异径衬底用附属件、衬底处理装置及半导体器件的制造方法

专利名称：异径衬底用附属件、衬底处理装置及半导体器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及异径衬底用附属件、衬底处理装置及衬底或半导体器件的制造方法，该异径衬底用附属件用于能够在一个衬底收纳器(晶篮)中存储直径尺寸不同的衬底。/
背景技术：
碳化硅(SiC)因其绝缘耐压和热传导性与硅(Si)高，所以尤其作为功率器件用元件材料而被关注。但另一方面，公知SiC因为不纯物扩散系数小等原因，与Si相比其结晶衬底和半导体装置(半导体器件)的制造是不容易的。例如，与Si的外延成膜温度为900°C 1200°C程度相比，SiC的外延成膜温度为1500°C 1800°C程度，因此需要在装置的耐热构造和材料的分解抑制等方面作出技术上的努力。作为进行这样的SiC外延成膜的衬底处理装置，已知例如专利文献I记载的技术。在专利文献I中记载有在反应室中将多片衬底在纵向上层叠而进行处理的、所谓的批处理式纵型衬底处理装置，在反应室的长度方向(上下方向)上延伸有第一气体供给喷嘴及第二气体供给喷嘴。第一气体供给喷嘴(气体喷嘴)将作为含有硅及氯的气体的四氯硅烷(SiCl4)气体等供给到反应室内，第二气体供给喷嘴(气体喷嘴)将作为还原气体的氢(H2)气体等供给到反应室内。而且，至少这两种反应气体在反应室内部混合，然后，混合了的反应气体沿着晶片(衬底)的表面流动。由此在晶片上通过外延生长而形成SiC膜。这样地，专利文献I记载的衬底处理装置设有第一气体供给喷嘴及第二气体供给喷嘴，并使至少两种反应气体在反应室的内部混合。由此，能够抑制SiC膜向在高达1500 0C 1800 0C的反应室内部延伸的气体喷嘴的内壁及气体供给口上的析出等。专利文献I :日本特开2011-003885号公报然而，为了削减衬底处理装置的成本，希望与待处理晶片的直径尺寸等无关地，使例如用于搬运晶片的搬运系统等形成衬底处理装置的构成部件尽可能地通用。另外，如上述的专利文件I记载的技术那样，在使两种反应气体在反应室的内部混合的衬底处理装置中，还为了使晶片的成膜精度提高而希望使气体供给喷嘴与晶片之间的距离变远，从而使反应气体到达晶片前充分地混合。由此，希望将具有应对8英寸晶片的大型处理炉的衬底处理装置作为基础来考察通用化。但是,实际中待处理晶片的尺寸大多为2 4英寸，无法基于应对8英寸晶片的环境直接单纯地处理2 4英寸晶片。因此，需要作出努力使得在应对8英寸晶片的环境下也能够处理2 4英寸晶片。此外，并不限于如上述专利文献I记载的衬底处理装置那样使两种反应气体在反应室的内部混合而进行SiC外延成膜的衬底处理装置，当考察在其他衬底处理装置中进行上述那样的通用化的情况下也会产生同样的课题。

发明内容
本发明的目的是特别着眼于搬运系统的通用化，提供能够在构成应对大直径衬底的搬运系统的衬底收纳器(晶篮)中存储尺寸缩小了的衬底的异径衬底用附属件及衬底处理装置、和衬底或者半导体器件的制造方法。本发明的上述目的及其他目的和新的技术特征将通过本说明书的记载及附图而变得明了。如下简单地说明本申请所公开的发明中的代表性方式的概要。S卩，本发明的异径衬底用附属件包括板状部件，其被第一支承槽支承并能够支承第一尺寸的衬底；和保持部件，设在所述板状部件上，并具有能够支承比所述第一尺寸小的第二尺寸的衬底的第二支承槽。发明效果如下简单地说明通过本申请所公开的发明中的代表性方式而得到的效果。 即，能够在构成应对大直径衬底的搬运系统的衬底收纳器(晶篮)中存储尺寸缩小了的衬底。


图I是表示采用了本发明的异径衬底用附属件的衬底处理装置的概要的立体图。图2是表示处理炉的内部构造的剖视图。图3是表示处理炉的横向剖面的横剖视图。图4(a)、(b)是说明气体供给单元的内部构造的图。图5是表示处理炉周边的构造的剖视图。图6是说明衬底处理装置的控制系统的框图。图7是表示使晶片保持在晶片保持器上的状态的剖视图。图8是表示晶片及晶片保持器的立体图。图9 (a)、(b)是表示晶片盒的外观形状的立体图。图10是表示将第一实施方式的异径衬底用附属件存储在晶片盒中的状态的剖视图。图11是放大表示图10的虚线圆A部分的放大剖视图。图12是表示图10的异径衬底用附属件的立体图。图13(a)、(b)是说明图10的异径衬底用附属件的动作状态的说明图。图14(a)、(b)是表示第二实施方式的异径衬底用附属件的构造的、与图13相对应的图。图15是表示第三实施方式的异径衬底用附属件的构造的、与图10相对应的图。图16是放大表示图15的虚线圆B部分的放大剖视图。图17(a)、(b)是说明图15的异径衬底用附属件的动作状态的说明图。图18是表示第四实施方式的异径衬底用附属件的构造的、与图10相对应的图。图19是基于本发明实现的衬底或者半导体装置的制造方法的示例流程图。附图标记说明10半导体制造装置(衬底处理装置)，12框体，14晶片(衬底)，14a下表面，14b上表面，16晶片盒(衬底收纳器)，16a盖,16b侧部，16c开口层差部，16d嵌合凸部，16e第一支承槽，18晶片盒台(容器导入部)，20晶片盒搬运装置(搬运机构)，22晶片盒收纳架，24晶片盒开启器，26衬底片数检测器，28衬底移载机，30舟皿，31a第一舟皿柱，31b第二舟皿柱，31c第三舟皿柱，32臂，34舟皿隔热部，36集流腔(反应容器)，40处理炉，42反应管(反应容器)，44反应室，48加热体，50感应线圈，51支承部件，52温度控制部，54隔热材料，55外侧隔热壁,58磁密封部,60第一气体供给喷嘴,60a基端部,60b前端部,68第一气体供给口，70第二气体供给喷嘴，70a基端部，70b前端部，72第二气体供给口，78气体流量控制部，90第一气体排气口，98压力控制部，100晶片保持器，102密封盖，104旋转机构，106旋转轴，108驱动控制部，110保持器基座(衬底保持器)，IlOa贯穿孔，111环状层差部，112主体部，112a第一连通孔，112b第二连通孔，112c第三连通孔，112e缺口部，114升降台，116引导轴，118滚珠丝杠，120保持器罩，121大直径主体部，122小直径嵌合部，124升降轴，126顶板，126a贯穿孔，128波纹管，130升降基板，132驱动部罩，134驱动部收纳箱，135冷却机构，138电缆，140冷却水流路，142冷却水配管，144炉口，150主控制部，152控制器，200气体供给单元，210a第一气体供给源，210b第二气体供给源，210c第三气体供给源，2IOd第五气体供给源，210e第六气体供给源，210f第四气体供给源，211a 21 Ie MFC, 212a 212e 阀，214APC阀，220真空排气装置，222第一气体管线，230气体排气管，240第三气体管线，260第二气体管线，300构造物，360第三气体供给口，390第二气体排气口，400异径衬底用附属件，401上部板(板状部件)，402下部板(板状部件)，403a第一保持柱(保持部件)，403b第二保持柱(保持部件)，403c第三保持柱(保持部件)，404第二支承槽，405保持器部件，405a中心孔，405b层差部，405c切缺部，406保持器定位杆，407杆状部件(固定部件)，407a主体部，407b移动部，407c螺旋弹簧，408推压部件，409第一推压单元，409a移动板，409b第一弹簧，410第二推压单元，410a定位保持器，410b第二弹簧，500异径衬底用附属件，501弹簧部件，502固定主体部，503前端部，600异径衬底用附属件，601板状部件，601a螺纹贯穿孔，602保持部，603第二支承槽，604固定杆，604a外螺纹部，604b内螺纹部，605固定部件，605a移动杆，605b螺旋弹簧，606保持器定位杆，607支承杆，700异径衬底用附属件，701上部板(板状部件)，702下部板(板状部件)，703a第一保持柱(保持部件)，703b第二保持柱(保持部件)，703c第三保持柱(保持部件)，704第二支承槽，705保持器部件，705a中心孔，705b层差部，CT台车，HS保持器保持部，LP下基板，LR加载互锁室，M升降电机，UP上基板
具体实施例方式第一实施方式下面，参照附图详细说明本发明的第一实施方式。在以下实施方式中，在作为衬底处理装置的一例的SiC外延生长装置中，举出了在高度方向(纵向)上将SiC晶片层叠的、所谓的批处理式纵型SiC外延生长装置。由此，通过增加一次能够处理的SiC晶片的数量而使生广能力(制造效率)提闻。<整体的构成>图I是表示采用了本发明的异径衬底用附属件的衬底处理装置的概要的立体图，首先利用图I对本发明的一个实施方式中的使SiC外延膜成膜的衬底处理装置、以及作为半导体器件的制造工序之一的使SiC外延膜成膜的衬底制造方法进行说明。作为衬底处理装置(成膜装置)的半导体制造装置10为批处理式纵型热处理装置，其具有框体12，该框体12用于容纳具有各种功能的多个装置。在该半导体制造装置10中例如将作为衬底收纳器的晶片盒(晶篮)16用作晶片运载器，该衬底收纳器用于收纳由SiC等构成的衬底、即晶片14。在框体12的正面侧设有晶片盒台(容器导入部)18，该晶片盒台18用于将晶片盒16从半导体制造装置10的外部导入到内部。在其他生产线上准备的多个晶片盒16被从由作业者牵引的台车CT搬运到该晶片盒台18上。在晶片盒16中收纳有例如6片晶片14，晶片盒16以盖16a闭合的状态(密闭状态)设置在晶片盒台18上。在框体12的正面侧且在晶片盒台18的背面侧，与该晶片盒台18相对地设有晶片盒搬运装置(搬运机构)20。晶片盒搬运装置20设在晶片盒台18与处于框体12的背面侧的处理炉40之间，能够从晶片盒台18向处理炉40搬运晶片盒16。另外，在晶片盒搬运装置20的附近且在背面侧设有多层(图示为3层)的晶片盒收纳架22、晶片盒开启器24及衬底片数检测器26。各晶片盒收纳架22设在晶片盒开启器24及衬底片数检测器26的上方侧，且构成为能够搭载多个(图示为5个)晶片盒16并保持该状态。而且，晶片盒搬运装直20在晶片盒台18、各晶片盒收纳架22及晶片盒开启器24之间连续不断地搬运晶片盒16，晶片盒开启器24能够将晶片盒16的盖16a开启。另外，与晶片盒开启器24相邻设置的衬底片数检测器26在盖16a被开启了的状态下检测晶片盒16内的晶片14的片数。
在框体12的内部除上述之外还设有衬底移载机28和作为衬底保持机构的舟皿(boat) 30。衬底移载机28具有例如6根臂(镊子)32，各臂32为通过未图示的驱动机构能够升降且能够旋转的构造，其能够从晶片盒16中一次取出6片晶片14。而且，能够通过使各臂32从正面侧向背面侧反转移动，而从处于晶片盒开启器24的位置处的晶片盒16中向舟皿30每次6片地搬运晶片14。舟皿30例如由碳石墨、SiC等耐热性材料以规定形状形成，并构成为将多张晶片14以水平姿势且以中心相互对齐的状态沿纵向堆积并保持。此外，在所述舟皿30的下方侧，作为例如由石英、SiC等耐热性材料构成为圆柱形状的隔热部件，配置有舟皿隔热部34，从而来自后述的加热体48的热不容易传递到处理炉40的下方侧(参照图2)。在框体12内的背面侧且位于上方侧设有处理炉40。装填了多片晶片14的舟皿30被搬入到处理炉40的内部，由此能够一次对层叠了多片的晶片14进行热处理(批处理)。〈处理炉的构成〉图2是表示处理炉的内部构造的剖视图，图3是表示处理炉的横向截面的横剖视图，图4(a)、(b)是说明气体供给单元的内部构造的图，图5是表示处理炉周边的构造的剖视图，图6是说明衬底处理装置的控制系统的框图。下面，利用这些图2 图6对使SiC外延膜成膜的半导体制造装置10的处理炉40进行说明。在处理炉40中设有具有第一气体供给口 68的第一气体供给喷嘴60、具有第二气体供给口 72的第二气体供给喷嘴70、以及第一气体排气口 90，该第一气体排气口 90用于将来自各气体供给喷嘴60、70的反应气体向外部排气。另外，在处理炉40中还设有供给惰性气体的第三气体供给口 360及用于将该惰性气体排气至外部的第二气体排气口 390。处理炉40具有反应管42。反应管42由石英或者SiC等耐热性材料组成，并形成为上方侧封闭而下方侧开口的有底筒状。在反应管42的开口侧(下方侧)以与反应管32为同心圆状的方式配设有集流腔(manifold) 36。集流腔36例如由不锈钢材料等组成，并形成为上方侧及下方侧开口的圆筒形状。集流腔36支承反应管42，在集流腔36与反应管42之间设有作为密封部件的0型密封圈(未图示)。由此，能够防止充填于反应管42及集流腔36的内部的反应气体向外部泄漏。集流腔36由设在其下方侧的保持体(未图示)支承，由此，反应管42成为相对于地面(未图示)被垂直安设的状态。在此，通过反应管42及集流腔36形成反应容器。处理炉40具有加热体48。加热体48形成为上方侧封闭而下方侧开口的有底筒状。加热体48设在反应管42的内部，在加热体48的内部形成有反应室44。在反应室44中收纳有舟皿30，该舟皿30保持着由SiC等构成的晶片14。处理炉40具有感应线圈50，该感应线圈50具有作为磁场产生部的功能。感应线圈50以螺旋状固定在圆筒形状的支承部件51的内周侧，该感应线圈50通过外部电源(未图示)而被通电。通过使感应线圈50通电而该感应线圈50产生磁场,进而使加热体48被感应加热。通过这样地利用感应加热而使加热体48发热，能够使反应室44内被加热。在加热体48的附近设有作为检测反应室44内温度的温度检测体的温度传感器(未图示)，该温度传感器及感应线圈50与控制器152的温度控制部52 (参照图6)电连接。温度控制部52基于由温度传感器检测出的温度信息以规定的时序调节(控制)向感应线圈50的通电情况，以使得反应室44内的温度成为希望的温度分布。在反应管42与加热体48之间设有隔热材料54，该隔热材料54例如由不容易被感应加热的石墨毡等形成。隔热材料54与反应管43及加热体48相同地形成为上方侧封闭而下方侧开口的有底筒状。通过这样地设置隔热材料54，能够抑制加热体48的热量向反应管42或反应管42的外部传递。在加热体48的内周侧与晶片14的外周侧之间设置具有第一气体供给口 68的第一气体供给喷嘴60。另外，在加热体48的内周面与晶片14的外周侧之间还设置具有第二气体供给口 72的第二气体供给喷嘴70。第一气体供给喷嘴60与第二气体供给喷嘴70以分别沿晶片14的圆周方向具有规定间隔的方式设置，各气体供给喷嘴60、70的各气体供给口 68、72朝向晶片14。另外，第一气体排气口 90也在加热体48的内周侧与晶片14的外周侧之间开口。S卩，各气体供给口 68、72及第一气体排气口 90分别与反应室44相对。而且，在反应管42的内周侧与隔热材料54的外周侧之间设有第三气体供给口 360及第二气体排气口 390。在此，如图2所示，第一气体供给喷嘴60及第二气体供给喷嘴70至少分别各设有一个即可，但也可以如图3所示设置2个第一气体供给喷嘴60和3个第二气体供给喷嘴70。在该情况下，在3个第二气体供给喷嘴70之间，将2个第一气体供给喷嘴60沿晶片14的圆周方向交替地排列配置。由此，在从第一气体供给喷嘴60及第二气体供给喷嘴70供给不同种类的反应气体时，能够在反应室44内使反应气体高效地混合。另外，通过使第一气体供给喷嘴60及第二气体供给喷嘴70合计为奇数根，能够以位于中央部分的气体供给喷嘴为中心在其两侧(图3中上下侧)平衡地供给反应气体。由此，能够相对于晶片14的成膜面均匀地供给反应气体，从而能够提高成膜精度。此外，关于从第一气体供给喷嘴60及第二气体供给喷嘴70供给的反应气体的种类将在后说明。如图2所示，第一气体供给喷嘴60例如由碳石墨等耐热材料形成为中空管状，具、有基端部60a及前端部60b。第一气体供给喷嘴60的基端部60a设在由反应管42及集流腔36组成的反应容器的开口侧，即设在集流腔36侧，并以贯穿集流腔36的方式固定在该集流腔36上。第一气体供给喷嘴60以在反应室44内在其长度方向上延伸的方式设置，即，以在各晶片14的层叠方向上延伸的方式设置,第一气体供给喷嘴60的前端部60b设在反应管42的底侧(上方侧)在第一气体供给喷嘴60的基端部60a与前端部60b之间，且在靠近第一气体供给喷嘴60的沿长度方向的前端部60b的部位、即在与晶片14相对应的部位，以从基端部60a向前端部60b并列有多个的方式设置用于向晶片14供给反应气体的多个第一气体供给口68。各第一气体供给口 68分别以等间隔设置，由此能够相对于多个晶片14的每一个均匀地供给反应气体。此外，第一气体供给喷嘴60的基端部60a经由第一气体管线222而与气体供给单元200连接。第二气体供给喷嘴70例如由碳石墨等耐热材料形成为中空管状，具有基端部70a及前端部70b。第二气体供给喷嘴70的基端部70a设在由反应管42及集流腔36组成的反应容器的开口侧，即设在集流腔36侧，并以贯穿集流腔36的方式固定在该集流腔36上。第二气体供给喷嘴70以在反应室44内在其长度方向上延伸的方式设置，第二气体供给喷嘴70的前端部70b设在反应管42的底侧。在第二气体供给喷嘴70的基端部70a与前端部70b之间，且在靠近第二气体供给喷嘴70的沿长度方向的前端部70b的部位、即在与晶片14相对应的部位，以从基端部70a向前端部70b并列有多个的方式设有用于向晶片14供给反应气体的多个第二气体供给口72。各第二气体供给口 72分别以等间隔设置，由此能够相对于多个晶片14的每一个均匀地供给反应气体。此外，第二气体供给喷嘴70的基端部70a经由第二气体管线260而与气体供给单元200连接。在此，如图3所示，在反应室44的内部，在各气体供给喷嘴60、70与第一气体排气口 90之间且在加热体48与晶片14之间以将该空间填满的方式设置构造物300为好，该构造物300在反应室44的长度方向上延伸，其截面为圆弧形状。例如，如图3所示，能够通过在相对位置上分别设置构造物300而防止从各气体供给喷嘴60、70供给的反应气体沿着加热体48的内壁流动而迂回过晶片14。作为构造物300若考虑耐热性及颗粒的产生则希望由碳石墨等构成。如图2所示，在夹着舟皿30与各气体供给口 68、72相对的位置上且在舟皿30的下方侧设有第一气体排气口 90，在集流腔36上贯穿固定有与第一气体排气口 90连接的气体排气管230。在气体排气管230的下游侧设有作为压力检测器的压力传感器(未图示)，而且经由作为压力调节器的APC(Auto Pressure Controller)阀214连接有真空泵等真空排气装置220。在压力传感器及APC阀214上电连接有控制器152的压力控制部98 (参照图6)。压力控制部98基于由压力传感器检测出的压力以规定的时序调节(控制)APC阀214的开度，进而将处理炉40内的压力调整成规定的压力。这样，通过将第一气体排气口 90配置在各气体供给口 68、72的相对位置上，能够使从各气体供给口 68、72供给的反应气体在从晶片14的侧方沿水平方向流动而遍布于晶片14的成膜面之后，从第一气体排气口 90排气。由此，能够使晶片14的整个成膜面高效且均匀地暴露在反应气体中以提高成膜精度。
第三气体供给口 360在各气体供给口 68、72侧配置在反应管42与隔热材料54之间。第三气体供给口 360以贯穿集流腔36的方式设在固定于该集流腔36上的第三气体管线240的一端侧，第三气体管线240的另一端侧与气体供给单元200连接。另外，第二气体排气口 390在第一气体排气口 90侧配置在反应管42与隔热材料54之间，即配置在夹着隔热材料54与第三气体供给口 360相对的位置，该第二气体排气口 390与气体排气管230连接。如图4所不,第三气体管线240经由阀212及MFC (Mass Flow Controller ;质量流量控制器)211f而与第四供给源210f连接。从第四气体供给源210f供给例如作为惰性气体的稀有气体Ar，从而能够防止有助于SiC外延膜生长的反应气体进入到反应管42与隔热材料54之间。由此，在反应管42的内壁和隔热材料54的外壁上不会附着不需要的生成物，从而能够延长装置的维护周期。此外，供给到反应管42与隔热材料54之间的惰性气体(Ar气体等)经由第二气体排气口 390、气体排气管230及APC阀214从真空排气装置220 向外部排气。<反应气体供给系统的构成>接下来，利用图4说明第一气体供给系统及第二气体供给系统。图4(a)表示将含有Si原子的气体与含有C(碳)原子的气体从不同的气体供给喷嘴供给的分离方式，图4(b)表示将含有Si原子的气体与含有C原子的气体从同一气体供给喷嘴供给的预混合方式。首先说明分离方式。如图4(a)所示，在分离方式中，第一气体管线222经由阀212a、212b、212c及MFC (流量控制机构)211a、211b、211c而与第一气体供给源210a、第二气体供给源210b和第三气体供给源210c连接。分别从第一气体供给源210a供给SiH4气体，从第二气体供给源210b供给HCI气体，从第三气体供给源210c供给惰性气体。由此，能够相对于反应室44内对SiH4气体、HCI气体、惰性气体各自的供给流量、浓度、分压、供给时序进行控制。阀212a 212c及MFC 211a 211c与控制器152的气体流量控制部78(参照图6)电连接。气体流量控制部78以规定的时序进行控制以使得应供给的各个气体的流量成为规定流量。在此，通过分别供给SiH4气体(成膜气体)、HCI气体(蚀刻气体)、惰性气体的气体供给源210a 210c、阀212a 212c、MFC 211a 211c、第一气体管线222、第一气体供给喷嘴60及各第一气体供给口 68构成第一气体供给系统。第二气体管线260经由阀212d、212e及MFC 211d、211e而与第五气体供给源210d、第六气体供给源210e连接。从第五气体供给源210d供给含有C原子的气体，例如C3H8气体(成膜气体)，从第六气体供给源210e供给还原气体，例如H2气体。由此，能够相对于反应室44内对C3H8气体、H2气体各自的供给流量、浓度、分压、供给时序进行控制。阀212d、212e及MFC 211d、211e与控制器152的气体流量控制部78 (参照图6)电连接。气体流量控制部78以规定的时序进行控制以使得应供给的各个气体的流量成为规定流量。在此，通过分别供给C3H8气体、H2气体的气体供给源210d、210e、阀212d、212e、MFC 211d、211e、第二气体管线260、第二气体供给喷嘴70及第二气体供给口 72构成第二气体供给系统。这样，在分离方式中，由于将含有Si原子的气体与含有C原子的气体从不同的气体供给喷嘴进行供给，所以SiC膜不会在气体供给喷嘴内成膜(不堆积)。此外，在调整含有Si原子的气体及含有C原子的气体的浓度和流速的情况下，供给各自适合的运载气体即可。
另外，为了更高效地使用含有Si原子的气体而使用H2气体作为还原气体，使该H2气体与含有C原子的气体一同从第二气体供给喷嘴70供给。由此，在反应室44内使H2气体及含有C原子的气体与含有Si原子的气体混合从而成为H2气体少的状态，其结果是，与成膜时相比能够抑制含有Si原子的气体的分解。由此，能够抑制在第一气体供给喷嘴60内的Si膜的成膜(堆积)。在该情况下，能够将H2气体作为含有C原子的气体的运载气体来使用。此外,作为含有Si原子的气体的运载气体能够使用Ar气体那样的惰性气体(特别是稀有气体)，从而能够抑制Si膜的堆积。而且，从第一气体供给喷嘴60供给作为含有氯原子的气体的HCl气体。由此，即使含有Si原子的气体因热分解而成为可能在第一气体供给喷嘴60内堆积的状态，也会通过HCl气体成为蚀刻模式，其结果是，能够抑制在第一气体供给喷嘴60内的Si膜的成膜(堆积)。此外，由于HCL气体还具有对已堆积的Si膜进行蚀刻的效果，所以还能够有效抑制第一气体供给口 68堵塞。下面说明图4(b)所示的预混合方式。预混合方式与分离方式的不同点在于，将含有C原子的气体的气体供给源210d经由MFC211d、阀212d而与第一气体管线222连接。由此，能够将含有Si原子的气体与含有C原子的气体在第一气体管线222内预混合。由此，与上述的分离方式相比能够提高反应气体的混合效率，进而能够实现成膜时间的缩短等。在该情况下，因为能够经由第二气体管线260从第二气体供给喷嘴70单独供给H2气体，所以能够使HCl气体与H2气体的比(C1/H)变大，进而增大第一气体供给喷嘴60中的蚀刻效果，从而能够抑制含有Si原子的气体的反应。由此，即使在预混合方式下，也能够一定程度地抑制第一气体供给喷嘴60中的SiC膜的成膜(堆积)。此外，在以上所述中，作为在将SiC外延膜成膜时使用的含有氯原子的气体(蚀刻气体)，使用了 HCl气体，但并不限于此，还可以使用Cl气(氯气)等。另外，在以上所述中，在将SiC外延成膜时分别供给有含有Si (硅)原子的气体和含有Cl (氯)原子的气体，但并不限于此，还可以供给含有Si原子核Cl原子的气体，例如四氯硅烷(SiCl4)气体、三氯硅烷(SiHCl3)气体、二氯甲硅烷(SiH2Cl2)气体。这些含有Si原子及Cl原子的气体也可以称为含有Si原子的气体，或是含有Si原子的气体及含有Cl原子的气体的混合气体。尤其，由于SiCl4气体的热分解温度比较高，所以，从抑制第一气体供给喷嘴内的Si原子消耗的观点来看是优选的。而且，在以上所述中，作为含有C (碳)原子的气体，使用C3H8气体，但并不限于此，还可以使用乙烯(C2H4)气体、乙炔(C2H2)气体等。另外，在以上所述中，作为还原气体，使用H2气体，但并不限于此，还可以使用其他含有H(氢)原子的气体。而且，作为运载气体，还可以使用Ar (氩)气体、He(氦)气体、Ne(氖)气体、Kr(氪)气体、Xe(氙)气体等稀有气体中的至少一种，还可以使用这些惰性气体任意组合而成的混合气体。〈处理炉的周边构造〉接下来，利用图5说明处理炉40及其周边的构造。在处理炉40的下方侧设有密封盖(炉口盖体)102，该密封盖102用于气密封闭作为该处理炉40的开口部分的炉口 144。密封盖1 02例如通过不锈钢等金属材料形成为大致圆盘状。在密封盖102与处理炉40的顶板126之间设有将两者间密封的作为密封部件的O型密封圈(未图示)，由此能够将处理炉40内保持气密性。在密封盖102上设有旋转机构104，该旋转机构104的旋转轴106贯穿密封盖102而连结于舟皿隔热部34。而且，通过旋转驱动旋转机构104而经由旋转轴106在处理炉40内使舟皿30旋转，与此相伴晶片14也旋转。密封盖102以通过设在处理炉40的外侧的升降电机(升降机构)M而在垂直方向(上下方向)上升降的方式构成，由此能够使舟皿30相对于处理炉40搬入搬出。在旋转机构104及升降电机M上电连接有控制器152的驱动控制部108 (参照图6)。驱动控制部108以规定的时序对旋转机构104及升降电机M进行控制以进行规定动作。在处理炉40的下方侧设有作为预备室的加载互锁(load lock)室LR，在该加载互锁室LR的外侧设有下基板LP。在下基板LP上，固定有将升降台114以滑动自如的方式支承的引导轴116的基端部，而且将与升降台114旋合的滚珠丝杠118的基端部以旋转自如的方式支承。另外，在引导轴116的前端部及滚珠丝杠118的前端部装有上基板UP。滚珠丝杠118通过搭载在上基板UP上的升降电机M而被旋转驱动，升降台114通过滚珠丝杠118的旋转驱动而升降。在升降台114上以垂下的方式固定有中空管状的升降轴124，升降台114与升降轴124的连结部分是气密的。由此，升降轴124与升降台114 一同升降。升降轴124以具有规定间隙的方式贯穿在贯穿孔126a中，该贯穿孔126a设在加载互锁室LR的上方侧的顶板126上。S卩，在升降轴124升降时，该升降轴124不会与顶板126接触。在加载互锁室LR与升降台114之间以覆盖升降轴124周围的方式设有具有伸缩性的波纹管(中空伸缩体)128，通过该波纹管128，加载互锁室LR能够被保持气密性。此夕卜，波纹管128具有能够对应升降台的升降量的充分的伸缩量，波纹管128的内径与升降轴124的外径相比足够的大。由此，波纹管128在其伸缩时能够以与升降轴124不接触的方式顺畅地伸缩。在升降轴124的下方侧水平固定有升降基板130，在该升降基板130的下方侧经由0型密封圈等密封部件(未图示)气密地安装有驱动部罩132。升降基板130及驱动部罩132构成驱动部收纳箱134，由此，将驱动部收纳箱134内的环境与加载互锁室LR内的环境隔离。在驱动部收纳箱134的内部设有旋转驱动舟皿30的旋转机构104，该旋转机构104的周边通过水冷构造的冷却机构135而冷却。在旋转机构104上电连接有电缆138，该电缆138从升降轴124的上方侧穿过中空部而被引导至旋转机构104。另外，在冷却机构135及密封盖102上分别形成有冷却水流路140，在这些冷却水流路140上分别连接有冷却水配管142。各冷却水配管142从升降轴124的上方侧穿过中空部，并被引导至各冷却水流路140。通过控制器152的驱动控制部108使升降电机M旋转驱动，从而滚珠丝杠118旋转，由此升降台114及升降轴124升降，进而驱动部收纳箱134升降。而且，通过使驱动部收纳箱134上升，而使气密地设在升降基板130上的密封盖102将处理炉40的开口部即炉口 144密闭，由此成为能够对晶片14热处理的状态。另外，通过使驱动部收纳箱134下降，而使舟皿30与密封盖102 —同地下降，由此成为能够将晶片14向处理炉40的外部搬出的状态。如图6所示，对使SiC外延膜成膜的半导体制造装置10进行控制的控制器152具有温度控制部52、气体流量控制部78、压力控制部98及驱动控制部108。这些温度控制部52、气体流量控制部78、压力控制部98及驱动控制部108构成操作部及输入输出部，并与控制半导体制造装置10整体的主控制部150电连接。〈晶片的层叠构造〉接下来，利用附图对晶片14向舟皿30的层叠构造进行说明。图7是表示使晶片保持在晶片保持器中的状态的剖视图，图8是表示晶片及晶片保持器的立体图。舟皿30具有将多片晶片14以水平状态支承的3根舟皿柱，即第一舟皿柱31a、第二舟皿柱31b及第三舟皿柱31c。各舟皿柱31a 31c均由SiC等耐热材料形成，并相互经 由上板部件及下板部件(均未图示)组装成一体。各舟皿柱31a 31c均形成为相同形状，在组装成了舟皿30的状态下，在各舟皿柱31a 31c相对的一侧设有由切缺组成的多个保持器保持部HS。各保持器保持部HS以能够拆下的方式对搭载有晶片14的晶片保持器100的外周侧进行保持，并沿各舟皿柱31a 31c的长度方向以规定间隔设有例如30级。S卩，舟皿30被构成为将30片晶片14分别经由晶片保持器100而以水平状态且使中心一致的状态在纵方向上层叠保持。第一舟皿柱31a及第二舟皿柱31b以沿晶片14的圆周方向为90度间隔的方式配置。另外，第二舟皿柱31b及第三舟皿柱31c以沿晶片14的圆周方向为180度间隔的方法配置。S卩，第一舟皿柱31a与第二舟皿柱31b的间隔比第二舟皿柱31b与第三舟皿柱31c的间隔窄。此外，第一舟皿柱31a与第三舟皿柱31c的关系，同第一舟皿柱31a与第二舟皿柱31b的关系一样，沿晶片14的圆周方向为90度间隔。各舟皿柱31a 31c的间隔中开口最宽的开口部分，即第二舟皿柱31b与第三舟皿柱31c之间的开口部分为用于移载保持有晶片14的晶片保持器100的开口部(搬入搬出部)。如图8所示，用于搭载晶片14的晶片保持器100形成为圆盘状，该晶片保持器100具有圆环状的保持器基座(衬底保持器)110及圆盘状的保持器罩120。在此，保持器基座110及保持器罩120也分别由SiC等耐热材料形成。构成晶片保持器100的保持器基座110的外径尺寸被设定为比晶片14的外径尺寸大的外径尺寸。在晶片保持器110的中央部分设有在轴方向上将晶片保持器110贯穿的贯穿孔110a，在该贯穿孔IlOa的内周缘形成有环状层差部111。该环状层差部111能够保持晶片14。这样地，通过使晶片14保持在保持器基座110的环状层差部111上，能够将晶片14高精度地定位(搭载)在保持器基座110的中央部分，而且如图7所示，能够使各舟皿柱31a 31c与晶片14远离。另外,通过使晶片14保持在环状层差部111上,而能够将晶片14的成为成膜面的下表面14a暴露在反应室44内的环境中。在将晶片保持器100移载到了舟皿30上的状态下，在保持器基座110的主体部112中的与各舟皿柱31a 31c相对应的部分上分别设有沿主体部112的厚度方向，即晶片保持器100的轴方向贯穿的3个连通孔，即第一连通孔112a、第二连通孔112b和第三连通孔 112c。
另外，在沿主体部112的圆周方向的第一连通孔112a的附近形成有以圆弧形状形成的缺口部112e。缺口部112e用于与后述的异径衬底用附属件400的保持器定位杆406对合，由此能够高精度地进行晶片保持器100相对于异径衬底用附属件400的定位。由此，使衬底移载机28的臂32 (参照图I)动作，在将晶片保持器100(晶片14)从异径衬底用附属件400移载到舟皿30上时，能够使各连通孔112a 112c相对于各舟皿柱31a 31c以没有错位的方式确实地相对。各连通孔112a 112c均考虑到由各舟皿柱31a 31c造成的反应气体的消耗而设置。即，在向晶片14供给反应气体时，伴随舟皿30的旋转也向各舟皿柱31a 31c供给反应气体，从而各舟皿柱31a 31c也会成膜。由此，为了抑制在到达晶片14前反应气体被消耗，而设置有作为不消耗反应气体的空间的各连通孔112a 112c。由此，能够在晶片14的下表面14a上以使膜厚均匀的方式成膜。 保持器罩120具有大直径主体部121和小直径嵌合部122，小直径嵌合部122嵌入安装在保持器基座110的环状层差部111中。由此，能够抑制保持器罩120相对于保持器基座110的晃动。小直径嵌合部122在与环状层差部111之间夹着晶片14，与晶片14的上表面(非成膜面)14b接触，该上表面14b是对于晶片14的成膜面即下表面14a来说相反侧的面。这样，保持器罩120通过覆盖晶片14的上表面14b而使上表面14b不成膜，并且在从晶片14的上方侧落下的颗粒(微尘)中保护晶片14。<晶片盒及异径衬底用附属件的构造>接下来，利用附图对晶片盒16及应用在该晶片盒16中的异径衬底用附属件400的构造进行说明。图9(a)、(b)是表示晶片盒的外观形状的立体图，图10是表示将第一实施方式的异径衬底用附属件存储在晶片盒中的状态的剖视图，图11是放大表示图10的虚线圆A部分的放大剖视图，图12是表示图10的异径衬底用附属件的立体图，图13(a)、(b)是说明图10的异径衬底用附属件的动作状态的说明图。作为衬底收纳器的晶片盒16是能够收纳未图示的8英寸(约20cm)晶片(第一尺寸的衬底)的8英寸晶片专用的晶片盒，该晶片盒16由例如不产生颗粒的塑料材料形成为侧部16b开口的中空形状。在晶片盒16的侧部16b上设有如图13所示的开口层差部16c，在该开口层差部16c上能够嵌合设在盖16a上的嵌合凸部16d。由此，侧部16b通过盖16a能够自如开闭。此外，在开口层差部16c与嵌合凸部16d之间设有0型密封圈等密封部件(未图示)，由此能够将晶片盒16的内部密闭为真空状态等。如图10所示，在晶片盒16的内部设有从开口侧(纸面近前侧)向底侧(纸面里侧)延伸的多个第一支承槽16e。各第一支承槽16e能够支承8英寸晶片的外周部分,并在水平方向(图中前后方向)上延伸，在垂直方向(图中上下方向)上以等间隔设有7个。在晶片盒16的内部能够收纳图12所示的异径衬底用附属件400。异径衬底用附属件400是使得在8英寸晶片专用的晶片盒16中能够收纳例如比其小的2英寸(约5cm)晶片(第二尺寸的衬底)的附属件，在本实施方式中晶片14为2英寸晶片。异径衬底用附属件400具有形成为圆盘状的上部板401和下部板402，这些上部板401及下部板402均由与晶片盒16相同的塑料材料形成。上部板401及下部板402均为8英寸尺寸(第一尺寸)，并被支承在晶片盒16的各第一支承槽16e中。在此，上部板401及下部板402均构成本发明的板状部件。
在上部板401和下部板402之间设有作为保持部件(保持柱)的第一保持柱403a、第二保持柱403b及第三保持柱403c。各保持柱403a 403c均由与晶片盒16相同的塑料材料形成为棒状，上端部和下端部经由螺钉等紧固手段(未图示)分别固定在上部板401和下部板402上。各保持柱403a 403c的长度尺寸被设定为，能够分别使上部板401支承在各第一支承槽16e中的最上层、使下部板402支承在各第一支承槽16e中的最下层的长度尺寸。此外，这些保持部件(保持柱)至少设置三根即可，但还可以与异径衬底用附属件所需要的刚性相对应地设置四根以上。在各保持柱403a 403c上形成有由切缺构成的多个第二支承槽404，各第二支承槽404分别朝向各保持柱403a 403c的相对侧。各第二支承槽404以沿着各保持柱
403a 403c的长度方向的方式等间隔地设有六个。各第二支承槽404经由保持器部件405对搭载有第二尺寸的晶片14的晶片保持器100 (參照图7、8)进行支承，即异径衬底用附属件400能够存储六片晶片14。另外，各保持柱403a 403c以沿着上部板401及下部板402的径向的方式设在各第一支承槽16e的内側。这样，由于在第一尺寸的上部板401及下部板402上设置能够存储比第一尺寸小的第二尺寸的晶片14(或者晶片保持器100)的各保持柱403a 403b，所以，能够不依据于晶片盒16的各第一支承槽16e的间隔来设定异径衬底用附属件400的可保持片数。在各保持柱403a 403c的各第二支承槽404上支承有保持器部件405，该保持器部件405对搭载有晶片14的晶片保持器100进行支承。各保持器部件405均由与晶片盒16相同的塑料材料组成并形成为局部切缺的圆环状，其通过螺钉等紧固手段(未图示)被固定在各保持柱403a 403c的各第二支承槽404上。在此，在图12中，为了易于理解附图只记载了一部分保持器部件405 (两个)。如图10所示，在各保持器部件405的径向内侧分别设有中心孔405a，在该中心孔405a的内周缘形成有层差部405b，该层差部405b对搭载有晶片14的晶片保持器100进行支承。由此能够将搭载有晶片14的晶片保持器100高精度地定位在保持器部件405的中心部分上。另外，在各保持器部件405上分别设有如图12所示的切缺部405c，切缺部405c沿着保持器部件405的径向将保持器部件405的外周侧与内周侧(中心孔405a)连通。由此，易于将衬底移载机28的臂32 (參照图I)以朝向搭载有晶片14的晶片保持器100的方式引导，从而使晶片保持器100从保持器部件405上各易地取出。在此，晶片14在被保持在晶片保持器100上的状态下，与晶片保持器100 —同被移载到保持器部件405中，且被取出。这样，由于具有保持器部件405，所以，即使不对异径衬底用附属件400自身进行变更，也能够通过只变更该保持器部件405而应对多种尺寸。特别是在如上述的第一实施方式那样将晶片14搭载在晶片保持器100上的情况下，在改变晶片保持器100吋，即使不对异径衬底用附属件400整体进行变更也能够应对。此外，保持器部件405只要根据需要设置即可，也可以将晶片14或者晶片保持器100直接搭载在第二支承槽404中。如图13所示，在各保持器部件405中的中心孔405a附近设有保持器定位杆406，该保持器定位杆406的上下端通过螺钉等紧固手段固定在上部板401及下部板402 (參照图10)上。保持器定位杆406是与中心孔405a的第一保持柱403a相对应的部分，即沿着搭载有晶片14的晶片保持器100的移载方向(參照图12、13的虚线箭头M)设在晶片盒16的底侧。这样，由于具有保持器定位杆406，所以即使使用如图8所示的需要对旋转位置进行定位的晶片保持器100，也能够在晶片盒16内正确地对旋转位置定位。此外，在无需对晶片14或者晶片保持器100的旋转位置进行定位的情况下，则无需设置保持器定位杆406。保持器定位杆406对相对于存储在晶片盒16内的各晶片保持器100的旋转方向的位置进行定位，保持器定位杆406与缺ロ部112e对合，该缺ロ部112e设在形成晶片保持器100的保持器基座110上。由此，能够相对于设在晶片盒16内的异径衬底用附属件400而分别将各晶片保持器100闻精度地定位。如图10或者图13所示，在形成异径衬底用附属件400的上部板401及下部板402上以将两者贯穿的方式设有作为固定部件的一对伸缩自如的杆状部件407。各杆状部件407配置在晶片盒16的侧部16b侧，其将异径衬底用附属件400设置固定在晶片盒16内的规定位置上。即，各杆状部件407将上部板401及下部板402分别固定在晶片盒16的第一支承槽16e中。各杆状部件407均形成为相同形状。杆状部件407具有在上部板401与下部板402之间延伸的主体部407a ;设在上部板401侧，并相对于主体部407a在其长度方向上移动自如的移动部407b ;和将移动部407b向相对于主体部407a离开的方向弹压的螺旋弹簧407c。由此，当未在杆状部件407的长度方向上施加规定的负荷的情况(自然状态)下，杆状部件407通过螺旋弹簧407c的弾力而成为延伸状态。另ー方面，当在杆状部件407的长度方向上施加规定负荷的情况下，杆状部件407以抵抗螺旋弹簧407c的弾力的方式成为紧缩状态。由此，通过在使各杆状部件407紧缩的状态下将异径衬底用附属件400设在晶片盒16内，各杆状部件407以顶在晶片盒16内的方式被固定。由此，异径衬底用附属件400被牢固固定在晶片盒16内。此外，作为固定部件的杆状部件并不限于上述那样的方式，还可以是这样的杆状部件例如由在端部具有内螺纹部的主体部和在端部具有外螺纹部的移动部构成，通过使两者螺纹结合而能够伸縮。另外，通过在晶片盒16侧设有供各杆状部件407嵌合的嵌合孔(未图示)，而能够将异径衬底用附属件400更牢固地固定在晶片盒16内。如图12及图13所示，在异径衬底用附属件400及晶片盒16上设有推压部件408，该推压部件408经由保持器部件405及晶片保持器100对保持在各保持柱403a 403c中的晶片14进行推压。推压部件408从保持器基座110的径向推压保持器基座110，使缺ロ部112e与保持器定位杆406对合。由此，能够将晶片14稳定地保持在晶片盒16的内部，而且能够使晶片保持器100相对于晶片盒16的在旋转方向上的定位精度提高。推压部件408具有设在晶片盒16上的ー对第一推压单元409和设在异径衬底用附属件400的上部板401及下部板402上的ー对第二推压单元410。此外，在图12中，为了易于理解附图，用虚线只记载了一方的第二推压单元410。第一推压单元409具有通过晶片盒16的盖16a的开闭而移动的移动板409a。该移动板409a通过闭合盖16a而抵抗第一弹簧409b的弾力前进，并通过开启盖16a而在第ー弹簧40%的弾力作用下后退。第二推压单元410具有伴随着第一推压单元409的移动板409a的移动而移动的 定位保持器410a。该定位保持器410a通过移动板409a前进(关闭盖16a)而抵抗第二弹簧410b的弾力前进，并通过移动板409a后退(开启盖16a)而在第二弹簧410b的弹力作用下后退。而且，通过关闭盖16a而使定位保持器410a前迸，定位保持器410a推压保持器基座110。另ー方面，通过开启盖16a而使定位保持器410a后退，定位保持器410a从保持器基座110离开。如图13(b)的虚线箭头M所示，一旦定位保持器410a从保持器基座110离开，则能够使搭载有晶片14的晶片保持器100相对于异径衬底用附属件400出入，即能够使晶片14相对于晶片盒16出入。<SiC外延膜的成膜方法>接下来，參照图19，对利用上述的半导体制造装置10在由SiC等构成的晶片14等的衬底上对例如SiC外延膜进行成膜的衬底的制造方法(处理方法)进行说明，该衬底的制造方法是半导体器件的制造エ序中ー个エ序。此外，在以下说明中，构成半导体制造装置10的各部分的动作通过控制器152而控制。首先，如图10所示，准备晶片盒16及异径衬底用附属件400。接下来，将异径衬底用附属件400从晶片盒16的侧部16b放置在其内部。此时，以使上部板401和下部板402 分别支承在各第一支承槽16e中的最上层和最下层的方式进行放置。而且，通过各杆状部件407将异径衬底用附属件400固定在晶片盒16内(附属件固定エ序，图19的S100)。此夕卜，附属件固定エ序可以通过未图示的自动装置(机器人等)来进行，也可以通过作业者的手动作业来进行。接下来，将搭载有晶片14的晶片保持器100依次移载到固定在晶片盒16内的异径衬底用附属件400的各保持器部件405中。此时，使保持器基座110的缺ロ部112e与异径衬底用附属件400的保持器定位杆406对合。由此，使搭载有晶片14的晶片保持器100相对于异径衬底用附属件400的旋转位置被定位。接下来，如图13所示，在使盖16a朝着晶片盒16的侧部16b临近时,嵌合凸部16d嵌合在开ロ层差部16c中。与此相伴,嵌合凸部16d使各第一推压单元409动作，从而各移动板409a前进。另外，伴随着各移动板409a的前进而第二推压单元410动作，于是各定位保持器410a前进而推压保持器基座110。通过这样地利用盖16a封闭晶片盒16的侧部16b而使晶片盒16内密闭，且使晶片保持体100被稳定地支承。由此，完成了向晶片盒16放置(设置)晶片14及晶片保持器100 (衬底设置エ序，图19的S200)。此外，在晶片盒16密闭时，例如通过未图不的真空栗等使晶片盒16内成为真空，且使晶片盒16内成为没有颗粒的状态。另外，在该衬底设置エ序中也是可以通过未图示的自动装置(机器人等)来进行，还可以通过作业者的手动作业来进行。接下来，如图I所示，将经过了衬底设置エ序的多个晶片盒16搭载到由作业者牵引的台车CT上，并将各晶片盒16搬运到半导体制造装置10的晶片盒台18上。然后，由作业者将各晶片盒16分别设置在晶片盒台18上，由此完成第一衬底搬运エ序(图19的S300)。此外，在该第一衬底搬运エ序中，也可以例如将多个晶片盒16搭载在自行式的台车(自动搬运装置)上，且自动地设置在晶片盒台18上。接下来，若第一衬底搬运エ序完成，则晶片盒搬运装置20动作，使晶片盒16从晶片盒台18向晶片盒收纳架22搬运并堆垛。接下来，通过晶片盒搬运装置20将堆垛在收纳架22上的晶片盒16搬运到晶片盒开启器24处并进行设置，通过该晶片盒开启器24使晶片盒16的盖16a开启，并通过衬底片数检测器26检测收纳在晶片盒16中的晶片14(晶片保持器100)的片数。然后，通过衬底移载机28的动作从位于晶片盒开启器24的位置处的晶片盒16中取出搭载有晶片14的晶片保持器100，并连续地移载到舟皿30上(第二衬底搬运エ序，图19的S400)。在多片晶片14装填并层置在舟皿30中之后，保持着各晶片14的舟皿30通过基于升降电机M的旋转驱动实现的升降台114及升降轴124的升降动作而被搬运到反应室44内，即装载舟皿(boat loading)。一旦舟皿30被完全搬运到反应室44内，就成为密封盖102密封反应室44的状态，由此以保持着反应室44气密的方式完成第三衬底搬运エ序(舟皿装载エ序，图19的S500)。在将舟皿30搬入到反应室44中之后，驱动真空排气装置220以使反应室44的内部压カ成为规定压カ(真空度)，从而反应室44被真空排气(抽真空)。此时，反应室44的内部压カ由压カ传感器測定，根据所測定的压カ对与第一气体排气ロ 90及第ニ气体排气ロ 390连通的APC阀214进行反馈控制。
另外，为了使晶片14的温度及反应室44的内部温度成为规定温度，对感应线圈50通电，由此加热体48被加热。此时，基于温度传感器检测出的温度信息对向感应线圈50的通电情况进行反馈控制，以使反应室44的内部温度成为规定的温度分布(例如均匀温度分布)。接下来，通过旋转机构104使舟皿30旋转驱动，由此也使各晶片14在反应室44的内部旋转。然后，控制MFC211a、211b及阀212a、212b，由此从各气体供给源210a、210b供给有助于SiC外延膜的成膜的含有Si原子的气体(成膜气体)及含有Cl原子的气体(蚀刻气体)。于是，从第一气体供给喷嘴60的各第一气体供给ロ 68向反应室44内的各晶片14喷射反应气体。另外，为了使含有C原子的气体及还原气体即H2气体成为规定流量而控制相对应的MFC211d、211e的开度，之后控制阀212d、212e。于是，各反应气体在第二气体管线260中流通。由此，从第二气体供给喷嘴70的各第二气体供给ロ 72向反应室44内的各晶片14喷射反应气体。从各第一气体供给ロ 68及各第二气体供给ロ 72喷射的反应气体在反应室44内的加热体48的内周侧流动，并从第一气体排气ロ 90经由气体排气管230向外部排气。通过各第一气体供给ロ 68及第ニ气体供给ロ 72供给的反应气体在被分别喷射后立即混合，并在通过反应室44内时与通过SiC等构成的各晶片14接触，由此在各晶片14的表面上使SiC外延膜成膜。另外，控制MFC211f及阀212f来调整来自第四气体供给源210f的作为惰性气体的Ar气体(惰性气体)以使其成为规定流量,并经由第三气体管线240及第三气体供给ロ360而被供给到隔热材料54与反应管42之间。从第三气体供给ロ 360供给的Ar气体在隔热材料54与反应管42之间流动，并从第二气体排气ロ 390排气。然后，在上述那样将各晶片14暴露在反应气体中，并经过预先设定的时间后，停止各反应气体的供给控制。到此为止的一连串エ序，即通过反应气体的供给而在各晶片14的表面上使SiC外延膜成膜的エ序构成本发明的衬底处理工序(图19的S600)。接下来，从未图示的惰性气体供给源供给惰性气体，使反应室44内的加热体48的内侧的空间被惰性气体置換，而且反应室44的内部压カ恢复为常压。在反应室44内恢复为常压后，通过升降电机M的旋转驱动而使密封盖102下降，于是处理炉40的炉ロ 144开ロ。与此相伴，已完成热处理(已完成成膜处理)的各晶片14通过晶片保持器100以保持在舟皿30上的状态从集流腔36的下方侧搬出到反应管42的外部，即舟皿卸载(boat unloading)。保持在舟皿30上的各晶片14在加载互锁室LR的内部处于待机状态直到冷却。然后，当各晶片14冷却到规定的温度后，通过衬底移载机28的动作使搭载有各晶片14的各晶片保持器100被从舟皿30中取出。接下来，向位于设置在晶片盒开启器24处的空的晶片盒16内的异径衬底用附属件400中搬运移载。然后，通过晶片盒搬运装置20的动作使收纳有各晶片14的晶片盒16搬运到晶片盒收纳架22或者晶片盒台18上。由此，完成半导体制造装置10的一连串动作。第一实施方式的代表效果根据在第一实施方式中说明了的技术思想，至少能够实现以下记载的多个效果中的ー个以上的效果。 (I)根据第一实施方式，具有支承在第一支承槽16e中的上部板401及下部板402，该第一支承槽16e能够支承8英寸(第一尺寸)晶片；和设在这些上部板401及下部板402上的各保持柱403a 403c，该各保持柱403a 403c具有第二支承槽404，该第二支承槽404(根据需要，经由晶片保持器100和保持器部件405)能够支承比第一尺寸小的2英寸(第二尺寸)晶片，即晶片14。由此，在与第一尺寸的晶片相对应的晶片盒16中能够放置尺寸縮小了的第二尺寸的晶片14，能够使作为搬运系统的晶片盒16通用化，从而能够削减半导体制造装置10的成本。另外，由于能够使用与应处理的晶片14的尺寸相比尺寸大的处理炉40，所以能够使各气体供给喷嘴60、70远离各晶片14，能够使反应气体在到达各晶片14之如充分混合，从而使对各晶片14的成I吴精度提闻。(2)根据第一实施方式，在各保持柱403a 403c的上端部设置上部板401，在各保持柱403a 403c的下端部设置下部板402，将各保持柱403a 403c设在沿着上部板401及下部板402的径向的第一支承槽16e的内側。由此，能够使各保持柱403a 403c紧凑设置，并能够使放置了异径衬底用附属件400的晶片盒16轻量化。另外，能够不依据于第一支承槽16e彼此的间隔而能够任意设定第二支承槽404彼此的间隔。而且，由于异径衬底用附属件400与晶片盒16的接触部分能够在上部板401与第一支承槽16e及下部板402与第一支承槽16e实现，所以对异径衬底用附属件400及晶片盒16不需要非常高的加エ精度。由此能够进ー步削减半导体制造装置10的成本。(3)根据第一实施方式，因为在上部板401及下部板402上设有ー对杆状部件407，并通过各杆状部件407将上部板401及下部板402固定在具有第一支承槽16e的晶片盒16上，所以在晶片盒16的搬运时等，能够防止异径衬底用附属件100在晶片盒16内晃动。在该情况下，通过在晶片盒16上设置用干与各杆状部件407嵌合的嵌合孔，能够将异径衬底用附属件400确实地固定在晶片盒16上。(4)根据第一实施方式，因为将各杆状部件407以伸缩自如且贯穿上部板401及下部板402的方式设置，所以能够高精度地将异径衬底用附属件400固定在晶片盒16内的规定位置上。(5)根据第一实施方式，因为设置至少三根保持柱403a 403c，并在各保持柱403a 403c的相对侧设有第二支承槽404，所以能够将保持柱的数量设为最小需要限度，井能够通过第二支承槽404使各保持柱403a 403c变轻。由此，能够使异径衬底用附属件400轻量化。(6)根据第一实施方式，因为设有被支承在各保持柱403a 403c的第二支承槽404中且具有支承晶片14的层差部405b的保持器部件405，所以通过改变层差部405b的直径尺寸,例如从2英寸变更为4英寸,而能够容易地应对多种直径尺寸的晶片。(7)根据第一实施方式，因为在使晶片14保持在保持器基座110上的状态下，使保持器基座110支承在保持器部件405上，所以能 够将处于晶片14与保持器部件405之间的保持器基座110，在考虑到例如反应气体的流动情况等(成膜形状等)的情况下变更为任意的形状。(8)根据第一实施方式，晶片14以被保持在保持器基座110上的状态下被放置在具有第一支承槽16e的晶片盒16中，该保持器基座110具有与在该晶片14的处理时使用的舟皿30的各舟皿柱31a 31c相对应的各连通孔112a 112c和用于对各舟皿柱31a 31c定位的缺ロ部112e，上部板401及下部板402具有保持器定位杆406，通过使缺ロ部112e与保持器定位杆406对合而将保持器基座110相对于晶片盒16定位。由此，能够相对于舟皿30将保持器基座110高精度地定位，从而能够使到达晶片14的反应气体的浓度在晶片14的下表面14a的大致全区域内均匀。(9)根据第一实施方式，因为设置了对支承在各保持柱403a 403c中的晶片14进行推压的推压部件408，所以能够经由保持器基座110固定晶片14，能够防止在晶片盒16搬运时晶片14的晃动。(10)通过将具有在第一实施方式中说明的异径衬底用附属件400的半导体制造装置10使用在半导体装置的制造方法中的衬底的处理工序中，在半导体装置的制造方法中能够实现上述多个效果中的ー个以上。(11)通过将具有在第一实施方式中说明的异径衬底用附属件400的半导体制造装置10使用在形成SiC外延膜的衬底的制造方法中的衬底的处理工序中，在形成SiC外延膜的衬底的制造方法中能够实现上述多个效果中的ー个以上。第二实施方式接下来，參照附图详细说明本发明的第二实施方式。此外，在具有与上述的第一实施方式相同的功能的部分上标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。图14(a)、(b)对表示第二实施方式的异径衬底用附属件的构造的、与图13相对应的图进行表示。如图14(a)所示，第二实施方式的异径衬底用附属件500的不同点在于使搭载有晶片14的晶片保持器100向晶片盒16的侧部16b侧偏移(偏心)距离しS卩，使晶片14的中心位置与假设在使8英寸(第一尺寸)晶片支承在第一支承槽16e中的情况下的8英寸晶片的中心位置相比，位于晶片盒16的盖16a侦彳。与此相伴，在异径衬底用附属件500中省略第二推压单元410 (參照图13)。另外，不同点还在于代替设在晶片盒16上的第一推压单元409 (參照图13)，在盖16a的嵌合凸部16d上设有ー对弹簧部件(推压部件)501。各弹簧部件501由不产生颗粒的硬质塑料等弾性材料形成为多次折曲的附有层差的板状，其具有固定主体部502和前端部503。各弹簧部件501的各固定主体部502经由螺钉等紧固手段(未图示)固定在嵌合凸部16d的大致中央部分。另外，各弹簧部件501的各前端部503能够推压保持器基座110。
由此，如图14 (a)所示，在盖16a闭合的状态下，各弹簧部件501的各前端部503以与保持器基座110抵接的方式推压保持器基座110。另ー方面，如图14(b)所示，在盖16a开启的状态下，各弹簧部件501的各前端部503从保持器基座110分离，并如虚线箭头M所示地能够使搭载有晶片14的晶片保持器100相对于异径衬底用附属件500出入，即能够使晶片14相对于晶片盒16出入。第二实施方式的代表效果在通过第二实施方式说明了的技术思想中，也能够实现与上述第一实施方式大致相同的作用效果。在此基础上，在第二实施方式中，因为能够使保持器110中的各弹簧部件501的各前端部503抵接的部分位干与上部板401及下部板402的外径部分相同的位置上，所以能够不作改变就直接地利用8英寸(第一尺寸)晶片用的晶片盒及盖，从而能够进ー步实现通用化。另外，因为能够使推压部件的构造与第一实施方式相比简化，所以能够进ー步削减半导体制造装置10的成本。第三实施方式接下来，參照附图详细说明本发明的第三实施方式。此外，在具有与上述的各实施方式相同的功能的部分上标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。图15是表不第三实施方式的异径衬底用附属件的构造的、与图10相对应的图，图16是放大表示图15的虚线圆B部分的放大剖视图，图17(a)、(b)是说明图15的异径衬底用附属件的动作装置的说明图。如图15所示，第三实施方式的异径衬底用附属件600具有板状部件601，该板状部件601被分别支承在设于晶片盒16上的各第一支承槽16e中。各板状部件601均形成为相同形状，与上述的各实施方式中的保持器部件405(參照图10)相同地，形成为使晶片14的出入侧(图17中的下方侧)切缺了的圆环状。在板状部件601的径向内侧一体地设有作为保持部件的保持部602，该保持部602对搭载有晶片14的晶片保持器100进行支承。另外，在保持部602的内周缘上，即在板状部件601的内周缘上设有能够对搭载有晶片14的晶片保持器100进行支承的第二支承槽603。由此，在第三实施方式中，本发明中的板状部件、保持部件及第ニ支承槽一体化于圆环状的单ー的板状部件601。如图16所示，在各板状部件601之间设有固定杆604，该固定杆604具有外螺纹部604a及内螺纹部604b。各固定杆604在异径衬底用附属件600的左右侧设有ー对,并在层叠了多个各板状部件601的状态下保持恒定的间隔。各固定杆604通过使外螺纹部604a贯穿到形成在各板状部件601上的螺纹贯穿孔60Ia中，并以该状态螺纹结合在相邻的内螺纹部604b中，从而能够以固定的间隔保持各板状部件601的间隔。此外，各固定杆604的除外螺纹部604a及内螺纹部604b之外的部分(主体部分)的长度尺寸被设定为与相邻的第一支承槽16e的间隔相同的长度尺寸，由此，只将异径衬底用附属件600放置在晶片盒16内，各板状部件601就能够分别支承在相对应的各第一支承槽16e中。在此，各固定杆604中的位于图中最下层的固定杆604不具有外螺纹部604a，而是与晶片盒16抵接。另外，在各固定杆604的图中上方侧设有固定部件605。固定部件605将异径衬底用附属件600固定在晶片盒16内，并进行与上述的各实施方式的杆状部件407 (參照图12)相同的动作。固定部件605具有固定杆604，该固定杆604不具有内螺纹、部604b ;移动杆605a，该移动杆605a相对于该固定杆604在其轴方向上移动自如；和螺旋弹簧605b,该螺旋弹簧605b将移动杆605a向相对于固定杆604分离的方向弹压。此外，固定部件605并不限于上述方式，还可以由具有内螺纹部604b的固定杆604和与其螺纹结合的移动杆(未图示)构成。如图17所示，在各板状部件601的大致中心部分贯穿地设有保持器定位杆606，该保持器定位杆606与设在保持器基座110上的缺ロ部112e对合。保持器定位杆606的上端部及下端部相对于位于各板状部件601中的最上层及最下层的各板状部件601通过螺钉等紧固手段(未图示)而固定。这样，通过将保持器定位杆606设在各板状部件601的大致中心部分，而与第二实施方式相同地使搭载有晶片14的晶片保持器100向晶片盒16的侧部16b侧偏移,从而将晶片盒16的盖16a作为8英寸(第一尺寸)晶片用而实现通用化。但是，在第三实施方式的异径衬底用附属件600中，还能够与第一实施方式相同地使各 板状部件601的中心与晶片14的中心一致，而采用由第一推压单元409及第ニ推压单元410组成的推压部件。在沿着各板状部件601的圆周方向的各固定杆604之间，且在保持器定位杆606的背面侧(图中上方侧)设有支承杆607，该支承杆607对各板状部件601的从各固定杆604离开的一侧进行支承。该支承杆607具有与各固定杆604相同的构成，能够与各固定杆604协作地以恒定的间隔保持各板状部件601的间隔。此外，支承杆607的两端侧的结构为不越过各板状部件601与晶片盒16抵接，由此，能够相对于晶片盒16容易地放置异径衬底用附属件600。第三实施方式的代表效果在通过第三实施方式说明了的技术思想中，也能够实现与上述的各实施方式大致相同的作用效果。在此基础上，在第三实施方式中，与上述的各实施方式相比能够省略作为保持部件的保持柱。另外，因为使各板状部件601分别支承在晶片盒16的各第一支承槽16e中，所以能够增加向晶片盒16放置的晶片14的片数，从而能够实现成膜处理的效率提闻。第四实施方式接下来，參照附图详细说明本发明的第四实施方式。此外，在具有与上述的各实施方式相同的功能的部分上标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。图18对表示第四实施方式的异径衬底用附属件的构造的、与图10相对应的图进行表示。如图18所示，第四实施方式的异径衬底用附属件700具有作为上部板的板状部件701，该板状部件701嵌合在设于晶片盒16上的第一支承槽16e的最上层与晶片盒16的空间中，另外还具有作为下部板的板状部件702，该板状部件702同样地嵌合在第一支承槽16e的最下层与位于最下层的上方ー层的第一支承槽16e的空间。晶片保持器的保持方法是与第二实施方式相同，通过使搭载有晶片14的晶片保持器100向晶片盒16的侧部16b侧偏移而保持，能够将晶片盒16的盖16a作为8英寸(第一尺寸)晶片用以实现通用化。另外，板状部件701及702的形状并不限于在图12中记载的那样的圆盘形状，还可以为四边形状。另外，还可以为了易于嵌合而在板状部件的端部设置渐缩部。
第四实施方式的代表效果在通过第四实施方式说明了的技术思想中，也能够实现与上述的各实施方式大致相同的作用效果。在此基础上，在第四实施方式中，与上述的各实施方式相比，由于不需要复杂的加工，因此能够以低成本制造，并且能够通过简易的构造将异径衬底用附属件确实地固定在晶片盒上。另外，由于作为将附属件固定在晶片盒中的方法利用了与晶片盒的嵌合，所以能够防止由多次移动晶片盒而造成的振动所导致的附属件振动，并且能够防止在晶片盒内广生颗粒等。以上，基于实施方式具体说明了本发明人作出的发明，但本发明并限定于上述的各实施方式中，在不脱离其发明主g的范围内当然能够进行各种变更。例如，在上述各实施方式中，例示出了将本发明的异径衬底用附属件应用在使SiC外延膜成膜的成膜装置(衬底处理装置)中，但是也能够在对直径比晶片盒16能够容纳的直径小的晶片进行处理的其他形式的衬底处理装置中应用本发明的技术思想。另外，在上述第一、第二实施方式中，使晶片14经由晶片保持器100(保持器基座110)及保持器部件405支承在作为保持部件的各保持柱403a 403c的第二支承槽404中，在上述第三实施方式中，使晶片14经由晶片保持器100(保持器基座110)支承在第二支承槽603中，该第二支承槽603设在板状部件601中的保持部(保持部件)602的内周缘上。但是，本发明并不限于此，还能够使晶片14直接支承在各保持柱403a 403c的第二支承槽404中，且还能够使晶片14直接支承在板状部件601的第二支承槽603中。本发明至少还包含以下的实施方式。附记I一种异径衬底用附属件，其特征在于，包括板状部件，其被第一支承槽支承并能够支承第一尺寸的衬底；和保持部件，设在所述板状部件上，并具有能够支承比所述第一尺寸小的第二尺寸的衬底的第二支承槽。附记2根据附记I所述的异径衬底用附属件，其特征在于，所述板状部件具有设在所述保持部件的上端部的第一尺寸的上部板和设在所述保持部件的下端部的第一尺寸的下部板，所述保持部件设在所述上部板与下部板之间，且设在沿着所述上部板及所述下部板的径向的所述第一支承槽的内侧。附记3根据附记I所述的异径衬底用附属件，其特征在干，将所述板状部件形成为使所述第二尺寸的衬底的出入侧切缺了的圆环形，将所述保持部件的所述第二支承槽设在所述板状部件的内周缘。附记4根据附记3所述的异径衬底用附属件，其特征在干，将所述板状部件多个层叠，并 在所述各板状部件之间分别配置具有螺纹部的固定杆，通过所述各固定杆将所述各板状部件的间隔保持恒定。附记5根据附记I 4中任一项所述的异径衬底用附属件，其特征在于，在所述板状部件上设有固定部件，通过该固定部件将所述板状部件固定在具有所述第一支承槽的衬底收纳器中。附记6根据附记5所述的异径衬底用附属件，其特征在于，由伸缩自如的杆状部件形成所述固定部件，所述固定部件以贯穿所述板状部件的方式设置。附记7根据附记I或2所述的异径衬底用附属件，其特征在于，由至少三根保持柱形成所述保持部件，在所述各保持柱的相对侧设有所述第二支承槽。附记8
根据附记7所述的异径衬底用附属件，其特征在于，包括保持部件，该保持部件被所述各保持柱的所述第二支承槽支承，并具有支承所述第二尺寸的衬底的层差部。附记9根据附记8所述的异径衬底用附属件，其特征在于，在使所述第二尺寸的衬底保持在衬底保持器上的状态下，使所述衬底保持器支承在所述保持部件上。附记10根据附记I 9中任一项所述的异径衬底用附属件，其特征在于，所述第二尺寸的衬底在被保持于当对该第二尺寸的衬底进行处理时使用的衬底保持器上的状态下被放置在具有所述第一支承槽的衬底收纳器中，所述衬底保持器具有与舟皿的舟皿柱相对应的连通孔和用于对所述舟皿柱定位的缺ロ部，所述板状部件具有保持器定位杆，通过使所述缺ロ部与所述保持器定位杆对合而将所述衬底保持器相对于所述衬底收纳器定位。附记11根据附记I 10中任一项所述的异径衬底用附属件，其特征在于，设有推压部件，该推压部件用于对支承在所述保持部件上的所述第二尺寸的衬底进行推压。附记12根据附记11所述的异径衬底用附属件，其特征在于，所述推压部件包括移动板，设在具有所述第一支承槽的衬底收纳器上，并通过所述衬底收纳器的盖的开闭而移动；和定位保持器，设在所述板状部件上，井随着所述移动板的移动而移动。附记13根据附记11所述的异径衬底用附属件，其特征在于，所述推压部件是设在具有所述第一支承槽的衬底收纳器的盖上的弹簧部件，该弹簧部件通过闭合所述盖而推压所述第ニ尺寸的衬底。附记14根据附记11所述的异径衬底用附属件，其特征在于，使所述第二尺寸的衬底的中心位置，与在使所述第一尺寸的衬底支承在所述第一支承槽中的情况下的所述第一尺寸的衬底的中心位置相比，位于所述衬底收纳器的盖侧。附记15ー种衬底处理装置，其特征在于，包括板状部件，其被第一支承槽支承并能够支承第一尺寸的衬底；保持部件，设在所述板状部件上，并具有能够支承比所述第一尺寸小的第二尺寸的衬底的第二支承槽；衬底收纳器，具有所述第一支承槽，并用于放置由所述板状部件和所述保持部件组成的异径衬底用附属件；容器导入部，用于将所述衬底收纳器从外部导入；反应容器，用于对多个层叠的所述衬底进行处理；和搬运机构，其设在所述容器导入部与所述反应容器之间，用于从所述容器导入部向所述反应容器搬运所述衬底收纳 器。附记16一种衬底或者半导体器件的制造方法，其特征在于，包括附属件固定エ序，在该エ序中，准备由板状部件和保持部件组成的异径衬底用附属件，并将该异径衬底用附属件固定在衬底收纳器内，所述板状部件被第一支承槽支承并能够支承第一尺寸的衬底，所述保持部件设在所述板状部件上并具有能够支承比所述第一尺寸小的第二尺寸的衬底的第二支承槽，所述衬底收纳器具有所述第一支承槽；衬底设置エ序，在该エ序中，将所述第二尺寸的衬底设置在被固定于所述衬底收纳器内的所述异径衬底用附属件上；第一衬底搬运エ序，在该エ序中，将放置了所述第二尺寸的衬底的所述衬底收纳器搬运到衬底处理装置的容器导入部内；第二衬底搬运エ序，在该エ序中，使所述衬底处理装置的搬运机构动作，从而将位于所述容器导入部内的所述衬底收纳器向着所述衬底处理装置的用于处理衬底的反应容器搬运；第三衬底搬运エ序，在该エ序中，将所述衬底收纳器内的所述第二尺寸的衬底以在舟皿中多个层叠的方式移载，并将所述舟皿搬运到所述反应容器内，所述舟皿是通过使所述衬底处理装置的衬底移载机动作而被搬运到所述反应容器内的；和衬底处理工序，在该エ序中，从所述反应容器内的气体喷嘴供给反应气体，并且通过加热体对反应容器内进行加热，从而对所述衬底进行处理。エ业上的利用可能性本发明能够广泛利用在对半导体装置(半导体器件)和用于形成SiC外延膜的衬底等进行制造的制造业等中。
权利要求
1.一种异径衬底用附属件，其特征在于，包括 板状部件，其被第一支承槽支承并能够支承第一尺寸的衬底；和 保持部件，设在所述板状部件上，并具有能够支承比所述第一尺寸小的第二尺寸的衬底的第二支承槽。
2.根据权利要求I所述的异径衬底用附属件，其特征在于， 将所述板状部件多个层叠，并在各所述板状部件之间分别配置具有螺纹部的固定杆，通过各所述固定杆将各所述板状部件的间隔保持恒定。
3.根据权利要求I所述的异径衬底用附属件，其特征在于， 在所述板状部件上设有固定部件，通过该固定部件将所述板状部件固定在具有第一支承槽的衬底收纳器中。
4.根据权利要求I所述的异径衬底用附属件，其特征在于， 由至少三根保持柱形成所述保持部件，在各所述保持柱的相对侧设有所述第二支承槽。
5.根据权利要求I所述的异径衬底用附属件，其特征在于， 使所述第二尺寸的衬底的中心位置，与在使所述第一尺寸的衬底支承在所述第一支承槽中的情况下的所述第一尺寸的衬底的中心位置相比，位于所述衬底收纳器的盖侧。
6.根据权利要求5所述的异径衬底用附属件，其特征在于， 设有推压部件，该推压部件用于对支承在所述保持部件上的所述第二尺寸的衬底进行推压。
7.根据权利要求6所述的异径衬底用附属件，其特征在于， 所述推压部件包括移动板，设在具有所述第一支承槽的衬底收纳器上，并通过所述衬底收纳器的盖的开闭而移动；和定位保持器，设在所述板状部件上，并随着所述移动板的移动而移动。
8.根据权利要求I所述的异径衬底用附属件，其特征在于， 所述保持部件的上下顶板嵌合在所述第一支承槽中。
9.一种衬底处理装置，其特征在于，包括 板状部件，其被第一支承槽支承并能够支承第一尺寸的衬底； 保持部件，设在所述板状部件上，并具有能够支承比所述第一尺寸小的第二尺寸的衬底的第二支承槽； 衬底收纳器，具有所述第一支承槽，并用于放置由所述板状部件和所述保持部件组成的异径衬底用附属件； 容器导入部，用于将所述衬底收纳器从外部导入； 反应容器，用于对多个层叠的所述衬底进行处理；和 搬运机构，其设在所述容器导入部与所述反应容器之间，用于从所述容器导入部向所述反应容器搬运所述衬底收纳器。
10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括 附属件固定工序，在该工序中，准备由板状部件和保持部件组成的异径衬底用附属件，并将该异径衬底用附属件固定在衬底收纳器内，所述板状部件被第一支承槽支承并能够支承第一尺寸的衬底，所述保持部件设在所述板状部件上并具有能够支承比所述第一尺寸小的第二尺寸的衬底的第二支承槽，所述衬底收纳器具有所述第一支承槽； 衬底设置工序，在该工序中，将所述第二尺寸的衬底设置在被固定于所述衬底收纳器内的所述异径衬底用附属件上； 第一衬底搬运工序，在该工序中，将放置了所述第二尺寸的衬底的所述衬底收纳器搬运到衬底处理装置的容器导入部内； 第二衬底搬运工序，在该工序中，使所述衬底处理装置的搬运机构动作，从而将位于所述容器导入部内的所述衬底收纳器向着所述衬底处理装置的用于处理衬底的反应容器搬运； 第三衬底搬运工序，在该工序中，将所述衬底收纳器内的所述第二尺寸的衬底以在舟皿中多个层叠的方式移载，并将所述舟皿搬运到所述反应容器内，所述舟皿是通过使所述衬底处理装置的衬底移载机动作而被搬运到所述反应容器内的；和 衬底处理工序,在该工序中，从所述反应容器内的气体喷嘴供给反应气体,并且通过加热体对反应容器内进行加热，从而对所述衬底进行处理。
全文摘要
本发明提供异径衬底用附属件、衬底处理装置及半导体器件的制造方法，能够在构成应对大直径衬底的搬运系统的衬底收纳器中放置尺寸缩小的衬底。异径衬底用附属件包括上部板(401)和下部板(402)，被支承在第一支承槽(16e)中并能支承8英寸晶片；和各保持柱(403a～403c)，设在上部板和下部板上，并具有能支承2英寸晶片、即晶片(14)的第二支承槽(404)。由此，能够在应对8英寸晶片的晶片盒(16)中放置作为2英寸晶片的晶片，从而能够使作为搬运系统的晶片盒通用化以削减半导体制造装置的成本。能够使各气体供给喷嘴远离各晶片，从而能够使反应气体在到达各晶片前充分混合，能够提高对各晶片的成膜精度。
文档编号H01L21/205GK102655108SQ201210055699
公开日2012年9月5日 申请日期2012年2月28日 优先权日2011年2月28日
发明者伊藤刚, 田中昭典 申请人:株式会社日立国际电气