一种雷达天线的制作方法与工艺

本发明涉及雷达通信领域，尤其涉及一种基于超材料的雷达天线。

背景技术：
雷达中的天线形式有多种，最常用的有阵列天线和面天线两种，根据不同的天线形式，天线结构部分的形式和设计要求也会相应的变化。在雷达中应用最广泛的反射面天线是面天线的一种，反射面天线由馈源(初级照射器)和反射面(次级辐射器)两部分组成，馈源的功能是有效地向反射面输送能量，并经过反射面反射、汇聚这些能量并辐射到空间。但是反射面通常是抛物面反射面，为了制造抛物面反射面通常利用模具铸造成型或者采用数控机床进行加工的方法。第一种方法的工艺流程包括：制作抛物面模具、铸造成型抛物面和进行抛物面反射面地安装。工艺比较复杂，成本高，而且抛物面的形状要比较准确才能实现雷达天线的定向传播，所以对加工精度的要求也比较高。第二种方法采用大型数控机床进行抛物面的加工，通过编辑程序，控制数控机床中刀具所走路径，从而切割出所需的抛物面形状。这种方法切割很精确，但是制造这种大型数控机床比较困难，而且成本比较高。相控阵雷达又称作相位阵列雷达，是一种以改变雷达波相位来改变波束方向的雷达，因为是以电子方式控制波束而非传统的机械转动天线面方式，故又称电子扫描雷达。但是相控阵雷达设备复杂、造价昂贵，且波束扫描范围有限，最大扫描角为90°～120°，当需要进行全方位监视时，需要配置3～4个天线阵面，使得成本提高。

技术实现要素：
本发明的目的在于克服阵列天线和面天线设备制造复杂，造价昂贵的缺陷，提供一种基于超材料的雷达天线，该天线相对于传统的抛物面雷达天线和相控阵雷达天线造价更低、体积更小，制造工艺更简单。为了达到上述目的，本发明采用的如下技术方案：一种雷达天线，所述雷达天线包括馈源、外壳、超材料面板以及天线罩，所述馈源和超材料面板分别位于所述外壳的两侧，馈源的水平位置对应超材料面板的中心，所述天线罩位于超材料面板一侧且与所述外壳封闭相连，所述超材料面板包括核心层，所述核心层包括厚度相同且折射率分布相同的多个核心层片层，所述核心层片层包括片状的第一基材以及设置在第一基材上的多个第一人造微结构，所述核心层片层的折射率分布满足如下公式：其中，i表示核心层片层分段数，i＝1表示核心层片层第一段、i＝2表示核心层片层第二段、……、i＝p表示核心层片层的第p段，所述核心层片层第一段最靠近核心层片层的中心；ni(r)表示核心层片层第i段上半径为r处的折射率值；nmin表示核心层片层的折射率的最小值；λ表示电磁波波长；r核心表示核心层片层上任意一点距离该点所在的核心层片层中心的距离；s为馈源等效点到超材料面板的垂直距离；ai表示核心层片层第i段距离核心层片层中心的最大值；d表示超材料面板的厚度。进一步地，所述第一基材包括片状的第一前基板及第一后基板，所述多个第一人造微结构夹设在第一前基板与第一后基板之间。进一步地，所述核心层片层的厚度为0.818mm，其中，第一前基板及第一后基板的厚度均为0.4mm，每个第一人造微结构的厚度为0.018mm。进一步地，所述超材料面板还包括对称分布在核心层两侧表面的阻抗匹配层，所述阻抗匹配层包括厚度相同的多个阻抗匹配层片层，所述阻抗匹配层片层包括片状的第二基材以及设置在第二基材上的多个第二人造微结构，所述阻抗匹配层片层的折射率分布满足如下公式：λ＝(nmax-nmin)*(d核心+2*d1)；其中，j表示阻抗匹配层片层的编号，靠近馈源和天线罩的阻抗匹配层片层的编号为m，由馈源和天线罩向核心层方向，编号依次减小，靠近核心层的阻抗匹配层片层的编号为1；上述的n匹配max与n匹配min与核心层片层的折射率的最大值与最小值相同；r匹配表示阻抗匹配层片层上任意一点到该点所在的阻抗匹配层片层中心的距离；λ表示电磁波波长；d1为阻抗匹配层的厚度；d核心为核心层的厚度。进一步地，所述第二基材包括片状的第二前基板及第二后基板，所述多个第二人造微结构夹设在第二前基板与第二后基板之间。进一步地，所述阻抗匹配层片层的厚度为0.818mm，其中，第二前基板及第二后基板的厚度均为0.4mm，没个第二人造微结构的厚度为0.018mm。进一步地，所述第一人造微结构及第二人造微结构均为由铜线或银线构成的金属微结构，所述金属微结构通过蚀刻、电镀、钻刻、光刻、电子刻或离子刻的方法分别附着在第一基材及第二基材上。进一步地，所述金属微结构呈平面雪花状，所述金属微结构具有相互垂直平分的第一金属线及第二金属线，所述第一金属线与第二金属线的长度相同，所述第一金属线两端连接有相同长度的两个第一金属分支，所述第一金属线两端连接在两个第一金属分支的中点上，所述第二金属线两端连接有相同长度的两个第二金属分支，所述第二金属线两端连接在两个第二金属分支的中点上，所述第一金属分支与第二金属分支的长度相等。进一步地，所述平面雪花状的金属微结构的每个第一金属分支及每个第二金属分支的两端还连接有完全相同的第三金属分支，相应的第三金属分支的中点分别与第一金属分支及第二金属分支的端点相连。进一步地，所述平面雪花状的金属微结构的第一金属线与第二金属线均设置有两个弯折部，所述平面雪花状的金属微结构绕垂直于第一金属线与第二金属线交点的轴线向任意方向旋转90度的图形都与原图重合。本发明相对于现有技术，具有以下有益效果：本发明的雷达天线由片状的超材料面板代替了传统的抛物面天线，制造加工更加容易，成本更加低廉。附图说明图1是本发明一种雷达天线的结构示意图；图2是本发明的核心层片层其中一个超材料单元的透视示意图；图3是本发明的核心层片层的结构示意图；图4是本发明的阻抗匹配层片层的结构示意图；图5是本发明的平面雪花状的金属微结构的示意图；图6是图5所示的平面雪花状的金属微结构的一种衍生结构；图7是图5所示的平面雪花状的金属微结构的一种变形结构。图8是平面雪花状的金属微结构的拓扑形状的演变的第一阶段；图9是平面雪花状的金属微结构的拓扑形状的演变的第二阶段。具体实施方式下面结合实施例及附图，对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。如图1至图3所示，本发明雷达天线包括馈源1、外壳2、超材料面板以及天线罩4，所述馈源1和超材料面板分别位于所述外壳2的两侧，馈源1的水平位置对应超材料面板的中心，所述天线罩4位于超材料面板一侧且与所述外壳2封闭相连，所述超材料面板包括核心层32，所述核心层32包括厚度相同且折射率分布相同的多个核心层片层11，所述核心层片层11包括片状的第一基材13以及设置在第一基材13上的多个第一人造微结构12，另外馈源1为传统的波纹喇叭。核心层片层11的纵截面形状根据不同需要可以方形、圆形或椭圆形。本发明中，所述核心层片层11的折射率分布满足如下公式：其中，i表示核心层片层分段数，i＝1表示核心层片层第一段、i＝2表示核心层片层第二段、……、i＝p表示核心层片层的第p段，所述核心层片层第一段最靠近核心层片层的中心；ni(r核心)表示核心层片层第i段上半径为r处的折射率值；nmin表示核心层片层的折射率的最小值；λ表示电磁波波长；r核心表示核心层片层上任意一点距离该点所在的核心层片层中心的距离；s为馈源等效点到超材料面板的垂直距离；ai表示核心层片层第i段距离核心层片层中心的最大值；d表示超材料面板的厚度。由公式(1)和公式(2)所确定的超材料面板，能够使得馈源1发出的电磁波经超材料面板后能够以平面波的形式出射。本发明中，如图3所示，所述第一基材13包括片状的第一前基板131及第一后基板132，所述多个第一人造微结构12夹设在第一前基板131与第一后基板132之间。优选地，所述核心层片层的厚度为0.818mm，其中，第一前基板及第一后基板的厚度均为0.4mm，每个第一人造微结构的厚度为0.018mm。本发明中，所述超材料面板还包括设置在核心层10两侧表面的阻抗匹配层31，所述阻抗匹配层31包括厚度相同的多个阻抗匹配层片层21，所述阻抗匹配层片层21包括片状的第二基材23以及设置在第二基材23上的多个第二人造微结构(图中未标示)，所述阻抗匹配层片层的折射率分布满足如下公式：λ＝(n匹配max-n匹配min)*(d核心+2*d1)(4)；其中，j表示阻抗匹配层片层的编号，靠近馈源和天线罩的阻抗匹配层片层的编号为m，由馈源和天线罩向核心层方向，编号依次减小，靠近核心层的阻抗匹配层片层的编号为1；上述的n匹配max与n匹配min与核心层片层的折射率的最大值与最小值相同；r匹配表示阻抗匹配层片层上任意一点到该点所在的阻抗匹配层片层中心的距离；λ表示电磁波波长；d1为阻抗匹配层的厚度，即阻抗匹配层片层的厚度与层数的乘积。d核心为核心层的厚度，即核心层片层的厚度与层数的乘积。本发明中，所述第二基材23包括片状的第二前基板231及第二后基板232，所述多个第二人造微结构夹设在第二前基板231与第二后基板232之间，如图4所示。优选地，所述阻抗匹配层片层的厚度为0.818mm，其中，第二前基板及第二后基板的厚度均为0.4mm，每个第二人造微结构的厚度为0.018mm。公式(4)用于确定核心层与匹配层的厚度，当核心层的厚度确定后，利用公式(4)即可得到匹配层的厚度，用此厚度除以每层的厚度即得到阻抗匹配层的层数j。本发明中，所述超材料面板任一纵截面具有相同的形状与面积，即核心层与匹配层具有相同的形状与面积的纵截面，此处的纵截面是指超材料面板中与超材料面板的中轴线垂直的剖面。所述超材料面板的纵截面为方形、圆形或椭圆形，优选地，所述超材料平板透镜的纵截面为方形，这样得到的超材料面板容易加工。优选地，本发明的超材料面板的纵截面为边长为272mm的正方形。在本发明的一个实施例中，核心层片层的层数为4层，核心层的厚度d为3.272mm；阻抗匹配层片层分布在核心层两侧，每侧2层，阻抗匹配层的厚度d1为1.636mm；本发明中，所述第一人造微结构、第二人造微结构均为由铜线或银线构成的金属微结构，所述金属微结构通过蚀刻、电镀、钻刻、光刻、电子刻或离子刻的方法分别附着在第一基材、第二基材。优选地，所述第一人造微结构、第二人造微结构均为图5所示的平面雪花状的金属微结构通过拓扑形状演变得到的多个不同的拓扑形状的金属微结构。本发明中，核心层片层可以通过如下方法得到，即在第一前基板与第一后基板的任意一个的表面上覆铜，再通过蚀刻的方法得到多个第一金属微结构(多个第一金属微结构的形状与排布事先通过计算机仿真获得)，最后将第一前基板与第一后基板分别压合在一起，即得到本发明的核心层片层，压合的方法可以是直接热压，也可以是利用热熔胶连接，当然也可是其它机械式的连接，例如螺栓连接。同理，阻抗匹配层片层也可以利用相同的方法得到。然后分别将多个核心层片层压合一体，即形成了本发明的核心层；同样，将多个阻抗匹配层片层压合一体，即形成了本发明的阻抗匹配层；将核心层、阻抗匹配层压合一体即得到本发明的超材料面板。本发明中，所述第一基材、第二基材由陶瓷材料、高分子材料、铁电材料、铁氧材料或铁磁材料等制得。高分子材料可选用的有F4B复合材料、FR-4复合材料等。优选地，本发明中，所述第一基材的第一前基板与第一后基板采用相同的FR-4复合材料；同样，本发明中，所述第二基材的第二前基板与第二后基板也采用相同的FR-4复合材料。图5所示为平面雪花状的金属微结构的示意图，所述的雪花状的金属微结构具有相互垂直平分的第一金属线J1及第二金属线J2，所述第一金属线J1与第二金属线J2的长度相同，所述第一金属线J1两端连接有相同长度的两个第一金属分支F1，所述第一金属线J1两端连接在两个第一金属分支F1的中点上，所述第二金属线J2两端连接有相同长度的两个第二金属分支F2，所述第二金属线J2两端连接在两个第二金属分支F2的中点上，所述第一金属分支F1与第二金属分支F2的长度相等。图6是图5所示的平面雪花状的金属微结构的一种衍生结构。其在每个第一金属分支F1及每个第二金属分支F2的两端均连接有完全相同的第三金属分支F3，并且相应的第三金属分支F3的中点分别与第一金属分支F1及第二金属分支F2的端点相连。依此类推，本发明还可以衍生出其它形式的金属微结构。图7是图5所示的平面雪花状的金属微结构的一种变形结构，此种结构的金属微结构，第一金属线J1与第二金属线J2不是直线，而是弯折线，第一金属线J1与第二金属线J2均设置有两个弯折部WZ，但是第一金属线J1与第二金属线J2仍然是垂直平分，通过设置弯折部的朝向与弯折部在第一金属线与第二金属线上的相对位置，使得图7所示的金属微结构绕垂直于第一金属线与第二金属线交点的轴线向任意方向旋转90度的图形都与原图重合。另外，还可以有其它变形，例如，第一金属线J1与第二金属线J2均设置多个弯折部WZ。本发明中，所述核心层片层11可以划分为阵列排布的多个如图2所示的超材料单元D，每个超材料单元D包括前基板单元U、后基板单元V及设置在基板单元U、后基板单元V之间的第一人造微结构12，通常超材料单元D的长宽高均不大于五分之一波长，优选为十分之一波长，因此，根据天线的工作频率可以确定超材料单元D的尺寸。图2为透视的画法，以表示第一人造微结构的超材料单元D中的位置，如图2所示，所述第一人造微结构夹于基板单元U、后基板单元V之间，其所在表面用SR表示。已知折射率其中μ为相对磁导率，ε为相对介电常数，μ与ε合称为电磁参数。实验证明，电磁波通过折射率非均匀的介质材料时，会向折射率大的方向偏折。在相对磁导率一定的情况下(通常接近1)，折射率只与介电常数有关，在第一基材选定的情况下，利用只对电场响应的第一人造微结构可以实现超材料单元折射率的任意值(在一定范围内)，在该天线中心频率(12.5GHZ)下，利用仿真软件，如CST、MATLAB等，通过仿真获得某一特定形状的人造微结构(如图5所示的平面雪花状的金属微结构)的介电常数随着拓扑形状的变化折射率变化的情况，即可列出一一对应的数据，即可设计出我们需要的特定折射率分布的核心层片层11，同理可以得到阻抗匹配层片层的折射率分布，从而得到整个超材料面板的折射率分布。本发明中，核心层片层的结构设计可通过计算机仿真(CST仿真)得到，具体如下：(1)确定第一金属微结构的附着基材(第一基材)。本明中，所述第一基材的第一前基板与第一后基板采用相同的FR-4复合材料制成，所述的FR-4复合材料制成具有一个预定的介电常数，例如介电常数为3.3的FR-4复合材料。(2)确定超材料单元的尺寸。超材料单元的尺寸的尺寸由天线的中心频率得到，利用频率得到其波长，再取小于波长的五分之一的一个数值做为超材料单元D的长度CD与宽度KD。本发明中，所述超材料单元D为如图2所示的长CD与宽KD均为2.5mm、厚度HD为0.818mm的方形小板。(3)确定金属微结构的材料及拓扑结构。本发明中，金属微结构的材料为铜，金属微结构的拓扑结构为图5所示的平面雪花状的金属微结构，其线宽W各处一致；此处的拓扑结构，是指拓扑形状演变的基本形状。(4)确定金属微结构的拓扑形状参数。如图5所示，本发明中，平面雪花状的金属微结构的拓扑形状参数包括金属微结构的线宽W，第一金属线J1的长度a，第一金属分支F1的长度b。(5)确定金属微结构的拓扑形状的演变限制条件。本发明中，金属微结构的拓扑形状的演变限制条件有，金属微结构之间的最小间距WL(即如图8所示，金属微结构与超材料单元的长边或宽边的距离为WL/2)，金属微结构的线宽W，超材料单元的尺寸；由于加工工艺限制，WL大于等于0.1mm，同样，线宽W也是要大于等于0.1mm。本发明中，WL取0.1mm，W取0.3mm，超材料单元的尺寸为长与宽为2.5mm，厚度为0.818mm，此时金属微结构的拓扑形状参数只有a和b两个变量。金属微结构的拓扑形状的通过如图8至图9所示的演变方式，对应于某一特定频率(例如12.5GHZ)，可以得到一个连续的折射率变化范围。具体地，所述金属微结构的拓扑形状的演变包括两个阶段(拓扑形状演变的基本形状为图5所示的金属微结构)：第一阶段：根据演变限制条件，在b值保持不变的情况下，将a值从最小值变化到最大值，此演变过程中的金属微结构均为“十”字形(a取最小值时除外)。本实施例中，a的最小值即为0.3mm(线宽W)，a的最大值为(CD-WL)，即2.5-0.1mm，则a的最大值为2.4mm。因此，在第一阶段中，金属微结构的拓扑形状的演变如图8所示，即从边长为W的正方形JX1，逐渐演变成最大的“十”字形拓扑形状JD1，在最大的“十”字形拓扑形状JD1中，第一金属线J1与第二金属线J2长度均为2.4mm，宽度W均为0.3mm。在第一阶段中，随着金属微结构的拓扑形状的演变，与其对应的超材料单元的折射率连续增大((对应天线一特定频率)，当频率为12.5GHZ时，超材料单元对应的折射率的最小值nmin为1.91。第二阶段：根据演变限制条件，当a增加到最大值时，a保持不变；此时，将b从最小值连续增加到最大值，此演变过程中的金属微结构均为平面雪花状。本实施例中，b的最小值即为0.3mm(线宽W)，b的最大值为(CD-WL-2W)，即2.5-0.1-2*0.3mm，则b的最大值为1.8mm。因此，在第二阶段中，金属微结构的拓扑形状的演变如图9所示，即从最大的“十”字形拓扑形状JD1，逐渐演变成最大的平面雪花状的拓扑形状JD2，此处的最大的平面雪花状的拓扑形状JD2是指，第一金属分支J1与第二金属分支J2的长度b已经不能再伸长，否则第一金属分支与第二金属分支将发生相交，b的最大值为1.8mm。此时，第一金属线与第二金属线长度均为2.4mm，宽度均为0.3mm，第一金属分支及第二金属分支的长度均为1.8mm，宽度为0.3mm。在第二阶段中，随着金属微结构的拓扑形状的演变，与其对应的超材料单元的折射率连续增大(对应天线一特定频率)，当频率为12.5GHZ时，超材料单元对应的折射率的最大值nmax为5.6。通过上述演变得到超材料单元的折射率变化范围满足设计需要。如果上述演变得到超材料单元的折射率变化范围不满足设计需要，例如最大值太小，则变动WL与W，重新仿真，直到得到我们需要的折射率变化范围。根据公式(1)，将仿真得到的一系列的超材料单元按照其对应的折射率排布以后(实际上就是不同拓扑形状的多个第一人造微结构在第一基材上的排布)，即能得到本发明的核心层片层。同理，可以得到本发明的阻抗匹配层片层。上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未违背本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。