硅酸盐荧光体；CaW04等钨酸盐荧光体；(Ba、Sr、Ca) BPO5 :Eu、Mn，(Sr、Ca) 10 (PO4) 6 · nB203 Eu,2Sr0 · O. 84P205 · O. 16B203 Eu 等 Eu、Mn 活化硼磷酸盐荧光体；Sr2Si3O8 · 2SrCl2 Eu等Eu活化齒娃酸盐突光体。 其中，可优选使用(Sr、Ca、Ba)1Q (PO4)6Cl2 Eu2\BaMgAl10017 =Eu0 此外，在用(Sr、Ca、Ba)1Q (PO4)6Cl2 =Eu2+表示的荧光体中，优选使用由SraBabEux (PO4)eCld表示的荧光体(C、d 和 X 是满足 2. 7 ^ c ^ 3. 3,0. 9 ^ d ^ I. 1,0. 3 ^ x ^ I. 2 的数，x 优选为 O. 3 兰 x 兰 I. O。并且a和b满足a+b=5 — X且O. 05兰b/ (a+b)兰O. 6的条件,b/ (a+b)优选为O. I兰b/(a+b) = O. 6。)。〈I 一 6.黄色荧光体〉作为黄色荧光体,可列举出各种氧化物系、氮化物系、氮氧化物系、硫化物系、硫氧化物系等荧光体。特别可列举出如下荧光体用RE3M5O12 :Ce (这里，RE表示从由Y、Tb、Gd、Lu和Sm组成的组中选择的至少一种元素，M表示从由Al、Ga和Sc组成的组中选择的至少一种元素。)或Ma3Mb2Mc3O12 Ce (这里，Ma表示2价金属元素，Mb表示3价金属元素，Mc表示4价金属元素。)等表示的具有石榴石结构的石榴石系荧光体；用AE2MdO4 =Eu (这里，AE表示从由Ba、Sr、Ca、Mg和Zn组成的组中选择的至少一种元素，Md表示Si和/或Ge。)等表示的正硅酸盐系荧光体；用氮置换这些系的荧光体的结构元素的氧的一部分而成的氮氧化物系荧光体；AEAlSiN3 Ce (这里，AE表示从由Ba、Sr、Ca、Mg和Zn组成的组中选择的至少一种元素。)等用Ce对具有CaAlSiN3结构的氮化物系荧光体进行活化后的荧光体。并且，除此以外，还可以使用如下荧光体等作为黄色荧光体=CaGa2S4 :Eu、(Ca、Sr)Ga2S4 Eu, (Ca、Sr) (Ga、A1)2S4 Eu 等硫化物系突光体；Cax (Si、Al) 12 (O、N) 16 Eu 等用Eu对具有SiAlON结构的氮氧化物系荧光体等进行活化后的荧光体；(M1IbEuaMiib) 2 (BO3)!-P (PO4)pX (其中，M表示从由Ca、Sr和Ba组成的组中选择的I种以上的元素，X表示从由F、C1和Br组成的组中选择的I种以上的元素。A、B和P分别是满足O. 001 ^ A ^ O. 3,O ^ B ^ O. 3,0 ^ P ^ O. 2的数。)等Eu活化或Eu、Mn共活化卤化硼酸盐荧光体；可以含有碱土类金属元素的具有La3Si6N11结构的Ce活化氮化物系荧光体。另外，上述Ce活化氮化物系荧光体的一部分可以用Ca或O进行部分置换。〈2 — I.荧光体部〉本发明的荧光体层所包含的荧光体部可通过如下方法等进行制造在能透过近紫外光和可见光的透射性基板上，利用丝网印刷形成荧光体浆料的方法、用喷墨印刷形成荧光体衆料的方法；转印法；CRT(Cathod Ray Tube)的涂布中使用的曝光式涂布方法。另外，只要是能够在基板上分开地涂布荧光体的方法即可，不限于这些方法。并且，作为优选的方法，还可以举出在分开地进行涂布时，以使相邻的荧光体部不重叠的方式设置掩模进行印刷的方法。此外，还可以举出在第I荧光体部与第2荧光体部之间配置遮光部的方法。该情况下，优选将遮光部配置成防止从第I荧光体部发出的光入射到第2荧光体部，更优选遮光部是反射件。构成本发明的荧光体层的荧光体部可以通过如下方式进行制造混匀荧光体粉末、粘合树脂和有机溶剂而浆化，将浆料涂布到透射性基板上，进行干燥/烧制来去除有机溶剂，由此进行制造，或者不使用粘合剂而是用荧光体和有机溶剂进行浆化，对干燥/烧结物进行冲压成型，由此进行制造。在使用粘合剂的情况下，可以不限制其种类的使用，优选使用环氧树脂、硅树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂等。另外，在用丝网印刷形成的情况下，可通过以下方式进行制造混匀荧光体粉末和粘合树脂而浆化，使用构图后的丝网用刮板转印到透射性基板上。在丝网印刷中，出于涂布的便利性、流平性的原因，优选采用硅树脂、丙烯酸氨基甲酸酯树脂、聚酯氨基甲酸酯树脂等作为粘合树脂。此外，在混匀荧光体粉末和粘合树脂来制作浆料时，可以添加有机溶剂并混匀。通过使用有机溶剂，能够调整粘度。此外，通过在转印到基板之后进行加热去除有机溶剂，能 够在荧光体层中更致密地填充荧光体。出于常温不易挥发且加热时迅速挥发的原因，优选采用环己酮、二甲苯等作为有机溶剂。此外，作为透射性基板的材质，只要对于可见光透明即可，没有特别限制，可使用玻璃、塑料等。在塑料中，优选的是环氧树脂、硅树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、PET树脂、PEN树脂等，更优选的是PET树脂、PEN树脂、聚碳酸酯树脂，进一步优选的是PET树脂。另外，作为遮光部的具体例子，可举出在粘合树脂中分散有高反射粒子的部件等。作为高反射粒子，优选的是氧化铝粒子、二氧化钛粒子、二氧化硅粒子、氧化锆粒子，更优选的是氧化铝粒子、二氧化钛粒子、二氧化硅粒子，进一步优选的是氧化铝粒子。除此以外，可以通过日本特开2008 - 135539中记载的方法来形成，具体而言，通过点胶或喷雾等方法，在透射性基板上涂布以硅树脂或环氧树脂等树脂为主要成分的粘接剂来形成粘接剂层，并使用压缩气体等向所述粘接剂层吹送荧光体粉末，由此进行形成。〈2 - 2.荧光体部的组合>本发明的荧光体层的A区域、B区域的特征在于，相邻的第IA荧光体部和第2A荧光体部以及第2A荧光体部和第2B荧光体部在其边界面处沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向作为独立部件而配置，但是其配置方式可考虑各种方式。首先，作为第IA荧光体部和第IB荧光体部(以下也将第IA荧光体部和第IB荧光体部统称作第I荧光体部。)以及第2A荧光体部和第2B荧光体部(以下也将第2A荧光体部和第2B荧光体部统称作第2荧光体部。)的形状，例示了条纹状、三角形、四边形、六边形、圆形等。此外，本发明的荧光体层优选将第I荧光体部和第2荧光体部作为图案进行配置，更优选将第I荧光体部和第2荧光体部配置为条纹状。这里，“作为图案进行配置”，是指包含至少一个以上的第I荧光体部和一个以上的第2荧光体部，并且同一荧光体部彼此不相邻，规则地反复配置如下这样的单位，所述单位是交替配置第I荧光体部和第2荧光体部而成的单位。此外，这里的“配置为条纹状”，是指第I荧光体部和第2荧光体部为相同的大小，并且具有相同形状，同一荧光体部彼此不相邻，交替地配置第I荧光体部和第2荧光体部。作为条纹状的具体例子，可举出这样的例子第I荧光体部和第2荧光体部具有大小和形状相同的四边形，同一部件彼此不相邻，交替地配置第I荧光体部和第2荧光体部。在条纹状的情况下，关于部件的数量，优选在后述的A区域、B区域中分别存在10个以上，更优选为20个以上。此外，本发明的荧光体层在相当于以下任意一个情况时，发光装置的设计性格外提高，从而是优选的(I)通过相同的造型处理来表现形状、纹样或它们的结合，由此配置成整体具有统一性；(2)整体表现为一个整体形状或纹样，由此配置成整体具有统一性；
(3)通过各个形状、纹样或它们的结合，赋予故事性等在观念上相关联的印象，由此配置成整体具有统一性。以下，对具体的荧光体部的配置图案进行说明。图6示出了在半导体发光元件发出近紫外区域或紫区域的波长的光的情况下，作为荧光体层，具有包含绿色荧光体的第I荧光体部、包含红色荧光体的第2荧光体部以及其他的包含蓝色荧光体的第3荧光体部的荧光体层的图案。 图6 (a)和(b)示出了将长方形形状的荧光体部配置成条纹状的荧光体层的图案，(C) (e)示出了配置圆形形状的荧光体部的荧光体层的图案，(f)示出了配置三角形形状的荧光体部的荧光体层的图案。图7示出了配置花朵图样形状的荧光体部和花瓣图样荧光的荧光体部的荧光体层的图案。在图7中，(a) (f)都是相当于上述(2)的情况的一种方式，即整体表现为一个整体形状或纹样，由此配置成整体具有统一性。另一方面，在半导体发光元件发出近紫外区域或紫区域的波长的光的情况下，作为荧光体层，可以是具有包含蓝色荧光体的第I荧光体部和包含黄色荧光体的第2荧光体部的荧光体层的图案。图8 (a) (e)以及图9 (a) (d)示出了这种荧光体层的图案。此外，在半导体发光元件发出蓝色区域的波长的光的情况下，作为荧光体层，可以是具有包含绿色荧光体的第I荧光体部和包含红色荧光体的第2荧光体部的荧光体层的图案。可例示出图8和图9所示的图案，即第I荧光体部是绿色且第2荧光体部是红色的图案。另外，在半导体发光元件发出蓝色区域的波长的光、且使用了能透过可见光的透射性基板的情况下，可举出如下图案不配置包含蓝色荧光体的第3荧光体部，而是使半导体发光元件发出的蓝色光直接透过而使用。并且，在图6至图9中，还可以是在各荧光体部的界面处设置遮光部的图案。作为具体的方式，图10示出了例如在图6 (b)中的各荧光体部的界面处设置遮光部的图案。〈2 - 3.本发明的荧光层的性状>本发明的荧光体层的厚度优选为Imm以下的层状的形态。更优选为500 μ m以下，进一步优选为300 μ m以下。在荧光体层形成于能透过近紫外光和可见光的透射性基板上的情况下，上述厚度不包含基板的厚度。另一方面，在本发明中，由于荧光体层的厚度薄至Imm以下，因此，利用在能透过可见光的透射性基板上涂布荧光体的方法进行制造比较容易，是优选的。可通过沿着厚度方向切断荧光体层，并用SEM等电子显微镜观察其截面来测定荧光体层的厚度。此外，通过用千分尺测定涂布了荧光体层的基板和荧光体层的合计厚度，并从基板剥离掉荧光体层，之后再次用千分尺测定基板的厚度，由此能够测定荧光体层的厚度。同样，还可以剥离荧光体层的一部分，使用触针式膜厚计对残留有荧光体层的部分与剥离后的部分之间的阶差进行测定，由此来直接测量厚度。在使用能透过近紫外光和可见光的透射性基板的情况下，其材质只要对于近紫外光和可见光透明即可，没有特别限制，可使用玻璃、塑料(例如环氧树脂、硅树脂、丙烯酸树月旨、聚碳酸酯树脂等)等。在用近紫外区域的波长进行激发的情况下，从耐久性方面看，优选的是玻璃。另外，通过使荧光体层的厚度成为荧光体层包含的荧光体的体积基准的中位直径的2倍以上10倍以下，能够减少荧光体彼此之间的光的自吸收，减少因荧光体引起的光散射，是优选的。在荧光体层的厚度过薄的情况下，无法用荧光体层对来自半导体发光元件的激发光进行充分的转换，因此有输出光的强度下降的趋势。更优选的是，荧光体层的厚度为荧光体的中位直径的3倍以上，特别优选为4倍以上。另一方面，在荧光体层的厚度过厚的情况下，荧光体彼此之间的光的自吸收增加，因荧光体引起的光散射增加，因此有输出光的强度下降的趋势。更优选的是，荧光体层的厚度为荧光体的中位直径的9倍以下，特别优选
为8倍以下，进一步优选为7倍以下，更进一步优选为6倍以下，最优选为5倍以下。并且，在荧光体层中的荧光体的体积填充率为20%以上时，能够提高发光效率，因此是优选的。在体积填充率低于20%的情况下，荧光体层中未被荧光体激发的来自半导体发光元件的光增加，发光效率可能会降低。更优选的是40%以上。上限没有特别限定，但即使是最致密的填充也就是74%左右，因此通常很少有大于该值的情况。此外，荧光体层的层密度优选为l.Og/cm3以上。〈2 - 4.荧光体的重叠>本发明的荧光体层被配置成，沿着与厚度方向垂直的方向形成的独立的荧光体部在这些荧光体部彼此之间的界面处，在荧光体层的厚度方向上重叠的部分减少，此时，能够防止级联激发而提高发光效率，因此是优选的。具体而言，关于荧光体层，如果在荧光体层的厚度方向上存在多种荧光体的部分的面积相对于发光装置的光射出面积的比例为0%以上20%以下，能够提高发光效率，是优选的。这里，“发光装置的光射出面积”是指，发光装置的表面积中从发光装置向外部射出的光所通过的部分的面积。此外，“在荧光体层的厚度方向上存在多种荧光体的部分的面积”是指，将在荧光体层的厚度方向上存在多种荧光体的部分从荧光体层的厚度方向投影到射出方向侧的面时的投影面积。图5 — I 图5 — 3示出了相邻的荧光体部的接触面。在该接触面处，存在着多种荧光体在荧光体层的厚度方向上彼此重叠的部分。在该重叠部分处非常容易产生级联激发。因此，与图5 - 2的状态相比，通过成为图5 - I的状态，能够防止级联激发，是优选的。并且，通过利用在荧光体部之间设置遮光部的方法等成为图5 — 3那样的结构，能够进一步防止级联激发，是更优选的。上述存在多种荧光体的部分的面积的比例优选为10%以下，更优选为5%以下，最优选为0%。遮光部优选配置成防止从第I荧光体部发出的光入射到第2荧光体部。此外，遮光部优选为黑矩阵或反射件，更优选为反射件。另外，为了使重叠面积超过0%、且为20%以下，例如可以使用丝网印刷，①使用特定形状的丝网形成期望形状的第I荧光体部，②之后，以与所述第I荧光体部接触的方式形成第2荧光体部，由此使得第I荧光体部与第2荧光体部之间的界面成为期望的界面，能够使重叠面积成为上述数值范围。还可以是，①通过光刻等在所述基板上形成特定形状的掩模，②以与掩模相邻的方式形成期望形状的第I荧光体部，③之后去除掩模，④以填埋去除掩模后的部分的方式，将与去除的掩模相同形状的第2荧光体部形成为与第I荧光体部接触，由此能够使得第I荧光体部与第2荧光体部之间的界面形状成为期望的形状，能够使重叠面积成为上述数值范围。可通过在厚度方向上切断荧光体层，并用SEM等电子显微镜观察其截面来测定本发明的荧光体层中的多种荧光体彼此重叠的重叠部分的面积。本发明的荧光体层是配置多个荧光体部而制造的，因此在多个部位存在荧光体部彼此相邻地形成的接触面。因此，用荧光体层的存在于发光装置的光射出面积中的重叠部分的面积之和来表不多种突光体重叠的重叠部分的面积。<2 - 5. A区域和B区域>本发明的荧光体层具有A区域和B区域，该A区域包含两个以上的第IA荧光体部和两个以上的第2A荧光体部，该B区域包含两个以上的第IB荧光体部和两个以上的第2B荧光体部。并且，在发光装置的光射出面侧，设A区域中的第IA荧光体部所占面积的总和 为Sai、第2A荧光体部所占面积的总和为SA2、B区域中的第IB荧光体部所占面积的总和为Sbi、第2B荧光体部所占面积的总和为Sb2时，优选满足下式[I]的条件SA2/SA1 ^ SB2/SB1[I]。另外，所述A区域和B区域优选在与荧光体层的厚度方向垂直的方向上作为彼此独立的区域而设置，更优选的是在与荧光体层的厚度方向垂直的方向上作为彼此独立的区域相邻地设置。另外，第IA荧光体部所包含的第IA荧光体与第IB荧光体部所包含的第IB荧光体可以是相同种类的荧光体也可以是不同种类的荧光体，而从精细地控制发光装置发出的光的色温的方面看，优选的是种类不同的情况。此外，同样，第2A荧光体部所包含的第2A荧光体与第2B荧光体部所包含的第2B荧光体可以是相同种类的荧光体也可以是不同种类的荧光体。第2荧光体部所包含的第2荧光体发出包含波长比第I荧光体部所包含的第I荧光体发出的荧光更长的成分的光。即，第2荧光体部与第I荧光体部彼此之间，所包含的荧光体发出的荧光的波长不同，第2荧光体部发出波长更长的荧光。举些具体例子来说，在半导体发光元件发出紫区域的波长的光的情况下，第I荧光体部所包含的荧光体为蓝色，第2荧光体部所包含的荧光体为黄色。此外，第I荧光体部所包含的荧光体为绿色，第2荧光体部所包含的荧光体为红色，第3荧光体部所包含的荧光体为蓝色。此外，第I荧光体部所包含的荧光体为蓝色，第2荧光体部所包含的荧光体为绿色，第3荧光体部所包含的荧光体为红色。此外，第I荧光体部所包含的荧光体为蓝色，第2荧光体部所包含的荧光体为红色，第3荧光体部所包含的荧光体为绿色。此外还有,第I荧光体部所包含的荧光体为绿色，第2荧光体部所包含的荧光体为红色，第3荧光体部所包含的荧光体为蓝色，第4荧光体部所包含的荧光体为黄色。此外，第I荧光体部所包含的荧光体为蓝色，第2荧光体部所包含的荧光体为绿色，第3荧光体部所包含的荧光体为红色，第4荧光体部所包含的荧光体为黄色。此外还有，第I荧光体部所包含的荧光体为蓝色，第2荧光体部所包含的荧光体为红色，第3荧光体部所包含的荧光体为绿色，第4荧光体部所包含的荧光体为黄色。另一方面，在半导体发光元件发出蓝色区域的波长的光的情况下，第I荧光体部所包含的荧光体为绿色，第2荧光体部所包含的荧光体为红色。此外，第I荧光体部所包含的荧光体为绿色，第2荧光体部所包含的荧光体为红色，第3荧光体部所包含的荧光体为黄色。另外，在为了提高显色性的情况下，第I荧光体部所包含的荧光体为绿色，第2荧光体部所包含的荧光体为红色，第3荧光体部所包含的荧光体为红色，第2荧光体部与第3荧光体部彼此之间,荧光体的种类和峰值波长不同。考虑上述具体例子中第I荧光体部所包含的荧光体为绿色且第2荧光体部所包含的荧光体为红色的情况时，上式[I]表示在A区域和B区域中，绿色荧光体与红色荧光体的比例不同。即，表示在A区域和B区域中，发光光谱、例如发光色的色温不同。红色荧光体较多的区域的发光色的色温低，即发出电灯泡色那样的白色，红色荧光体较少的区域的发光色的色温高，即发出荧光灯那样的蓝白的白色。通过使荧光体层具有这些发光色的色温不同的两个区域，能够调整该荧光体层中从半导体发光元件照射到A区域和B区域的光的比例，由此能够调整发光色的色温。由此，在荧光体层中，只需调整A区域和B区域中所包含的第I荧光体部和第2荧光体部的面积的比率，就能够容易地调节从A区域发出的光与从B区域发出的光合成后的光的发光光谱。通过使用该荧光体和半导体发光元件形成发光装置，并调整从半导体发光 元件照射到A区域和B区域的光的比例，能够容易地调整发光装置的发光光谱。此外，优选的是，本发明的荧光体层在所述A区域与B区域之间还具有X区域，(i)所述X区域包含两个以上的第IX荧光体部和两个以上的第2X荧光体部，(ii )在所述X区域中，相邻的第IX荧光体部和第2X荧光体部在其边界面处，沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向配置，(iii)所述第IX荧光体部含有第IX荧光体，该第IX荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述半导体发光元件发出的光更长的成分的光，(iv)所述第2X荧光体部含有第2X荧光体，该第2X荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述第I荧光体发出的光更长的成分的光，(V)在设所述X区域中的所述第IX荧光体部所占面积的总和为Sxi、所述X区域中的所述第2X荧光体部所占面积的总和为Sx2时，优选满足下式[3]和[4]的条件。SA2/SA1 关 SX2/SX1 · · · [3]SB2/SB1 ^ SX2/SX1 · · · [4]这样，通过在荧光体层中，在A区域、B区域的基础上进一步设置X区域，能够扩大发光装置发出的光的范围，因此是优选的。以下对该点进行说明。例如，在像图13 - I那样使A区域、B区域和X区域的面积与发光装置的光射出面积相同、并相邻地配置各个区域的情况下，当移动荧光体层或半导体发光元件时，如图13 - 2所示，(a)在光的射出区域与A区域一致的情况下，从A区域发出的光成为从发光装置发出的光，(b)在光的射出区域与X区域一致的情况下，仅从X区域发出的光成为从发光装置发出的光，(c)在光的射出区域与B区域一致的情况下，仅从B区域发出的光成为从发光装置发出的光。在使荧光体层成为图13 - I那样的结构的情况下，通过移动荧光体层或半导体发光元件，能够连续地调整发光装置发出的光的色度，成为色度图中位于如下直线上的任意色度所述直线是连接从A区域发出的光的色度A (xA, yA)和从X区域发出的光的色度X (xx, yx)的直线、或者是连接从B区域发出的光的色度B (xB，yB)和从X区域发出的光的色度X (Xx，yx)的直线。该情况下，如图14 (a)所示，所述色度X (Xx，yx)可以位于连接所述色度A (xA，yA)和所述色度B (xB, yB)的直线上,或者如图14 (b)所示,所述色度X (xx,Yx)也可以不位于连接所述色度A (xA, yA)和所述色度B (xB, yB)的直线上。图11 (a) (C)和图12 (a) (d)示出了如下这样的例子如上所述地将荧光体层配置成，能够将色度调整为位于连接从A区域发出的光的色度A和从X区域发出的光的色度X的直线上的任意色度，或者位于连接从B区域发出的光的色度B和从X区域发出的光的色度X的直线上的任意色度。在荧光体层中，所述A区域、B区域和X区域可以如图11 Ca)那样划分地进行设置，也可以如图11 (b)那样不明确划分地进行设置。在后者的情况下，如图11 (C)所示，可以将包含两个以上的第I荧光体部和两个以上的第2荧光体部的任意范围分别设为A区域、B区域和X区域。另外，在荧光体层中，第I荧光体部和第2荧光体部可以如图11 (c) 那样，跨越A区域、B区域和X区域而设置。此外，在使荧光体层成为图15 (a)和(b)那样的结构的情况下，通过移动所述荧光体层或所述半导体发光元件，能够连续地调整发光装置发出的光的色度，成为色度图中位于如下曲线上的任意色度所述曲线是连接从A区域发出的光的色度A(xA，yA)、从X区域发出的光的色度X(xx，yx)、和从B区域发出的光的色度B(xB，yB)的任意曲线。该情况下，例如图15(c)所示，通过使所述色度A、色度X和色度B位于黑体辐射曲线上，能够沿着黑体辐射曲线连续调整发光装置发出的光的色度。此外，通过略微偏离于黑体辐射曲线设定所述色度A、色度X和色度B，例如将与黑体辐射曲线之间的偏差duv设定为一 O. 02 ^ duv ^ O. 02，能够在与黑体辐射曲线之间的偏差duv为一 O. 02 ^ duv ^ O. 02的范围内，连续调整发光装置发出的光的色度。其中，duv是由JIS Z 8725 :1999定义的值。此外，关于本发明的荧光体层，从厚度方面(而不是荧光体部的面积方面)也可以提示优选的方式。具体而言，关于本发明的荧光体层，在设A区域中的第IA荧光体部的厚度的总和为Ta1、A区域中的所述第2A荧光体部的厚度的总和为TA2、B区域中的第IB荧光体部的厚度的总和为Tb1、B区域中的第2B荧光体部的厚度的总和为Tb2时，优选满足下式[2]的条件。TA2/TA1 关 TB2/TB1 · · · [2]考虑第I荧光体部所包含的荧光体为绿色且第2荧光体部所包含的荧光体为红色的情况，与上式[I]的情况同样，上式[2]表示在A区域和B区域中，绿色荧光体与红色荧光体的比例不同。即，表示在A区域和B区域中，发光光谱、例如发光色的色温不同。红色荧光体较多的区域的发光色的色温低，即发出电灯泡色那样的白色，红色荧光体较少的区域的发光色的色温高，即发出荧光灯那样的蓝白的白色。通过使荧光体层具有这些发光色的色温不同的两个区域，能够调整该荧光体层中从半导体发光元件照射到A区域和B区域的光的比例，由此能够调整发光色的色温。这样，在荧光体层中，只需调整A区域和B区域中所包含的第I荧光体部和第2荧光体部的厚度的比率，就能够容易地调节从A区域发出的光和从B区域发出的光合成后的光的发光光谱。通过使用该荧光体和半导体发光元件形成发光装置，并调整从半导体发光元件照射到A区域和B区域的光的比例，能够容易地调整发光装置的发光光谱。另外，可以使用光学显微镜，实测荧光体层的位于发光装置的光射出侧的面中、各区域内的各荧光体部的占有面积，或者用光学显微镜测定荧光体层的截面，来得到上述SA1、§A2、Sbi > SB2 W及 Tai、TA2、Tbi、Tb2。<3.半导体发光元件〉本发明的半导体发光元件发出第I荧光体部和第2荧光体部所含有的荧光体的激发光。激发光的波长为350nm以上520nm以下，优选为370nm以上，更优选为380nm以上。此外，优选为500nm以下，更优选为480nm以下。尤其是，当使半导体发光元件发出的光成为近紫外区域或紫区域的光时，在构成了用该光对蓝色荧光体、绿色荧光体和红色荧光体进行激发而发出白色光的发光装置的情况下，能够成为显色性高的发光装置，因此是优选的。作为半导体发光元件的具体例子，可列举出在碳化硅、蓝宝石、氮化镓等基板上使用了通过MOCVD法等方法进行晶体生长后的InGaAlN系、GaAlN系、InGaAlN系半导体等的半导体发光元件。在本发明的发光装置中，优选将多个半导体发光元件排列成平面状而使 用。本发明优选用于这种具有较大的发光面积的发光装置。<4.其他可以包含在本发明的发光装置中的部件〉本发明的发光装置可以具有用于保持半导体发光元件的封装，其形状和材质是任意的。作为具体的形状，可根据其用途采用恰当的形状，例如可以是板状、杯状等。其中，杯状的封装能够使光的射出方向具有指向性，能够有效利用发光装置放出的光，因此是优选的。在采用杯状封装的情况下，射出光的开口部的面积优选为底面积的120%以上600%以下。此外，作为封装的材料，可以根据用途使用恰当的材料，例如可使用金属、合金玻璃、碳等无机材料、合成树脂等有机材料等。在本发明中使用封装的情况下，优选使用光的反射率在整个近紫外区域和可见光区域中都较高的材质。作为这种高反射封装，可举出由硅树脂形成且包含光扩散粒子的封装。作为光扩散粒子，可列举出二氧化钛和氧化铝。本发明的发光装置还可以在荧光体层的靠半导体发光元件的一侧和/或荧光体层的光射出方向侧具有带通滤光器。带通滤光器具备仅使具有预定波长的光透过的性质，能够控制来自发光装置的近紫外区域或紫外区域的光的射出。本发明中使用的带通滤光器可适当采用市面上出售的带通滤光器，可根据半导体发光元件的种类恰当地选择其种类。此外，可适当配置用于向半导体发光元件提供来自外部的电力的金属布线、或者用于对荧光体层的光的射出方向侧进行保护的盖等。<5.本发明的发光装置的概要〉本发明的发光装置在荧光体层中具有发光光谱不同、例如发光色的色温不同的A区域和B区域，通过调整从半导体发光元件照射到A区域和B区域的光的比例，能够连续地调整从发光装置射出的光的发光光谱。为了调整照射到A区域和B区域的光的比例，使荧光体层或半导体发光元件以改变荧光体层与半导体发光元件的相对位置关系的方式进行移动。例如，可以在与荧光体层的厚度方向垂直的方向上移动荧光体层或半导体发光元件。此外，可以在半导体发光元件中设置配光透镜等配光部件，调整所述配光部件的光轴相对于所述荧光体层的厚度方向的倾角。并且，可以成为使半导体发光元件发出的光一次入射到反射部件、并使所述反射部件反射后的光入射到荧光体层的反射型发光装置，调整被所述反射部件反射后的光的光轴相对于所述荧光体层的厚度方向的倾角。此外，还可以在A区域和B区域中分别设置半导体发光元件A和半导体发光元件B，调整接入到各个半导体发光元件的电量。具体进行说明，在图I 一 I中，通过与荧光体层的厚度方向垂直地移动荧光体层来调整光射出区域，不过，也可以如图I 一 2那样，通过在半导体发光元件与荧光体层之间设置具有旋转轴的配光部件、且具有使该配光部件能够以旋转轴为中心进行转动的结构，来调整光的射出区域。此外，还可以如图I 一 3那样，将半导体发光元件配置成来自半导体发光元件的光不直接照射荧光体层，并且，以能够朝向荧光体层反射半导体发光元件发出的光的方式设置具有旋转轴的反射部件，且具有使该反射部件能够以旋转轴为中心进行转动的结构，由此来调整光的射出区域。并且，也可以如图I 一 4那样，在A区域和B区域中分别设置半导体发光元件A和半导体发光元件B，并调整接入到各个半导体发光元件的电量。还可以如图I 一 5那样，在A区域和B区域中分别设置多个半导体发光元件、例如4个半导体发光元件A和4个半导体发光元件B，点亮一部分半导体发光元件而不点亮另外一部分半导体发光元件，由此来调整照射到A区域和B区域的光的比例。例如，在像图I 一 5 Ca)那样仅点亮设置在A区域正下方的4个半导体发光元件的情况下，从A区域发出光；在像图I 一 5 (c)那样仅点亮设置在B区域正下方的4个半导体发光元件的情况下，从B区域发出光；在像图I 一 5 (b)那样仅点亮设置在A区域正下方的2个半导体发光元件和设置在B区域正下方的2个半导体发光元件的情况下，从A区域和B区域双方发出光。这样，通过固定所要点亮的半导体发光元件的个数，并且改变所要点亮的半导体发光元件的位置，能够调整其光的色度，而不会大幅度地改变从发光装置发出的光的强度。本发明的荧光体层所具有的A区域和B区域是从各个区域射出的光的发光光谱不同的区域。因此，通过改变A区域和B区域在发光装置的光射出区域中所占的比例，能够连续地调整从发光装置射出的光的发光光谱，因此能够成为射出期望的发光光谱的光的发光
>j-U ρ α装直。为了设置发光光谱不同的A区域和B区域，只要以满足上述一般式[I]的方式配置荧光体部即可。作为本发明中的A区域和B区域的方式，例如可列举出适当组合以下(a) (C)的各个方式所得的方式。(a)为了用于发出蓝色区域的波长的光的半导体发光元件，分开地涂布红色、绿色的突光体(b)为了用于发出近紫外区域或紫区域的波长的光的半导体发光元件，分开地涂布红色、绿色、蓝色的突光体(C)为了用于发出近紫外区域或紫区域的波长的光的半导体发光元件，分开地涂布蓝色、黄色的荧光体具有这样的A区域和B区域的本发明的荧光体层被设计成比发光装置的光射出面积大，因此，通过以改变荧光体层与半导体发光元件的相对位置的方式进行移动，能够调整从A区域发出的光和从B区域发出的光的、发光光谱不同的两种光的比例。更具体而言，通过使荧光体层在与荧光体层的厚度方向垂直的方向上进行移动，能够调整从A区域发出的光和从B区域发出的光的、发光光谱不同的两种光的比例。在不移动荧光体层的情况下，通过移动半导体发光元件(在具有封装的情况下是指封装)，也能够调整发光光谱。另外，在发光装置具有后述的外壳部件的情况下，通过使外壳部件以半导体发光元件为中心进行旋转移动，能够调整从半导体发光元件照射到A区域和B区域的光的比例，此外，通过使半导体发光元件进行旋转等，也能够进行调整。作为使荧光体层和/或半导体发光元件进行移动或旋转移动的方法，可列举出手动·致动器·电动机驱动等。移动方向可以是直线移动也可以是旋转移动。本发明的发光装置通过使具有A区域和B区域的荧光体层与半导体发光元件的位置关系发生相对变化，能够在2800K 6500K的范围内连续地调整白色光的色温。以下，列举本发明的发光装置的实施方式对本发明进行说明，但本发明不限于以下的实施方式，可以在不脱离本发明主旨的范围内任意地进行变形来实施。
图I 一 I示出了本发明的发光装置I的整体图的示意图。发光装置I是在平面上配置有半导体发光元件2的发光装置，半导体发光元件2配置在封装3的凹部的底面。并且在封装3的开口部配置有荧光体层4。半导体发光元件2可以使用发出具有近紫外区域波长的光的近紫外半导体发光元件、发出具有紫区域波长的光的紫半导体发光元件、发出具有蓝区域波长的光的蓝色半导体发光元件，而在本实施方式中以紫半导体发光元件为例进行说明。此外，如本实施方式所示，可以配置I个半导体发光元件，也可以将多个半导体发光元件配置成平面状。此外，还可以配置I个输出大的半导体发光元件而成为发光装置。尤其在将多个半导体发光元件配置成平面状、或配置I个输出大的半导体发光元件时，容易实现面照明，因此是优选的。封装3保持半导体发光元件和荧光体层，在本实施方式中，封装3是具有开口部和凹部的杯形形状，在凹部的底面配置有半导体发光元件2。在封装3是杯形形状的情况下，能够使从发光装置放出的光具有指向性，能够有效利用射出的光。另外，封装3的凹部的尺寸被设定为能够使发光装置I朝预定方向放出光的尺寸。此外，在封装3的凹部的底部，设置有用于从发光装置I的外部向半导体发光元件提供电力的电极(未图示)。封装3优选使用高反射封装，能够使得射到封装3的壁面(锥形部)的光朝向预定方向射出，能够防止光的损失。在封装3的开口部处配置有荧光体层4。封装3的凹部被荧光体层4覆盖，来自半导体发光元件2的光不会不通过荧光体层4而从发光装置I发出。荧光体层4具有发光光谱不同的A区域4a、X区域4x和B区域4b这3个区域，荧光体层4的大小被设计得比封装3的开口部的大小大。并且，通过使比封装3的开口部的面积大的荧光体层4覆盖封装3的开口部并进行水平滑动(图中箭头8是荧光体层4的水平滑动方向的例子)，能够调整从半导体发光元件2照射到A区域和B区域的光的比例，能够调整从发光装置I射出的光的发光光谱。也可以不使荧光体层4进行水平滑动，而是使封装3进行水平滑动。例如，在设荧光体层的A区域4a是发光色的色温为6500K的高色温区域、B区域4b是发光色的色温为2800K的低色温区域、X区域4x是发光色的色温为4500K的中色温区域，且A区域、B区域和X区域的面积是与封装的开口部分别相同的面积时的发光装置I中，在用荧光体层的A区域4a完全覆盖封装3的开口部的情况下，射出色温6500K的蓝白的白色光。在分别用A区域4a和X区域4x各自覆盖封装3的开口部的大致一半的情况下，射出具有处于2800K与4500K中间的3700K左右的色温的白色光。另一方面，在分别用X区域4x和B区域4b各自覆盖大致一半的情况下，射出具有处于4500K与6500K中间的5500K左右的色温的白色光。另一方面，在用B区域4b完全覆盖封装3的开口部的情况下，射出色温2800K的电灯泡色的白色光。这样，通过使覆盖封装3的开口部的荧光体层的区域进行移动，能够连续调整发光色的色温，因此能够成为射出期望的色温的光的发光装置。此外，关于荧光体层4，图2示出了详细的示意图。荧光体层4形成在能透过近紫外光和可见光的透射性基板5上。当使用透射性基板5时，能够进行丝网印刷，容易形成荧光体层4。形成在透射性基板上的荧光体层4是厚度为Imm以下的层，具有第I荧光体部6a至第3突光体部6c。第I发光部件6a在本实施方式中是包含绿色荧光体7a的荧光体部，被紫半导体发光元件2的光激发，发出作为比紫区域的光的波长更长的波长成分的绿色区域的光。第2荧光体部6b在本实施方式中是包含红色荧光体的荧光体部，被紫半导体发光元件2的光激发，发出作为比第I荧光体部所包含的绿色荧光体发出的绿色区域的光的波长更长的波长成分的红色区域的光。 第3荧光体部6c在本实施方式中是包含蓝色荧光体的荧光体部，其是用于生成白色光而配备的。荧光体部可根据所使用的半导体发光元件的种类适当地进行选择，在使用蓝色半导体发光元件的情况下，不需要上述第3荧光体部，可以将来自蓝色半导体发光元件的光直接当作用于生成白色光的蓝色光来使用。此外，各个荧光体部被设置成在荧光体层的厚度方向上存在多种突光体的部分的面积相对于突光体层的发光装置的光射出面积、即封装3的开口部的面积为0%以上20%以下。由于在光射出面积中存在多个荧光体部，因此用多个部分的面积总和来计算上述存在多种荧光体的部分的面积。在此之前对图I的实施方式进行了说明，但是也可以采取其他实施方式。具体而言，如图3所示，可以在荧光体层4的靠发光装置的光射出面的一侧和/或靠半导体发光元件的一侧设置带通滤光器9。这里，“荧光体层4的靠发光装置的光射出面的一侧”，是指荧光体层4的与厚度方向垂直的方向的面中、朝向发光装置的外部射出光的面的一侧，即如果使用图3进行说明，是指荧光体层4的上方。此外，“荧光体层4的靠半导体发光元件的一侧”，是指突光体层4的与厚度方向垂直的方向的面中、朝向发光装置的内部射出光的面的一侧，即如果使用图3进行说明，是指荧光体层4的下方。带通滤光器9具备仅使具有预定波长的光透过的性质，通过在封装3和荧光体层4之间配备使半导体发光元件发出的光的至少一部分透过、并且对荧光体发出的光的至少一部分进行反射的带通滤光器，能够防止从荧光体发出的荧光再次进入到封装内，能够提高发光装置的发光效率。另一方面，通过在荧光体层4的靠发光装置的光射出面的一侧配备对半导体发光元件发出的光的至少一部分进行反射、并且使荧光体发出的光的至少一部分透过的带通滤光器，能够使得未被荧光体吸收而通过的由半导体发光元件发出的光再次返回荧光体层来激发荧光体，能够提高发光装置的发光效率。可根据半导体发光元件2适当选择上述带通滤光器。此外，如图3所示，通过将多个半导体发光元件配置成平面状，能够增加从半导体发光元件发出的光中、沿着带通滤光器的厚度方向入射的光的比例，能够更有效地利用所述带通滤光器。此外，还可以采取其他实施方式。具体而言，图4示出了与半导体发光元件2、封装3、荧光体层4的配置有关的其他实施方式的示意图。图4 (a)是图I的实施方式，是将荧光体层4配置于封装3的开口部的方式。设置成使得荧光体层4或封装3能够在箭头方向上移动。从半导体发光元件2发出的光在荧光体层4中成为荧光，并放射到装置外部。图4 (b)是配置成用荧光体层4覆盖半导体发光元件2的周围的方式。设置成使得荧光体层4能够在箭头方向上移动，并且使得封装3能够在箭头方向上移动。从半导体发光元件2发出的光在荧光体层4中成为荧光，并放射到装置外部。图4 (C)是配置成在封装3的表面配置荧光体层4、并利用设置于开口部的透光部件来保持半导体发光元件2而朝图中下方发出光的方式。设置成使得荧光体层4能够沿着凹部的形状在箭头方向上移动，并且使得半导体发光元件2能够在箭头方向上移动。从半导体发光元件2发出的光在荧光体层4中成为荧光，该荧光被包含反射件的封装3反射，放射到装置外部。 在图4所示的本发明的方式中，都是半导体发光元件2与荧光体层4隔开距离，并且其距离优选为O. Imm以上，更优选为O. 3mm以上，进一步优选为O. 5mm以上，特别优选为Imm以上,此外，优选为500mm以下，更优选为300mm以下,进一步优选为IOOmm以下,特别优选为IOmm以下。通过成为这样的方式，能够减弱每荧光体单位面积的激发光来防止荧光体的光劣化，并且，即使在半导体发光元件的温度上升的情况下也能够减轻荧光体层的温度上升。〈发光装置的第一实施方式〉图16是示意性示出第一实施方式的发光装置11的概略结构的立体图。发光装置11是使用作为光源的发光二极管、并且能够调整其输出光的色温的发光装置。例如，发光装置11是可选择性地输出日光色和电灯泡色中的任意一种颜色的白色发光装置。作为发光装置I的主要部件，具有发光二极管(Light - emitting Diode LED) 12 ;配置发光二极管12的基板13 ;以及收纳基板13的筒状的外壳部件14。发光二极管12相当于本发明中的半导体发光元件。在本实施方式中，外壳部件14具有圆筒形状。但是，外壳部件14只要具有筒形状即可，也可以形成为多棱筒形状。在图中，用标号CA表示外壳部件14的中心轴。在外壳部件14的两端开设有端面开口部143。如图所示，在外壳部件14的内部，收纳着具有矩形平板形状的基板13。该基板13与用于在例如天花板表面等安装对象上固定发光装置11的固定部件固定为一体。例如，在将发光装置11悬吊在上述天花板表面的状态下，在通常的使用状况下，基板13被固定于天花板表面，其姿势不变。在基板13上安装了作为光源的多个(许多)发光二极管12。基板13除了如上所述作为保持发光二极管12的保持部的功能以外，还是印刷有用于将来自外部的电力提供给发光二极管12的电路的电路基板。在该实施方式中，省略了控制向发光二极管12提供电力的电路的图示。如图所示，发光二极管12沿着基板13的长度方向排列。这里所说的基板13的长度方向与沿着外壳部件14的中心轴CA的方向一致。但是，图示的发光二极管12的配置例是例示性的，不限于此。此外，通常为了满足所要求的发光量的要求，优选在基板13上安装多个发光二极管12，不过，也可以在基板上搭载一个发光二极管12。外壳部件14构成为包含突光材料。具体而言,在外壳部件14上形成有突光体层141，该荧光体层141含有能够被发光二极管12发出的激发光激发的荧光体。荧光体层141如上所述含有荧光体，在将来自发光二极管12的光转换为波长较长的光后射出到外壳部件14的外部。荧光体层141如后所述构成为包含发光光谱不同的多个荧光区域。外壳部件14是通过在能透过近紫外光和可见光的具有透射性的基材上涂布各种荧光体而构成的。作为该透光性基材的材质，只要对于近紫外光和可见光透明即可，没有特别限制，可以使用玻璃、塑料(例如环氧树脂、硅树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂等)等。在使用近紫外区域的波长进行激发的情况下，从耐久性的方面看，优选的是玻璃。发光二极管12是发出荧光体层141所含有的荧光体的激发光的半导体发光元件。涂布在外壳部件14的透光性基材上的荧光体可以根据发光二极管12发出的光的波长适当地进行选择。本实施方式中的发光装置11将发光二极管12发出的激发光照射到荧光体层141所包含的各种荧光体。并且，通过从荧光体发出比激发光的波长更长的光，由此朝向外 部放出白色光。图17是示意性示出与图16所示的中心轴CA垂直的方向的截面(以下称作“轴垂直截面”)的图。如图所示，发光二极管12仅设置于基板13的一面(在图中为纸面的下侧)。在图示的例子中，以基板13的厚度方向的中心位置与外壳部件14的中心轴CA—致的方式将基板13收纳到外壳部件14内。图中的虚线箭头示意性示出由发光二极管12发出的光的方向。虚线箭头中标着标号Dc的箭头表示照射中心方向。照射中心方向Dc是指具有指向性地照射的激发光的中心方向。在本实施方式中说明的发光装置11以外壳部件14内的基板13的姿势与天花板表面平行的方式设置在天花板表面上。将基板13的面中面向天花板表面的一方称作“上表面”，将其另一个面称作“下表面”。这里，在本实施方式中，照明对象区域处于发光装置11的下方，因此，将发光二极管12配置在基板13的下表面。但是，如后所述，也可以在基板13的上表面和下表面双方上配置发光二极管12。接着，对本发明的发光装置11中用于变更输出光的色温的结构进行说明。这里，以发光二极管12的激发光的波长处于近紫外区域或紫区域的情况为例，对适当选择并输出色温相对不同的日光色和电灯泡色的方式进行说明。图18是具有圆筒形状的外壳部件14的展开图。标号142表不透光性基材。该透光性基材在如图示那样被展开的状态下呈现为矩形。图18中展开后的状态的0° (12时)、90° (3时)、180° (6时)、270° (9时)的各个位置对应于图17中成型为筒状的状态下的相同位置。在透光性基材的表面，涂布能够被发光二极管12发出的光激发的荧光体。这里，发光二极管12发出的激发光是近紫外光或紫外光，因此，混合蓝、绿、红的荧光体并涂布到透光性基材上。各种荧光体可以通过在透光性基材上例如使用丝网印刷形成荧光体浆料的方法、用喷墨印刷形成荧光体浆料的方法、转印法、CRT (Cathod Ray Tube)的涂布中使用的曝光式涂布方法等来形成。但是，也可以利用这些方法以外的方法在透光性基材上形成荧光体层141。
透光性基材上的区域被二分为第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA。第一荧光区域(A区域)FCA与第二荧光区域(B区域)SCA相比，蓝色荧光体的含有率高。换言之，第一荧光区域(A区域)FCA与第二荧光区域(B区域)SCA相比，红色或绿色的荧光体的含有率低。其结果，第一荧光区域(A区域)FCA因来自发光二极管12的激发光而发出的光的发光光谱比第二荧光区域(B区域)SCA中的发光光谱短。由此，与第二荧光区域(B区域)SCA相比，能够提高第一荧光区域(A区域)FCA中的发光色的色温。例如，可以将第一荧光区域(A区域)FCA设为发光色的色温为6500K的高色温区域，从该区域射出日光色的白色光。此外，例如可以将第二荧光区域(B区域)SCA设为发光色的色温为2800K的低色温区域，从该区域射出电灯泡色的白色光。作为本实施方式中的荧光体层141的变形，例如，可以在透光性基材上配置单独涂布了蓝、绿、红的各荧光体的荧光体部。该情况下，各荧光体部具有单一种类的荧光体，其形状和配置图案可以采用各种方式。并且，通过调节含有这样的荧光体的荧光体部的面积bt,能够进行调色。例如，在设包含蓝色突光体的突光体部为蓝色突光体部、包含红色突光体的荧光体部为红色荧光体部时，可以使第一荧光区域(A区域)FCA的蓝色荧光体部的面 积大于第二荧光区域(B区域)SCA的蓝色荧光体部的面积，使第二荧光区域(B区域)SCA的红色荧光体部的面积大于第一荧光区域(A区域)FCA的红色荧光体部的面积，由此使得第一荧光区域(A区域)FCA的发光色的色温比第二荧光区域(B区域)SCA大。本实施方式的荧光体层141具有在外壳部件14的周向上不同的位置处形成的、并且发光光谱不同的多个荧光区域。在图17所示的例子中，该多个荧光区域是作为在周向上对荧光体层141进行分割并且沿着外壳部件14的中心轴CA方向的区域而形成的。这里，对荧光体层141具有发光光谱彼此不同的第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA的例子进行说明。第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA被配置成在周向上对荧光体层141进行二等分。在图示的例子中，在外壳部件14的绕中心轴CA的角度相当于270° 90°的区域中形成第一荧光区域(A区域)FCA，在相当于90° 270°的范围内形成第二荧光区域(B区域)SCA。外壳部件14被设置成在使基板13不动的状态下，绕中心轴CA转动自如。在基板13上，从其短边起朝向端面开口部143突出地设有与中心轴CA同轴的轴状突起部件131，环状的轴支承部件132转动自如地轴支承于该轴状突起部件131。在图17中，用虚线表示轴状突起部件131和轴支承部件132。轴状突起部件131和轴支承部件132被设置于基板13的两个短边。外壳部件14经由上述轴支承部件132与连接部件(省略图示)连接。因此，通过使轴支承部件132相对于轴状突起部件131进行转动，与轴支承部件132 —体连接的外壳部件14也相对于轴状突起部件131转动。此时，轴状突起部件131与基板13设置成一体。因此，通过使轴支承部件132相对于轴状突起部件131转动，能够在基板13不动的状态下，使外壳部件14绕中心轴CA转动。即，能够使外壳部件14相对于基板13进行相对旋转。作为使轴状突起部件131相对于轴支承部件132进行相对转动的单元、也就是使外壳部件14相对于基板13进行相对转动的单元，可以适当采用手动、致动器、电动机等驱动单元。在手动地转动外壳部件14的情况下，例如可以采用牵引(拉线)开关方式。该情况下，每当用户通过切换动作切换了牵引开关时，外壳部件14绕中心轴CA转动180°。
由此，每当进行了牵引开关的切换动作时，对图19所示的(a)和(b)的状态进行切换。图19 (a)不出了来自发光二极管12的激发光的照射中心方向Dc与12时(0° )方向一致的状态，第一荧光区域FCA被发光二极管12的激发光激发。另一方面，图19 (b)示出了照射中心方向Dc与6时(180° )方向一致的状态，第二荧光区域(B区域)SCA被发光二极管12的激发光激发。这样，在本实施方式的发光装置11中，通过调节外壳部件14相对于基板13的相对转动位置，能够基于第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA的任意一方，选择地切换作为被照射发光二极管12发出的激发光的对象的荧光区域。因此，通过如图19 (a)所示的状态那样，使来自发光二极管12的激发光照射到第一荧光区域(A区域)FCA，能够将该激发光转换为日光色的白色光，并从外壳部件射出到外部。另一方面，通过如图19 (b)所示的状态那样，使来自发光二极管12的激发光照射到第二荧光区域(B区域)SCA，能够射出电灯泡色的白色光。此外，如图20 (a) (C)所示，可以在荧光体层141中的、以第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA的边界部为中心的预定角度的范围内，形成第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA的渐变图案。在该渐变图案中，在大致6 时 12时的整个角度范围内形成了上述渐变图案。在该渐变图案中，随着从6时的位置朝向12时的位置靠近，第一荧光区域(A区域)FCA相对于第二荧光区域(B区域)SCA的面积比增大。图20 (a)是将第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA交替地配置成条纹状的图案，通过根据外壳部件14的周向位置变更条纹的密度，使得第一荧光区域(A区域)FCA相对于第二荧光区域(B区域)SCA的面积比逐渐变化。图20 (b)是将第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA分开地涂布成三角形进行配置的图案，图20 (c)是将第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA配置成点状的图案。对于这些图案，也是根据外壳部件14的周向位置，逐渐地改变第一荧光区域(A区域)FCA相对于第二荧光区域(B区域)SCA的面积比。该情况下，牵引开关、致动器、电动机等使外壳部件14绕中心轴CA转动的单元(以下将它们称作“转动单元”)如果能够无级地调整其转动角度，则更加理想。这样，通过对外壳部件14的转动角度进行微调，能够精细地调整从发光装置I射出的白色光的色温。如上所述，根据本实施方式的发光装置11，能够容易地调整输出光的色温。此外，提供给发光二极管12的电力系统是一个系统，因此也不需要复杂的电力控制，并且也不需要复杂的电源电路。因此，能够以低成本制造出可调整色温的发光装置。此外，在外壳部件14的周面的整周形成了外壳部件14的荧光体层14，因此，发光二极管12发出的激发光的转换效率优异。不过，关于荧光体层141，只要通过使外壳部件14沿着周向转动，能够在第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA之间切换被照射来自发光二极管12的激发光的对象即可，可以适当变更荧光体层141的方式。因此，可以仅在外壳部件14的一部分上形成荧光体层141。此外，在荧光体层141中，相邻的多个荧光区域(第一荧光区域(A区域)FCA、第二荧光区域(B区域)SCA)彼此之间的边界形成为与外壳部件414的中心轴CA平行。因此，在从排列配置在基板13的长度方向上的各发光二极管12发出激发光时，能够更可靠地避免它们的激发光照射到不同荧光区域的情况。因此，能够抑制同时激发了发光光谱不同的第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA的情况。此外，荧光体层141中的第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SC可以形成为各自所占的区域大小不同。并且，既可以将荧光体层141形成于外壳部件14中的透光性基材的外周面侧，也可以形成在内周面侧。此外，可以不将荧光体层141形成在透光性基材的表面，而是形成在其内部。此外，在本实施方式中，应用了未借助封装而将发光二极管12直接安装于基板13的COB (chip on board :板上芯片)方式，但也可以采用借助封装安装于基板13的封装方式。此外，在本实施方式中，对混合红色、蓝色、绿色三种荧光体来形成第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA的例子进行了说明，但不限于此，也可以使用其他种类的荧光体。例如也可以混合蓝色、黄色这两种荧光体。该情况下，可以使第一荧光区域(A区域)FCA中的蓝色荧光体的含有率比第二荧光区域(B区域)SCA高，并且，使第一荧光区域(A区域)FCA中的黄色荧光体的含有率比第二荧光区域(B区域)SCA低。于是，在将激发光照射到第一荧光区域(A区域)FCA的情况下，与将激发光照射到第二荧光区域(B区 域)SCA的情况相比，能够提高射出到外部的光的色温。此外，在发光二极管12发出的激发光的波长处于蓝色区域的情况下，蓝色的光可以直接使用发光二极管12的发光，在荧光体层141中，可以选择绿色、红色等的荧光体。蓝色光成分透过未涂布绿色、红色等的荧光体的部分。该情况下，可以使第一荧光区域(A区域)FCA中未涂布荧光体的部分的面积比相对地高于第二荧光区域(B区域)SCA中的面积t匕。于是，在将激发光照射到第一荧光区域(A区域)FCA的情况下，与将激发光照射到第二荧光区域(B区域)SCA的情况相比，能够提高射出到外部的光的色温。图21 — I 图21 — 5是用于说明本实施方式的外壳部件14的变形例的说明图。各图示出了发光装置11的轴垂直截面，对应于图17。此外，在各图中，省略了轴状突起部件131和轴支承部件132等一部分部件的图示。图21 — 1、21 — 2与图17所示的外壳部件14同样，其截面形状为圆筒形状。在图21 — I中，荧光体层141 (外壳部件14)在周向上被三等分(每120°进行分割)，对于该各个区域，配置成第一荧光区域(A区域)FCA、第二荧光区域(B区域)SCA、第三荧光区域(X区域)TCA彼此邻接。第一 第三的各个荧光区域在被照射来自发光二极管12的激发光时，所发出的光的发光光谱彼此不同。例如，调整所含有的荧光体的种类或含有比率等，使得第三荧光区域(X区域)TCA中的发光光谱成为第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA的中间波长。在这样地规定了第一 第三的各个荧光区域中的发光光谱的情况下，可以是，每当进行使用了上述转动单元的外壳部件14的转动动作、即激发光照射对象的切换动作时，外壳部件14朝向绕着中心轴CA的一个方向逐次旋转预定角度(在该例中，120°是恰当的)。并且，可以按如下方式规定外壳部件14的旋转方向，即随着这样的外壳部件14的旋转动作，发光二极管12的激发光的照射对象不是从第一荧光区域(A区域)FCA直接切换为第二荧光区域(B区域)SCA、或者从第二荧光区域(B区域)SCA直接切换为第一荧光区域(A区域)FCA，而是暂时切换到第三荧光区域(X区域)TCA。如果是图21 — I的情况，可以设定为随着使用了转动单元的激发光照射对象的切换动作，外壳部件14沿逆时针方向旋转。由此，在对发光装置11的输出光的色温进行切换时，能够缓慢地变更其色温。此外，在图21 — 2所示的例子中，荧光体层141 (外壳部件14)在周向上被四等分(每90°进行分割)，对于该各个区域，沿逆时针方向依次邻接地配置了第一荧光区域(A区域)FCA、第三荧光区域(X区域)TCA、第二荧光区域(B区域)SCA和第三荧光区域(X区域)TCA。这样，通过将第三荧光区域(X区域)TCA配置成夹在第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA之间，当利用转动单元执行激发光照射对象的切换动作时，能够缓慢地变更发光装置11的输出光的色温。此外，如图21 — 3所示，外壳部件14的截面形状可以为椭圆筒形状。在该图中，第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA被配置成在周向上对荧光体层141(外壳部件14)进行二等分。此外,如图21 — 4和图21 — 5所不，夕卜壳部件14的截面可以为多棱筒形状。在图21 — 4中例示了具有三角形截面的外壳部件14，在图21 — 5例示了具有方形截面的外壳部件14。这样，在使外壳部件14成为多棱筒形状的情况下，可以以构
成外壳部件14的面为单位分开地涂布多个荧光区域。这里，沿着荧光体层141的周向配置的多个荧光区域的种类越多，越能够精细地控制所输出的光的色温。但是，当分配给各个荧光区域的面积过小时，可能会对发光光谱不同的荧光区域同时照射激发光，从而难以调整输出光的色温。因此例如，可以按照在从发光二极管12照射的激发光的半值角的范围所包含的区域中不存在荧光区域彼此之间的边界的方式，来形成荧光体层141。由此，能够避免上述问题。此外，外壳部件14不限于直管形，例如也可以如图22所示形成为环形(环状)。图22是说明第一实施方式的发光装置的其他变形例的图。外壳部件14是双重的环状结构，具有外侧环状部145和内侧环状部146。在该图中，在外侧环状部145的表面形成有荧光体层141。此外，具体而言，搭载着发光二极管12的基板13被收纳在上述内侧环状部146的内部。从图22可以清楚地看出，在该图中没有示出形成为环状的发光装置11的整体，而是示出了将该发光装置11大致均等地二分割后的状态，以便了解发光装置I的轴垂直截面的状态。内侧环状部146由透明部件形成，构成为能够透过发光二极管12发出的激发光。此外，基板13被一体固定于内侧环状部146。另一方面,外侧环状部145被设置成以中心轴CA为中心，相对于内侧环状部146相对转动自如。外侧环状部145由具有挠性的材料(例如硅酮等柔软的挠性体)形成，以便顺畅地实现其转动动作。此外，关于不进行相对转动而与基板13固定在一起的状态的内侧环状部146，不需要具有挠性，可以由比较硬质的材料形成，以便帮助外侧环状部145的外形保持为筒状。此外，本变形例的外侧环状部145还可以考虑制造发光装置11时的便利性，将二分割、三分割等那样被分割为多个部分的单件彼此结合而构成为环状。此外，可以对收纳在外壳部件14中的基板13的大小、配置位置进行调整，以便不妨碍外壳部件14的转动动作。此外，可以在外壳部件14的各端面开口部143处安装未图示的盖部件，由此来防止虫类等侵入到外壳部件14的内部。此外，本实施方式的发光装置11可以使外壳部件14成为所谓的盒式。例如，可以预先准备形成了发光光谱不同的荧光体层141的各种外壳部件14，在变更发光装置11输出的输出光的色温的情况下，更换为具有发光光谱不同的荧光体层141的外壳部件14。由此，也能够适当地变更发光装置11的输出光的色温。<第二实施方式>接着，对第二实施方式进行说明。图23是示意性示出第二实施方式的发光装置11的轴垂直截面的图。这里，以与第一实施方式的结构(尤其是图17所示的截面结构)不同的方面为中心进行说明，省略共同点的说明。在本实施方式中，外壳部件14在透光性基材的内周面侧形成有荧光体层141。另一方面，在透光性基材的外周面侧设置有带通滤光器(所谓的紫外线截止滤光器)15，该带通滤光器15对发光二极管12发出的光(激发光)进行反射，并且使荧光体层141含有的各荧光体发出的光透过。上述带通滤光器15可适当使用市面上出售的带通滤光器，可根据发光二极管12的种类适当地选择其种类。这样，通过将带通滤光器15配置于输出光的射出面侧，能够朝向外壳部件14的内 侧反射欲从荧光体层141漏出到外部的激发光。其结果，能够再次朝向荧光体层141所包含的荧光体照射激发光，能够提高发光装置11的发光效率。并且，在荧光体层141中荧光体发出的光透过带通滤光器15，因此不会妨碍白色光顺畅地射出到外部。此外，其他结构与图16至图19中说明的第一实施方式相同。此外，作为上述变形例，可以替代带通滤光器15，而将发挥与该带通滤光器15相同功能的表面细微凹凸结构(所谓的纹理结构)赋予到外壳部件14的外周面侧。该纹理结构的凹凸形状被调节成，对与发光二极管12的激发光对应的波长的光进行反射，并且使得比其波长更长的波长的光透过。由此，能够起到与使用带通滤光器15时相同的效果。在本实施方式中，带通滤光器15和上述表面细微凹凸结构分别相当于本发明中的激发光反射部件。此外，在图24所示的变形例中，在外壳部件14的外周面突出地设置有环状的荧光翅片部件16。图24是从侧面观察发光装置11的侧视图。荧光翅片部件16含有能够被发光二极管12发出的光激发的荧光体。此外，如图所示，在中心轴CA的方向上以彼此隔开预定间隔的方式设置有多个荧光翅片部件16。根据该结构，发光二极管12发出的激发光即使未在突光体层141中得到波长转换而漏出到外部,也会被突光翅片部件16所包含的突光体转换为白色光，因此能够理想地提高发光装置11的发光效率。如上所述，根据本实施方式的发光装置11，能够将发光二极管12发出的激发光高效地转换为白色光，因此能够提高发光效率。<第三实施方式>接着，对第三实施方式进行说明。图25-1、图25-2是示意性示出第三实施方式的发光装置11的轴垂直截面的图。这里，以本实施方式的特征点为中心进行说明。在本实施方式中，发光二极管12隔着基板13配置在该基板13的双面上。这里，将搭载于基板13的下表面的发光二极管12称作“第一发光二极管12a”,将搭载于上表面的发光二极管12称作“第二发光二极管12b”。如图所示，第一发光二极管12a和第二发光二极管12b隔着基板13背对背地进行配置。因此，第一发光二极管12a的照射中心方向Dc以基板13为基准铅直朝上，第二发光二极管12b的照射中心方向Dc以基板13为基准铅直朝下。即，在第一发光二极管12a和第二发光二极管12b中，它们的照射中心方向Dc为彼此相反的方向。这里，如图25-1和图25-2所示，在荧光体层141中的、隔着外壳部件14的中心轴CA而对称的区域(隔着180°而相对的区域)中，形成有发光光谱彼此相同的荧光区域。由此，在从第一发光二极管12a和第二发光二极管12b双方照射相同种类的激发光时,能够仅将激发光照射到发光光谱相同的荧光区域。即，在图25-1和图25-2的例子中，不同时对第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA照射激发光。因此，能够高精度地进行从发光装置11射出的光的色温控制。并且，在像将发光装置11水平地安装于天花板表面的情况那样，照明对象区域处于发光装置11的下方的情况下，可以如图所示的那样在发光装置11的外部上方配备反射镜(反射板)17。该反射镜17发挥如下作用 将与配置在基板13的上表面的第二发光二极管12b对应的射出光朝向与配置在基板13的下表面的第一发光二极管12a对应的射出光的射出区域进行反射。根据该结构，从发光装置11射出的白色光集中于照明对象区域，因此能够增加到达照明对象区域的光量。此外，本实施方式中的反射镜17对应于本发明的反射部件。〈第四实施方式〉接着，对第四实施方式进行说明。图26是示意性示出第四实施方式的发光装置11的轴垂直截面的图。这里，以本实施方式的特征点为中心进行说明。本实施方式的发光装置11与第一实施方式等同样，仅在基板13的下表面安装有发光二极管12。这里，将外壳部件14的收纳空间内的、面向基板13的上表面的空间称作“光源背面侧空间”。在上述光源背面侧空间SNL中，以与基板13的上表面热接触的方式配置有用于释放发光二极管12的热量的散热片18。基板13的导热系数等物性值被调整为，能够将发光二极管12发出的热量高效地传导至散热片18。此外，各散热片18从外壳部件14的一端侧沿着外壳部件14的中心轴CA朝向另一端侧延伸。在本实施方式中，发光二极管12中产生的热量经由基板13传导至散热片18。散热片18与从外壳部件14的端面开口部143取入的外气之间进行热交换。由此，通过从散热片18进行散热来冷却发光二极管12，因此能够较高地维持其发光效率。此外，其他结构与第一实施方式相同。此外，安装于外壳部件14的各端面开口部143的盖部件(省略图示)可以构成为不妨碍外壳部件14的内外通气的形态，例如网状或网格状部件等。此外，可以在外壳部件14的光源背面侧空间SNL中配置送风装置(例如强制风扇)，该送风装置用于在外壳部件14中将从一方的端面开口部143取入的外气从另一方的端面开口部143强制排出。由此，进一步促进了散热片18的散热，因此能够进一步提高发光二极管12的冷却特性。这里，在图26的例子中，在外壳部件14的光源背面侧空间SNL中设置有多个散热片18，但不限于此，例如也可以仅配置一个散热片18。此外，可以将散热片18配置成散热片18的另一端侧与外壳部件14接触。该情况下，如果外壳部件14也使用导热系数比较高的材料，更容易将从散热片18传递来的热量散到外部，因此是优选的。此外，在图27的结构例中，与外壳部件14的收纳空间内的、面向搭载着发光二极管12的基板13的下表面的空间(以下称作“光源侧空间”)相比，光源背面侧空间更大。此夕卜，荧光体层141仅设置在外壳部件14的一部分上。具体而言，荧光体层141所具有的第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA相互分离地形成在隔着外壳部件14的中心轴CA而对称的区域(相隔180°而相对的区域)中。并且，在第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA之间形成有通气孔19。通气孔19是贯通构成外壳部件14的透光性基材的孔，将光源背面侧空间SNL与外部空间连通。该通气孔19是沿着外壳部件14的中心轴CA，每隔预定间隔而设置的。根据上述结构，除了外壳部件14的端面开口部143以外，还从各通气孔19将外气取入到光源背面侧空间SNL内部，因此能够进一步促进散热片18的散热。其结果，能够进一步提高发光二极管12的冷却特性，提高发光效率。此外，在该结构中，每当用户切换了牵引开关时，外壳部件14绕中心轴CA转动180°，其结果，将被照射激发光的对象切换为第一荧光区域(A区域)FCA和第二荧光区域(B区域)SCA中的任意一方。因此，不会对形成有通气孔19的部分照射发光二极管12的激发光。 〈第五实施方式〉接着，对第五实施方式进行说明。图28是示意性示出第五实施方式的发光装置11的轴垂直截面的图。这里，以本实施方式的特征点为中心进行说明。在本实施方式中，外壳部件14与图17中示出的外壳部件相同，具有圆筒形状。此外，如图所示，在本实施方式中，基板的形状和发光二极管12在基板上的安装模式与图17的结构不同。这里，从发光效率的方面看，优选的是使发光二极管12发出的激发光从与垂直方向接近的角度入射到外壳部件14的荧光体层141。在如图17所示的结构例那样，发光二极管12相对于外壳部件14的中心轴CA的偏心量为零或较小的情况下，激发光的照射中心方向Dc与外壳部件14的中心轴CA的偏心量也变小。因此，在这种条件下，能够使得来自发光二极管12的激发光从垂直方向或与垂直方向接近的方向容易地入射到荧光体层141。与此相对，有时为了增加来自发光装置11的发光量，还在基板13的短边方向上排列配置多个发光二极管12。于是，相对于外壳部件14的中心轴CA偏心地配置的发光二极管12难以从垂直方向或与垂直方向接近的方向入射到荧光体层141。如图所示，在基板13的短边方向上排列有三列发光二极管12。位于中央的发光二极管12相对于中心轴CA的偏心量AQE为零。另一方面，位于两侧的发光二极管12相对于中心轴CA偏心地配置。因此，在本实施方式的发光装置I中，在配置于基板13的发光二极管12相对于外壳部件14的中心轴CA偏心地配置的情况下，将发光二极管12设置成，使得法线方向Dn与照射中心方向Dc所成的角度(图中用标号“Deg”表示)变得更小，其中，所述法线方向Dn是发光二极管12发出的光的照射中心方向Dc与外壳部件14的荧光体层141的交点处的假想切平面(图中用标号VTP表示)的法线方向。具体而言，在相对于中心轴CA偏心地配置发光二极管12的情况下，与未偏心配置的情况相比，使发光二极管12的姿势倾斜地设置在基板13上。并且设定为发光二极管12的偏心量Λ QE越大，发光二极管12的倾斜角度越大。这是因为，发光二极管12的偏心量AQE越大，越要增大使得照射中心方向Dc与假想切平面VTP的法线方向Dn平行所需的发光二极管12的倾斜角度。以满足发光二极管12的上述倾斜角度的方式规定了基板13的轴垂直截面。根据与中心轴CA垂直的方向上的发光二极管12的排列模式、和发光二极管12的偏心量Λ QE来决定具体的截面形状。但是，只要能够使得发光二极管12的激发光的照射中心方向Dc与上述法线方向Dn所成的角度Deg变得更小即可，发光二极管12的设置方式和基板形状可施加适当的变更。例如，在图28所示的例子中，基板13的轴垂直截面为弯折板形状，但也可以是与其近似的圆弧形状。此外，如图29所示，在基板13的短边方向上配置两列发光二极管12，且双方均相对于中心轴CA偏心地配置的情况下，可以使基板13的轴垂直截面成为图示的V形形状。或者，可以根据发光二极管12相对于中心轴CA的偏心量AQE来调整发光二极管12相对于基板13的设置角度，而不是调节基板13的倾斜角度。由此，即使在相对于中心轴CA偏心地配置发光二极管12的情况下，也能够使基板13的截面形状成为图17所示的平面形状。如上所述，在本实施方式的发光装置I中，即使在相对于外壳部件14的中心轴CA偏心地配置发光二极管12的情况下，也能够使发光二极管12发出的激发光从垂直方向或与垂直方向接近的角度入射到外壳部件14的荧光体层141。因此，能够提高发光装置I的发光效率，能够容易地确保发光量。 以上叙述的实施方式只是用于说明本发明的一个例子，可以在不脱离本发明主旨的范围内对上述实施方式施加各种变更。此外，本发明的发光装置不限于上述实施方式，在能够达到的限度内，可以包含它们的的组合。实施例以下，给出实验例对本发明进行更具体的说明，但本发明不限于以下的实验例，可以在不脱离本发明主旨的范围内任意地进行变更来实施。另外，用以下方法进行了荧光体层的厚度测定和发光装置的发光光谱的测定。[荧光体部的厚度测定]用千分尺测定涂布了荧光体部的基板与荧光体部的合计厚度，在从基板上剥离荧光体部之后，测定基板的厚度，由此计算出荧光体部的厚度。[发光装置的发光光谱的测定]<实验例I的情况>对半导体发光装置接入20mA的电流,使用多通道分光器(Carl Zeiss公司制造的Solid Lambda CCD UV 一 NIR (累计波长范围200nm 980nm，受光方式积分球)(直径20英寸))，对发光光谱进行了测定。〈实验例2的情况〉对半导体发光装置接入20mA的电流,使用光纤多通道分光器(Ocean Optics公司制造的USB2000 (累计波长范围200nm llOOnm，受光方式积分球)(直径I. 5英寸))，对发光光谱进行了测定。<关于各荧光体部的面积比和色度坐标的研究>[实验例I]制作了具有半导体发光元件模块光源部和荧光体层的发光装置，并测定了其发光光谱。作为半导体发光元件模块，使用硅树脂基底的透明芯片焊膏将一个用蓝宝石基板形成的边长350 μ m方形的主发光峰值波长405nm的InGaN系LED芯片粘接到3528SMD型PPA树脂封装的腔体底面上。粘接后，通过150°C、2小时的加热使芯片焊膏硬化，接着使用直径25μπι的Au线将LED芯片侧的电极和封装侧的电极连接起来。接合线为2根。串联连接了 5个该半导体发光元件模块，在底面部口 30mm上均匀进行配置，设开口部为□ 50mm、高度30mm,在底面部和侧壁内侧部分别安装Imm厚的氧化招颗粒混合娃树脂片而成为半导体发光兀件模块光源部。作为荧光体，使用了用Sr5_bBab (PO4)3Cl Eu表示的峰值波长为450nm的SBCA荧光体、用Ba3Si6O12N2 =Eu表示的峰值波长为535nm的BSON荧光体、以及用CaAlSi (N、O) 3 Eu表示的峰值波长为630nm的CASON荧光体，作为粘合树脂，使用了 SCR — 1016 (信越'>'J a 一 >公司制造)。作为荧光体层，制作了如下设计的9种荧光体层(荧光体层I 9)，所述设计是在与所述半导体发光元件模块光源部组合而成为发光装置时，发出的光的相关色温处于2600K 7100K的范围，并且色度坐标位于黑体辐射曲线上。荧光体层I 9中的任何一个都具有发出蓝色光的第I荧光体部、发出绿色光的第2荧光体部和发出红色光的第3荧光体部，使用所述SBCA荧光体作为第I荧光体、所述BSON荧光体作为第2荧光体、所述CASON荧光体作为第3荧光体。另外，在荧光体层I 9各自之中，为了成为期望的相关色温和色度坐标，如表I那样设定了第I荧光体部、第2荧光体部和第3荧光体部的面积比。此外， 各荧光体部中的荧光体的含有量分别为体积填充率52%、48%、51 %。另外，可以通过如下方式来制作荧光体层中的各荧光体部首先将预定量的粘合树脂和预定量的荧光体放入到同一容器中，通过A hi >9練太郎('> >々一公司制造)进行混合搅拌后，使用丝网印刷机(奥原電気公司制造的ST - 310F1G) 一次涂布到厚度IOOym的PET树脂上，通过100°C、I小时、150°C、5小时的加热对其进行干燥来使树脂固化，由此制作出各荧光体部。将各荧光体层I 9分别紧密贴合于上述半导体发光元件模块光源部的开口部，制作出半导体发光元件的上表面与荧光体层的下表面隔开约30mm的距离而分离配置的发光装置I 9。另外，将荧光体层与半导体发光元件之间的空间设为空气层。关于发光装置I 9，在表I和图30中示出了所测定的相关色温、色度坐标(Cx，Cy )的结果。表I
_+积比丨相关frjM~I色度平标(Cx, ~
丨 BSON (绿) j CASON (红)POCx O
发光劳-g I~ 赀光体层 I ^ O. 380.200.42 .7092 ~ O. 3055 0.3142
发光装冒 2 荧光体 U-2__026__0^25__OiJg__5235 O. 3395 O. 3554
%'光装冒3 荧光体层 3__QJJm__023__050__4762 O. 3536 O. 369
发光装置 4 荧光休丨;g 4__0.220.20 ■ 0.594184 0.3719 0.369
发光装冒 5 荧光体 U-5__019__020__(Lgl__3745 O. 3906 O. 3786
发光装I1 6 荧光体层 6__OJJ__OJJ__0^66__3653 O. 3965 O. 3839
发光装置 7 荧光休丨；g 7__O. 12O. 19 ■ 0.693424 0.4072 0.3872
发光装詈 8 费光体U 8__OiOfi__Oaii__(λ78__2967 O. 4355 O. 3972
发:光装趸9 ^ftim 90.040.110.852577 0.4686 0.4097从表I和图30可以清楚看出，在对各个发光装置I 9进行比较时，通过对荧光体层I 9所具有的第I荧光体部、第2荧光体部和第3荧光体部的各个面积比进行调整，能够将从发光装置I 9分别发出的光的色度设为任意的色度、例如黑体辐射附近的任意色度。因此，例如在按照荧光体层I —荧光体层2 —荧光体层3 —荧光体层4 —荧光体层5 —荧光体层6 —荧光体层7 —荧光体层8 —荧光体层9的顺序将荧光体层I 9连接成I个荧光体层，并像图13 - I那样将其与所述半导体发光元件模块组合而成为发光装置的情况下，通过移动所述荧光体，(I)在光的射出区域中配置了荧光体层I的情况下，从荧光体层I发出的光成为从发光装置发出的光，(2)在光的射出区域中配置了荧光体层2的情况下，从荧光体层2发出的光成为从发光装置发出的光，(3)在光的射出区域中配置了荧光体层3的情况下,从突光体层3发出的光成为从发光装置发出的光，(4)在光的射出区域中配置了突光体层4的情况下,从突光体层4发出的光成为从发光装置发出的光，(5)在光的射出区域中配置了荧光体层5的情况下，从荧光体层5发出的光成为从发光装置发出的光，(6)在光的射出区域中配置了突光体层6的情况下,从突光体层6发出的光成为从发光装置发出的光，(7)在光的射出区域中配置了荧光体层7的情况下，从荧光体层7发出的光成为从发光装置发出的光，(8)在光的射出区域中配置了荧光体层8的情况下，从荧光体层8发出的光成为从发光装置发出的光，(9)在光的射出区域中配置了荧光体层9的情况下，从荧光体层9发出的光成为从发光装置发出的光。该情况下，在将接入到半导体发光元件的电量保持恒定的同时，能够使得从发光装置发出的光的色度成为黑体辐射曲线附近的色 度，并且能够在2600K 7000K的范围内将该光的相关色温调整为任意的相关色温。<关于各荧光体部的厚度和色度坐标的研究>[实验例2]作为半导体发光元件模块，使用了硅树脂基底的透明芯片焊膏将一个用蓝宝石基板形成的边长350 μ m方形的主发光峰值波长450nm的InGaN系LED芯片粘接到3528SMD型PPA树脂封装的腔体底面上。粘接后，通过150°C、2小时的加热使芯片焊膏硬化，接着使用直径25 μ m的Au线将LED芯片侧的电极和封装侧的电极连接起来。接合线为2根。在其中放入4μ I的二液型硅树脂，在100°C、1小时的加热后，通过5小时的加热使硅树脂硬化，由此成为半导体发光元件模块。作为荧光体，使用了用Ca3 (Sc、Mg) 2Si3012 Ce表示的峰值波长为514nm的CSMS荧光体和用(SrXa)AlSiN3 =Eu表示的峰值波长为630nm的SCASN荧光体，具有发出绿色光的第I荧光体部和发出红色光的第2荧光体部，使用所述CSMS荧光体作为第I荧光体、所述SCASN荧光体作为第2荧光体(体积填充率37%)，作为粘合树脂，使用了 SCR — 1016 (信越'> ')^一>公司制造)。作为突光体层,将突光体层制作成,在与所述半导体发光兀件模块组合而成为发光装置时，发出的光的色度坐标(Cx，Cy)为(O. 389094,0. 341722)。另外，设荧光体层具有发出绿色光的第I荧光体部和发出红色光的第2荧光体部，使用所述CSMS荧光体作为第I荧光体、所述SCASN荧光体作为第2荧光体。此外，各荧光体部中的荧光体的含有量分别为体积填充率48%、37%。另外，可以通过如下方式来制作荧光体层中的各荧光体部首先将预定量的粘合树脂和预定量的荧光体放入到同一容器中，通过A hi >9練太郎('> >々一公司制造)进行混合搅拌后，使用丝网印刷机(奥原電気公司制造的ST - 310F1G) 一次涂布到厚度IOOym的PET树脂上，并通过100°C、1小时、150°C、5小时的加热对其进行干燥来使树脂固化。使荧光体层10紧密贴合于上述半导体发光元件模块光源部的开口部，制作出半导体发光元件的上表面和荧光体层的下表面隔开Imm的距离而分离配置的发光装置10。
接着，除了将包含SCASN荧光体的粘合树脂在PET树脂上的涂布次数设为3次以夕卜，与发光装置10同样地制作了发光装置11。接着，除了将包含SCASN荧光体的粘合树脂在PET树脂上的涂布次数设为10次以夕卜，与发光装置10同样地制作了发光装置12。表2示出了根据对发光装置10 12进行测定而得到的发光光谱计算出的色度坐标(Cx，Cy)的结果。表2
权利要求
1.一种发光装置，其构成为具有半导体发光元件和荧光体层，该荧光体层具备发光光谱不同的A区域和B区域，该发光装置的特征在于， 该发光装置构成为 (i)所述半导体发光元件发出具有350nm以上520nm以下的波长的光， (ii)所述A区域包含两个以上的第IA荧光体部和两个以上的第2A荧光体部，并且所述B区域包含两个以上的第IB荧光体部和两个以上的第2B荧光体部， (iii)所述A区域中相邻的第IA荧光体部和第2A荧光体部在其边界面处沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向配置，所述B区域中相邻的第IB荧光体部和第2B荧光体部在其边界面处沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向配置， (iv)所述第IA荧光体部含有第IA荧光体，该第IA荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述半导体发光元件发出的光更长的光的光， (V)所述第2A荧光体部含有第2A荧光体，该第2A荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述第IA荧光体发出的光更长的光的光， (vi)所述第IB荧光体部含有第IB荧光体，该第IB荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述半导体发光元件发出的光更长的光的光， (vii)所述第2B荧光体部含有第2B荧光体，该第2B荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述第IB荧光体发出的光更长的光的光， (viii)能够调整从所述半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例。
2.根据权利要求I所述的发光装置，其特征在于， 该发光装置构成为 通过使所述荧光体层或所述半导体发光元件以改变所述荧光体层与所述半导体发光元件的相对位置的方式进行移动，能够调整从半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例。
3.根据权利要求I或2所述的发光装置，其特征在于， 关于所述荧光体层，在位于发光装置的光的射出侧的面中，在设所述A区域中的所述第IA荧光体部所占面积的总和为Sai、所述A区域中的所述第2A荧光体部所占面积的总和为Sa2、所述B区域中的所述第IB荧光体部所占面积的总和为Sbi、所述B区域中的所述第2B荧光体部所占面积的总和为Sb2时，满足下式[I]的条件SA2/Sai 幸 SB2/SB1 · · · [I]。
4.根据权利要求I 3中的任意一项所述的发光装置，其特征在于， 关于所述荧光体层，在设所述A区域中的所述第IA荧光体部的厚度的总和为Tai、所述A区域中的所述第2A荧光体部的厚度的总和为Ta2、所述B区域中的所述第IB荧光体部的厚度的总和为Tbi、所述B区域中的所述第2B荧光体部的厚度的总和为Tb2时，满足下式[2]的条件Ta2/Tai 幸 TB2/Tbi · · · [2]。
5.根据权利要求I 4中的任意一项所述的发光装置，其特征在于， 在所述荧光体层中，第IA荧光体与第IB荧光体的种类不同，并且/或者，第2A荧光体与第2B荧光体的种类不同。
6.根据权利要求I 5中的任意一项所述的发光装置，其特征在于，关于所述突光体层，在突光体层的厚度方向上存在多种突光体的部分的面积相对于发光装置的光射出面积的比例为0%以上20%以下。
7.根据权利要求I 6中的任意一项所述的发光装置，其特征在于， 所述荧光体层具有遮光部，所述遮光部以防止从第IA荧光体部发出的光入射到第2A荧光体部的方式配置在所述第IA荧光体部与第2A荧光体部之间，并且/或者，所述遮光部以防止从第IB荧光体部发出的光入射到第2B荧光体部的方式配置在所述第IB荧光体部与第2B荧光体部之间。
8.根据权利要求I 7中的任意一项所述的发光装置，其中， 在所述A区域与B区域之间还具有X区域， (i)所述X区域包含两个以上的第IX荧光体部和两个以上的第2X荧光体部， (ii )在所述X区域中，相邻的第IX荧光体部和第2X荧光体部在其边界面处，沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向配置， (iii)所述第IX荧光体部含有第IX荧光体，该第IX荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述半导体发光元件发出的光更长的成分的光， (iv)所述第2X荧光体部含有第2X荧光体，该第2X荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述第IX荧光体发出的光更长的成分的光， (V)在设所述X区域中的所述第IX荧光体部所占面积的总和为Sxi、所述X区域中的所述第2X荧光体部所占面积的总和为Sx2时，满足下式[3]和[4]的条件 SA2/SA1 幸 SX2/SX1 [3] SB2/SB1 幸 SX2/SX1 [4]。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于， 在所述发光装置中，荧光体层被配置成， 通过调整从半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例，能够将该发光装置发出的光调整为色度图中位于以下直线上的任意色度， 所述直线是连接从A区域发出的光的色度A (xA，yA)和从X区域发出的光的色度X (xx，yx)的直线，或者是连接从B区域发出的光的色度B (xB, yB)和从X区域发出的光的色度X(xx, yx)的直线。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于， 所述色度X (xx, yx)位于连接所述色度A (xA, yA)和所述色度B (xB, yB)的直线上。
11.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于， 所述色度X (xx, yx)不位于连接所述色度A (xA, yA)和所述色度B (xB, yB)的直线上。
12.根据权利要求9 11中的任意一项所述的发光装置，其特征在于， 在所述发光装置中，荧光体层被配置成，通过调整从半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例，能够将该发光装置发出的光调整为色度图中位于以下曲线上的任意色度， 所述曲线是连接从A区域发出的光的色度A (xA，yA)、从X区域发出的光的色度X (xx,Yx)和从B区域发出的光的色度B (xB, yB)的任意曲线。
13.根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于， 所述发光装置通过调整从半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例，能够在与黑体辐射曲线之间的偏差duv为一 O. 02 = duv含O. 02的范围内，连续地调整发光装置发出的光的色度。
14.根据权利要求12或13所述的发光装置，其特征在于， 通过使所述荧光体层或所述半导体发光元件在与所述荧光体层的厚度方向垂直的方向上移动，能够沿着黑体辐射曲线连续地调整发光装置发出的光的色度。
15.根据权利要求I 14中的任意一项所述的发光装置，其特征在于， 所述发光装置通过调整从半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例，能够在2800K到6500K的范围内调整发光装置发出的颜色的色温。
16.根据权利要求I 15中的任意一项所述的发光装置，其特征在于， 关于所述发光装置，所述半导体发光元件与所述荧光体层之间的距离为Imm以上500mm以下。
17.根据权利要求I 16中的任意一项所述的发光装置，其特征在于， 关于所述发光装置，在所述荧光体层的靠发光装置的光射出面的一侧具有带通滤光器，该带通滤光器对所述半导体发光元件发出的光的至少一部分进行反射，并且使所述荧光体发出的光的至少一部分透过。
18.根据权利要求I 17中的任意一项所述的发光装置，其特征在于， 关于所述发光装置，在所述荧光体层的靠所述半导体发光元件的一侧具有带通滤光器，该带通滤光器使所述半导体发光元件发出的光的至少一部分透过，并且对所述荧光体发出的光的至少一部分进行反射。
19.根据权利要求I 18中的任意一项所述的发光装置，其特征在于，该发光装置具有 配置所述半导体发光元件的基板；以及 收纳所述基板的筒状的外壳部件， 在所述外壳部件的至少一部分中配置有所述荧光体层， 所述外壳部件被设置成，在使所述基板不动的状态下，该外壳部件绕其中心轴转动自如， 在所述荧光体层中，所述A区域和所述B区域被配置在所述外壳部件的周向上不同的位置处， 通过调节所述外壳部件相对于所述基板的相对转动位置，能够调整从半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例。
20.根据权利要求19所述的发光装置，其特征在于， 所述A区域和B区域被配置为在周向上对所述荧光体层进行分割并且沿着该外壳部件的中心轴方向的区域。
21.根据权利要求19或20所述的发光装置，其特征在于， 所述荧光体层被配置于所述外壳部件的整周。
22.根据权利要求19 21中的任意一项所述的发光装置，其特征在于， 所述半导体发光元件隔着所述基板而配置在该基板的双面上，在所述荧光体层中的隔着所述外壳部件的中心轴而对称的区域中，配置有发光光谱彼此相同的荧光体层。
23.根据权利要求22所述的发光装置，其特征在于，在所述外壳部件的外部设置有反射部件，该反射部件将与配置在所述基板的一面上的半导体发光元件对应的来自该外壳部件的射出光朝向与配置在另一面上的半导体发光元件对应的射出光的射出区域进行反射。
24.根据权利要求19 21中的任意一项所述的发光装置，其特征在于， 所述半导体发光元件仅配置在所述基板的任意一面上，在所述外壳部件的收纳空间内的面向所述基板的另一面的空间中，以与该基板的另一面热接触的方式配置有用于释放所述半导体发光元件的热量的散热部件。
25.根据权利要求19 24中的任意一项所述的发光装置，其特征在于， 所述外壳部件具有圆筒形状， 配置于所述基板的半导体发光元件被设置成在该半导体发光元件相对于所述外壳部件的中心轴偏心地配置的情况下，法线方向与该半导体发光元件发出的光的照射中心方向所成的角度变得更小，所述法线方向是该照射中心方向与所述荧光体层的交点处的假想切平面的法线方向。
26.根据权利要求25所述的发光装置，其特征在于， 在所述基板中，与所述外壳部件的中心轴垂直的截面具有弯折板形状或圆弧形状。
全文摘要
本发明的课题在于，提供一种能够容易地调整发光光谱的发光装置，该发光装置的发光效率更高。一种发光装置，其具有半导体发光元件和荧光体层，该荧光体层具备发光光谱不同的A区域和B区域，所述A区域和B区域在平面上以相同的荧光体部不相邻的方式配置有多个荧光体部，其中，在荧光体层中，在A区域和B区域中，使得特定的荧光体部所占的面积不同，由此解决了其课题。
文档编号H01L33/50GK102823001SQ201180017058
公开日2012年12月12日 申请日期2011年3月30日 优先权日2010年3月30日
发明者木岛直人, 胜本觉成, 与安史子, 树神弘也, 横尾敏明, 武田立, 大中修治 申请人:三菱化学株式会社