专利名称：共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置。
背景技术：
传统发光二极管通常通过在每个发光二极管两端并联限电压元件，如齐纳二极管(zener diode)构成发光元件单元，而在发光二极管端电压异常升高时由齐纳二极管吸收异常的电压，以上述发光二极管与齐纳二极管并联的发光元件单元作多组串联(含串并联)构成发光元件组时，常因发光二极管或齐纳二极管特性不同而无法平均分布电压，以致在异常的高电压来临时，承受端电压较高的发光二极管通过的电流加大而被烧毁。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种共享限电压元件个别均压电阻的发光二极
管装置。为达到上述目的，本发明提供一种共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置为在两个以上呈同极性串联的发光二极管组两端，并联一个共享限电压元件，及在每个发光二极管两端并联均压电阻以构成发光元件单元所构成，其主要构成含
-发光二极管101 :其由发光二极管所构成；
——限电压元件105 :其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成；
——均压电阻107 :其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；
通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括以发光元件单元作多组同极性串联或串并联而构成发光元件组所构成，其主要构成含
-发光二极管101 :其由发光二极管所构成；
——限电压元件105 :其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成；
——均压电阻107 :其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；
通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；
通过多组上述发光元件单元作同极性串联或串并联而构成发光元件组。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由两组发光元件单元呈逆极性串联所构成，其主要构成含
-发光二极管101 :其由发光二极管所构成；
——限电压元件105 :其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成；
——均压电阻107 :其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；
通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；
通过两个上述发光元件单元作逆极性串联。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由两组以上发光元件组呈逆极性串联所构成，其主要构 成含
-发光二极管101 :其由发光二极管所构成；
——限电压元件105 :其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成；
——均压电阻107 :其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；
通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；
通过多组上述发光元件单元作同极性串联或串并联而构成发光元件组；
通过两组以上上述发光元件组呈逆极性串联。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括在呈逆极性串联的两发光元件单元两端，分别呈逆极性并联二极管所构成，其主要构成含
-发光二极管101 :其由发光二极管所构成；
——限电压元件105 :其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成；
——均压电阻107 :其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；
通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；
通过两个上述发光元件单元作逆极性串联；
以及在上述呈逆极性串联的发光元件单元两端，分别呈逆极性并联二极管106。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由呈逆极性串联的不同极性侧所属的发光元件组，呈同极性串联后的两端，分别呈逆极性并联二极管所构成，其主要构成含
-发光二极管101 :其由发光二极管所构成；
——限电压元件105 :其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成；
——均压电阻107 :其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；
通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；
通过多组上述发光元件单元作同极性串联或串并联而构成发光元件组；
通过两组以上上述发光元件组呈逆极性串联；
以及在上述呈逆极性串联的不同极性侧所属的发光元件组中，呈同极性串联或串并联的多组发光元件组两端，分别呈逆极性并联二极管106。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由两个以上发光二极管并联限电压元件，及进一步并联均压电阻所构成的发光元件单元作同极性串联或串并联，而构成的发光元件组所构成，其主要构成含
-发光二极管101 :其由发光二极管所构成；
——限电压元件105 :其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成；
——均压电阻107 :其由电阻性元件所构成，供并联于每一个发光二极管的两端；
通过以发光二极管并联限电压元件，以及进一步并联均压电阻，而构成发光元件单
元;
以及通过两组以上的发光元件单元作同极性串联或串并联，而构成发光元件组。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由两组以上发光元件组呈逆极性串联所构成，其主要构成含
-发光二极管101 :其由发光二极管所构成；
——限电压元件105 :其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成；
——均压电阻107 :其由电阻性元件所构成，供并联于每一个发光二极管的两端； 通过以发光二极管并联限电压元件，以及进一步并联均压电阻，而构成发光元件单
元;
以及通过两组以上的发光元件单元作同极性串联或串并联，而构成发光元件组； 以及通过两组以上的发光元件组作逆极性串联。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置的发光二极管101除由一个发光二极管101所构成外，进一步包括由两个以上发光二极管串联或并联或串并联构成共构发光二极管单元以取代单一发光二极管101。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置的限电压保护元件由以下一种以上元件，以一个以上呈同极性串联或并联或串并联所构成，包括
——齐纳二极管；
——变阻体；
——具顺向电压降的二极管；
——反极性呈顺向电压降的齐纳二极管。本发明所提供的共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，为对以多个同极性串联发光二极管构成的发光二极管组两端，并联共享的限电压元件，以及在每个发光二极管的两端个别并联均压电阻，以对发光二极管作过电压保护；在来自电源的涌浪电压出现时，通过共享限压元件以吸收的，以防止个别发光二极管瞬间过电压及过电流而损毁。
图I所示为传统由一个发光二极管并联一个限电压元件所构成的发光元件单元，而由两个以上发光元件单元作同极性串联构成发光元件组的电路示意 图2所示为传统由两组发光元件组呈逆极性串联的发光二极管装置示意 图3所示为本发明在两个以上呈同极性串联的发光二极管组两端，并联一个共享限电压元件，及在每个发光二极管两端并联均压电阻以构成发光元件单元的电路示意 图4所示为以图3所示发光元件单元作多组同极性串联(或串并联)而而构成发光元件组的电路不意图5所示为由两组图3所示发光元件单元呈逆极性串联的应用电路示意图6所示为由两组以上图4所示发光元件组呈逆极性串联的应用电路示意 图7所示为在图5所示中呈逆极性串联的两发光元件单元两端，分别呈逆极性并联二极管的应用电路不意 图8所示为由图6所示中，呈逆极性串联的不同极性侧所属的发光元件组，呈同极性串联后的两端，分别呈逆极性并联二极管的应用电路示意 图9所示为由两组以上发光二极管并联限电压元件，及进一步并联均压电阻所构成的发光元件单元作同极性串联(或串并联)而构成发光元件组的电路示意 图10所示为由两组以上图9所示发光元件组呈逆极性串联的应用电路示意图。主要部件名称
101 :发光二极管；
105:限电压元件；
106:二极管；
107:均压电阻。
具体实施例方式为了能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而以下附图及实施例仅提供参考与说明之用，并非用于限制本发明。传统发光二极管通常通过在每个发光二极管两端并联限电压元件，如齐纳二极管(zener diode)构成发光元件单元，而在发光二极管端电压异常升高时由齐纳二极管吸收异常的电压，以上述发光二极管与齐纳二极管并联的发光元件单元作多组串联含串并联)构成发光元件组时，常因发光二极管或齐纳二极管特性不同而无法平均分布电压，以致在异常的高电压来临时，承受端电压较高的发光二极管通过的电流加大而被烧毁；
本发明为对以多个同极性串联发光二极管构成的发光二极管组两端，并联共享的限电压元件，以及在每个发光二极管两端个别并联均压电阻以对发光二极管作过电压保护，在来自电源的涌浪电压出现时，通过共享限压元件以吸收，以防止个别发光二极管瞬间过电压及过电流而损毁。图I所示为传统由一个发光二极管并联一个限电压元件所构成的发光元件单元，而由两个以上发光元件单元作同极性串联构成发光元件组的电路示意图。如图I中所示，为通过一个发光二极管与一个齐纳二极管(zener diode)同极性并联构成发光元件单元，以及进而由两个以上发光元件单元，呈同极性串联或串并联构成发光元件组。
图2所示为传统由两组发光元件组呈逆极性串联的发光二极管装置示意图。如图2所示，其主要通过一个发光二极管与一个齐纳二极管(zener diode)并联构成发光元件单元，而由两个以上上述发光元件单元呈同极性串联构成发光元件组，再由两个以上上述发光元件组呈逆向串联发光二极管装置。
图3所示为本发明在两个以上呈同极性串联的发光二极管组两端，并联一个共享限电压元件，及在每个发光二极管两端并联均压电阻以构成发光元件单元的电路示意图。如图3中 所示，其主要构成含
——发光二极管101 :为由发光二极管所构成；
一一限电压元件105 :为由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件，如齐纳二极管(zener diode)或变阻体(varistor )所构成；
——均压电阻107 :为由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；
通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；
图4所示为以图3所示发光元件单元作多组同极性串联或串并联而构成发光元件组的电路不意图。如图4中所示，其主要构成含
——发光二极管101 :为由发光二极管所构成；
一一限电压元件105 :为由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件，如齐纳二极管(zener diode)或变阻体(varistor )所构成；
——均压电阻107 :为由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；
通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；
通过多组上述发光元件单元作同极性串联或串并联而构成发光元件组。图5所示为由两组图3所示发光元件单元呈逆极性串联的应用电路示意图。如图5中所示，其主要构成含
——发光二极管101 :为由发光二极管所构成；
一一限电压元件105 :为由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件，如齐纳二极管(zener diode)或变阻体(varistor )所构成；
——均压电阻107 :为由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；
通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；
通过两个上述发光元件单元作逆极性串联。图6所示为由两组以上图4所示发光元件组呈逆极性串联的应用电路示意图。如图6中所示，其主要构成含
——发光二极管101 :为由发光二极管所构成；
一一限电压元件105 :为由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件，如齐纳二极管(zener diode)或变阻体(varistor )所构成；
——均压电阻107 :为由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；
通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；
通过多组上述发光元件单元作同极性串联或串并联而构成发光元件组；
通过两组以上上述发光元件组呈逆极性串联。图7所示为在图5所示中呈逆极性串联的两发光元件单元两端，分别呈逆极性并联二极管的应用电路示意图。如图7中所示，其主要构成含
——发光二极管101 :为由发光二极管所构成；
一一限电压元件105 :为由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件，如齐纳二极管(zener diode)或变阻体(varistor )所构成；
——均压电阻107 :为由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；
通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端， 并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；
通过两个上述发光元件单元作逆极性串联。以及在上述呈逆极性串联的发光元件单元两端，分别呈逆极性并联二极管106。图8所示为由图6所示中，呈逆极性串联的不同极性侧所属的发光元件组，呈同极性串联后的两端，分别呈逆极性并联二极管的应用电路示意图。如图8中所示，其主要构成含
——发光二极管101 :为由发光二极管所构成；
一一限电压元件105 :为由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件，如齐纳二极管(zener diode)或变阻体(varistor )所构成；
——均压电阻107 :为由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；
通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；
通过多组上述发光元件单元作同极性串联或串并联而构成发光元件组。通过两组以上上述发光元件组呈逆极性串联。以及在上述呈逆极性串联的不同极性侧所属的发光元件组中，呈同极性串联或串并联的多组发光元件组两端，分别呈逆极性并联二极管106。图9所示为由两组以上发光二极管并联限电压元件，及进一步并联均压电阻所构成的发光元件单元作同极性串联或串并联而构成发光元件组的电路示意 如图9中所示，其主要构成含
——发光二极管101 :为由发光二极管所构成；
一一限电压元件105 :为由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件，如齐纳二极管(zener diedo)或变阻体(varistor )所构成；
——均压电阻107 :为由电阻性元件所构成，供并联于每一个发光二极管的两端；
通过以发光二极管并联限电压元件，以及进一步并联均压电阻，而构成发光元件单
元;
以及通过两组以上的发光元件单元作同极性串联或串并联，而构成发光元件组。图10所示为由两组以上图9所示发光元件组呈逆极性串联的应用电路示意图； 如图10中所示，其主要构成含
——发光二极管101 :为由发光二极管所构成；
一一限电压元件105 :为由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件，如齐纳二极管(zener diedo)或变阻体(varistor )所构成；
——均压电阻107 :为由电阻性元件所构成，供并联于每一个发光二极管的两端；通过以发光二极管并联限电压元件，以及进一步并联均压电阻，而构成发光元件单
元;
以及通过两组以上的发光元件单元作同极性串联或串并联，而构成发光元件组； 以及通过两组以上的发光元件组作逆极性串联。此项共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，其发光二极管101除由一个发光二极管101所构成外，进一步包括由两个以上发光二极管串联或并联或串并联构成共构发光二极管单元以取代单一发光二极管101。
此项共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，其限电压保护元件由以下一种以上元件，以一个以上呈同极性串联或并联或串并联所构成，包括
-齐纳二极管(zener diode)；
-变阻体(varistor )；
——具顺向电压降的二极管；
——反极性呈顺向电压降的齐纳二极管。 本发明发光二极管装置的电源可为定电流电源或是定电压电源，或限电流或限电压电源，或未作电流或电压控制功能的电源，仅为配合本发明限电压元件的运作，可通过电源输出侧本身的内部阻抗，或在电源输出端与负载之间串接阻抗元件，以在电源电压变动时，通过流经限电压元件的电流在阻抗元件两端形成电压降的变化，以对本发明发光二极管装置两端的电压构成电压调节的作用。以上所述，仅为本发明的较佳实施例，并非用以限定本发明的保护范围，故举凡运用本发明专利精神和范围所作的等效变化与修饰，同理皆应属于本发明的专利保护范围。
权利要求
1.一种共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，其特征在于，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置为在两个以上呈同极性串联的发光二极管组两端，并联一个共享限电压元件，及在每个发光二极管两端并联均压电阻以构成发光元件单元所构成,其主要构成含 -发光二极管(101):其由发光二极管所构成； 一一限电压元件(105):其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成； ——均压电阻(107):其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端； 通过两个以上发光二极管(101)呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件(105)，及在每个发光二极管(101)两端并联均压电阻(107)以构成发光元件单元。
2.如权利要求I所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，其特征在于，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括以发光元件单元作多组同极性串联或串并联而构成发光元件组所构成，其主要构成含 -发光二极管(101):其由发光二极管所构成； ——限电压元件(105):其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成； ——均压电阻(107):其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端； 通过两个以上发光二极管(101)呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件(105)，及在每个发光二极管(101)两端并联均压电阻(107)以构成发光元件单元； 通过多组上述发光元件单元作同极性串联或串并联而构成发光元件组。
3.如权利要求I所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，其特征在于，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由两组发光元件单元呈逆极性串联所构成，其主要构成含 -发光二极管(101):其由发光二极管所构成； ——限电压元件(105):其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成； ——均压电阻(107):其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端； 通过两个以上发光二极管(101)呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件(105)，及在每个发光二极管(101)两端并联均压电阻(107)以构成发光元件单元； 通过两个上述发光元件单元作逆极性串联。
4.如权利要求2所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，其特征在于，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由两组以上发光元件组呈逆极性串联所构成，其主要构成含 -发光二极管(101):其由发光二极管所构成； ——限电压元件(105):其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成； ——均压电阻(107):其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端； 通过两个以上发光二极管(101)呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件(105)，及在每个发光二极管(101)两端并联均压电阻(107)以构成发光元件单元；通过多组上述发光元件单元作同极性串联或串并联而构成发光元件组； 通过两组以上上述发光元件组呈逆极性串联。
5.如权利要求3所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，其特征在于，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括在呈逆极性串联的两发光元件单元两端，分别呈逆极性并联二极管所构成，其主要构成含 -发光二极管(101):其由发光二极管所构成； ——限电压元件(105):其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成； ——均压电阻(107):其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端； 通过两个以上发光二极管(101)呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件(105)，及在每个发光二极管(101)两端并联均压电阻(107)以构成发光元件单元； 通过两个上述发光元件单元作逆极性串联； 以及在上述呈逆极性串联的发光元件单元两端，分别呈逆极性并联二极管(106)。
6.如权利要求4所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，其特征在于，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由呈逆极性串联的不同极性侧所属的发光元件组，呈同极性串联后的两端，分别呈逆极性并联二极管所构成，其主要构成含 -发光二极管(101):其由发光二极管所构成； 一一限电压元件(105):其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成； ——均压电阻(107):其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端； 通过两个以上发光二极管(101)呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件(105)，及在每个发光二极管(101)两端并联均压电阻(107)以构成发光元件单元； 通过多组上述发光元件单元作同极性串联或串并联而构成发光元件组； 通过两组以上上述发光元件组呈逆极性串联； 以及在上述呈逆极性串联的不同极性侧所属的发光元件组中，呈同极性串联或串并联的多组发光元件组两端，分别呈逆极性并联二极管(106)。
7.如权利要求I所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，其特征在于，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由两个以上发光二极管并联限电压元件，及进一步并联均压电阻所构成的发光元件单元作同极性串联或串并联，而构成的发光元件组所构成，其主要构成含 -发光二极管(101):其由发光二极管所构成； ——限电压元件(105):其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成； ——均压电阻(107):其由电阻性元件所构成，供并联于每一个发光二极管的两端； 通过以发光二极管并联限电压元件，以及进一步并联均压电阻，而构成发光元件单元; 以及通过两组以上的发光元件单元作同极性串联或串并联，而构成发光元件组。
8.如权利要求7所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，其特征在于，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由两组以上发光元件组呈逆极性串联所构成，其主要构成含 -发光二极管(101):其由发光二极管所构成； ——限电压元件(105):其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件齐纳二极管或变阻体所构成； ——均压电阻(107):其由电阻性元件所构成，供并联于每一个发光二极管的两端； 通过以发光二极管并联限电压元件，以 及进一步并联均压电阻，而构成发光元件单元; 以及通过两组以上的发光元件单元作同极性串联或串并联，而构成发光元件组； 以及通过两组以上的发光元件组作逆极性串联。
9.如权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，其特征在于，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置的发光二极管(101)除由一个发光二极管(101)所构成外，进一步包括由两个以上发光二极管串联或并联或串并联构成共构发光二极管单元以取代单一发光二极管(101)。
10.如权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，其特征在于，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置的限电压保护元件由以下一种以上元件，以一个以上呈同极性串联或并联或串并联所构成，包括 ——齐纳二极管； ——变阻体； ——具顺向电压降的二极管； ——反极性呈顺向电压降的齐纳二极管。
全文摘要
本发明涉及一种共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置为对以多个同极性串联发光二极管构成的发光二极管组两端，并联共享的限电压元件，以及在每个发光二极管的两端个别并联均压电阻，以对发光二极管作过电压保护；在来自电源的涌浪电压出现时，通过共享限压元件以吸收的，以防止个别发光二极管瞬间过电压及过电流而损毁。
文档编号H01L23/60GK102637683SQ20121002898
公开日2012年8月15日 申请日期2012年2月9日 优先权日2011年2月11日
发明者杨泰和 申请人:杨泰和