专利名称：光电子器件和用于制造光电子器件的方法
技术领域：
本发明涉及ー种具有用于发射电磁辐射的半导体芯片的光电子器件，以及ー种具有至少ー个这种光电子器件的发光装置。此外，提出ー种用于制造光电子器件的方法。
背景技术：
从现有技术中已知光电子器件和具有所述光电子器件的发光装置。因此，文献W02009/135620A1公开ー种具有发射电磁福射的发光机构的发光装置。发光机构的ー个扩展方案能够是光电子器件。通过与颗粒之间的相互作用使电磁辐射部分地偏转，并且部分 地使电磁辐射相关于其波长改变。电磁辐射的偏转能够通过颗粒密度的梯度达到。然而，颗粒密度的梯度的调节在制造中是极其耗费的、难以复现的和昂贵的。例如在文献DE102005003460A1中公开，光电子器件具有施加在载体上的、光学活性的外延层。
发明内容
本发明的目的在于提出一种光电子器件以及ー种具有至少ー个这种光电子器件的发光装置，所述光电子器件具有在介质中的颗粒，使得将电磁辐射偏转到优选方向上，即水平于载体。此外，在发光装置中均匀的光分布在没有耗费的耦合输出结构的情况下应当是可能的。所述目的通过下述来实现-根据权利要求I的光电子器件，-根据权利要求15的用于制造光电子器件的方法，或者-根据权利要求13的发光装置。光电子器件或发光装置的改进方案和有利的扩展方案在从属权利要求中说明。不同实施形式具有带有载体和至少ー个半导体芯片的光电子器件。半导体芯片设置在载体上，并且发射初级辐射。此外，器件具有至少部分包围半导体芯片的并且至少部分透明的介质。介质具有在载体上的高度和沿着载体的宽度。将用于与初级辐射相互作用的颗粒引入介质中。介质的高度与宽度之比(纵横比)大于I。由此保证，将电磁辐射偏转到优选方向上、即水平于载体。通常，半导体芯片具有有源区，所述有源区发射初级辐射。有源区能够是pn结、双异质结构、多量子阱结构(MQW)或单量子阱结构(SQW)。量子阱结构表示量子阱(3維)、量子线(2維)和量子点(I維)。介质例如能够具有硅树脂、环氧树脂、玻璃或陶瓷。介质应该尽可能是耐光的，并且对于初级辐射是至少部分透明的。光电子器件应当将电磁辐射偏转到优选方向上，即水平于载体。此外，在发光装置中均匀的光分布在没有耗费的耦合输出结构的情况下应当是可能的。这通过具纵横比大于I的颗粒的介质来实现。电磁辐射的所述水平的偏转例如对于将电磁辐射耦合输入到光导体中是尤其有利的。本发明的核心思想是，设置ー种散射介质，所述散射介质以简单和有效的方式将LED芯片的正面发射的光横向地转向。因此，能够简化或首先实现在平面光导体中的应用。为了最佳的效率和侧面发射，颗粒的浓度和纵横比必须互相协调。在光电子器件的ー个优选实施形式中，颗粒均匀地分布在介质中。这是有利的，因为能够尤其简单地形成均匀的分布，并且实现均匀放射电磁辐射。在光电子器件的ー个优选实施形式中，颗粒具有发光材料颗粒，所述颗粒设计用于吸收初级辐射和发射次级辐射的第一部分。发光材料颗粒能够由发磷光的材料构成。在一个优选的实施例中，能够使用5至15重量百分比的浓度的钇铝石榴石作为发磷光的材料，所述钇铝石榴石将蓝色的初级光转化成黄色的光。在介质中的钇铝石榴石的浓度为5重量百分比的情况下，得到蓝白色的次级辐射。在15重量百分比的更高的浓度情况下，得 到黄白色的次级辐射。在光电子器件的ー个优选实施形式中，颗粒具有散射颗粒，所述散射颗粒设计用于散射初级辐射，并且在此提供次级辐射的第二部分。在电磁辐射和散射颗粒相互作用的情况下，不改变电磁辐射的波长。术语散射颗粒和反射颗粒在本发明申请中同义。在ー个优选实施形式中，散射颗粒具有硫化钡和/或亚硫酸钡和/或硫酸钡和/或ニ氧化钛。ニ氧化钛散射颗粒的平均大小为大约300nm。散射颗粒的浓度在2和10重量百分比之间。在浓度大于5重量百分比时，次级辐射的垂直发射的分量的強度近似于零。对于产生次级辐射的情況，具有散射颗粒的介质引起蓝色光和黄色光的良好混合和初级辐射的适当的偏转。在ー个优选实施形式中，介质的高度为半导体芯片沿着载体的芯片宽度的I倍和3倍之间。这是有利的，因为在上述尺寸的情况下，特别大量的次级辐射能够侧向地从光电子器件中I禹合输出。在ー个优选实施形式中，设有反射的层，所述反射的层至少局部地在介质的朝向半导体芯片的ー侧上延伸。这是有利的，因为由此防止由于在载体上的吸收而使得由散射颗粒反射的和由发光材料颗粒发射的次级辐射消失。在ー个优选实施形式中，设有部分反射的层，所述部分反射的层至少局部地设置在介质的背离半导体芯片的ー侧上。部分反射的层将电磁辐射的一部分反射回介质中。在此，部分反射的层不选择性地反射波长。所述层阻碍次级辐射的一部分离开介质的背离半导体芯片的ー侧。从层反射回到介质中的次级辐射的部分能够通过在层中的ニ氧化钛反射颗粒含量来调节。在ー个优选实施形式中，部分反射的层在介质的背离半导体芯片的ー侧上设置成与介质直接接触。这是有利的，因为制造是简单的。在ー个优选实施形式中，在介质的朝向半导体芯片的ー侧上的反射的层和/或在介质的背离半导体芯片的ー侧上的部分反射的层具有带有ニ氧化钛颗粒的硅树脂。在ー个优选实施形式中，光电子器件光学耦合到光导体上。在ー个优选实施形式中，在光电子器件和光导体之间设有气隙，所述气隙致使更好地耦合输入到光导体的导模中。在用于制造光电子器件的方法的一个实施形式中，在载体上提供半导体芯片。将颗粒引入到由透明的基体材料、特别是透明的硅树脂制成的介质中。紧接着，将介质浇注到模具中。然后，进行介质的热硬化。然后，将介质施加到半导体芯片上，使得达到大于I的纵横比。用于制造光电子器件的替选方法能够如下说明。介质与颗粒以复合物的形式通过模压(压缩成型)同时施加到半导体芯片上。在此，放置模具，并且在压カ下注射所述模具。紧接着，将介质硬化。紧接着，通过替选的方法制造的光电子器件能够光学耦合到光波导上。根据上述方法制造的光电子器件在制造中是低成本的，并且达到高的光学效率。借助于所述光电子器件的合适的横向构造能够以简单的方式产生面光源。在限定光电子器件的数量的同时达到均匀的光密度。这得到有效的、无边的和自冷却的面光源。面光源能够极其薄地制成，并且是柔韧的。
接下来，根据附图进ー步阐述本发明的不同实施例。图I示出光电子器件的实施例的剖面图；图2示出光电子器件的实施例的剖面图；图3示出不同的纵横比的光电子器件的放射特性；图4示出作为角函数的、光电子器件的放射特性；图5示出光电子器件的实施例的剖面图；图6a示出光电子器件的实施例的剖面图；图6b示出光电子器件的实施例的剖面图；图7示出具有两个光电子器件的发光装置的实施例的剖面图；图7a示出图7中的两个光电子器件中的一个；图7b示出围绕根据图7a的光电子器件的光密度分布的模拟；图8示出具有两个光电子器件的发光装置的实施例的剖面图；图8a示出图8中的两个光电子器件中的一个；图8b示出围绕根据图8a的光电子器件的光密度分布的模拟；图9示出具有多个光电子器件的发光装置的实施例的俯视图；图10示出具有两个光电子器件的发光装置的实施例的剖面图；图IOa示出图10中的两个光电子器件中的ー个；图IOb示出围绕根据图IOa的光电子器件的光密度分布的模拟；图11示出具有两个光电子器件的发光装置的实施例的剖面图；图Ila示出图11中的两个光电子器件中的ー个；图Ilb示出围绕根据图Ila的光电子器件的光密度分布的模拟；图12示出具有光电子器件的发光装置的实施例的剖面图；图12a示出图12中的两个光电子器件中的ー个；以及图12b示出围绕根据图12a的光电子器件的光密度分布的模拟。
具体实施方式
相同的、同类的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图和在附图中示出的元件相互间的大小比例不能示为是按照比例的。相反，为了更好的描述并且为了更好的理解，能够夸大地示出各个元件。图I示出光电子器件I。在载体2上施加半导体芯片3。经由接触部4和键合线5实现电接触。半导体芯片3发射初级辐射6。半导体芯片3至少部分地由具有在载体2上方的高度8和沿着载体2的宽度9 (纵横比)的、至少部分透明的介质7包围。在介质7中引入与初级辐射6相互作用的颗粒10、11。介质7具有大于I的纵横比。颗粒10、11均匀地分布在介质7中。颗粒10、11具有发光材料颗粒10，所述发光材料颗粒设计用于吸收初级辐射6和发射次级辐射14的第一部分14a。发光材料颗粒10尤其具有例如钇铝石榴石的发磷光的材料。发光材料颗粒的浓度为5至15重量百分比。颗粒10、11具有散射颗粒11，其设计用于散射初级辐射，并且在此提供次级辐射14的第二部分14b。散射颗粒11在与电磁辐射的相互作用时没有改变电磁辐射的波长。术语反射颗粒与术语散射颗粒11同义。散射颗粒11具有硫化钡和/或亚硫酸钡和/或硫酸钡和/或ニ氧化钛。散射颗粒的 浓度为2至10重量百分比。介质7的高度8为半导体芯片3的沿着载体2的芯片宽度13的大约I倍和大约3倍之间。借助介质7的高度8能够调节次级辐射的横向发射的部分。例如，对于具有300iim芯片宽度13的半导体芯片3而言，介质7的300 iim至900 iim的高度8是有利的。反射的层12至少局部地设置在介质7的朝向半导体芯片3的ー侧上。器件的几何形状设计为，使得介质7的垂直位于载体上的侧面与介质的平行于载体设置的表面相比在其面积方面占优。图2示出光电子器件1，其中介质的宽度9大致相当于半导体芯片3的宽度13。在介质7的朝向半导体芯片3的一侧上省去了反射的层。其余的部件相当于在图I中的部件。图3示出针对用于填充有发光材料颗粒10的介质7的不同纵横比计算出的放射特性。介质7当前是硅树脂层，发光材料颗粒10当前是发磷光的材料。针对在0. I和4. I之间不同值的纵横比示出不同的放射特性。在横坐标X上描绘放射角，并且在纵坐标y上描绘次级辐射14的强度。在纵横比为0. I时，由光电子器件放射的强度在小角度处最大。对于I. I或更高的纵横比而言，放射的強度在小角度处下降到极小值。次级辐射14的強度在60度和90度之间的角范围内达到最大值。換言之，横向的放射是非常有利的。除了纵横比之外，也能够通过颗粒浓度来影响角分布。图4示出作为角函数的、光电子器件I的典型的放射特性。在X轴上描绘-180度和+180度之间的角。0度的角相当于介质7的背离半导体芯片3的一侧上的法线。强度最大值位于大约-70度和大约+70度的角处。在角为0度吋，強度几乎为零。图5示出具有部分反射的层15的光电子器件，所述部分反射的层至少局部地设置在介质7的背离半导体芯片3的ー侧。部分反射的层15在介质7的背离半导体芯片3的一侧设置成与介质7直接接触。部分反射的层15能够是填充有ニ氧化钛的硅树脂。部分反射的层15反射来自整个可见光谱范围中的次级辐射。特别地，没有进行与波长相关的反射。換言之，没有关于波长来过滤次级辐射。部分反射的层15用于调节在正面发射和侧面发射之间的平衡。根据ニ氧化钛颗粒的浓度来更多或更少強烈地反射次级辐射14的第一和第二部分14a和14b。在临界情况下，完全地阻碍次级辐射14的垂直的发射，即垂直于介质7的与半导体芯片3相对置的一侧的发射。換言之，抑制有助于正面发射的侧向发射。通过部分反射的、白色的层15避免由于发光材料颗粒引起的、不期望的、黄色的色彩感觉。其余的部件相当于在图I中的部件。图6a示出在光电子器件I之内的两个半导体芯片3a和3b。介质7的高度8也为芯片宽度13的I倍和3倍之间。在当前实施例中，介质不仅包括发光材料颗粒10，还包括散射颗粒11。散射颗粒11起到将初级辐射6a和6b与次级辐射的第一部分14a混合的作用。初级辐射6a是第一波长的由第一半导体芯片3a发射的电磁辐射。初级辐射6b是第ニ波长的由第二半导体芯片3b发射的电磁辐射。次级辐射的第一部分14a是通过发光材料颗粒10转换的光。此外，散射颗粒11引起期望的、即侧向的放射特性。其余的部件相当于在图I中的部件。如已在图6a中示出，图6b示出在光电子器件I之内的两个半导体芯片3a和3b。与图6a相反地，在介质7中仅引入散射颗粒11。在没有发光材料颗粒10的情况下，没有进行波长转换。因此，在介质7中只进行颜色混合和初级辐射6的侧向偏转。期望的光谱通 过初级辐射的第一部分6a和初级辐射的第二部分6b的不同波长来实现。其余的部件相当于在图I中的部件。在未示出的实施例中，光电子器件设有至少三个在红的、绿的和蓝的光谱范围内发射的半导体芯片。通过发光材料颗粒10进行波长转换不是必需的。如已在图6b的实施例中那样，只必须通过散射颗粒11实现光混合和放射特性的调节。其余的部件相当于在图6b中的部件。图7能够视为发光装置的參照物。图7示出嵌入光导体17中的、具有芯片级转换的白色LED。白色的LED具有发射初级辐射6的半导体芯片3和带有大约30 y m的典型厚度的施加到半导体芯片3上的薄的介质7。換言之，介质7的高度8仅为半导体芯片3的芯片宽度13的一小部分。介质7的垂直于载体2的侧面与介质7的平行于载体2设置的表面相比是小的。薄的介质7包括用于波长转换的发光材料颗粒10。为了提高效率设有包围半导体芯片3的反射的层12。白色的LED具有近朗伯发射剖面。由于介质7的小的厚度而得到最大部分的向前指向的发射。这样的结果是，仅极其少量的电磁辐射耦合输入到光导体中，而绝大部分的光直接从前方并且逐点地经由半导体芯片3射出。将光电子器件串联设置在光导体17中造成极其不均匀的亮度分布。该缺点最显著地通过在图8、11和12中示出的实施例来克服。在图7b中示出的光密度分布的零点20位于相应的光电子器件I上且位于中央。图7a示出在图7中示出的两个光电子器件I中的ー个。两个器件I是相同的。因此，相同的光密度分布适用于两个器件I。光密度分布的零点20位于Omm处，并且中心地且中央地位于光电子器件I上。为了定向，借助于零点20的位置给出水平轴线21。图7b示出在图7a中示出的光电子器件I的光密度分布的模拟。光密度在零点20处最大并且超过0. 045 (以任意单位)。在零点20的两侧(+2mm至-2mm),在2mm之内的光密度下降到0.005 (以任意単位)之下。其示出朗伯特辐射剖面。因此，如已经在图7中描述，在图7a中示出的光电子器件几乎不适用于将光侧向地耦合输入到光导体17中。图8示出由具有两个嵌入的光电子器件I的光导体17组成的构造100。半导体芯片3的间距为大约10mm，光导体17的高度18为大约2mm，并且介质7的高度8为大约I. 5_。半导体芯片3之间的最优间距根据下面的准则确定。通过所需要的如此多的半导体芯片3产生具有均匀光密度和最优冷却的面光源。出于成本的原因，对于所需要的光量使用尽可能少的半导体芯片3。总的来说，为了最优的热的管理，选择多个具有小的単独功率的半导体芯片是有意义的。应当将产生光和产生热分开。光电子器件相当于在图I中的所述光电子器件。嵌入到光导体17中用于次级辐射的横向分布。由此，达到均匀的光分布。这样得到高质量的光学印象，所述光学印象尤其是对于背后照明应用是必需的。在用作參照物的图7中，只有极其少量的次级辐射14横向地耦合输入到光导体17中。绝大部分的次级辐射直接在前方和逐点地射出。相反地，在图8的实施例中，实现提高的侧向发射。由此，相对于在图7中的构造能够使光斑的宽度大致翻一倍。达到4_的宽度以代替大约2_的宽度。因此，在光导体厚度相同的情况下得到将光电子器件 I的数量相对于參照物降低到四分之一的可能性。此外，大幅地改进光密度的均匀性，并且在最大強度和背景之间的光密度对比降低到因数3。在图7示出的參照物实例中，所述因数大约为20。图8a示出在图8中示出的两个光电子器件I中的ー个。两个器件I是相同的。因此，相同的光密度分布适用于两个器件I。光密度分布的零点20位于Omm处,并且中央地且中心地位于光电子器件I上。为了定向，借助于零点20的位置给出水平轴线21。图8b示出在图8a中示出的光电子器件I的模拟的光密度分布。在零点20处，光密度为0. 006和0. 008之间。距零点20大约Imm的距离光密度为大约0. 012。最大光密度不再中央地在半导体芯片上发出，而是侧向地发出。距零点20大约3mm的距离光密度降低到0. 004以下。优选在侧向方向上射出的光有利于侧向地耦合输入到波导17中。图9示出由具有嵌入的光电子器件I的光导体17组成的构造100。这表明，构造100为平面的扩展方案。在所述图中变得清楚的是，由于光电子器件I引起的相互遮暗小到可以忽略。如图8已经示出，图10示出由具有嵌入的光电子器件I的光导体17组成的构造100。与图8不同的是，围绕光电子器件I设有气隙16，所述气隙致使将次级辐射14更好地耦合输入到光导体17的引模中。次级辐射14经由附加的散射机构在光导体17的表面处或体积中耦合输出。因此，在大的区域中改进光密度的均匀性。图IOa示出在图10中示出的两个光电子器件I中的ー个。两个器件I是相同的。因此，相同的光密度分布适用于两个器件I。光密度分布的零点20位于Omm处并且中心且中央地位于光电子器件I上。为了定向，借助于零点20的位置给出水平轴线21。图IOb示出在图IOa中示出的光电子器件I的模拟的光密度分布。在零点20处，亮度位于0. 02和0. 025之间。在距零点20大约Imm的距离光密度降低到大约0. 006。在半导体芯片上且在中央发出最大光密度。在距零点20大约2mm至5mm的距离光密度大致恒定于0. 004。图11示出比在图10中示出的实施例更有利的实施例。为了阻碍逐点地发射次级辐射14，附加地在介质7的背离半导体芯片3的ー侧设有半透明的或部分反射的层15。这致使均匀化次级辐射14。气隙16位于波导17和具有部分反射的层15的介质7之间。图Ila示出在图11中示出的两个光电子器件I中的ー个。两个器件I是相同的。因此，相同的光密度分布适用于两个器件I。光密度分布的零点20在Omm处并且中央地且中心地位于光电子器件I上。为了定向，给出具有零点20的位置的水平轴线21。
图Ilb示出对于具有大约95%反射的部分透明的层15的情况下在图Ila中示出的光电子器件I的模拟的光密度分布。在零点20处，光密度为大约0. 002。距零点20大约Imm的距离光密度增长到大约0. 007。距零点20为Imm至5mm的距离光密度缓慢下降到大约0. 0045。因此，不沿在零点20上的中央方向上达到最大光密度，而是在零点20的侧向达到最大光密度。因此，图Ila中的器件良好合适于电磁辐射侧向耦合输入到波导17中。通过合适地选择部分透明的层15的反射度能够进ー步优化光密度的均匀性。替选于图11中的实施例，部分反射的层15能够置于光导体17中的凹部的内側。这在图12中示出。相对于图11中的实施例，能够通过图12中的实施例进ー步优化光密度的均匀性。气隙16位于介质7和具有部分反射的层15的波导17之间，所述部分反射的层固定在所述波导上。图12a示出在图12中示出的两个光电子器件I中的ー个。两个器件I是相同的。 因此，相同的光密度分布适用于两个器件I。光密度分布的零点20在Omm处，并且中央地且中心地位于光电子器件I上。为了定向，借助于零点20的位置给出水平轴线21。图12b示出对于具有大约60%反射的部分透明的层15的情况在图12a中示出的光电子器件I的模拟的光密度分布。在零点20处，光密度为0. 0055。距零点20大约Imm的距离光密度升高到大约0. 006。距零点20大约I. 5mm至5mm的距离光密度缓慢下降到大约0.0045。因此，不在零点20上的中央方向上达到最大光密度，而是在零点20的侧向达到最大光密度。然而近似地，光密度在距零点20两侧5mm的区域中均匀地分布。因此，图12a中的器件尤其良好地适合于电磁辐射侧向耦合输入到波导17中。如所示，通过适当地选择部分透明的层15的反射度能够优化光密度的均匀性。借助一些实施例描述光电子器件以表明所基于的思想。在此，实施例不限于特定的特征组合。即使仅结合特别的实施例或各个实施例描述ー些特征和扩展方案，其也能够分别与其他实施例中的其他特征组合。同样能够考虑，在实施例中略去或添加各个示出的特征或特别的扩展方案，只要仍然保持实现普遍的技术原理。附图标记列表I光电子器件2 载体3半导体芯片4接触部5键合线6初级辐射6a初级辐射的第一部分6b初级辐射的第二部分7 介质8介质的高度9介质的宽度10发光材料颗粒11散射颗粒12反射的层
13芯片宽度14次级辐射14a次级辐射的第一部分14b次级辐射的第二部分15部分反射的层 16 气隙17光导体18光导体高度20 零点21模拟的水平轴线，单位mm100由具有嵌入的光电子器件的光导体组成的构造
权利要求
1.光电子器件(I)，具有 -载体(2)， -设置在所述载体(2)上的用于发射初级辐射(6)的至少ー个半导体芯片(3)， -至少部分地包围所述半导体芯片(3)的并且至少部分透明的介质(7)，所述介质具有在所述载体(2 )上方的高度(8 )和沿着所述载体(2 )的宽度(9 )，和 -引入在所述介质(7)中的用干与所述初级辐射(6)相互作用的颗粒(10、11)， 其中所述介质(7)的所述高度(8)与所述宽度(9)之比大于I。
2.根据权利要求I所述的光电子器件，其中所述颗粒(10、11)均匀地分布在所述介质(7)中。
3.根据权利要求I或2所述的光电子器件，其中所述颗粒(10、11)具有发光材料颗粒(10)，所述发光材料颗粒设计用于吸收所述初级辐射(6)和发射次级辐射(14)的第一部分(14a)。
4.根据权利要求3所述的光电子器件，其中所述发光材料颗粒(10)的浓度为5至15重量百分比，所述发光材料颗粒尤其由发磷光的材料组成，尤其由镧掺杂的氧化钇(Y2O3-La2O3X乾招石槽石(Y3Al5O12)、氧化镝(Dy2O3)、氮氧化招(Al23O27N5)或氮化招(AlN)组成。
5.根据前述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述颗粒(10、11)具有散射颗粒(11)，所述散射颗粒设计用于所述初级辐射的散射，并且在此提供所述次级辐射(14)的第二部分(14b)。
6.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述散射颗粒(11)、尤其硫化钡、亚硫酸钡、硫酸钡或ニ氧化钛具有为2至10重量百分比的浓度。
7.根据前述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述介质(7)的所述高度(8)为所述半导体芯片(3)的沿着所述载体(2)的芯片宽度(13)的大约I倍和大约3倍之间。
8.根据前述权利要求之一所述的光电子器件，其中至少局部地在所述介质(7)的朝向所述半导体芯片(3)的一侧上设有反射的层(12)。
9.根据前述权利要求之一所述的光电子器件，其中至少局部地在所述介质(7)的背离所述半导体芯片(3)的一侧上设有部分反射的层(15)。
10.根据权利要求9所述的光电子器件，其中所述部分反射的层(15)在所述介质(7)的背离所述半导体芯片(3)的所述侧上设置成与所述介质(7)直接接触。
11.根据权利要求9所述的光电子器件，其中在所述介质(7)和所述介质(7)的背离所述半导体芯片(3)的所述侧上的所述部分反射的层(15)之间设有气隙(16)。
12.根据权利要求8至11所述的光电子器件，其中在所述介质(7)的朝向所述半导体芯片(3)的所述侧上的所述反射的层(12)和/或在所述介质(7)的背离所述半导体芯片(3)的所述侧上的所述部分反射的层(15)具有包括ニ氧化钛颗粒的硅树脂。
13.具有至少ー个根据前述权利要求之一所述的光电子器件(I)的发光装置(100)，其中所述光电子器件(I)光学耦合到光导体(17)上。
14.根据权利要求13所述的发光装置，其中在所述光电子器件(I)和所述光导体(17)之间设有气隙(16)。
15.用于制造光电子器件(I)的方法，具有下面的方法步骤-在载体(2)上提供半导体芯片(3)； -将颗粒(10、11)引入由透明的基体材料、尤其是透明的硅树脂制成的介质(7)中， -将所述介质(7)浇注到模具中 -将所述介质(7)热硬化 -将所述介质(7)施加到所述半导体芯片(3)上，使得所述介质(7)的在所述载体(2)上方的高度(8 )与所述介质(7 )的沿着所述载体(2 )的宽度(9 )之比大于I 。
全文摘要
光电子器件(1)具有载体(2)和至少一个半导体芯片(3)。半导体芯片(3)设置在载体(2)上，并且设计用于发射初级辐射(6)。半导体芯片(3)至少部分地包围至少部分透明的介质(7)，所述介质具有在载体(2)上方的高度(8)和沿着载体(2)的宽度(9)。将颗粒(10、11)引入介质(7)中，所述颗粒与初级辐射(6)相互作用。介质(7)的高度(8)与宽度(9)之比大于1。
文档编号H01L33/56GK102870239SQ201180021502
公开日2013年1月9日 申请日期2011年3月28日 优先权日2010年4月27日
发明者斯特凡·伊莱克, 亚历山大·林科夫, 马蒂亚斯·扎巴蒂尔 申请人:欧司朗光电半导体有限公司