直调式激光器的制造方法
【专利摘要】一种激光系统可包括响应于第一电刺激将电载流子传输至有源区的电极。该激光系统还可包括响应于第二电刺激将电载流子传输至该有源区的另一电极。这些电载流子可以在该有源区中结合，来发射用于生成光信号的光子。该系统可进一步包括又一电极，该又一电极响应于电刺激而影响设备层中电载流子的浓度，以改变与第一波导区、第二波导区以及该设备层中的至少一个相关联的内电容区的电容。该第三电刺激可以被调制为基于该内电容区的电容改变对该光信号进行调制。
【专利说明】直调式激光器
【背景技术】
[0001]随着对高速、高效通信日益增长的需求，光学系统在现代通信中日益普遍存在。光学系统可使用激光器来生成光学信号。典型的半导体激光器可以根据正、负电载流子在有源区中复合来发射光子。在电驱动激光器的情况中，该过程是响应于生成经过激光器中的相应正、负掺杂区以及金属电极的电流而发生的。可以例如根据电流的幅值控制有源区中正、负载流子的浓度。因此，典型的激光器可以被调制为根据流经该激光器有源区的电流的幅值来改变波长和/或强度。
【专利附图】
【附图说明】
[0002]图1图示激光系统的示例性示意图。
[0003]图2图示环形激光器的示例。
[0004]图3图示图2示例的环形激光器的调制的示例性示意图。
[0005]图4图示线形激光器的示例。
[0006]图5图示图4示例的线形激光器的调制的示例性示意图。
[0007]图6图示用于调制激光器的示例性方法。
【具体实施方式】
[0008]图1图不激光系统10的不例性不意图。激光系统10可应用于诸如光通信、光互连系统等各种光学系统中的任一种中。作为示例，激光系统10可被实现为环形谐振激光器或者线形谐振激光器。可以理解的是，以下采用图表形式描述图1的示例，从而图1示例的布局不旨在只是激光系统10的物理描述。
[0009]激光系统10包括第一电极12与第二电极14，电流Ilas经由电流源16被施加通过第一电极12与第二电极14。第一电极12和第二电极14可被配置为金属电极。作为示例，激光系统10可被实现为由位于硅层上的光发射化合物半导体层组成的混合硅(Si)激光器。例如，第一电极12可联接至P掺杂接触层，第二电极14可联接至N掺杂接触层。尽管第一电极12和第二电极14的电刺激在本文中被描述为经由电流源(即，电流源16)，但应理解的是，激光系统10可以实施电压源，来向第一电极12和第二电极14提供电刺激。
[0010]在图1的示例中，第一电极12与第一波导区18联接，第二电极14与第二波导区20联接。作为示例，第一波导区18和第二波导区20均可由诸如磷化铟(InP)的掺杂II1-V族化合物材料形成。因此，第一波导区18可以由P型掺杂磷化铟(S卩，P-1nP)形成，第二波导区20可以由N型掺杂磷化铟(即，N-1nP)形成。响应于施加至第一电极12和第二电极14的电流Ius，第一波导区18、第二波导区20可以被配置为传输电载流子，诸如第一波导区18中的空穴和第二波导区20中的电子。电载流子可在用于连通第一波导区18和第二波导区20的有源区22中复合，来发射用于生成光信号OPT的光子，光子可以是激光束。
[0011]从有源区22发射的光子的密度取决于有源区22中的载流子浓度以及随着光信号OPT在其中谐振而与激光系统10中的有源区22、波导区18和20、电极12和14以及一个或者多个设备层24相关联的光损耗。除了与激光系统10的材料相关的损耗之外，激光系统10的总光损耗还可以包括波导缺陷。例如，基于设备层24中的一个或多个、第一波导区18、第二波导区20与有源区22之间相似折射率且在物理位置上邻近，从有源区22发射的光子可产生被部分地限制于第一波导区18和/或第二波导区20以及这一(些)设备层24内的光模。可基于电流Ilas的幅值来控制有源区22中的载流子浓度，由此可增大电流Ilas来生成足量光子,从而抵消总光损耗,并因此生成光信号OPT。因此，可基于电流Ius的幅值来调制光子密度以及由此调制光信号OPT的强度和/或波长。然而，增大或降低电流Ilas的幅值会导致波长的同步偏移(被称为啁啾)，而这对于其中欲将每个信号通道锁定在特定波长下的波分复用应用是不期望的。此外，增大或降低电流Ius的幅值也会需要高的输出功率，以实现激光系统10的高速调制，这可导致过量功率消耗。
[0012]激光系统10进一步包括电容区26以及联接至设备层24的第三电极28。电容区26可以是激光系统10内部的整体基于第二电极14、设备层24、第三电极28、以及位于设备层24与第二波导区20之间的薄绝缘层的电容区域。作为示例，第三电极28可以是可联接至P型接触层的金属电极。相对于施加至第二电极14的电流Ilas的电刺激，第三电极28接收呈偏压Vm形式的电刺激。作为示例，偏压Vm可以是可调直流电压或交流电压，或者可被实现为具有直流分量的交流偏压。
[0013]响应于由偏SVm与第二电极14的电压之间的差而产生的电场，额外电载流子可以累积在设备层24和第二波导区20中，以调节电容区26的电容。由于电载流子的累积和消耗以及由此对电容区26中的电容的影响，与包围电容区26的材料相关的折射率可降低，并且与包围电容区26的材料相关的总光损耗可增加。因此，可被限制于第一波导区18、第二波导区20、有源区22以及设备层24的光模相应改变。因此，总光损耗与由于电流Ilas而导致的光子生成之间的平衡可被调节为引起光信号OPT的强度变化。相应地，电流Ilas的幅值可保持在基本恒定的幅值，以设置有源区22中基本恒定的载流子浓度，并且可调节偏压以改变电容区26的电容，从而调制光信号OPT。
[0014]与限制典型的载流子注入调制激光器的速率的载流子扩散过程相比，由于电容区26具有极快的充电和放电特性，从而折射率变化和光模损耗在本质上可快的多。传统电流调制半导体激光器的速率与信号OPT的输出强度成正比。因此，较高的调制速率需要较多的电流注入，这可导致较高的耗散电功率。在许多情况中，增加的耗散电功率可造成设备发热增强，这可影响设备性能(例如，导致较低的输出强度、较高的激光阈限、降低的速率、向着较高激光波长的偏移和/或可靠性问题)，并且可导致调制速率因热受限。
[0015]与典型的电流调制激光系统相反的是，由于激光系统10的光信号OPT的调制速率并不依赖于电流Ius的幅值，因此电流Ilas可以保持在基本恒定的幅值，从而导致充分低的电功率耗散。此外，因为电极14与第三电极28之间基本没有电流流过，因此可在激光系统10中简单地执行光信号OPT的调制(例如，使用易于集成的外部电气控制电路)并且基本没有直流功率损耗。相应地，激光系统10可在非常高的速率下运行，并且具有每信息位一单位功率损耗，这基本低于典型的直调激光系统。此外，除对电压Vm进行调制之外，通过分别降低或增大电流Ilas的幅值并基于有源区22中载流子浓度的相应降低或增大，可以基本最小化激光系统10中由于载流子在电容区26的累积或消耗而导致的波长啁啾。因此，与典型激光系统相比，可以非常快速地调制激光系统10，同时具有细微的波长啁啾。此外，由于激光系统10相对于典型的激光系统只集成一个额外电极(即，第三电极28)，因此可以以占地小的廉价方式制造激光系统10。
[0016]图2图示了环形激光器50的示例。作为示例，环形激光器50可以包括各种驻波谐振激光器中的任意一种。以局部剖面图(例如，基本是半剖面)形式展示环形激光器50，以致因对称性在图2示例中省略了环形激光器50沿虚线52的镜像。环形激光器50可对应于图1示例中的激光系统10。因此，在图2示例的以下描述中参考了图1的示例。
[0017]环形激光器50包括可由未掺杂Si形成的基板54。环形激光器50还包括位于基板54上的氧化埋层56。环形激光器50进一步包括位于氧化埋层56之上的设备层58。作为示例，设备层58可由硅构成。因此，环形激光器50可在绝缘体上硅(SOI)制造工艺中制造而成。环形激光器50还包括第一波导区60和第二波导区62，第一波导区60和第二波导区62可分别由P掺杂和N掺杂II1-V族材料(诸如InP)形成。第二波导区62可形成在设备层58的一部分上，并且可通过有源层64与第一波导区60分离。作为示例，有源层64可包括例如由铟铝镓砷化物(InAlGaAs)形成的多个量子阱。
[0018]环形激光器50进一步包括联接至第一波导区60的第一电极66以及联接至第二波导区62的第二电极68。作为不例,第一电极66和第二电极68可分别包括掺杂接触层(未示出)，例如，分别包括P掺杂铟镓砷化物(InGaAs)和N掺杂铟磷化物(InP)。此外，环形激光器50包括第三电极70,第三电极70部分形成于设备层58之上并沿设备层58、氧化埋层56和基板54延伸。因此，在图2的示例中，在环形激光器50运行期间，第三电极70可充当热分流器。与第一电极66和第二电极68相似的是，第三电极70可包括掺杂接触层(未示出)，例如P掺杂化合物半导体。可替代地，电极66、68与70可以是金属，并且设备层58的上方形成有第三电极70的那部分可以是掺杂的(例如，P掺杂)。
[0019]位于设备层58与第二波导区62之间的结合部是非常薄的界面氧化层72。作为示例，界面氧化层72可由来自第二波导区62的InP和来自设备层58的硅的原生氧化物形成，这两者在制造期间可在薄层(例如，大约15纳米)中内在地结合。因此，界面氧化层72可在设备层58与第二增益层62之间限定电容区73。此外，环形激光器50可包括形成在界面氧化层72上或者代替界面氧化层72的具有高K常数的一个或者多个非原生介电层。绝缘体材料属性和/或厚度可影响电容区73处的载流子累积以及第二波导层62与设备层58的光模交叠。此外，额外的非原生介电层在制造期间可用作第二波导层62和/或设备层58的保护层。
[0020]此外，在图2的示例中，在环形激光器50的设备层58内蚀刻沟槽74，从而将界面氧化层72的电容区73限制于有源区64之下。以此方式，由电容与电阻的乘积得出的调制带宽(即速率)可以很高。此外，沟槽74的宽度和位置可被设定为允许设备层58仅支持单一光模，从而导致光信号OPT的单模激光发射。此外，在图2的示例中，绝缘体层76联接至由波导层60与62以及有源区64限定的环形谐振器的外侧壁。绝缘体层76可使第三电极70与环形激光器50的II1-V族材料电隔离，并可将光模限制于该环形谐振腔，从而防止第三电极70中的金属光吸收。
[0021]图3图示图2示例的环形激光器50的调制的示例性示意图100。在图3的示例中，电流源102联接至第一电极66、第二电极68，以生成电流Ius，电流Ilas流经第一电极66、第一波导区60、有源区64、第二波导区62和第二电极68。响应于电流Ius,从第一电极66经第一波导区60向有源区64注入P型载流子104 ( S卩，空穴)，并且从第二电极68经第二波导区62向有源区64注入N型载流子106 (即，电子)。P型载流子104和N型载流子106可在有源区64中结合，以发射光子，其中光子可绕环形激光器50谐振，以生成光信号OPT，这在图3的示例中被展示为在临近有源区64和电容区73的页面以外(即，绕圆环图案)谐振。此外，如上在图1示例中所描述的，基于第一波导区60、第二波导区62、设备层58与有源区64的相似折射率且在物理位置上邻近，来自从有源区64发射的光子的光模可被部分限制于第一波导区60、第二波导区62、有源区64以及设备层58中。
[0022]在图3的示例中，电流Ius的幅值可基本恒定，因而P型载流子104和N型载流子106的浓度可基本恒定。此外,例如相对于第二电极68,向第三电极70施加偏压VMQD。响应于偏压VMQD，形成环形激光器50内的被弓I导通过设备层58、界面氧化层72以及波导层62的电场。在电场的作用下，以及作为界面氧化层72与沟槽74的结果，P型载流子110在设备层58处的电容区73中被俘获或消耗。同时，与P型载流子110基本相同量的N型载流子106同样在电容区73中(即，界面氧化层72的位于第二波导区62的另一面)也被俘获或消耗。该消耗或累积过程可由该电场的方向确定，而该电场的方向受控于偏压Vm的极性。因此，电容区73中的载流子变化调节波导层62与设备层58的折射率。另外，第二波导区62与设备层58的光损耗可相应地增大或减少，从而有效地增大或减少总的光模损耗。可通过光模在设备层58与第二波导区62中交叠的强度如何来确定对总光模的作用。
[0023]额外光模损耗的介入可抵消有源区64中由电流Ilas导致的光子生成率与初始总光损耗之间的平衡。因此，可实现光信号OPT的强度和/或波长变化。强度变化的幅度可由电容区73中的载流子浓度变化来确定，由此基于在第三电极施加的偏压Vm的幅值。相应地，可基于改变偏压Vm的幅值来调制光信号OPT。
[0024]作为示例，环形激光器50可在其中每个信号通道的绝对波长无需固定而通道间隔可保持固定的应用中实施。第二波导区62和设备层58的折射率变化可诱导光模相变，该光模相变可得到环形激光器50的谐振腔支持。因此，光信号OPT的谐振波长同样可由偏压Vm调制。作为示例，可通过向偏压Vm增加直流分量来实现波长调谐，使电容区73周围的基准载流子浓度仅响应于该直流偏压是可控的，从而允许调谐光信号OPT的初始特征，例如光信号OPT的波长(即，相位)。作为又一示例，环形激光器50可在其中每个信号通道的绝对波长被规定为固定的应用中实施。在此应用中，可基于偏压Vm的调制对光信号OPT进行强度调制，同时可基于电流Ilas的调制防止光信号OPT的相变。如在本文中描述的，在调制偏压Vm以调制光信号OPT的强度的基础上，经调制的电流Ius仍可以保持在基本最小幅度，以减缓功率消耗。
[0025]图4图示线形激光器150的示例。线形激光器150同样可对应于图1示例的激光系统10。因此，在图4示例的以下描述中参考了图1的示例。作为示例，线形激光器150可包括诸如法布里一珀罗、分布式反馈以及分布式布拉格反射镜谐振激光器之类的各种驻波谐振激光器中的任意一种。
[0026]线形激光器150包括由未掺杂娃形成的基板152。线形激光器150还包括位于基板152之上的氧化埋层154。线形激光器150进一步包括位于氧化埋层154之上的设备层156。作为不例,设备层156由娃形成。因此,线形激光器150可在绝缘体上娃(SOI)基板上制造而成。线形激光器150还包括可分别由P掺杂和N掺杂II1-V族化合物材料(诸如InP)构成的第一波导区158和第二波导区160。在图4的示例中，第二波导区160被展示为形成在设备层156的一部分上，并且通过有源层162与第一波导区158分离。线形激光器150进一步包括位于第一波导区158与第二波导区160中的掺杂区163。区163可掺有诸如氢正离子的质子，以基本防止P型载流子(即，空穴)从中移动穿过，例如有助于P型载流子移动通过第一波导层158的中央区域。
[0027]线形激光器150包括联接至第一波导区158的第一电极164。线形激光器150进一步包括第一子电极166与第二子电极168,第一子电极166与第二子电极168 —起形成第二电极并且均联接至第二波导区160。与图2和图3示例中的环形激光器50相似的是，第一电极164可包括掺杂接触层(未示出)，例如P掺杂InGaAs，并且第一子电极166与第二子电极168同样可包括掺杂接触层(未示出)，例如N掺杂InP。此外，线形激光器150包括形成于设备层156之上的第三电极170。第三电极170可包括掺杂半导体材料接触层(如示出)，例如P掺杂硅。
[0028]位于设备层156与第二波导区160之间的结合部是非常薄的界面氧化层172。作为示例，界面氧化层172可由来自第二波导区160的InP和来自设备层156的硅的原生氧化物形成，这两者在制造期间可在薄层(例如，大约15纳米)中内在地结合。另外或可替代地，与上面在图2示例中描述的相似，界面氧化层172可包括额外沉积的介电层。因此，界面氧化层172可在设备层156与第二增益层160之间限定电容区173。与上面在图2示例中描述的相似，线形激光器150还可包括形成于界面氧化层172之上的具有高K常数的一个或者多个额外的介电层，该介电层可影响电容区173处的载流子累积。此外，还与上面在图2示例中描述的相似，在图4的示例中，在线形激光器150的设备层156内蚀刻沟槽174，以将界面氧化层172的电容区173中的载流子限制于第二波导区160中。
[0029]图5图示了图4示例的线形激光器150的调制的示例性示意图200。在图5的示例中，电流源202联接至第 一电极164以及第一子电极166和第二子电极168，以生成电流I las?电流Ius流经第一电极164、第一波导区158、有源区162、第二波导区160、第一子电极166与第二子电极168。响应于电流Ius，从第一电极164和/或第一波导区158向有源区162注入P型载流子204 (即，空穴)。在图5的示例中，氢掺杂区163被配置为提供使P型载流子204到达有源区162的较窄通道。同样响应于电流Ilas，从第一子电极166、第二子电极168和/或第二波导区160向有源区162注入N型载流子206 (即，电子)。因此，P型载流子204和N型载流子206在有源区162中结合，以发射光子，光子可在线形激光器150的线形腔内谐振以生成光信号0ΡΤ，在图5的示例中被展示为在邻近有源区162和电容区173的页面内外(B卩，线形地)谐振。此外，如上面在图1示例中所描述的，基于第一波导区158、第二波导区160、设备层156与有源区162的相似折射率以及在物理位置上紧密相邻，从有源区162发射的光子的光模可被部分限制于第一波导区158和/或第二波导区160以及设备层156中。
[0030]在图5的示例中，电流Ius的幅值可基本恒定，使P型载流子204和N型载流子206的浓度可基本恒定。此外，电压源208被展示为相对于第一子电极166与第二子电极168向第三电极170施加交流和/或直流偏压VMQD。响应于偏压VMQD，第三电极170将P型载流子210 (例如，空穴)注入到设备层156中。设备层156的氢掺杂区163防止P型载流子210进入设备层156中。[0031]由于界面氧化层172与沟槽174的结果，P型载流子210被俘获在设备层156的电容区173中。因此，P型载流子210在线形激光器150内生成被引导通过设备层156、第二波导区160、第一波导区158以及有源区162的电场。因此，该电场调节设备层156、第一波导区158以及第二波导区160中的一个或多个的折射率。由此，可以基本降低设备层156、第一波导区158以及第二波导区160的光损耗，从而释放被部分限制在其中的光模。相应地，以类似于上面在图3示例中描述的方式，可以基于改变偏压Vm的幅值来调制光信号OPT。
[0032]可以理解的是，环形激光器50和线形激光器150并不旨在分别限于图2、图3和图
4、图5的示例。作为示例，在环形激光器50和/或线形激光器150的形成中，可实施各种制造技术中的任何一种。因此，环形激光器50和线形激光器150的物理配置并不分别限于图2、图3与图4、图5的示例。另外，尽管在环形激光器50和线形激光器150被配置为混合硅激光器的背景下描述了本文中所描述的技术，但可以针对激光器的其它各种材质配置中的任意一种来实施本文中所描述的技术。
[0033]鉴于上面描述的上述结构特征和功能特征，将参照图6更好地理解示例性方法。尽管为便于简洁说明，图6的方法被示出并描述为连续执行，但应理解和明白的是，与本文中所示出和描述不同的是，该方法的一部分可依照不同顺序和/或同时发生，因此该方法并不限于所图示的顺序。
[0034]图6图示了调制激光器的方法250的示例。在252处，生成经由第一电极(例如第一电极12)和第二电极(例如第二电极14)的电流(例如电流Ilas)，以通过P掺杂波导区(例如第一波导区18)传输P型电载流子(例如P型载流子104)，通过N掺杂波导区(例如第二波导区20)传输N型电载流子(例如N型载流子106)，N型电载流子与P型电载流子在有源区(例如有源区22)中结合，以发射用于生成光信号(例如光信号OPT)的光子。在254处，在第三电极(例如第三电极28)处施加偏压(例如偏压Vmqd)，以生成与该激光器相关联的内电容区(例如电容区26)。在256处，调制该偏压，以基于与该内电容区相关联的电容改变来对该光信号进行调制。
[0035]以上所描述的为示例。描述各组件或者各方法所有可能的组合当然是不可能的，但本领域普通技术人员会认识到，更多的组合和排列上可能的。因此，本发明旨在包含落在本申请的包括所附权利要求的范围内的所有这种替换、修改、改动。如在此所用的，“包括”一词表示的是“包括但不限制于”。“基于”一词表示“至少部分基于”。此外，当公开内容或者权利要求记载“一”、“第一”或“另一”要素或其等同物时，其应被理解为包括“一个或者多个”该要素，并不要求也不排除“两个或更多个”该要素。
【权利要求】
1.一种激光系统,包括: 第一电极，响应于第一电刺激，经由第一波导区将第一电载流子传输至有源区； 第二电极，响应于第二电刺激，经由第二波导区将第二电载流子传输至所述有源区，所述第一电载流子和所述第二电载流子在所述有源区中结合，以发射用于生成光信号的光子；和 第三电极，响应于第三电刺激，影响与所述第二波导区邻近的设备层中的第三电载流子的浓度，以改变与所述第一波导区、所述第二波导区以及所述设备层中的至少一个相关联的内电容区的电容，所述第三电刺激被调制为基于所述内电容区的电容改变对所述光信号进行调制。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一电刺激与所述第二电刺激用于生成经过所述第一电极、所述第二电极、所述第一波导区以及所述第二波导区的基本恒定的电流，并且其中所述第三电刺激是相对于所述第二电刺激的偏压，所述偏压被调制为对所述光信号进行调制。
3.根据权利要求1所述的系统，进一步包括在所述设备层中蚀刻的沟槽，所述沟槽用于将所述第二电载流子和所述第三电载流子限制在所述第二波导区和所述设备层中的所述内电容区，并且有助于所述光信号的单模工作。
4.根据权利要求1所述的系统，进一步包括形成在所述内电容区上的绝缘层，所述绝缘层用于基本增强所述第三电载流子在所述设备层中的累积。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述电容改变使所述第一波导区、所述第二波导区、所述有源区以及所述设备层中的至少一个的总光损耗和折射率中的至少一种发生变化。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述第三电极被形成为沿多个设备层延伸至基板层，以提供热分流。
7.根据权利要求1所述的系统，进一步包括与所述光信号相关联的行波谐振器和驻波谐振器中的一种。
8.一种用于调制激光器的方法，所述方法包括: 生成经由第一电极与第二电极的电流，以通过P掺杂波导区传输P型电载流子，通过N掺杂波导区传输N型电载流子，所述N型电载流子和所述P型电载流子在有源区中结合，以发射用于生成光信号的光子； 在第三电极施加偏压，以生成与所述激光器相关联的内电容区；以及 调制所述偏压，以基于与所述内电容区相关联的电容改变对所述光信号进行调制。
9.根据权利要求8所述的方法，其中调制所述偏压包括:响应于与所述内电容区相关联的电容改变，改变与所述P掺杂波导区、所述N掺杂波导区以及与所述N掺杂区邻近的设备层中的至少一个相关联的总光损耗和折射率中的至少一种。
10.根据权利要求8所述的方法，其中施加偏压包括:在所述第三电极施加所述偏压，以通过形成在所述设备层与所述N掺杂波导区之间的绝缘层生成所述内电容区。
11.根据权利要求8所述的方法，其中施加偏压包括影响设备层处的第二P型电载流子的浓度，所述方法进一步包括通过在所述设备层中蚀刻的沟槽将所述第二 P型电载流子与所述N型载流子限制在所述内电 容区，以有助于所述光信号的单模工作。
12.根据权利要求8所述的方法，进一步包括独立于所述偏压调制所述电流，以在基本不改变所述光信号的波长的情况下调制所述光信号的强度。
13.根据权利要求8所述的方法，其中施加偏压包括向所述偏压施加直流电压，所述直流电压具有基本固定的幅值，被设置为调谐所述光信号的初始特性，其中调制所述偏压包括将所述偏压调制为高于所述直流电压的所述基本固定的幅值，以调制所述光信号。
14.一种激光系统,包括: 第一电极，响应于电流，经由第一波导区将第一电载流子传输至有源区； 第二电极，响应于所述电流，经由第二波导区将第二电载流子传输至所述有源区，所述第一电载流子和所述第二电载流子在所述有源区中结合，以发射用于生成光信号的光子；和 第三电极，响应于偏压，影响与所述第二波导区邻近的设备层中的第三电载流子的浓度，以改变与所述第一波导区、所述第二波导区以及所述设备层中的至少一个相关联的内电容区的电容，电容的改变通过偏压被控制，以改变所述第一波导区、所述第二波导区、所述有源区以及所述设备层中的至少一个的总光损耗和折射率中的至少一种，来调制所述光信号。
15.根据权利要求14所述的系统，进一步包括在所述设备层中蚀刻的沟槽，所述沟槽用于将所述第二电载流子与所述第三电载流子限制在所述第二波导区与所述设备层中的所述内电容区，并且有助于所 述光信号的单模工作。
【文档编号】H01S5/10GK103891067SQ201180074425
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2011年11月1日 优先权日:2011年11月1日
【发明者】梁迪 申请人:惠普发展公司，有限责任合伙企业